JPS60182030A - 情報記録用基板の製造方法 - Google Patents
情報記録用基板の製造方法Info
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- JPS60182030A JPS60182030A JP59035962A JP3596284A JPS60182030A JP S60182030 A JPS60182030 A JP S60182030A JP 59035962 A JP59035962 A JP 59035962A JP 3596284 A JP3596284 A JP 3596284A JP S60182030 A JPS60182030 A JP S60182030A
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- Japan
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- subjected
- information recording
- resist
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［ｙＡ明の技術分野］
本発明ケよ光デ１スクや光磁気ディスク等に用いられる
情報記録用基板およびその製造方法に関するものである
。
情報記録用基板およびその製造方法に関するものである
。
［“従来技術〕
従来この種のメモリディスクは、例えば次のようにして
形成されている。まず、ガラス原盤の一生面上に直接に
、またはレジストの付着力を強めるためにクロムを薄く
コートした上でレジストを塗布する。次いで、レーザー
光を用いたカッティングにより所望のレジストパターン
を形成し、その上に導電性をもたせるために銀鏡反応に
より銀を析出させるか蒸着等により金属膜（例えば金、
銀、ニッケル〕全コートした上で、さらにニッケルをメ
ッキする。これ全ガラス原盤から剥離してニッケルマス
ター盤を作る。次いで、このマスター盤のごく表層部を
重クロム醜なとで酸化し、再びニッケルをメッキし、こ
の部分をマスター盤から剥離する。こｔ′Ｎ、’ｉマザ
ー盤として上述したと同様の方法でスタンバ−を作る。
形成されている。まず、ガラス原盤の一生面上に直接に
、またはレジストの付着力を強めるためにクロムを薄く
コートした上でレジストを塗布する。次いで、レーザー
光を用いたカッティングにより所望のレジストパターン
を形成し、その上に導電性をもたせるために銀鏡反応に
より銀を析出させるか蒸着等により金属膜（例えば金、
銀、ニッケル〕全コートした上で、さらにニッケルをメ
ッキする。これ全ガラス原盤から剥離してニッケルマス
ター盤を作る。次いで、このマスター盤のごく表層部を
重クロム醜なとで酸化し、再びニッケルをメッキし、こ
の部分をマスター盤から剥離する。こｔ′Ｎ、’ｉマザ
ー盤として上述したと同様の方法でスタンバ−を作る。
このスタンパ−の裏面を研磨し、このスタンハーヲ用い
て、ガラス盤とスタンパ−との間に樹脂を入れ、樹脂を
熱または紫外線などＶこより硬化させてスタンバ−の凹
凸を転写する。このようにして得られる情報記録用基板
を第１図に示す。図において、１ｔｒｉソーダライムガ
ラス基板であり、２け樹脂層である。この情報配録用基
板の樹脂Ｎ２の凹凸面に、各種記録用薄膜卦よび保護層
を形成し、さらに：３０−盤などではこのようなディス
ク′ｆＣ情報記録層が内側すこなるように２枚張−り合
せで、メモリディスクが形成される。。なお、凹凸は、
情報記録用トラックヲ構成ブる案内溝およＯ・径方向位
置決め用のブし・グループとして利用さｉ％る１゜ しかし７斤がら、この、１１−、な従来のメモリディス
クでは、樹脂層イニ均一に形成しなければならないこと
、特に俵屈折等の影響全／Ｊ・さくして光学的（Ｃ均一
な＃全形成しな（へ）ればならないこと、さらＶこ、ス
〃ンバー十の欠陥はその１寸樹脂層に転写されるｆ（め
欠陥のないスタンバ−全作る必要かめるば７）ｌでなく
、スタンバ−上の微小な案内溝イぐ正確に転写しなけれ
ばなら々いことなど製造上４重々の困難がある。
て、ガラス盤とスタンパ−との間に樹脂を入れ、樹脂を
熱または紫外線などＶこより硬化させてスタンバ−の凹
凸を転写する。このようにして得られる情報記録用基板
を第１図に示す。図において、１ｔｒｉソーダライムガ
ラス基板であり、２け樹脂層である。この情報配録用基
板の樹脂Ｎ２の凹凸面に、各種記録用薄膜卦よび保護層
を形成し、さらに：３０−盤などではこのようなディス
ク′ｆＣ情報記録層が内側すこなるように２枚張−り合
せで、メモリディスクが形成される。。なお、凹凸は、
情報記録用トラックヲ構成ブる案内溝およＯ・径方向位
置決め用のブし・グループとして利用さｉ％る１゜ しかし７斤がら、この、１１−、な従来のメモリディス
クでは、樹脂層イニ均一に形成しなければならないこと
、特に俵屈折等の影響全／Ｊ・さくして光学的（Ｃ均一
な＃全形成しな（へ）ればならないこと、さらＶこ、ス
〃ンバー十の欠陥はその１寸樹脂層に転写されるｆ（め
欠陥のないスタンバ−全作る必要かめるば７）ｌでなく
、スタンバ−上の微小な案内溝イぐ正確に転写しなけれ
ばなら々いことなど製造上４重々の困難がある。
［発明の概要〕
本発明（ＣＩ：このような事情に鑑みてなされたもので
、その目的は、均一性の高いメモリディスクを容易に形
成することが可能な情報記録用基板およびその製造方法
を提供することにある。
、その目的は、均一性の高いメモリディスクを容易に形
成することが可能な情報記録用基板およびその製造方法
を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明による情報記
録用基板は、低温形イオン交換処理を施しｆｃガラス基
板にｊバ接凹凸を形成し、樹脂層を不要としたものであ
る。
録用基板は、低温形イオン交換処理を施しｆｃガラス基
板にｊバ接凹凸を形成し、樹脂層を不要としたものであ
る。
また、このような情報り己録用基板を得るために、本発
明による情報記録用基板の製造方法は、スパ′ツタエツ
チング法を用い“Ｃ凹凸の形成を行なうものである。
明による情報記録用基板の製造方法は、スパ′ツタエツ
チング法を用い“Ｃ凹凸の形成を行なうものである。
ここで、低温形イオン交換処理とｔユ、ガラスの強化方
法の一種であり、ガラス看・転移点以下の温度、例えば
ソーダライムガラスの揚＠３８０〜４５０℃の温度で、
ガラス中のアルカ・す１オン（本例ではＮａ＋イオン）
をこれよりも太き〕２イオン半径のアルカリイオン（同
：工り１イ万ンなと）で交換することに”Ｌ ！Ｊ ’
＝ニガ９フ面に圧縮応力を導入する方法である。なお、
ガラス表面のＮａ＋イオンはずベーこ八 イメノに交換
さ２°しているわけではなく、その置換率は９０％程度
である。−また、このイオン交換処理で使用する溶融塩
は主として硝酸塩でめるが、硫酸塩を使用することもで
きる。これにより、ガラス基板は機械的に強化されると
とも（（、表面のナトリウムイオン濃度が低下してエツ
チングの再ＩＪＩ性か向上しかつ記録媒体の劣化が抑制
されるなとの効果がめる。
法の一種であり、ガラス看・転移点以下の温度、例えば
ソーダライムガラスの揚＠３８０〜４５０℃の温度で、
ガラス中のアルカ・す１オン（本例ではＮａ＋イオン）
をこれよりも太き〕２イオン半径のアルカリイオン（同
：工り１イ万ンなと）で交換することに”Ｌ ！Ｊ ’
＝ニガ９フ面に圧縮応力を導入する方法である。なお、
ガラス表面のＮａ＋イオンはずベーこ八 イメノに交換
さ２°しているわけではなく、その置換率は９０％程度
である。−また、このイオン交換処理で使用する溶融塩
は主として硝酸塩でめるが、硫酸塩を使用することもで
きる。これにより、ガラス基板は機械的に強化されると
とも（（、表面のナトリウムイオン濃度が低下してエツ
チングの再ＩＪＩ性か向上しかつ記録媒体の劣化が抑制
されるなとの効果がめる。
マタ、スパッタエツチングは、方向性−１−７チｙグで
あるためにアンターカットが小さく、捷た再男性が良く
深さ方向のはらつきのｔ’ｒとんどないエツチング条件
上か行なえるっ以−１、大施例を用いて本発明の詳細な
説明する。
あるためにアンターカットが小さく、捷た再男性が良く
深さ方向のはらつきのｔ’ｒとんどないエツチング条件
上か行なえるっ以−１、大施例を用いて本発明の詳細な
説明する。
〔実施例」
第２図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施例を示す工程
断面図でるる。
断面図でるる。
ます、外径２０Ｕｒｒ、＋ｎ、内径３５ ｍｍ、板厚１
６２ｍｍのティスフ状のソーダライムカラス基板１につ
いて、３８０〜４５０℃の溶融硝酸カリウム中に数十発
表いし数十時間浸して低温形イオン交換処理を施し、化
学強化゛する。その後、シラザン処理を施ルてレジスト
との付着力を強めた上で＼このガラス基板１の一生面上
に７オトレジストＡｚ１３００−２７ （米国Ｈｏｅｃ
ｈｓｔ社）３を約２００００λ塗布しプリベークを行な
う（第２図（ａ））。
６２ｍｍのティスフ状のソーダライムカラス基板１につ
いて、３８０〜４５０℃の溶融硝酸カリウム中に数十発
表いし数十時間浸して低温形イオン交換処理を施し、化
学強化゛する。その後、シラザン処理を施ルてレジスト
との付着力を強めた上で＼このガラス基板１の一生面上
に７オトレジストＡｚ１３００−２７ （米国Ｈｏｅｃ
ｈｓｔ社）３を約２００００λ塗布しプリベークを行な
う（第２図（ａ））。
次に、プレグルーブ用の信号をパターニングした円板上
の７オトマスクを用いて露光を行ない、さらにこれを現
像、乾燥、ポストベークしてレジストパターン４を形成
する（第２図（ｂ）〕。
の７オトマスクを用いて露光を行ない、さらにこれを現
像、乾燥、ポストベークしてレジストパターン４を形成
する（第２図（ｂ）〕。
次いで、この１／シストパターン全マスクとし、平行平
板形プラズマエツチング装置を用い、Ａｒガス圧力５
ｘ １０ Ｔｏｒｒ、高周波出力２００Ｗ（０，４４／
ｃｍ ）のエツチング条件でスパッタエツチングを行な
った。記録ま一７’Ｃに再生に用いるレーザ光の波長を
λとすると、エツチング深さはおよそλ／４虜たはλ／
８とする必要がらり、本笑施例では１２００〜１３００
Ａとした。、前述したように、スパッタエツチングを
用いることによジアンダーカットが小さく、再現性が良
好で深さ方向のばらつきがほとんどない溝５が得られる
（第２図（Ｃ））。
板形プラズマエツチング装置を用い、Ａｒガス圧力５
ｘ １０ Ｔｏｒｒ、高周波出力２００Ｗ（０，４４／
ｃｍ ）のエツチング条件でスパッタエツチングを行な
った。記録ま一７’Ｃに再生に用いるレーザ光の波長を
λとすると、エツチング深さはおよそλ／４虜たはλ／
８とする必要がらり、本笑施例では１２００〜１３００
Ａとした。、前述したように、スパッタエツチングを
用いることによジアンダーカットが小さく、再現性が良
好で深さ方向のばらつきがほとんどない溝５が得られる
（第２図（Ｃ））。
その後、アセトンなどの有機溶剤、熱濃硫酸等でレジス
トを剥離し、洗浄：乾燥を行なって情報記録用基板６が
作成される（第２図（ｄ））。
トを剥離し、洗浄：乾燥を行なって情報記録用基板６が
作成される（第２図（ｄ））。
Ｃの基板６は、その後、その凹凸を形成し７ｊ王面上に
各１４の記憶用薄膜および保護層勿形成し、わるい１７
ｒさらに、このよりにして形成した２枚のディスクを、
記録層が内側になるように封止ラーることＶＣよって耐
久性のめるメモリアイスフとなる。
各１４の記憶用薄膜および保護層勿形成し、わるい１７
ｒさらに、このよりにして形成した２枚のディスクを、
記録層が内側になるように封止ラーることＶＣよって耐
久性のめるメモリアイスフとなる。
なお、上記工程中フォトレジスト孕塗布する前に、化学
強化したガラス基板１ｅこシラザン処理を施したの１１
丁、ガラスの主成分でめる５ｔＯ２が空気中の水分と反
Ｊ５Ｌでガラス表面Ｖζシラノール基を作りレジストと
の付着力を弱めることカ・ら、その対策として行なうも
ので、ブレヒートなどで代用することも可能である。
強化したガラス基板１ｅこシラザン処理を施したの１１
丁、ガラスの主成分でめる５ｔＯ２が空気中の水分と反
Ｊ５Ｌでガラス表面Ｖζシラノール基を作りレジストと
の付着力を弱めることカ・ら、その対策として行なうも
ので、ブレヒートなどで代用することも可能である。
また、スパッタエツチングのエツチングガスとしては、
Ａｒのみでなく、例えは Ａｒと ＣＦ４等のフッ素系
の混合ガスケ用いてもよい。その場合１ｄ： ＣＦ４の
分解によって生ずる活性種のために、ガラスの表面層が
化学エツチングＦ ｒ）、る効果がめす、エツチング時
間が短くで済む利点かめる。
Ａｒのみでなく、例えは Ａｒと ＣＦ４等のフッ素系
の混合ガスケ用いてもよい。その場合１ｄ： ＣＦ４の
分解によって生ずる活性種のために、ガラスの表面層が
化学エツチングＦ ｒ）、る効果がめす、エツチング時
間が短くで済む利点かめる。
さらに、フォトレジストの露光方法として・円板状のフ
ォトマスクを使用したが、これは円板状に限定されず、
角形等でめってもよい。また、フォトマスク全使用せず
、レーザー光で直接レジスト全感光させてバター二二／
グすることもてきる。
ォトマスクを使用したが、これは円板状に限定されず、
角形等でめってもよい。また、フォトマスク全使用せず
、レーザー光で直接レジスト全感光させてバター二二／
グすることもてきる。
なお、ガラス基板に低温形イオン父換処理を施すことに
よシ複屈折が生じるが、屈折率が均一・で複屈折の方向
が同じになるため、問題とならない。
よシ複屈折が生じるが、屈折率が均一・で複屈折の方向
が同じになるため、問題とならない。
以上説明したように、本発明によれは、低温形イオン交
換処理を施したガラス基板を用い、このガラス基板に厘
接系内濤碧の凹凸を形成するようｔＣシたことにより、
スタンパ−を作って樹脂を成形加工する必要がなくなる
ため、工程が簡略化できるとともに、樹脂に比較し“〔
強度の高いものが得ら゛れる。特に、低温形イオン交換
処理により化学強化したガラス基板ケ用いるため割れに
くく、かつガラス表面のナトリウムイオン濃度が極端に
低くなるため、エツゾングの再現性がよく均一性の高い
ものができるとともに、記碌媒体のナトリウムイオンに
よる劣化も防止できる。基板として、比較的安価なソー
ダライムガラスを使用することができるので、製造コス
トの低減に有効である。
換処理を施したガラス基板を用い、このガラス基板に厘
接系内濤碧の凹凸を形成するようｔＣシたことにより、
スタンパ−を作って樹脂を成形加工する必要がなくなる
ため、工程が簡略化できるとともに、樹脂に比較し“〔
強度の高いものが得ら゛れる。特に、低温形イオン交換
処理により化学強化したガラス基板ケ用いるため割れに
くく、かつガラス表面のナトリウムイオン濃度が極端に
低くなるため、エツゾングの再現性がよく均一性の高い
ものができるとともに、記碌媒体のナトリウムイオンに
よる劣化も防止できる。基板として、比較的安価なソー
ダライムガラスを使用することができるので、製造コス
トの低減に有効である。
また、凹凸の加工はスパッタエツチングを用いることに
より容易に所望の加工が行なえる。
より容易に所望の加工が行なえる。
第１図は従来の情報記録用基板金納す断面図、第２図（
ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す１稈断面図であ
る。 １・・・ｔソーダライムカラス基根、３・・・・フ第１
・レジスト、４・・・・レジストパターン、５・・・・
然、６・・・・情報記録用基板。 竹許出願人 株式会社保谷硝子 代理人 山川政樹（ほか２名） 第１図 第２図
ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す１稈断面図であ
る。 １・・・ｔソーダライムカラス基根、３・・・・フ第１
・レジスト、４・・・・レジストパターン、５・・・・
然、６・・・・情報記録用基板。 竹許出願人 株式会社保谷硝子 代理人 山川政樹（ほか２名） 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）記録媒体全付着する側の主面に凹凸を設けたディ
スク状基板からなる１＃報記録用基板において、上記デ
ィスク状基板は、低温形イオン交換処理しグこカラス基
板からなることを特徴とＴる情報記録用基板。 - （２）デ（スフ状のガラス基板（Ｉご低温形イオン交換
処理金施す工程と、Ｃのガラス基板の主面ｔこレジスト
パターン蛍マスクとしスパッタエラチンｆ法”ｋ用いて
ノヅｒ望の凹凸全形成する工程とを・含む情報記録用基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035962A JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59035962A JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60182030A true JPS60182030A (ja) | 1985-09-17 |
| JPH0370866B2 JPH0370866B2 (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12456582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59035962A Granted JPS60182030A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | 情報記録用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60182030A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195751A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
| JPS55101144A (en) * | 1979-01-25 | 1980-08-01 | Pioneer Electronic Corp | Production of signal recording disc |
| JPS5672332U (ja) * | 1979-11-07 | 1981-06-13 | ||
| JPS5736446A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Discovision Ass | |
| JPS5845997A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-17 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | レリ−フ装置作製方法 |
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPS6055530A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP59035962A patent/JPS60182030A/ja active Granted
Patent Citations (8)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
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| JPS5736446A (ja) * | 1980-08-11 | 1982-02-27 | Discovision Ass | |
| JPS5845997A (ja) * | 1981-09-08 | 1983-03-17 | ゼロツクス・コ−ポレ−シヨン | レリ−フ装置作製方法 |
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPS6055530A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60195751A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0370866B2 (ja) | 1991-11-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |