JPS6386828A - 四塩化ジルコニウムの還元により金属ジルコニウムを製造する方法および装置 - Google Patents

四塩化ジルコニウムの還元により金属ジルコニウムを製造する方法および装置

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JPS6386828A
JPS6386828A JP62233616A JP23361687A JPS6386828A JP S6386828 A JPS6386828 A JP S6386828A JP 62233616 A JP62233616 A JP 62233616A JP 23361687 A JP23361687 A JP 23361687A JP S6386828 A JPS6386828 A JP S6386828A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、炉床板を含む反応塔内で溶融マグネシウムに
より四塩化ジルコニウムを12元して金属ジルコニウム
を装造寸る方法および装置に関し、さらにとくには、還
元反応内で生成した塩化マグネシウムを、生成した金属
Zrおよび残留マグネシウムから分離ずる方法と、この
ような分離を実行する装置とに関する。
従来技術とその間題烈 日本特許第78ー035888号tま、一方で、反応の
終了時に、還元された金属Zrのスポンジと、溶融塩化
1vlQと、および還元反応によりii′i費されなか
った金属マグネシウムとを含む内部反応シリンダと;他
方で、還元雰囲気を右する加熱炉内に配置される外部シ
リンダと:を含む、溶融M OによりZrCl4を還元
して金属7rを′!A造する装置を開示する。この装置
はさらに、その内端が内部シリンダの中のポット内に配
置される1ナイボン管を含み、ポットは溶融マグネシウ
ムがサイホン管を介して溢流しないように溶融塩化マグ
ネシウムがその中に保持されるように配置され、サイホ
ン管の外端は内部シリンダ内と外部シリンダとの間の空
間内に開口するので、連続的に内部シリンダ内へ送入さ
れる溶融M(10でZrC14を還元して内部シリンダ
内で連続的に装造される溶融塩化M (’)は、塩化M
Qのレベルがサイホン管の他端に43ける所定レベルに
到達づると、リ“イホン管を介して内部シリンダから抜
出され得る。溶1塩化MOは次にポンプ系により外部シ
リンダから火山される。
この方法および装置は、ごこて上に「外部シリンダ」と
称した密門外部ケーシングを使うという不便があり、し
たがってこのケーシングは溶融M(11 Cf!.2を
回収して、真空下で約850℃まで4温しで使用される
ので、肉厚は必然的に厚くならざるを得ない。
1且五厘』 本発明の方法の目的は、このような外部ケーシングの使
用を省略して、生成した金属Zrおよび残留金属MOか
らの溶FIA塩化マグネシウムの分離を簡単に行なうこ
とである。
本発明は、代表例では還元反応内で生成した塩化マグネ
シウムを、生成した金属ジルコニウムおよびマグネシウ
ムから分離し、次にZrおよびM Oの金属体(met
allic mass )に真空蒸発操作を加え、次に
金属Zrすなわち「スポンジケーキ」と反応塔の内部と
を〈代表例では150゜C未満に)冷lJlシ、そして
次に装造された金属Zrのスポンジケーキを取り出すI
程を含み、炉床板を含む反応塔またはるつぼ内でr8融
マグネシウムにより金属ジルコニウムを製造ずる方法に
関する。本発明によれば、生成した塩化マグネシウムは
好ましくは実質的に垂直な煙突を介して反応塔の底部方
向に揚出しすることによって分列されるが、煙突の底端
部分は炉床板内の開口に固定ざれ、通常は横向の、煙突
の頂部開口すなわち揚出し聞[口よ}7元反応の終了時
に塩化マグネシウムの表面}゛7遊層のレベル付近で煙
突と境を接1る金属体の部分よりやや上方にある。水平
方向が有利である煙突の頂部開口は、Zrが煙突内に落
トしないように被覆カバーまたはキレツブが載置される
のが好ましく、キャップは間隔配置サポートにより頂部
開口から離して配置され、煙突に接続されるが、ザボー
ト間には塩化マグネシウムが十分流出可能な渇出し口方
向への通路が設けられている。
煙突を凹む金属体tよこの場合は疑似合金(psand
o−alloy)  (Z r 、 Ml )であって
基本的には金属マグネシウム内に分散された7r粒子(
geobulcs)で形成され、約750すいし850
℃の還元反応温度においてはペースト状である。還元反
応において蒸気相内に生成し凝縮された溶融j32化M
 Oの一部は疑似合金上に浮遊し、またIvltJ、の
分離は疑似合金を同伴することがなくしかも分離がほぼ
完全に行われるように、澹出し開口づなわも煙突の頂端
部は、還元反応の終了時に煙突と境を接する疑似合金体
(the mass ofpseudo−al toy
)部分よりやや上方に配置されるのが適切である。疑似
合金体自身は、処理の終了時に(9られるZrスポンジ
の昌大体V4および最大中値に対応する。煙突の渇出し
開口レベルとこの位置における疑似合金の最大レベルと
の差は、代表例では、最小10INn、好ましくは10
ないし50Wrm、さらに好ましくは25ないし40m
rあり、煙突とくに揚出し開口の内径は、反応塔の最大
内1¥が 1,000ないし2.000mのときに50
41いし250酬であることが好ましい。煙突から後出
され)ζtXj化マグネシウムはるつぼの底部へ流出し
、ここで吸引により人出される。
本発明による湯出し煙突には持上手段が設けられ、これ
によりるつぼのIft部からのスポンジケーキの取出し
を可能どし、したがってるつぼを転倒し元の位置に戻す
必要はない。持上手段1よ、少なに、通常のカバーキレ
ツブおよび間隔配置り“ボートと同一全体形状で同一機
能を宋す掴み部分すなわち持上部分を含むが、その機械
的強度およびII”’1造はとくに組立体(assem
bly)  (煙突+Zrスポンジケーギ)または場合
により組立体(煙突→Zrスポンジケーキ+炉床t12
)を持上げるのに適するものとづる。したかっ′C持上
部材しま代表例では、開口付接続部分を介して煙突の頂
端部に接続される厚さが10mrn以上、代表例では1
0ないし25IMの水平部材寸なわらに1?ツブから構
成されるので、たとえばキーまたはビンの持上手段は接
続部分の開口内にUi通可能であり、一方接続部分自体
は少なくとも2個のラグを含み、ラグCよとのレベルで
ら各々4oo、22超える水平断面を有している。持上
手段はまたスポンジケーキを支持するため1つ以上の突
出部分を含み、1つ以上の突出部分は、還元操作中の煙
突のも座を強固にするように炉床板に当接り゛ることが
好ましい。煙突もまた、持上げられる物体に対し十分な
機械的強度がなければならない。
この持上手段、13よび/または煙突を炉床板に接続す
るための仮接続手段は、金属体(Zr、Mo)の頁空1
^留操作に続く下記に記載のような1つ以−にの他の順
次操作に任息的に使用される4、a)代表例ではアルゴ
ン雰囲気で行われるスポンジケーキの150℃未満への
冷却操作の終了後または前に、反応塔の底部は頂部と共
に開放され、炉床板とスポンジケーキに囲まれた煙突ど
の組合体は下からたとえばジヤツキなどにより持上げら
れる。
冷却操作の終了後スポンジケーキは炉床板および煙突と
共に破砕操作に送られるが、破砕操作Cよ代表例では大
型片への切断とそれに続く粉砕とを含んでいる。
これらの処理操作の途中のjJ5改を防止するために、
このどき最初に、煙突の底端部を炉床板の下でたとえば
点溶接(short welds )などの仮固定手段
で接続するのが好ましく、この固定手段は、スポンジの
切断および粉砕操作前に簡単に破壊ないし除去可能なも
のである。
b)スポンジケーキの150℃以下への玲Ju12)終
7後または曲に反応塔の頂端部のみ間放され、スポンジ
ケーキで囲まれた煙突は、煙突上のキtFツブ形状の持
上部材を介して上方から引さ上げられる。
このとき煙突は炉床板に固定されておらず、キレツブ形
状の持上手段のほかに煙突はスポンジケーキを支持する
ための少なくとも1つの突出部分を含み、この突出部分
は、既述のように還元操作中の、煙突の着座を強固にす
るように炉床板に当接するのが好ましい。炉床板の間[
l内における煙突の底部のはめ合いすきまを代表例で直
径以上0.6s未満とすることによっても又はこれを以
って代替的に、煙突の安定性を向上させることが可 能
である。
煙突のこのような特別な性質から得られる利点は、この
場合、方法および装置の観点からきわめて実質的である
:すなわち、各抜取り作業に対しbはや反応j5の底部
を開放Jる必要が全くないこと、炉床板はその位置にと
どまったままであっ゛(そのたびにはずしたり清(吊し
たりする必要がf、jいこと、および反応塔の底部の任
危的開放は保守の問題が出てきたときにのみに限定され
ることなどである。
C)上記b)と同様に、煙突は煙突の頂部上の主11ツ
ブ形状の持上部材を介して、上方から引上げられるが、
煙突の底端部は炉床板の下側で仮固定手段により接続さ
れ、仮固定手段は容易に破壊ないし除去されるものの、
持上作業に対しては十分な強度を有するものである。炉
床板と、スポンジケーキで囲まれた煙突との組合体はこ
のときに方から引き上げられる。
炉床板はケースa)と同様に取外される。操作は上方か
ら行なえ、反応塔の底部を間放しなくてよいことで、な
お利点が残されている。
MgCl2の分離操作に続いて行われる真空蒸発操作を
実施するとき、煙突が代表例のように中央に存在づると
、当面するすべての情況トで蒸発面の増加と饗華率の上
昇とをもたらし、これにより、使用される加熱方法のい
かんにかかわら71′煙突付近の内側領域の純度を向上
させる。真空蒸発操作を短かくしても通常の中程度の純
度が19られることがわかった。
本発明はまた、炉床板を有する反応塔と、四塩化Zrを
昇華する手段および前記ガス状四塩化物を反応塔の室内
へ供給ザる手段と、生成した塩化マグネシウムを生成し
た金属Zrおよびマグネシウムから分離する手段と、加
熱手段、および真空形成手段と企含んでなる、本発明の
方法に用いられる装置にも関するが、本発明によるこの
装置において塩化マグネシウムの分離手段は煙突をSみ
、煙突の底端部は炉床板内の開口に固定され、煙突の頂
端部は還元反応の終了時に煙突と境を接げる金属体(Z
r、MQ)の上部の上方レベルにりやや上位になる。こ
の装置の特定形状および代替形状は本発明の方法の項で
記述のとおりである。
面による−1 の1 本発明の装置の特定の性質を実施例と図面により説明り
゛るが、これにより本発明の方法も同時によく理解され
よう。
第1図には、円筒内面2を有し炉床板3を設けた反応塔
1が示され、炉床板3は中心開口4を右し、開口4内に
は本発明による煙突6の底端部分がはめ合わされている
:煙突6の横向開口頂9に::部7は、還元反応の終了
時にZrとMgとを含む金属体の上方に浮遊する塩化マ
グネシウム層のレベルに対応するレベルにあり、これは
必ず前記金属体の内縁頂部より上方にあるので、塩化マ
グネシウムの排出流は金属体リ−なわち「疑似合金」(
Zr、Mo)を同伴することはない。このように炉床板
3の開口内4にはめ合わされたその底端部分5の上方に
煙突6はカラー8を右し、カラー8は炉床板3上に支持
されかつスポンジケーキを煙突6によって持上げるのに
十分な幅を口し、煙突6はざらに円筒Nf分9を右する
が、円筒部分9は反応の終了時に煙突6と境を接するZ
rとMOとの金属体の上方にある10部開口喘部7にて
終端している。頂部開口端部7にはキャップ12がその
上に載る開口伺接続部11が載り、したがってキーまた
はOラド(第2図参照)のような持上手段14を、開口
付接続部分11内の横向開口13に通過させることが可
能である。
第1図1よまた、’j?単装7tがら蒸気状のZrCF
4を注入する4警またはl[入手段と、その間でMOに
よるZrCl4の蒸気相還元反応が起るレベル16゜1
7とを略図的に示すが、この還元反応により18で示す
ように還元7rの少U″iの集積がみられるが、この大
きさは代表例で5ないし20柳である。、K)もi3炉
床板の上方に配置されたマグネシウムはレベル19に到
達し、反応の進行とともに)7元ジル=−二、ウムは降
下して還元作用に使用されなかったマグネシウムととも
に集合体(aggrcgatc) 71なわイー)疑似
合金(Zr、MO)を形成し、集合体の土面20は中心
方向に向って曲線を116<。還元操作の終了時には、
生成して凝縮した塩化マグネシウムは金属体(Zr、M
O>のF方すなわら上向面20の一1方に浮遊し、1;
■口端部7とキャップ12どの1)コ(こ設りられた横
向間〔]13を通過して煙突6の聞口喘部7から流出す
る。
塩化マグネシウムはバイブまたは導’i221を介して
反応塔1の底部から吸引され、パイプまたは枠管21は
適切な減圧手段を介して塩化マグネシウムを反応塔1か
ら火出す。還元反応の間およびその優の真空熱定操作の
間に反応塔1の頂部を封鎖している手段、ならびに頂部
ポンプ下段および加熱手段は図示されていない。
第3図および第4図は煙突6を設けた炉床板3を略図で
示し、−・方では(第3図参照)反応が終了して蒸発が
始まる前の金属体(Zr、Mg)22を示し、他方で4
よく第4図参照)比較のために、真空蒸発操作後のZr
の体すなわちケーキ23、別名[ジルコニウムスポンジ
」を示づ。煙突6の存在により、外側面25および頂部
20のほかに内側魚介面24が形成される。マグネシウ
ムの蒸発−n華作用により中心環状体積240は減少し
、煙突と境を接する内側面24は、蒸発操作の終了時に
おいて逆切頭円錐(an 1nverted trun
cated cone)の形状241をとる結果となる
。実際、蒸発作用により蒸気が1にけることにより、蒸
発中の金属体の上方移動に比例して体積減少は顕菖とな
り1.六発操作の終了時には23に示ずようになる。煙
突らによりこのように面は初期形状24から最終形状2
41に変化するが、このようにしCで・きた魚介面の増
加94代表例では15ないし25%に達する。
及五B 反応塔1はクイブΔl S l 302の鋼製であり、
肉厚は2Smrn、中央円筒部分の内径は16m、内部
高さは3m、そしてその底部から350−の距離の位置
に、仝厚さ30mttrのステンレス!!i製の炉床F
fI3を有し、炉床板3は直径が200ないし200.
5調の中央開口4を有する。
ステンレス鋼製煙突6は、その底端部5は開口4内には
め合わされ、その仝艮iJ 750 mmで・あり、そ
の中央円筒内面の直径は150 mmである。底端部分
5は高さが40m、直径が199.8mmないし200
 mmである。これは炉床(f23に対しその中にはめ
合わせで固定されている。底嶌:部分5には外径が24
0mm、Fjざが10 rraのカラーまたはリングB
が設けられ、カラーまたはりレグ8はその下側を介して
炉床板3に当接し、次に外径が20(1:≧いし170
Mのわずかに切頭円錐を形成する(slightlyf
rustoconical )部分9は横向頂部開口端
部7でおり、レグ110は厚さ10馴2幅40M、高さ
40#で間隔を買いて設けられ、レグ110の上部に厚
さ20閣のキャップ12が取り付けられる。
還元操作のはじめには反応塔は3.200KgのMOを
含Ti シ、tl:(7)1111 ハ10.200K
gのZrCj!4を還元させるのに必要な分に相当する
装填マグネシウムがアルゴン雰囲気で約750℃に加熱
された後に、マグネシウムは全体が液状になって煙突6
を含む反応塔の底部全体にレベル19まで充満するが(
第1図)、このレベル19は炉床板3の上方約1,0O
Osの位′Ilにある。次に約400℃で譬華された四
塩化ジルコニウムは萱15を介して反応塔1のIn部に
導入される。還元反応が始まると加熱は継続されて温度
はおにそ750℃から900℃にh R−し、その間Z
rC!4の流量は250ないし50B9/んtこ維持さ
れる。
10.20(7)に9のZr(J!4の導入が終了する
と反応は停止する。
聞IIi後の反応塔の壁」−の可視トレースから、反応
終了時の疑似合金体の1r1面20は煙突のR12)は
間で670 amのレベル、反応塔の円筒内壁に治って
750履のレベルであった。煙突6の頂部開口弱部7は
炉床板3の上方7QOMの位置にあり、この開口端部7
は煙突6と境を接する金属体(Zr、Mg)の部分の−
F方30馴の位置にあるので、表面に浮遊する凝縮電化
マグネシウムは横向開口13および煙突6の開口端部7
の内部又は開口を介して、はば全体が流出した。流出し
きれなかった塩化Mgの残h)は、表面浮遊分が10(
7)に9未満、疑似合金(Zr、〜10)体内に捕獲さ
れた分が200ないし400 K=Jであった。
煙突6を介して流出した塩化マグネシウムは、2ス管2
1を介して反応塔1の底部からポンプにより5ないし8
回排出された。残留するMgおよびM gC1□の真空
蒸発は、反応塔の側面からの通常の加熱により行われ、
温度は1,000ないし112)は00℃の範囲に維持
される。
真空蒸発工程の終了時に得られた結果は3.99(7)
に9の金属ジルコニウムであり、これはその空洞を含む
構造から「ジルコニウムスポンジ」と呼ばれるが、その
形状は、煙突6の近接部の高さは400履1反応1?5
1の内側面2の近接部の高さ600m+++。
煙突6とのずきまは、カラー8のレベルにおける10r
arnから、内側面24どその頂面201との交点にお
ける25Mへとふえていた。疑似合金<Zr、Mg)か
らのマグネシウムおよび一部の不純物の除去を行なわせ
る蒸発操作による体積減少は煙突6に沿った部分におい
て顕著であることから、煙突6は、塩化マグネシウムを
湯出しする手段としての別能のぽかに、このように、h
λ発および積装工程における収率に実質的な影響を有づ
る。この場合に、5ないし10千星%のMQCj。を含
む金属体(Zr。
M Cl )から出発して、塩系を平均で100100
0p満をSむスポンジケーキ23が17られ、煙突6か
ら 100M未満に配置されたスポンジケーキの内部環
状部分においては、平均局部Ce2含有」は50ρpa
n未iQ1であった。同様な蒸発条件においてもし煙突
がなければ、通常得られる結果は平均してCJ2100
ないし150DDlあり、前記定6の内部環状部分内に
オケル局部平均Cj2 ’FIfi吊$;L 1!11
0ないし200ppmであっただろう。
したがって、現在合格値として許容されている不純物の
最大レベルに対し、本発明の煙突6を使用1れば蒸’f
f B5間を5ないし10%減少することか可能となる
蒸発操作後、反応塔の内部およびスポンジケーキ23が
、おそらく冷却作用を加速するために中性ガスを1種類
以上充填しながら冷却され、装首は好ましくは150°
C未満として常圧に戻された。反応塔1の頂部こを除き
、次に煙突6の間L1端部7とキ11ツブ12との間の
側部開口13内に通されたロッド14および既知の持、
L手段を用いて、インボッ1−は煙突らの10部から引
さ」−げられた。7rスポンジ体23のこの1に出Jj
法(、未反応塔の内面をこすることによる)り全防止を
可能どし、煙突6が中央にあるのでそれだけ操作が容易
であり、反応塔の底部を開放したりるつぼを傾斜したり
iJることが8式であった従来既知の掻取方法よりもは
るかに実用的である。
【図面の簡単な説明】
第1同は本発明による反応塔の帖ブノ向略信面図。 第2図はキャップをみ2けた煙突の偵端部の軸方向ig
i面図、 第3図は炉床板と、煙突とおよび9空7A発前の疑似合
金(Zr’+MQ)との略図、および第4図は真空蒸発
1pの、ジルコニウムスポンジケーキを示づ第3図と同
様の図である。 1・・・・・・反応塔、3・・・・・・炉床板、4・・
・・・・間[」、5・・・・・・底端部分、6・・・・
・・煙突、8・・・・・・突出部分(カラー)、 9・・・・・・円筒状または切頭円錐状部分、11・・
・・・・聞ロイ」接続部(手段)、12・・・・・・キ
髪・ツブ、15・・・・・・供給手段、23・・・・・
・スポンジケ−112)は10・・・・・・ラグ6゜

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)還元反応で生成した塩化マグネシウムが生成金属
    Zrおよびマグネシウムから分離され、次にZrおよび
    Mgの金属体が真空蒸発操作に付され、次に冷却が行わ
    れ、次に生成した金属ジルコニウムのスポンジケーキ(
    23)が取出されるところの、炉床板(3)を含む反応
    塔(1)内における溶融マグネシウムにより四塩化ジル
    コニウムを還元して金属ジルコニウムを製造する方法で
    あって:生成した塩化マグネシウムを煙突(6)を介し
    て反応塔(1)の底部方向へ湯出しすることによって分
    離するが、煙突(6)の底端部分(5)は炉床板(3)
    内の開口(4)に固定され煙突(6)の横向頂部開口端
    部(7)は還元反応の終了時に煙突(6)と境を接する
    金属体(Zr、Mg)部分より上位にある、ことを特徴
    とする四塩化ジルコニウムの還元による金属ジルコニウ
    ムの製造方法。
  2. (2)スポンジケーキ(23)の、冷却前または冷却後
    において、前記スポンジケーキ(23)が、炉床板(3
    )とスポンジケーキ(23)に囲まれれた煙突(6)と
    の組合体を下から持上げることにより取出されることを
    特徴とする、煙突(6)の底端部分(5)は炉床板(3
    )の開口(4)内にはめ合わされ、仮固定手段により炉
    床板(3)に固定されるようにした、特許請求の範囲第
    1項に記載の方法。
  3. (3)スポンジケーキ(23)が、煙突(6)上のキャ
    ップ(12)を介して、スポンジケーキ(23)と煙突
    (6)との組合体を上方から持上げることにより取出さ
    れることを特徴とする、煙突(6)の底端部分(5)は
    炉床板(3)の開口(4)内にはめ合わされ;前記煙突
    (6)はその横向頂部開口端部(7)の上方に開口付接
    続手段(11)を介して前記端部(7)に接続されるキ
    ャップ(12)で形成された持上部分を含み;および前
    記煙突はその底端部分(5)の上方にスポンジケーキ(
    23)を支持する少なくとも1つの突出部分(8)を有
    するようにした、特許請求の範囲第1項に記載の方法。
  4. (4)スポンジケーキ(23)が、煙突5のキャップ(
    12)を介して、炉床板(3)と、スポンジケーキ(2
    3)と、および煙突5との組合体を上方から引上げるこ
    とにより取出されることを特徴とする、煙突(6)の底
    端部分(5)は炉床板(3)の開口(4)内にはめ合わ
    され、仮固定により炉床板(3)に固定され;および煙
    突(6)はその横向頂部開口端部(7)の上方に、開口
    付接続手段(11)により前記端部(7)に接続される
    キャップ(12)で形成された持上部分を含むようにし
    た、特許請求の範囲第1項に記載の方法。
  5. (5)炉床板(3)を有する反応塔と;四塩化ジルコニ
    ウムを昇華する手段および前記ガス状四塩化化物を反応
    塔(1)の内部へ供給する手段的と;還元反応塔内で生
    成した塩化マグネシウムを生成した金属Zrおよびマグ
    ネシウムから分離する手段と;加熱手段と;および真空
    発生手段と;を含んでなる溶融マグネシウムにより四塩
    化ジルコニウムを還元して金属ジルコニウムを製造する
    装置であつて:塩化マグネシウムの分離手段は煙突(6
    )を含み、煙突(6)の底端部分(5)は炉床板(3)
    内の開口(4)に固定され、煙突(6)の横向頂部開口
    端部(7)は還元反応の終了時に煙突(6)と境を接す
    る金属体部分より上位にある、ことを特徴とする四塩化
    ジルコニウムの還元による金属ジルコニウムの製造装置
  6. (6)煙突(6)の底端部分(5)は炉床板(3)の開
    口(4)内にはめ合わされ、仮固定手段により炉床板に
    固定されるようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
    第5項に記載の装置。
  7. (7)煙突(6)がその横向頂部開口端部(7)の上方
    において開口付接続部分(11)を介して前記端部(7
    )に接続されるキャップ(12)で形成された持上部分
    を含むことを特徴とする特許請求の範囲第6項に記載の
    装置。
  8. (8)煙突(6)が下から上方へ、炉床板(3)の開口
    (4)内にはめ合わされた底端部分(5)と;スポンジ
    ケーキ(23)を支持するための1つ以上の突出部分(
    8)と;還元反応の終了時に煙突(6)と境を接する金
    属体(Zr、Mg)部分の上方に配置された横向頂部開
    口端部(7)を有する円筒状または切頭円錐状部分(9
    )と;および金属体(Zr、Mg)部分の上方にてキャ
    ップ(12)が載せられた開口付接続部分(11)と;
    を有することを特徴とする特許請求の範囲第5項に記載
    の装置。
  9. (9)スポンジケーキ支持突出部分またはその複数個の
    部分(8)は、炉床板(3)上に当接する少なくとも1
    つの突出部分(8)を含むことを特徴とする特許請求の
    範囲第8項に記載の装置。
  10. (10)接続部分(11)は少なくとも2つのラグ(1
    10)を含むが、前記ラグは各レベルにおいて400m
    m^2を超える水平断面を有すること;およびキャップ
    (12)は10mm以上の厚さを有すること;を特徴と
    する特許請求の範囲第7項および第8項のいずれかに記
    載の装置。
  11. (11)煙突(6)の横向頂部開口端部(7)が還元反
    応の終了時に煙突(6)と境を接する金属体部分の上方
    10ないし50mmにあることを特徴とする特許請求の
    範囲第5項に記載の装置。
  12. (12)煙突の横向頂部開口端部(7)が還元反応の終
    了時に煙突(6)と境を接する金属体部分の上方25な
    いし40mmにあることを特徴とする特許請求の範囲第
    11項に記載の装置。
  13. (13)反応塔(1)の最大内径が 1,000ないし
    2,000mmの場合に、煙突(6)の内径が50ない
    し250mmであることを特徴とする特許請求の範囲第
    11項に記載の装置。
JP62233616A 1986-09-19 1987-09-17 四塩化ジルコニウムの還元により金属ジルコニウムを製造する方法および装置 Granted JPS6386828A (ja)

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