JPS6387732A - ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング装置

Info

Publication number
JPS6387732A
JPS6387732A JP61233566A JP23356686A JPS6387732A JP S6387732 A JPS6387732 A JP S6387732A JP 61233566 A JP61233566 A JP 61233566A JP 23356686 A JP23356686 A JP 23356686A JP S6387732 A JPS6387732 A JP S6387732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transducer
capillary
sleeve
ceramic
bonded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61233566A
Other languages
English (en)
Inventor
Takami Urasaki
貴実 浦崎
Takashi Yamanaka
隆司 山中
Toshiaki Horiuchi
堀内　利明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP61233566A priority Critical patent/JPS6387732A/ja
Publication of JPS6387732A publication Critical patent/JPS6387732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、超音波ワイヤボンディング装置、特に１μ
ｍ以下の金属膜を有する被ボンデイング部材（セラミッ
クまたはガラスよりなる）のワイヤボンディング装置に
関するものである。
〔従来の技術〕
第８図は、従来のこの極の装置の取付は方法を示すもの
で、１はホルダー、２はこのホルダー１に上下方向のみ
可動できるように固定されたトランスデユーサ−１３は
このトランスデユーサ−２の先端に設けらｎた取付孔２
ａに挿入されてねじ４にて取付けられるキャピラリーで
ある。
〔発明が解決しようとする問題点〕　　　　′以上のよ
うに従来のワイヤボンディング装置においては、トラン
スデユーサ−２とキャピラリー３を直接接触させてねじ
４で固定しているため、長期間にわたる使用においては
、トランスデユーサ−２のキャピラリー取付孔２＆が鼓
状に摩耗してしまうなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、トランスデユーサ−の摩耗を防ぎ、長期的に
使用することを可能にすることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係るワイヤボンディング装置は、キャピラリ
ーを取付けるトランスデユーサ−の取付孔内にセラミッ
ク製の割りスリーブを挿入したものである。
〔作用〕
この発明による割りスリーブは、１μｍ以下の比較的薄
い膜厚の金またはアルミニウムよりなる被ボンデイング
部材のワイヤボンディング時、キャピラリーから伝わる
撮動、衝撃が直接トランスデユーサ−にかかるのを防ぎ
、また摩耗した際には交換が容易にできるー 〔実施例〕 以下この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１．２．３は上記第８図に示すものと
同一部品であり、５はトランスデユーサ−２の取付孔２
＆内に出入さｎたセラミック製の割りスリーブで、この
割りスリーブ５を介してキャピラリー３が取付けらｎる
ようになっている。なお図中、６は金細線またはアルミ
ニウム細線、７はそ（１３先端に形成されるボールであ
る〇 次に作用について説明する。膜庫がＩＤ％以下の薄い金
属膜をもつセラミックまたはガラスからなる破ボンディ
ング部材と、その上にダイボンディングさｎた電子素子
とを接合するワイヤボンディング装置において、トラン
スデユーサ−２とその先端孔２ａに取付けらｎたキャピ
ラリー３には、ボンディングの際、超音波による微撮動
が印加される。この際従来装置においては上述した如く
、膜厚が１．０−以下の薄い金属膜のセラミックまたは
ガラスの被ボンデイング部材においては、キャピラリー
の先端は薄い膜を貫通して、セラミックまたはガラスと
直接触れ合うことになり、その撮動や衝撃がキャピラリ
ーとトランスデユーサ−の接触面に印加され、トランス
デユーす−の先端孔が鼓状に摩耗してトランスデユーサ
−の交換をよきなくされるものであった。
この点この発明においては、キャピラリーとトランスデ
ユーサ−の固定を着脱が可能なセラミック製の割りスリ
ーブを介して行うようにしたのでＪトランスデユーサ−
を摩耗から防ぎ、スリーブのみを交換することにより、
トランスデユーサ−の使用を半永久的に可能とする。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、セラミック製の割りス
リーブをトランスデユーサ−のキャピラリー取付孔に挿
入し、この割りスリーブを介してキャピラリーを固定す
るようにしたので、トランスデユーサ−の摩耗を防ぐこ
とができ、異常な衝撃が印加された場合でも、割りスリ
ーブが破損してトランスデユーサ−を保護する効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
′　第１図はこの発明の一実施例を示す断面側面図、第
２図はその割りスリーブのみを示す斜視図、第８図は従
来のワイヤボンディング装置の取付は状態を示す斜視図
であるー 図中、１はホルダー、２はトランスデユーサ−１２＆は
取付孔、３はキャピラリー、５は割りスリーブである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　表面に１μｍ以下の比較的薄い膜厚の金属膜を有する
    セラミックまたはガラス基板と、該基板上にダイボンデ
    ィングされた電子素子とを金属細線を用いて接合するワ
    イヤボンディング装置において、上記トランスデューサ
    ーのキャピラリー取付孔に着脱可能なセラミック製の割
    りスリーブを挿入し、この割りスリーブを介してキャピ
    ラリーを取付けてなるワイヤボンディング装置。
JP61233566A 1986-09-30 1986-09-30 ワイヤボンデイング装置 Pending JPS6387732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61233566A JPS6387732A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 ワイヤボンデイング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61233566A JPS6387732A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 ワイヤボンデイング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6387732A true JPS6387732A (ja) 1988-04-19

Family

ID=16957077

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61233566A Pending JPS6387732A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 ワイヤボンデイング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6387732A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY137488A (en) Method for manufacturing semiconductor device and heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for use therein
JPS6387732A (ja) ワイヤボンデイング装置
JP3121100B2 (ja) 固体撮像装置
CN1255204A (zh) 光导纤维的固定装置
JP3449268B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPS57136132A (en) Semiconductor pressure transducer
JPH06140457A (ja) ワイヤボンディング装置のキャピラリー固定方法
JP4214577B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPS59208767A (ja) 半導体装置
JPH02106061A (ja) 半導体リードフレームのテーピング方法
JPH0566979B2 (ja)
KR910015024A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
JP2000162076A (ja) 半導体圧力センサ
JPS6218737A (ja) 半導体装置用セラミツクパツケ−ジ
JP4123596B2 (ja) 半導体圧力センサ
JPH1137873A (ja) 半導体圧力センサ
JPS57138146A (en) Attaching method for pellet
JPH06216396A (ja) 加速度センサ
JPH0476504B2 (ja)
JPH05243476A (ja) 半導体装置
JPH02277251A (ja) ワイヤボンディング方法および装置
JPS6018938A (ja) 半導体装置用ケ−ス
JP2000162070A (ja) 半導体圧力センサ
JPH02192139A (ja) 半導体装置の製造装置
JPH02143437A (ja) 半導体装置