JPS6387761A - ガリウム砒素集積回路のｍｉｍ容量 - Google Patents

ガリウム砒素集積回路のｍｉｍ容量

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JPS6387761A
JPS6387761A JP61233615A JP23361586A JPS6387761A JP S6387761 A JPS6387761 A JP S6387761A JP 61233615 A JP61233615 A JP 61233615A JP 23361586 A JP23361586 A JP 23361586A JP S6387761 A JPS6387761 A JP S6387761A
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JP
Japan
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gallium arsenide
insulating film
capacitance
mim
metal
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JP61233615A
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JPH0573273B2 (ja
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Yuji Hara
原　雄二
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D88/00—Three-dimensional [3D] integrated devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はガリウム砒素集積回路のＭＩＭ容量に関する。
〔従来の技術〕
ＭＩＭ容量は配線金属を容量の両電極として使用し、こ
れら両電極間に絶縁膜をはさみ込むことにより容量とし
ているが、従来、ガリウム砒素集積回路に用いられてい
たＭＩＭ容量はガリウム砒素基板の平坦部分に形成され
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
容量の容量値は電極の対向面積に比例し、電極間の距離
に反比例するため、容量値を大きくするには、電極の面
積を大きくするか、電極間の絶縁膜−を薄くすればよい
が、電極の面積の増大はチップ面積の増大になり、絶縁
膜を薄くすれば、ピンホールが発生しやすくなり信頼性
が低下する。そのため、従来のガリウム砒素集積回路の
ＭＩＭ容量は小面積で大きい容量値を得ることができな
いという欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のガリウム砒素集積回路のＭＩＭ容量は、ガリウ
ム砒素基板上に成長し不要部分を除去して段差を設けた
絶縁膜と、この絶縁膜をマスクにして異方性エツチング
を施して前記ガリウム砒素基板に設けた窪みとの上に形
成されている。
〔実施例〕
次に、図面を参照して本発明について説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１はガリウム砒素基板２上に成長した絶縁膜であり、不
要部分を除去して段差を設けである。ガリウム砒素基板
２に、は絶縁膜１をマスクにしてウェットで異方性エツ
チングを施してＶ字型の溝がつくられている。３・５は
それぞれ容量の下側と上側との電極であり、配線金属に
用いて形成する。
４は容量（こ用いる絶縁膜である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ガリウム砒素基板上に成
長した絶縁膜の不要部分を除去して段差を設け、この絶
縁膜とこの絶縁膜をマスクにして異方性エツチングを施
してガリウム砒素基板に設けた窪みとの上にＭＩＭ容量
を形成することにより、従来のＭＩＭ容量より大きな電
極の対向面積を得ることができるので、小面積で大きい
容量値を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。 １・・・・・・絶縁膜、２・・・・・・ガリウム砒素基
板、３・・・・・・下側の電極、４・・・・・・絶縁膜
、５・・・・・・上側の電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ガリウム砒素基板上に成長し不要部分を除去して段差
    を設けた絶縁膜と、この絶縁膜をマスクにして異方性エ
    ッチングを施して前記ガリウム砒素基板に設けた窪みと
    の上に形成したことを特徴とするガリウム砒素集積回路
    のＭＩＭ容量。
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JPH0573273B2 (ja) 1993-10-14

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