JPS6393142A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6393142A JPS6393142A JP61238390A JP23839086A JPS6393142A JP S6393142 A JPS6393142 A JP S6393142A JP 61238390 A JP61238390 A JP 61238390A JP 23839086 A JP23839086 A JP 23839086A JP S6393142 A JPS6393142 A JP S6393142A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- semiconductor integrated
- circuits
- integrated circuit
- circuit device
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- Pending
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、種々の回路を同一のチップ上に備えた半導
体集積回路装置に関するもので、特に、製品の開発時に
各々の回路に供給される電流の測定や回路毎に独立した
電源を供給する際に使用されるものである。
体集積回路装置に関するもので、特に、製品の開発時に
各々の回路に供給される電流の測定や回路毎に独立した
電源を供給する際に使用されるものである。
（従来の技術）
一般に、半導体集積回路装置においては、第３図に示す
ように電１１！ （ＶＤ ｏ ） １１１と接地（Ｖｓ
ｓ）線１２との間に種々の独立した回路１３１〜１３ｎ
が配置されており、全ての回路１３１〜１３ｎは上記電
源Ｉ！１１と接地線１２を共用している。従って、この
半導体集積回路装置で消費される電流を測定する際には
、上記′！！源１ｉ１１が接続されるＶＤＤ端子（パッ
ド）１４と上記接地線１２が接続されるＶｓｓ端子１５
との間に電流計等の調定ｉ器を接続して行なっている。
ように電１１！ （ＶＤ ｏ ） １１１と接地（Ｖｓ
ｓ）線１２との間に種々の独立した回路１３１〜１３ｎ
が配置されており、全ての回路１３１〜１３ｎは上記電
源Ｉ！１１と接地線１２を共用している。従って、この
半導体集積回路装置で消費される電流を測定する際には
、上記′！！源１ｉ１１が接続されるＶＤＤ端子（パッ
ド）１４と上記接地線１２が接続されるＶｓｓ端子１５
との間に電流計等の調定ｉ器を接続して行なっている。
しかし、半導体集積回路装置の製品開発時には、個々の
回路で消費される電流を測定したり、回路相互間の彰ｎ
を検討したい場合がしばしばある。ところが、前述した
消費電流の測定方法では、個々の回路で測定される消費
電流はピーク電流波形や平均的な動作電流から予測する
しかない。また、瞬間的に大電流を消費する回路が存在
する場合には、この回路の影響で他の回路が誤動作する
という現象があるが、このような現象を確実に予測した
り評価したりすることができなかった。
回路で消費される電流を測定したり、回路相互間の彰ｎ
を検討したい場合がしばしばある。ところが、前述した
消費電流の測定方法では、個々の回路で測定される消費
電流はピーク電流波形や平均的な動作電流から予測する
しかない。また、瞬間的に大電流を消費する回路が存在
する場合には、この回路の影響で他の回路が誤動作する
という現象があるが、このような現象を確実に予測した
り評価したりすることができなかった。
（発明が解決しようとする問題点）
上述したように、従来の半導体集積回路装置では、個々
の回路毎の消費電流を測定することができず、回路相互
間の影響を調べることも困難であった。
の回路毎の消費電流を測定することができず、回路相互
間の影響を調べることも困難であった。
従って、この発明は、上記の欠点を除去するためのもの
で、個々の回路毎の消費電流を測定できるとともに、回
路相互間の影響をも容易に調べることができる半導体集
積回路装置を提供することを目的としている。
で、個々の回路毎の消費電流を測定できるとともに、回
路相互間の影響をも容易に調べることができる半導体集
積回路装置を提供することを目的としている。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
すなわち、この発明においては、上記の目的を達成する
ために、電源線と各回路間および接地線と各回路間の少
なくともいずれか一方にスイッチ手段を設けるとともに
、このスイッチ手段の両端にそれぞれ外部の測定様器を
接続するためのパッドを設けている。
ために、電源線と各回路間および接地線と各回路間の少
なくともいずれか一方にスイッチ手段を設けるとともに
、このスイッチ手段の両端にそれぞれ外部の測定様器を
接続するためのパッドを設けている。
（作用）
上記のような構成において、回路の消費電流を測定する
際には、上記スイッチ手段を遮断状態に設定し、このス
イッチ手段の両端に設けたパッド間に測定機器、例えば
電流計を接続して消費電流を測定する。また、回路相互
間の影響を調べる際には、上記スイッチ手段を遮断状態
に設定することにより回路を電源線および接地線から切
り離し、上記スイッチ手段の回路側のパッドに電源を供
給してこの回路を作動せしめ、この回路単独での特性を
調べ回路相互間の影響について検討する。
際には、上記スイッチ手段を遮断状態に設定し、このス
イッチ手段の両端に設けたパッド間に測定機器、例えば
電流計を接続して消費電流を測定する。また、回路相互
間の影響を調べる際には、上記スイッチ手段を遮断状態
に設定することにより回路を電源線および接地線から切
り離し、上記スイッチ手段の回路側のパッドに電源を供
給してこの回路を作動せしめ、この回路単独での特性を
調べ回路相互間の影響について検討する。
（実施例）
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第１図において、１６はパッド１７を介して電Ｉ
Ｖｏｏが供給される電源線で、この７！ｉ源線１６には
スイッチ１８１〜１８ｎの一端が接続される。これらス
イッチ１８１〜１８ｎの他端にはそれぞれ、各回路１９
１〜１９ｎの電源Ｖｏｏ入力端が接続される。また、上
記スイッチ１８１〜１８ｎの両端にはそれぞれ、外部端
子となるパッド２０１〜２０ｎおよび２１１〜２１ｎが
接続される。一方、パッド２２から電源Ｖｓｓが供給さ
れる接地線２３にはスイッチ２４１〜２４ｎの一端が接
続され、このスイッチ２４１〜２４ｎの他端には各回路
１９１〜１９ｎのＮ源Ｖ８９入力端が接続される。そし
て、上記スイッチ２４１〜２４ｎの両端にはそれぞれ、
外部端子となるパッド２５１〜２５ｎおよび２６１〜２
６ｎが接続されて成る。
する。第１図において、１６はパッド１７を介して電Ｉ
Ｖｏｏが供給される電源線で、この７！ｉ源線１６には
スイッチ１８１〜１８ｎの一端が接続される。これらス
イッチ１８１〜１８ｎの他端にはそれぞれ、各回路１９
１〜１９ｎの電源Ｖｏｏ入力端が接続される。また、上
記スイッチ１８１〜１８ｎの両端にはそれぞれ、外部端
子となるパッド２０１〜２０ｎおよび２１１〜２１ｎが
接続される。一方、パッド２２から電源Ｖｓｓが供給さ
れる接地線２３にはスイッチ２４１〜２４ｎの一端が接
続され、このスイッチ２４１〜２４ｎの他端には各回路
１９１〜１９ｎのＮ源Ｖ８９入力端が接続される。そし
て、上記スイッチ２４１〜２４ｎの両端にはそれぞれ、
外部端子となるパッド２５１〜２５ｎおよび２６１〜２
６ｎが接続されて成る。
上記のような構成において、例えば回路１９１の消費電
流を単独で測定したい場合には、スイッチ１８１を遮断
状態とし、パッド２０１ 、２１１間にプローブ等を介
して電流計２７（あるいはオシロスコープ等の測定機器
）を接続して消費電流（平均した動作電流）を測定する
。同様にして、スイッチ２４１を遮断状態に設定してパ
ッド２５４ 、２５．間に測定機器を接続して測定を行
なっても良い。
流を単独で測定したい場合には、スイッチ１８１を遮断
状態とし、パッド２０１ 、２１１間にプローブ等を介
して電流計２７（あるいはオシロスコープ等の測定機器
）を接続して消費電流（平均した動作電流）を測定する
。同様にして、スイッチ２４１を遮断状態に設定してパ
ッド２５４ 、２５．間に測定機器を接続して測定を行
なっても良い。
また、例えば回路１９１による他の回路１９２〜１９ｎ
への影響を調べる際には、スイッチ１８１を遮断状態に
設定し、外部から電源２８を供給すればこの回路１９１
を単独で動作させることができ、この時の電流（例えば
ピーク電流）を電流計２９で測定すれば周辺の回路１９
２〜１９ｎに与える影響を調べることができる。この際
、スイッチ２４１を遮断状態に設定し、パッド２５１に
Ｖｓｓと異なる電位を与えることもできる。
への影響を調べる際には、スイッチ１８１を遮断状態に
設定し、外部から電源２８を供給すればこの回路１９１
を単独で動作させることができ、この時の電流（例えば
ピーク電流）を電流計２９で測定すれば周辺の回路１９
２〜１９ｎに与える影響を調べることができる。この際
、スイッチ２４１を遮断状態に設定し、パッド２５１に
Ｖｓｓと異なる電位を与えることもできる。
第２図（ａ）、（ｂ）は、上記第１図におけるスイッチ
１８１〜１８ｎおよび２４１〜２４ｎの溝成例を示して
いる。（ａ）図はＭｏＳトランジスタを用いてスイッチ
を構成する場合を示しており、電源ＶＯＯ側のスイッチ
１８１〜１８ｎとしてＧ２ Ｐチャネル型ＭｏＳトラン
ジスタ２７を、電源ＶｓＳ側のスイッチ２４！〜２４ｎ
にはＮチャネル型〜１０Ｓトランジスタ２８をそれぞれ
使用しており、これらのＭｏＳトランジスタ２７．２８
を外部から導通制御するために、そのゲート電極をパッ
ド２９．３０に接続している。
１８１〜１８ｎおよび２４１〜２４ｎの溝成例を示して
いる。（ａ）図はＭｏＳトランジスタを用いてスイッチ
を構成する場合を示しており、電源ＶＯＯ側のスイッチ
１８１〜１８ｎとしてＧ２ Ｐチャネル型ＭｏＳトラン
ジスタ２７を、電源ＶｓＳ側のスイッチ２４！〜２４ｎ
にはＮチャネル型〜１０Ｓトランジスタ２８をそれぞれ
使用しており、これらのＭｏＳトランジスタ２７．２８
を外部から導通制御するために、そのゲート電極をパッ
ド２９．３０に接続している。
一方、（１））図はヒユーズ（例えばポリシリコンヒユ
ーズ） ３１．３２を用いて各スイッチ１８１〜１８ｎ
および２４１〜２４ｎを構成したものである。この場合
には、ヒユーズ３１．３２を例えばレーザ光線等で選択
的に溶断することによりスイッチとして使用する。
ーズ） ３１．３２を用いて各スイッチ１８１〜１８ｎ
および２４１〜２４ｎを構成したものである。この場合
には、ヒユーズ３１．３２を例えばレーザ光線等で選択
的に溶断することによりスイッチとして使用する。
このような構成によれば、スイッチ１８１〜１８ｎおよ
び２４１〜２４ｎによる選択的なスイッチング制御によ
り個々の回路毎の消費電流を測定できるとともに、回路
相互間の影響をも容易に調べることができる。
び２４１〜２４ｎによる選択的なスイッチング制御によ
り個々の回路毎の消費電流を測定できるとともに、回路
相互間の影響をも容易に調べることができる。
なお、上記実施例ではスイッチおよびパッドを各回路の
電源Ｖｏｏ側とＶｓｓｌｌｌｌの両方に設けたが、測定
の条件に応じていずれか一方のみに設けても良い。また
、全ての回路に対してスイッチとパッドを設けたが、必
要に応じて測定したい回路にのみ設けても良いのはもち
ろんである。
電源Ｖｏｏ側とＶｓｓｌｌｌｌの両方に設けたが、測定
の条件に応じていずれか一方のみに設けても良い。また
、全ての回路に対してスイッチとパッドを設けたが、必
要に応じて測定したい回路にのみ設けても良いのはもち
ろんである。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、個々の回路毎の
消費電流を測定できるとともに、回路相互間の影響をも
容易に調べることができる半導体集積回路装置が得られ
る。
消費電流を測定できるとともに、回路相互間の影響をも
容易に調べることができる半導体集積回路装置が得られ
る。
第１図はこの発明の一実施例に係わる半導体集積回路装
置を示す回路図、第２図は上記第１図の回路におけるス
イッチ回路の揖成例を示す図、第３図は従来の半導体集
積回路装置を示す回路図である。 １６・・・電源線、２３・・・接地線、１９１〜１９ｎ
・・・回路、１８１〜１８ｎ 、 ２４１〜２４ｎ・・
・スイッチ、２０１〜２０ｎ。 ２１１〜２Ｉｎ、２５１〜２５ｎ、２６１〜２６ｎ・・
・パッド。
置を示す回路図、第２図は上記第１図の回路におけるス
イッチ回路の揖成例を示す図、第３図は従来の半導体集
積回路装置を示す回路図である。 １６・・・電源線、２３・・・接地線、１９１〜１９ｎ
・・・回路、１８１〜１８ｎ 、 ２４１〜２４ｎ・・
・スイッチ、２０１〜２０ｎ。 ２１１〜２Ｉｎ、２５１〜２５ｎ、２６１〜２６ｎ・・
・パッド。
Claims (3)
- （１）電源線と接地線との間に並列接続される複数の回
路を同一チップ上に備える半導体集積回路装置において
、電源線と各回路間および接地線と各回路間の少なくと
もいずれか一方に設けられるスイッチ手段と、このスイ
ッチ手段の両端にそれぞれ接続される外部との接続用パ
ッドとを具備することを特徴とする半導体集積回路装置
。 - （２）前記スイッチ手段は、ＭＯＳトランジスタから成
り、外部からの制御信号でオン／オフ制御されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路
装置。 - （３）前記スイッチ手段は、ヒューズから成り、選択的
に溶断されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238390A JPS6393142A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238390A JPS6393142A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393142A true JPS6393142A (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=17029483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238390A Pending JPS6393142A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393142A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246073B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
| JP2010165809A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び試験方法 |
| US7812628B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Method of on-chip current measurement and semiconductor IC |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238390A patent/JPS6393142A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6246073B1 (en) | 1998-06-19 | 2001-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for producing the same |
| US7812628B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-10-12 | Renesas Electronics Corporation | Method of on-chip current measurement and semiconductor IC |
| US8030956B2 (en) | 2006-12-13 | 2011-10-04 | Renesas Electronics Corporation | Method of on-chip current measurement and semiconductor IC |
| JP2010165809A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び試験方法 |
| US8575952B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-11-05 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and test method |
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