JPS6393161A - 半導体スイツチング素子 - Google Patents
半導体スイツチング素子Info
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- JPS6393161A JPS6393161A JP61238850A JP23885086A JPS6393161A JP S6393161 A JPS6393161 A JP S6393161A JP 61238850 A JP61238850 A JP 61238850A JP 23885086 A JP23885086 A JP 23885086A JP S6393161 A JPS6393161 A JP S6393161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layers
- gate voltage
- semiconductor switching
- switching element
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/383—Quantum effect devices, e.g. of devices using quantum reflection, diffraction or interference effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は電子の量子干渉効果を用いた超高速スイッチ
ング機能を有する半導体スイッチング素子に関するもの
である。
ング機能を有する半導体スイッチング素子に関するもの
である。
第４図は例えばフィジカル レビュー レターズ、５５
巻、 ２３４４頁、 （１９８５年）（Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、５５ Ｐ
、２３４４（１９８５））に示された電子の量子干渉効
果（アハラノフ・ボーム効果）を用いたスイッチング素
子を示す構成図であり、図において、１は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、２．６はＡｊ２ＧａＡｓｊｌｉ、３，５はＧ
ａＡｓ量子井戸層、４はＡｌＧａＡｓバリア層、７ａ、
７ｂ・はアロイ化されたコンタクト領域、１３ａ、８ｂ
は電極である。
巻、 ２３４４頁、 （１９８５年）（Ｐｈｙｓｉｃａ
ｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ、５５ Ｐ
、２３４４（１９８５））に示された電子の量子干渉効
果（アハラノフ・ボーム効果）を用いたスイッチング素
子を示す構成図であり、図において、１は半絶縁性Ｇａ
Ａｓ基板、２．６はＡｊ２ＧａＡｓｊｌｉ、３，５はＧ
ａＡｓ量子井戸層、４はＡｌＧａＡｓバリア層、７ａ、
７ｂ・はアロイ化されたコンタクト領域、１３ａ、８ｂ
は電極である。
次に動作について説明する。第４図に示した素子構造に
おいて、ＡＪＧａＡｓ層２，４．６に挟まれた２本のＧ
ａＡｓ層３，５が電子の通路となる。従って第４図を模
式的に示すと第５図（ａ）のようになる。ここで導電チ
ャネル（すなわちＣ，ａＡＳ層）の厚さＷは十分薄く電
子波の基本横モードのみを伝搬するものと考える。キャ
リア密度を１０′。ｃＩｉとすればＷ〜０．１μｍとな
る。第５図（ａ）に示す様な２本の導電チャネルの導電
率σ−ＩＴＩ”は、各々の導電チャネルの透過係数によ
って下記の様に与えられる。
おいて、ＡＪＧａＡｓ層２，４．６に挟まれた２本のＧ
ａＡｓ層３，５が電子の通路となる。従って第４図を模
式的に示すと第５図（ａ）のようになる。ここで導電チ
ャネル（すなわちＣ，ａＡＳ層）の厚さＷは十分薄く電
子波の基本横モードのみを伝搬するものと考える。キャ
リア密度を１０′。ｃＩｉとすればＷ〜０．１μｍとな
る。第５図（ａ）に示す様な２本の導電チャネルの導電
率σ−ＩＴＩ”は、各々の導電チャネルの透過係数によ
って下記の様に与えられる。
σ＝ｌＴｌｔ＝ｌ ｔ、＋ｔ、ｌ”
−ｔ、” ＋ｔ、” ＋２ｔ、ｔＩＣＯ３φ ・（１）
ここでＴは両電極間の透過係数、１．はチャネル１の透
過係数、ｔ２はチャネル２の透過係数で、φは位相差（
チャネルｌと２との電子波間の位相差）である。式（１
）より電極間の導電率σはチャネル間の位相差φによっ
て変化し得ることがわかる。
ここでＴは両電極間の透過係数、１．はチャネル１の透
過係数、ｔ２はチャネル２の透過係数で、φは位相差（
チャネルｌと２との電子波間の位相差）である。式（１
）より電極間の導電率σはチャネル間の位相差φによっ
て変化し得ることがわかる。
位相差φは下記（２）式から磁界Ｂ、（アハラノフ・ボ
ーム効果）によって φ−ｅ Ｂ ｙ Ｌ ｄ ／’Ｎ
・・・（２）または下記（３）式から電界εＷ（静電界
アハラノフ・ボーム効果） φ＝ｅ ａｍ ｌ、ｄ／′ｆｒｖｘ −
（３）によって変化させ得る。Ｌはチャネルの長さ、ｄ
はチャネル間の距離、ｖＸはＸ方向（チャネル方向）の
電子の速度、ｅは電子の電荷、市はブランク定数りの１
／２ｉ （ｎ−１ｔ／２π）Ｔ：ある。
ーム効果）によって φ−ｅ Ｂ ｙ Ｌ ｄ ／’Ｎ
・・・（２）または下記（３）式から電界εＷ（静電界
アハラノフ・ボーム効果） φ＝ｅ ａｍ ｌ、ｄ／′ｆｒｖｘ −
（３）によって変化させ得る。Ｌはチャネルの長さ、ｄ
はチャネル間の距離、ｖＸはＸ方向（チャネル方向）の
電子の速度、ｅは電子の電荷、市はブランク定数りの１
／２ｉ （ｎ−１ｔ／２π）Ｔ：ある。
従って（１）〜（３）式により磁界Ｂ、または電界ε１
をＯＮ、ＯＦＦすることによりスイッチングが可能なこ
とは容易に理解できる。
をＯＮ、ＯＦＦすることによりスイッチングが可能なこ
とは容易に理解できる。
従来の磁場効果による位相変化を用いる素子では高速ス
イッチング動作は不可能である。また静電界効果による
位相変化を用いる場合も比較的高いゲート電圧が必要で
あるなどの問題点があった。
イッチング動作は不可能である。また静電界効果による
位相変化を用いる場合も比較的高いゲート電圧が必要で
あるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、磁場効果を用いる場合にも高速スイッチング
が可能で、静電界効果を用いる場合にはさらに低ゲート
電圧でＯＮ、ＯＦＦ動作が可能な半導体スイッチング素
子を得ることを目的とする。
たもので、磁場効果を用いる場合にも高速スイッチング
が可能で、静電界効果を用いる場合にはさらに低ゲート
電圧でＯＮ、ＯＦＦ動作が可能な半導体スイッチング素
子を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体スイッチング素子は、導電チャネ
ルの上方、にゲート電極を設け、アハラノフ・ボーム効
果又は静電界アハラノフ・ボーム効果と上記ゲート電極
に印加する電界を変化させることとにより電流のスイッ
チングを行なうようにしたものである。
ルの上方、にゲート電極を設け、アハラノフ・ボーム効
果又は静電界アハラノフ・ボーム効果と上記ゲート電極
に印加する電界を変化させることとにより電流のスイッ
チングを行なうようにしたものである。
この発明においては、各導電チャネル内の電子分布をゲ
ート電圧の印加により変化させることにより２本の導電
チャネルで囲まれる面積が変化し、これとアハラノフ・
ボーム効果又は静電界アハラノフ・ボーム効果とにより
電流のスイッチングを行うことができる。
ート電圧の印加により変化させることにより２本の導電
チャネルで囲まれる面積が変化し、これとアハラノフ・
ボーム効果又は静電界アハラノフ・ボーム効果とにより
電流のスイッチングを行うことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は本発明の一実施例に°よる半導体スイッチング素子
を示す構造図であり、図において、２１．２２は厚さの
異なるＧａＡｓ導電チャネルで、２３はゲート電極であ
る。また第４図と同一符号は同一部分を示す。
図は本発明の一実施例に°よる半導体スイッチング素子
を示す構造図であり、図において、２１．２２は厚さの
異なるＧａＡｓ導電チャネルで、２３はゲート電極であ
る。また第４図と同一符号は同一部分を示す。
次に本発明に係る半導体スイッチング素子の構造と動作
について述べる。第１図の導電チャネル２１の厚さＷｌ
は、もう一方の導電チャネル２２の厚さＷ２に比べて薄
クシている。第２図（ａｌ、 （ｂ）にゲート電圧を印
加しない場合と、印加した場合のゲート下の導電チャネ
ルの伝導帯のエネルギーポテンシャルを示す。ゲート電
圧を印加しない場合は（ａ）に示す様に導電チャネルの
ポテンシャルの底はチャネルの中心に対して対称となり
、電子分布も中心対称となっている。従って、導電チャ
ネル２１．２２によって囲まれる面積は両チャネル間の
距離ｄ０と、その長さしの積（Ｓ、＝ｄｏＬ）で与えら
れる。ゲート電圧を印加した場合にはポテンシャルは（
ｂ）に示す様に勾配をもち、導電チャネル２１．２２の
ポテンシャルの底はもはや中心対称ではなくなり、電子
分布もチャネルの片側に片寄った状態となる。しかし導
電チャネル２１は導電チャネル２２に比べ薄いので電子
分布の変化は小さい、従って、ゲート電圧を印加した場
合の両チャネル間の距離はｄ、となり、印加しない場合
の値ｄ０より小さくなり、両チャネルで囲まれる面積は
５ｔ−ｄｉＬとなる。
について述べる。第１図の導電チャネル２１の厚さＷｌ
は、もう一方の導電チャネル２２の厚さＷ２に比べて薄
クシている。第２図（ａｌ、 （ｂ）にゲート電圧を印
加しない場合と、印加した場合のゲート下の導電チャネ
ルの伝導帯のエネルギーポテンシャルを示す。ゲート電
圧を印加しない場合は（ａ）に示す様に導電チャネルの
ポテンシャルの底はチャネルの中心に対して対称となり
、電子分布も中心対称となっている。従って、導電チャ
ネル２１．２２によって囲まれる面積は両チャネル間の
距離ｄ０と、その長さしの積（Ｓ、＝ｄｏＬ）で与えら
れる。ゲート電圧を印加した場合にはポテンシャルは（
ｂ）に示す様に勾配をもち、導電チャネル２１．２２の
ポテンシャルの底はもはや中心対称ではなくなり、電子
分布もチャネルの片側に片寄った状態となる。しかし導
電チャネル２１は導電チャネル２２に比べ薄いので電子
分布の変化は小さい、従って、ゲート電圧を印加した場
合の両チャネル間の距離はｄ、となり、印加しない場合
の値ｄ０より小さくなり、両チャネルで囲まれる面積は
５ｔ−ｄｉＬとなる。
先ず、磁界Ｂアによるアハラノフ・ボーム効果と上記の
ゲート電圧の変化による電子分布の変化を用いたスイッ
チング動作について説明する。
ゲート電圧の変化による電子分布の変化を用いたスイッ
チング動作について説明する。
一定の磁界Ｂｙをスイッチング動作に関係なく与えてお
き、ゲート電圧ｖｃ、を印加することにより（２）式中
のｄの値を変化させようとするのがこの場合の動作原理
の基本である。ゲート電圧ゼロの場合にφ。ｗｅＢ、Ｌ
ｄｏ ／ｆｒ＝２ｎπ（ｎ＝ｏ。
き、ゲート電圧ｖｃ、を印加することにより（２）式中
のｄの値を変化させようとするのがこの場合の動作原理
の基本である。ゲート電圧ゼロの場合にφ。ｗｅＢ、Ｌ
ｄｏ ／ｆｒ＝２ｎπ（ｎ＝ｏ。
１．２．・・・・・・）となる様にＢｙｄｏの値を設定
し、ゲート電圧印加時にφ＋ ＝ｅＢ、Ｌｄ＋ ／′ｙ
Ｌ＝ （２＋１）π（ｎ＝０．１，２． ・・・・・・
）となる様にＢ、ｄ、の値を設定すれば、ゲート電圧の
ＯＮ。
し、ゲート電圧印加時にφ＋ ＝ｅＢ、Ｌｄ＋ ／′ｙ
Ｌ＝ （２＋１）π（ｎ＝０．１，２． ・・・・・・
）となる様にＢ、ｄ、の値を設定すれば、ゲート電圧の
ＯＮ。
ＯＦＦにより電流のＯＮ、ＯＦＦが可能となる。
そしてこの場合は磁界は一定磁界Ｂｙをかけたままでゲ
ート電圧をＯＮ、ＯＦＦするようにしているので、高速
のスイッチング動作が可能となる。
ート電圧をＯＮ、ＯＦＦするようにしているので、高速
のスイッチング動作が可能となる。
一方、静電界アハラノフ・ボーム効果とゲート電圧の変
化による電子分布の変化を用いる場合には、（３）式中
のゲート電圧のＯＮ、ＯＦＦによりε２の値が変化する
のと同時に該ゲート電圧の変化により上述のｄの変化（
ａｏ−ｄｔ）も発生することになる。ゲート電圧がゼロ
の場合ε８＝Ｏであるからφ。＝Ｏとなるので（１）式
より電流は最大（すなわちＯＮ状態）となる。ゲート電
圧印加時にφ１ ＝ｅ ｔ＊ ｌｄＩ／Ｓｖ、＝ （２
Ｈ＋ｌ） πとなる様にすれば、ＯＦＦ状態が得られる
。
化による電子分布の変化を用いる場合には、（３）式中
のゲート電圧のＯＮ、ＯＦＦによりε２の値が変化する
のと同時に該ゲート電圧の変化により上述のｄの変化（
ａｏ−ｄｔ）も発生することになる。ゲート電圧がゼロ
の場合ε８＝Ｏであるからφ。＝Ｏとなるので（１）式
より電流は最大（すなわちＯＮ状態）となる。ゲート電
圧印加時にφ１ ＝ｅ ｔ＊ ｌｄＩ／Ｓｖ、＝ （２
Ｈ＋ｌ） πとなる様にすれば、ＯＦＦ状態が得られる
。
従ってこの場合ゲート電圧の印加により静電界アハラノ
フ・ボーム効果を生じさせ、かつ両チャネルで囲まれる
面積ｄＬの変化を生じさせるようにしたの・で、比較的
低い電圧で電流のＯＮ、ＯＦＦが可能となる。
フ・ボーム効果を生じさせ、かつ両チャネルで囲まれる
面積ｄＬの変化を生じさせるようにしたの・で、比較的
低い電圧で電流のＯＮ、ＯＦＦが可能となる。
なお、上記実施例では２本の厚さの異なるＧａＡｓ１電
チヤネルを用いる場合を示したが、一つの比較的厚いＧ
ａＡｓ層を用いても同様の効果が期待出来る。第３図は
このようにした本発明の他の実施例のポテンシャルと電
子分布の様子を示す。
チヤネルを用いる場合を示したが、一つの比較的厚いＧ
ａＡｓ層を用いても同様の効果が期待出来る。第３図は
このようにした本発明の他の実施例のポテンシャルと電
子分布の様子を示す。
図において、３０は本実施例のＧａＡｓ量子井戸層から
なる導電チャネルである＊ ＣｙａＡｓ量子井戸層３０
とこれを両側からはさんでいるＡｌＧａＡｓ層との界面
ポテンシャルは電子親和力のため三角ポテンシャルに近
いポテンシャル構造となり、ゼロバイアスでは（ａ）に
示すように電子はこの界面近傍に２箇所にわかれて分布
する。ゼロバイアスではこの２つのチャネルが上記の２
つのＧａＡｓ導電チャネルと同様の作用をする。一方、
これにゲート電圧を印加すると（ｂｌに示す様に井戸の
底のポテンシャルが傾き、電子は一方の界面に分布する
様になる。従って、２つの導電チャネルに囲まれる面積
は、このときゼロ（位相差φ１もゼロ）で電流はＯＮ状
態となる。従ってゼロバイアスでφ。＝ ＜２ｎ＋１）
πとなる様にＢ、ｄ、の値を設定しておけば、バイア
ス印加のＯＮ、ＯＦＦが電流のＯＮ、ＯＦＦに対応する
ことになる。
なる導電チャネルである＊ ＣｙａＡｓ量子井戸層３０
とこれを両側からはさんでいるＡｌＧａＡｓ層との界面
ポテンシャルは電子親和力のため三角ポテンシャルに近
いポテンシャル構造となり、ゼロバイアスでは（ａ）に
示すように電子はこの界面近傍に２箇所にわかれて分布
する。ゼロバイアスではこの２つのチャネルが上記の２
つのＧａＡｓ導電チャネルと同様の作用をする。一方、
これにゲート電圧を印加すると（ｂｌに示す様に井戸の
底のポテンシャルが傾き、電子は一方の界面に分布する
様になる。従って、２つの導電チャネルに囲まれる面積
は、このときゼロ（位相差φ１もゼロ）で電流はＯＮ状
態となる。従ってゼロバイアスでφ。＝ ＜２ｎ＋１）
πとなる様にＢ、ｄ、の値を設定しておけば、バイア
ス印加のＯＮ、ＯＦＦが電流のＯＮ、ＯＦＦに対応する
ことになる。
さらに第３図の構造においてＧａＡｓ井戸層とＡｇＧａ
Ａｓ１Ｗの２つの界面のどちらか一方にドーピングを行
い、（３）式のｖ８を変化させるように構成することも
可能である。
Ａｓ１Ｗの２つの界面のどちらか一方にドーピングを行
い、（３）式のｖ８を変化させるように構成することも
可能である。
以上のように、この発明に係る半導体スイッチング素子
によれば電子波の干渉を用いる半導体スイッチング素子
において、従来、磁場または電界の強さを変化させてＯ
Ｎ、ＯＦＦ動作を行っていたものを、ゲート電界により
電子波の伝搬チャネルを空間的に変化させ、２本の導電
チャネルにより囲まれる面積を変えるようにし、これと
アハラノフ・ボーム効果又は静電界アハラノフ・ボーム
効果とを利用して電流のスイッチングを行うようにした
ので、高速スイッチング動作が可能であるとともに、低
いゲート電圧で動作可能なものが得られる効果がある。
によれば電子波の干渉を用いる半導体スイッチング素子
において、従来、磁場または電界の強さを変化させてＯ
Ｎ、ＯＦＦ動作を行っていたものを、ゲート電界により
電子波の伝搬チャネルを空間的に変化させ、２本の導電
チャネルにより囲まれる面積を変えるようにし、これと
アハラノフ・ボーム効果又は静電界アハラノフ・ボーム
効果とを利用して電流のスイッチングを行うようにした
ので、高速スイッチング動作が可能であるとともに、低
いゲート電圧で動作可能なものが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体スイッチング
素子の構成図、第２図は第１図の動作を説明するための
図、第３図はこの発明の他の実施例の動作を説明するた
めの図、第４図は従来の半導体スイッチング素子の構造
を示す図、第５図は第４図の従来の素子の動作を説明す
るための図である。 ２．４．６はＡ６ＧａＡｓ層、２１． ２２． ３０は
ＧａＡｓ量子井戸層、２３はゲート電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
素子の構成図、第２図は第１図の動作を説明するための
図、第３図はこの発明の他の実施例の動作を説明するた
めの図、第４図は従来の半導体スイッチング素子の構造
を示す図、第５図は第４図の従来の素子の動作を説明す
るための図である。 ２．４．６はＡ６ＧａＡｓ層、２１． ２２． ３０は
ＧａＡｓ量子井戸層、２３はゲート電極である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）２本の導電チャネルを伝搬する電子波の干渉効果
を用いる半導体電流スイッチング素子において、 上記２本の導電チャネル上にその印加電圧によって上記
導電チャネルのエネルギーポテンシャルを変化させるゲ
ート電極を備え、上記ゲート電極への印加電圧を変化さ
せることとアハラノフ・ボーム効果又は静電界アハラノ
フ・ボーム効果とを用いて電流のスイッチングを行うよ
うにしたことを特徴とする半導体スイッチング素子。 - （２）上記２本の導電チャネルとして厚さの異なる２つ
のＧａＡｓ量子井戸層を用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体スイッチング素子。 - （３）上記２本の導電チャネルとして、一つのＧａＡｓ
量子井戸層とこれを挟む２つのＡｌＧａＡｓ層との界面
近傍に分布する２個所の電子導電領域を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体スイッチン
グ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238850A JPS6393161A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体スイツチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238850A JPS6393161A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体スイツチング素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393161A true JPS6393161A (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=17036190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238850A Pending JPS6393161A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体スイツチング素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393161A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5003360A (en) * | 1988-07-15 | 1991-03-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor functional element |
| US5084743A (en) * | 1990-03-15 | 1992-01-28 | North Carolina State University At Raleigh | High current, high voltage breakdown field effect transistor |
| US5130766A (en) * | 1988-08-04 | 1992-07-14 | Fujitsu Limited | Quantum interference type semiconductor device |
| EP0475396A3 (ja) * | 1990-09-12 | 1994-04-20 | Canon Kk | |
| EP0475403A3 (ja) * | 1990-09-13 | 1994-04-20 | Canon Kk | |
| EP0471288A3 (en) * | 1990-08-09 | 1994-05-18 | Canon Kk | Electron wave coupling or decoupling devices and quantum interference devices |
| US5367274A (en) * | 1991-06-28 | 1994-11-22 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson | Quantum wave guiding electronic switch |
| US5406094A (en) * | 1991-10-14 | 1995-04-11 | Fujitsu Limited | Quantum interference effect semiconductor device and method of producing the same |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238850A patent/JPS6393161A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5521735A (en) * | 1990-08-09 | 1996-05-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron wave combining/branching devices and quantum interference devices |
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| EP0475403A3 (ja) * | 1990-09-13 | 1994-04-20 | Canon Kk | |
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