JPS6395673A - 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ - Google Patents

絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ

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Publication number
JPS6395673A
JPS6395673A JP61241404A JP24140486A JPS6395673A JP S6395673 A JPS6395673 A JP S6395673A JP 61241404 A JP61241404 A JP 61241404A JP 24140486 A JP24140486 A JP 24140486A JP S6395673 A JPS6395673 A JP S6395673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
igbt
effect transistor
insulated gate
type field
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61241404A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Ishibashi
秀明 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP61241404A priority Critical patent/JPS6395673A/ja
Publication of JPS6395673A publication Critical patent/JPS6395673A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D12/00—Bipolar devices controlled by the field effect, e.g. insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/411—Insulated-gate bipolar transistors [IGBT]
    • H10D12/441—Vertical IGBTs
    • H10D12/461—Vertical IGBTs having non-planar surfaces, e.g. having trenches, recesses or pillars in the surfaces of the emitter, base or collector regions

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スイッチング用半導体素了の・−秤である
Ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔ　（Ｉｎ５ｕｌａｔｅｄ　Ｇａｔｅ　Ｂ
ｉｐｏｌａｒ　ａｂｏｄｅｔｒａｎｓｔｓｔｏｒ　；絶
縁ゲート形電界効果トランジスタ）素子、特にその改良
に関する。
〔従来の技術〕
ＩＧＢＴＪＦ２子はバイポーラトランジスタの有する高
耐圧２人容徂化が容易であると云う長所と、パワーＭＯ
８ＦＥＴの有する高速なスイッチングが可能でドライブ
も容易であると云う長所とを併せもつ新しいデバイスと
して最近注目されているもので、ＩＧＴ、Ｃ０ＭＦＥＴ
、ＧＥＭＦＥＴまたはＢＪ、ＦＥＴなとの商品名で各社
がそれぞれ製品化している。
第２図にその断面！Ｒ造を示す。同図において、１はソ
ース電極、２は絶縁層、３はゲート、４はＨ＋層、５．
７はＰ層、６はＮ一層、８はドレイン電極である。
第３図にその等何回路を示す。すなわち、ＩＧＢＴはＰ
ＮＰトランジスタ１１およびＮＰＮトランジスタ１２と
、このＮＰＮトランジスタ１２に並列接続されたＦＥＴ
１３と、ＮＰＮトランジスタ１２のベース・エミッタ間
を短絡する短絡抵抗１４とからなり、トランジスタ１１
．１２で構成されるサイリスタ回路を内蔵している点が
特徴である。なお、ＩＧＢＴの回路記号を第３Ａ図に、
また、そのオン電圧とコレクタ電流との関係を第４図に
それぞれ示す。
（発明が解決しようとする問題点〕 第４図の特性からも明らかなように、従来のＩＧＢＴで
はターンオフタイム（１）の長いもｆｆ のほとオン電圧が低く、ターンオフタイムが短くてオン
電圧の低い特性をもつ素子は存在しないのが現状である
。
したがって、この発明はターンオフタイムを短縮するこ
とが可能なＩＧＢＴ＄子を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
ＩＧＢｒの内部トランジスタ（Ｎ　（Ｐ）チャンネルＩ
ＧＢＴではＰＮＰ　（ＮＰＮ）　トランジスタ〕のベー
ス部を外部に引き出して構成する。
〔作用〕
ＩＧＢＴのターンオフ時にその内部トランシスターンオ
フタイムを短縮できるようにする。
〔実施例〕 第１図はこの発明の実施例を示す構成図である。
これは第２図と比較すれば明らかなように、絶縁層９を
介してベース電極１０を引き出した点が特徴である。こ
れは、ＮＰＮトランジスタのベース部を引き出したこと
に相当し、等価回路としては第１Ａ図の如く示される。
そして、ＩＧＢＴのターンオフ時にその内部トランジス
タのエミッタ（ＩＧＢＴのコレクタ）・ベース電極１０
との間を短絡または逆バイアスすれば、キャリアの消滅
が速められることから、そのターンオフタイムを従来の
ものより短縮させることができる。
なお、以上ではＮチャンネルＩＧＢＴについて説明した
が、この発明はＰチャンネルＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔの場合につ
いても同様にして適用し得ることは云う迄もない。
（発明の効果〕 この発明によれば、Ｉ　Ｇ　Ｂ　Ｔの内部トランジスタ
（Ｎ　（Ｐ）チャンネルＩＧＢＴではＰＮＰ（ＮＰＮ）
トランジスタ〕のベース部を外部に引き出すようにした
ので、そのターンオフ時には内部トランジスタのベース
・エミッタ間を短絡または逆バイアスすることが可能と
なり、これによってターンオフタイムを短縮し得る利点
がもたらされる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例を示す構成図、第１Ａ図はこ
の発明によるＩＧＢＴを示す等価回路図、第２図は従来
のＩ　Ｇ　Ｂ　Ｔを示す断面構造図、第３図はその等価
回路図、第３Ａ図は従来のＩＧＢＴを示す回路記号図、
第４図はＩ　Ｇ　Ｂ　’ｒのオン電圧とコレクタ電流と
の関係を示す特性図である。 符号説明 １・・・ソース雷Ｉｆ！（エミッタ）、２．９・・・絶
縁層、３・・・ゲート、４・・・Ｎ＋層、５．７・・・
１層、６・・・Ｎ一層、８・・・ドレイン電極（コレク
タ）、１０・・・ベース電極、１１・・・ＰＮＰトラン
ジスタ、１２・・・ＮＰＮトランジスタ、１３・・・Ｍ
ＯＳＦＥＴ。 １４・・・類１８抵抗。 代理人　　弁理士　　並　木　昭　夫 代理人　　弁理士　　松　崎　　　清 第１図 第１Ａ図 （−）−ス） 第２図 第３図　、　第３Ａ図 エミッタ 第４図 ｖｏｎ（オンノ窩瓜）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 絶縁ゲート形電界効果トランジスタ（ＩＧＢＴ）におい
    て、 その内部トランジスタ〔Ｎ（Ｐ）チャンネルＩＧＢＴで
    はＰＮＰ（ＮＰＮ）トランジスタ〕のベース部を外部に
    引き出してなることを特徴とする絶縁ゲート形電界効果
    トランジスタ。
JP61241404A 1986-10-13 1986-10-13 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ Pending JPS6395673A (ja)

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JP61241404A JPS6395673A (ja) 1986-10-13 1986-10-13 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ

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JPS6395673A true JPS6395673A (ja) 1988-04-26

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ID=17073777

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61241404A Pending JPS6395673A (ja) 1986-10-13 1986-10-13 絶縁ゲ−ト形電界効果トランジスタ

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JP (1) JPS6395673A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0313756U (ja) * 1989-06-23 1991-02-12

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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