JPS6397253U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6397253U JPS6397253U JP19204386U JP19204386U JPS6397253U JP S6397253 U JPS6397253 U JP S6397253U JP 19204386 U JP19204386 U JP 19204386U JP 19204386 U JP19204386 U JP 19204386U JP S6397253 U JPS6397253 U JP S6397253U
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- JP
- Japan
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- protective film
- semiconductor substrate
- lead electrode
- layer
- diffused resistor
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
第１図は本考案の一実施例の要部を示す断面図
、第２図Ａ乃至Ｄは従来例を製造工程別に示す断
面図である。 １…Ｓｉ基板、２…ＳｉＯ２膜、５…拡散抵抗
、１１…耐アルカリ金属層、１２…Ａｌ層。
、第２図Ａ乃至Ｄは従来例を製造工程別に示す断
面図である。 １…Ｓｉ基板、２…ＳｉＯ２膜、５…拡散抵抗
、１１…耐アルカリ金属層、１２…Ａｌ層。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に形成された拡散抵抗と、該
拡散抵抗を覆うべく上記表面に形成された保護膜
と、該保護膜を形成した状態で上記半導体基板の
裏面にアルカリ溶液にてエツチング形成されたダ
イヤフラムと、上記拡散抵抗に連なるように上記
保護膜上に形成されたリード電極とを備え、上記
リード電極は上記保護膜に接して形成された耐ア
ルカリ金属層と該層上に積層して形成されたアル
ミニウム層とから成ることを特徴とするダイヤフ
ラム型半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19204386U JPS6397253U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19204386U JPS6397253U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6397253U true JPS6397253U (ja) | 1988-06-23 |
Family
ID=31146751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19204386U Pending JPS6397253U (ja) | 1986-12-12 | 1986-12-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6397253U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010253650A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yokogawa Electric Corp | シリコンデバイスの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816346A (ja) * | 1981-02-23 | 1983-01-31 | ビデオ・タ−フ・インコ−ポレイテツド | 乱数発生装置とゲ−ム装置 |
| JPS5961146A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-12 JP JP19204386U patent/JPS6397253U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5816346A (ja) * | 1981-02-23 | 1983-01-31 | ビデオ・タ−フ・インコ−ポレイテツド | 乱数発生装置とゲ−ム装置 |
| JPS5961146A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010253650A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Yokogawa Electric Corp | シリコンデバイスの製造方法 |