JPS6410092B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6410092B2 JPS6410092B2 JP13937380A JP13937380A JPS6410092B2 JP S6410092 B2 JPS6410092 B2 JP S6410092B2 JP 13937380 A JP13937380 A JP 13937380A JP 13937380 A JP13937380 A JP 13937380A JP S6410092 B2 JPS6410092 B2 JP S6410092B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pellet
- lead frame
- atmosphere
- resin
- wire bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W95/00—Packaging processes not covered by the other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
本発明は、リードフレームを用いる樹脂封止タ
イプの半導体装置の組立製造方法に係わり、特に
該リードフレームの搬送に関するものである。 従来、トランジスタ、集積回路（IC）などリ
ードフレームを用いる樹脂封止タイプの半導体装
置の組立製造工程は、工程毎に分離され、ダイボ
ンデイング−ワイヤボンデイング工程間、ワイヤ
ボンデイング−トランスフアモールド工程間のリ
ードフレームの搬送は金属製のマガジン（または
トレイ）を用いて行なわれてきたが、一旦、ダイ
ボンデイングまたはワイヤボンデイングの際加熱
されたリードフレームおよびペレツトが搬送途中
に大気中で冷却されることによりペレツト上面に
形成されたリン硅酸ガラス（PSG）などのパツ
シベーシヨン皮膜が大気中の水分を吸湿させてい
た。 そのためトランスフアモールド工程では、ペレ
ツトを樹脂封止する直前に、150〜200℃×２〜４
時間程度の加熱を行なつて上記工程間の搬送途中
で吸湿した水分を放出し、樹脂のなじみ性等を良
好にする目的でベイキングを必要としていた。 ところが最近の省力および高速化の要請により
半導体装置の組立製造工程を連続化した自動化一
貫ラインシステムが提案されるようになると、長
時間の加熱を要するプレベイクはラインバランス
上時間ロスが大きく、ひいては稼動率の低下原因
ともなるなど、却つて高速化の阻害原因の一つと
して考えられるようになつてきた。一方、上記難
点を解消するためプレベイク時間を短くして該ラ
インシステムに導入することも考えられるが、こ
の場合にはペレツト表面に吸湿された水分の影響
によつて出来上がつた半導体装置の信頼性が低下
し、特に温度サイクルテストでのワイヤオープン
不良や耐湿性通電テストでの配線（たとえばアル
ミニウム）の電蝕不良が増大するという難点があ
る。 本発明者はかかる点に鑑みて研究を進めたとこ
ろ、ペレツト上面に形成されるパツシベーシヨン
膜たとえばPSGは非常に水分を吸収しやすく、
加熱処理後の冷却では水分の吸湿性が特に高いこ
と、100℃での加温のみでは却つて水分吸着量が
多くなることを見出し、窒素ガス、乾燥空気、真
空に加熱処理後ペレツトを保管しておいたところ
下表の結果を得た。
イプの半導体装置の組立製造方法に係わり、特に
該リードフレームの搬送に関するものである。 従来、トランジスタ、集積回路（IC）などリ
ードフレームを用いる樹脂封止タイプの半導体装
置の組立製造工程は、工程毎に分離され、ダイボ
ンデイング−ワイヤボンデイング工程間、ワイヤ
ボンデイング−トランスフアモールド工程間のリ
ードフレームの搬送は金属製のマガジン（または
トレイ）を用いて行なわれてきたが、一旦、ダイ
ボンデイングまたはワイヤボンデイングの際加熱
されたリードフレームおよびペレツトが搬送途中
に大気中で冷却されることによりペレツト上面に
形成されたリン硅酸ガラス（PSG）などのパツ
シベーシヨン皮膜が大気中の水分を吸湿させてい
た。 そのためトランスフアモールド工程では、ペレ
ツトを樹脂封止する直前に、150〜200℃×２〜４
時間程度の加熱を行なつて上記工程間の搬送途中
で吸湿した水分を放出し、樹脂のなじみ性等を良
好にする目的でベイキングを必要としていた。 ところが最近の省力および高速化の要請により
半導体装置の組立製造工程を連続化した自動化一
貫ラインシステムが提案されるようになると、長
時間の加熱を要するプレベイクはラインバランス
上時間ロスが大きく、ひいては稼動率の低下原因
ともなるなど、却つて高速化の阻害原因の一つと
して考えられるようになつてきた。一方、上記難
点を解消するためプレベイク時間を短くして該ラ
インシステムに導入することも考えられるが、こ
の場合にはペレツト表面に吸湿された水分の影響
によつて出来上がつた半導体装置の信頼性が低下
し、特に温度サイクルテストでのワイヤオープン
不良や耐湿性通電テストでの配線（たとえばアル
ミニウム）の電蝕不良が増大するという難点があ
る。 本発明者はかかる点に鑑みて研究を進めたとこ
ろ、ペレツト上面に形成されるパツシベーシヨン
膜たとえばPSGは非常に水分を吸収しやすく、
加熱処理後の冷却では水分の吸湿性が特に高いこ
と、100℃での加温のみでは却つて水分吸着量が
多くなることを見出し、窒素ガス、乾燥空気、真
空に加熱処理後ペレツトを保管しておいたところ
下表の結果を得た。
【表】
(注) 測定法は真空中でのガス放出テスト
による。
本発明はかかる知見に基づいてなされたもの
で、リードフレームのペレツト載置部にペレツト
を固着するダイボンデイング工程および前記ペレ
ツトの電極と前記ペレツト載置部の周辺に形成さ
れたリードとをワイヤにて接続するワイヤボンデ
イング工程の何れか一方の工程から、前記ペレツ
トを樹脂にて封止するトランスフアモールド工程
に至るまで、前記リードフレームの搬送を不活性
ガス、乾燥雰囲気、真空から成る雰囲気より選ば
れた環境下で行なうことを特徴とする半導体装置
の組立製造方法を提供し、もつて半導体装置製造
を高速化すると共に信頼性の高い半導体装置を提
供することを目的とするものである。 以下図面に基づいて本発明の一実施例を詳細に
説明する。 図面中１で示すダイボンデイング工程にて、ペ
レツトとリードフレームのペレツト載置部の間で
ろう材を挾持させ、430℃程度の加熱でもつてろ
う材を溶融し、ペレツト載置部へペレツトを固着
する。次いで２の搬送工程では、ダイボンデイン
グ装置とワイヤボンデイング装置の間に形成され
かつ両端には不活性ガスまたは乾燥ガスによりエ
アーカーテンが形成されさらに内部には不活性ガ
スまたは乾燥ガスが充満されているトンネルの一
端よりリードフレームを挿入し、水分が付着しな
いよう他端まで搬送する。尚、ここでは、外部雰
囲気（大気）からトンネルの内部の乾燥ガスとの
遮蔽は上記の仕方に限られるものでない。またリ
ードフレームがトンネルの一端より挿入された
後、両端を密蔽して、トンネル内部を真空にして
もよいものである。次いで３のワイヤボンデイン
グ工程にて、リードフレーム下面を320〜340℃程
度に加熱し、ペレツトとペレツト載置部の周辺に
形成されたリードとを接続する。続いて４の搬送
工程では、搬送工程２と同様の構造を有するトン
ネルの中でリードフレームの搬送を行なう。そし
て、５のトランスフアモールド工程でもつて、リ
ードフレーム上に固着されたペレツトを樹脂封止
する。 以上の実施例からも明らかなように本発明によ
れば、加熱処理工程（ダイボンデイング工程、ワ
イヤボンデイング工程）後のリードフレームの搬
送は不活性ガス、乾燥雰囲気、真空から成る雰囲
気より選ばれた環境下で行なわれるために、大気
中の水分、塵埃等のペレツト表面への付着を防止
でき半導体装置としての信頼性の向上が可能とな
る。また、加熱処理工程の熱が共用できベイキン
グが不用となるので半導体装置製造の高速化をは
かることも可能となる。 尚、本発明は、特にトランスフアモールド工程
５前のワイヤボンデイング工程３−トランスフア
モールド工程５の間のリードフレームの搬送を上
記環境下で行なつて、水分がペレツト表面に付着
したまま樹脂封止するのを防止するようにしても
よいものである。
による。
本発明はかかる知見に基づいてなされたもの
で、リードフレームのペレツト載置部にペレツト
を固着するダイボンデイング工程および前記ペレ
ツトの電極と前記ペレツト載置部の周辺に形成さ
れたリードとをワイヤにて接続するワイヤボンデ
イング工程の何れか一方の工程から、前記ペレツ
トを樹脂にて封止するトランスフアモールド工程
に至るまで、前記リードフレームの搬送を不活性
ガス、乾燥雰囲気、真空から成る雰囲気より選ば
れた環境下で行なうことを特徴とする半導体装置
の組立製造方法を提供し、もつて半導体装置製造
を高速化すると共に信頼性の高い半導体装置を提
供することを目的とするものである。 以下図面に基づいて本発明の一実施例を詳細に
説明する。 図面中１で示すダイボンデイング工程にて、ペ
レツトとリードフレームのペレツト載置部の間で
ろう材を挾持させ、430℃程度の加熱でもつてろ
う材を溶融し、ペレツト載置部へペレツトを固着
する。次いで２の搬送工程では、ダイボンデイン
グ装置とワイヤボンデイング装置の間に形成され
かつ両端には不活性ガスまたは乾燥ガスによりエ
アーカーテンが形成されさらに内部には不活性ガ
スまたは乾燥ガスが充満されているトンネルの一
端よりリードフレームを挿入し、水分が付着しな
いよう他端まで搬送する。尚、ここでは、外部雰
囲気（大気）からトンネルの内部の乾燥ガスとの
遮蔽は上記の仕方に限られるものでない。またリ
ードフレームがトンネルの一端より挿入された
後、両端を密蔽して、トンネル内部を真空にして
もよいものである。次いで３のワイヤボンデイン
グ工程にて、リードフレーム下面を320〜340℃程
度に加熱し、ペレツトとペレツト載置部の周辺に
形成されたリードとを接続する。続いて４の搬送
工程では、搬送工程２と同様の構造を有するトン
ネルの中でリードフレームの搬送を行なう。そし
て、５のトランスフアモールド工程でもつて、リ
ードフレーム上に固着されたペレツトを樹脂封止
する。 以上の実施例からも明らかなように本発明によ
れば、加熱処理工程（ダイボンデイング工程、ワ
イヤボンデイング工程）後のリードフレームの搬
送は不活性ガス、乾燥雰囲気、真空から成る雰囲
気より選ばれた環境下で行なわれるために、大気
中の水分、塵埃等のペレツト表面への付着を防止
でき半導体装置としての信頼性の向上が可能とな
る。また、加熱処理工程の熱が共用できベイキン
グが不用となるので半導体装置製造の高速化をは
かることも可能となる。 尚、本発明は、特にトランスフアモールド工程
５前のワイヤボンデイング工程３−トランスフア
モールド工程５の間のリードフレームの搬送を上
記環境下で行なつて、水分がペレツト表面に付着
したまま樹脂封止するのを防止するようにしても
よいものである。
図面は、本発明に係わる半導体装置の組立製造
工程の説明図である。 １……ダイボンデイング工程、３……ワイヤボ
ンデイング工程、５……トランスフアモールド工
程。
工程の説明図である。 １……ダイボンデイング工程、３……ワイヤボ
ンデイング工程、５……トランスフアモールド工
程。
Claims (1)
- １ リードフレームのペレツト載置部にペレツト
を固着するダイボンデイング工程および前記ペレ
ツトの電極と前記ペレツト載置部の周辺に形成さ
れたリードとをワイヤにて接続するワイヤボンデ
イング工程の何れか一方の工程から、前記ペレツ
トを樹脂にて封止するトランスフアモールド工程
に至るまで、前記リードフレームの搬送を不活性
ガス、乾燥雰囲気、真空から成る雰囲気より選ば
れた環境下で行なうことを特徴とする半導体装置
の組立製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13937380A JPS5763833A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Fabrication of semicondutor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13937380A JPS5763833A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Fabrication of semicondutor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5763833A JPS5763833A (en) | 1982-04-17 |
| JPS6410092B2 true JPS6410092B2 (ja) | 1989-02-21 |
Family
ID=15243805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13937380A Granted JPS5763833A (en) | 1980-10-07 | 1980-10-07 | Fabrication of semicondutor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5763833A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314837A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63314839A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
-
1980
- 1980-10-07 JP JP13937380A patent/JPS5763833A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5763833A (en) | 1982-04-17 |
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