JPS5943534A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5943534A JPS5943534A JP57154401A JP15440182A JPS5943534A JP S5943534 A JPS5943534 A JP S5943534A JP 57154401 A JP57154401 A JP 57154401A JP 15440182 A JP15440182 A JP 15440182A JP S5943534 A JPS5943534 A JP S5943534A
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- H10W72/931—Shapes of bond pads
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Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は製造コストの低減と信頼性向上をはかった半
導体装置１ｉの製造方法に関するものである。 従来、この七ｒ］の装置は、キャンタイプまたは樹脂封
止タイプのタイオード６ケを、個々に冷却フィンに融点
が約２４０°Ｃ程度の半田を用いて半田付は後、結線し
て、例えば自動車の三相ブリッジを形成していた。以下
さらに従来例を図面について説明する。 第１図は従来の三相タイオートノ゛リンジに用いられる
タイオー１′の冷却フィンへの取イ；Ｉ状態を示すもの
で、６ケのタイオード（し１示せ」゛）がそハぞ才１外
部リード１に固着さ第１、モールド樹脂２で樹脂成形さ
れた後、第２図に示イよ５ＶＣまず基板３に取り伺げら
ｔ］、その後半１■ろ５利４を用い
導体装置１ｉの製造方法に関するものである。 従来、この七ｒ］の装置は、キャンタイプまたは樹脂封
止タイプのタイオード６ケを、個々に冷却フィンに融点
が約２４０°Ｃ程度の半田を用いて半田付は後、結線し
て、例えば自動車の三相ブリッジを形成していた。以下
さらに従来例を図面について説明する。 第１図は従来の三相タイオートノ゛リンジに用いられる
タイオー１′の冷却フィンへの取イ；Ｉ状態を示すもの
で、６ケのタイオード（し１示せ」゛）がそハぞ才１外
部リード１に固着さ第１、モールド樹脂２で樹脂成形さ
れた後、第２図に示イよ５ＶＣまず基板３に取り伺げら
ｔ］、その後半１■ろ５利４を用い
【冷却フィン５に取
り付けられている。 このよ５な従来の三相タイオードブリッジの組立方法は
、第２薗に示すタイオードを作る工程と、第１図に示ゴ
ー半田ろう旧４を介して、冷却フィン５ｖｃ半１−Ｔ】
付けする工程に分が第１ていた。 従って工数の増大により製造コストの削減が困ｌ１１１
６であるばかりでなく、半トロろう材４をま低融点の半
田を用いる必便があり、実動作時においての耐温度性や
熱ヒロワ性能が劣っていた。 さらには第２図に示すタイオードの形状からろても明ら
かなように、壬−ルド崩脂２と基板３は接着強度が弱く
、そのため耐引張性能等が不十分で、第１図の組立てを
自動的に行うに当り、細心の注意が必要であった。 この発明は、上記の点にかんがみなされたもので、補助
フィンを用い冷却フィンにしかにタイオードチップを半
田付は−するか、または補助フィンを介してタイオード
チップを冷却フィンに半田付けし、この半１１］を半ｌ
」融点３００℃以上の高温半Ｅ１３ろう材４・用い、−
挙に同時に半田付けするようにしたもので５製造工数の
削減と、製造コストの大幅な低減とができるほか、機構
の簡素化による重量軽減もできる半導体装置の製造方法
を提供するものである。以下この発明について説明する
。 第３図はこの発明の一実施例によりイＵられた半導体装
１４の部分断面図である。これらの図で、６は補助フィ
ンで、この補助フィン６に半導体チップ、例えばタイオ
ードチップＩを高融点半田ろう材８ａを介し【熱圧着に
より固定し、次にタイオードチップＩ上に高融点半田ろ
うＩ８ｂを介して外部リード１を熱圧着により固定し、
さらに補助フィン６を冷却フィン５に高融点゛￥〔（コ
ろ５利８ｃを介して熱圧着しでより固定し、その後、熱
処理炉に通して各、ｖ７＋融点半Ｈ１〕〕う拐８８〜８
ｃを同時に融着した後、モールド樹脂２によって樹脂成
形する。ここで用いられ１こ補助フ・イン６の詳細を第
５図に示す。 第４図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置の部分
断面図でこの実施例は、第６図に示す補助フィン６ケ冷
却フイン５に固着（２１こ本のである。 第７図はこの発明を用いた三相ブリッジの２枚組の一方
の冷却フイ：１５とタイオードの取付状態を丞す正面図
である。 次に、この発明の製造工程につい゛Ｃ説明する。 （１） 補助フィン６を自動組立装置産ρ・−デツプ
する。 （２）高融点＝＋÷田ろう材８ａを補助フ・イン６に熱
圧着により固定する。 ■ タイオードチップＩを高融点半田ろうｔ１８ａの上
に熱圧着する。 ■ 晶融志士［■ろう利８ｂをタイオー トチツブＴ上
に熱圧着する。 ■ 外部！Ｉ −１’ １を高融点半Ｅｔｌろう月８ｂ
上に熱圧着する。 ■ サプラインに冷却フィン５をローデングする。 ■ 高融点半田ろう利８ｃ′ｔ／冷却フィン５上に熱圧
着する。 ■ 補助フィン６を高融点半田ろう月８ｃ上に位置決め
固定する。 ■ 不活性雰囲気炉に通し高融点半田ろう材８ａ〜８Ｃ
を融着させる。 ０ デスペンサーによりエポキシ樹脂２を注入する。 （１１）熱処理炉妬通しエポキシ樹脂２を硬化させる。 以上により、三相タイオー ドブリッジの一方の極性の
組立てが完了する。 同様にタイオードチップの極性の異ったもう一方の冷却
フィンを上記ラインに投入し、２ケをペアに組み合わせ
ると第１図に相当する三相タイオードブリッジが形成さ
れる。 なお、上記実施例においては、高融志士［■１ろ５月８
ａ〜８ｃｏ′）熱圧着による組立方法について示したが
、他に半田ペーストを用いる方法や、治具を川（ゴニ積
上げ方式でも同様に組立てできることは言うまでもない
。ま六−５上記実施例では自動車搭載用の三相プリクジ
に適用するものとして説明しム：が、こｔＩＷ限らず冷
却フィン５に直付けする他の個別半導体素子や、マルチ
チップ装置にも同様に適用できることは欄５までもない
。 以上説、明し１こよ５に、この発明は補助フィンを用い
るとともに、半導体デツプの固着と冷却フィンへの固着
を同時に行うよ５ＶｃＬｖ−のひ、補助フィンは’Ｉ’
に：、１ｆｉｌ）保時に発熱するｉイオー ドの放熱効
率の改善だけでフｘ ＜、崖導体ザソブを機械的外力力
ｒ）保ｄ侍することも主目的と１ろＬ二めに使用さ第１
るモールド樹脂の接７合力が、補助フィンを用いフｌい
場合に比較（−２て格段して向上するとともに、引はが
し力がかかった場合、従来構造であると、もろに半導体
チップに引張力がかかっていムニが、補則フィンの採用
により引張力の負担は、補助フィンと冷却フィン間の高
融点十口１ろ５Ｈにかかるようになる１こめ半導体千ツ
ブの（ｉ’ｅ壇が防げ、装置全体の機械的強度および信
テη性がバＬ、＜向−トする。また、半口〕ろ５月の融
点の上列により製品の動作時の信頼性向上と、長内命化
がｉｉ１能となり、また、補助フィンの効果で冷却効果
が向上し、ｆｕｌｌえげ同一電流定格においＣは、接合
部温度Ｔｊ を下げることができ、また、同一接合ｔ
・：ｌ（ｉ、１．λ度Ｔｊで使用時は直流定格を上げる
ことができるので、それによるコストタウン効果ま−（
，１よ品質、信頼性面での改善効果が著ｔ〜い半導体装
置がｆ！量られる利点がある。
り付けられている。 このよ５な従来の三相タイオードブリッジの組立方法は
、第２薗に示すタイオードを作る工程と、第１図に示ゴ
ー半田ろう旧４を介して、冷却フィン５ｖｃ半１−Ｔ】
付けする工程に分が第１ていた。 従って工数の増大により製造コストの削減が困ｌ１１１
６であるばかりでなく、半トロろう材４をま低融点の半
田を用いる必便があり、実動作時においての耐温度性や
熱ヒロワ性能が劣っていた。 さらには第２図に示すタイオードの形状からろても明ら
かなように、壬−ルド崩脂２と基板３は接着強度が弱く
、そのため耐引張性能等が不十分で、第１図の組立てを
自動的に行うに当り、細心の注意が必要であった。 この発明は、上記の点にかんがみなされたもので、補助
フィンを用い冷却フィンにしかにタイオードチップを半
田付は−するか、または補助フィンを介してタイオード
チップを冷却フィンに半田付けし、この半１１］を半ｌ
」融点３００℃以上の高温半Ｅ１３ろう材４・用い、−
挙に同時に半田付けするようにしたもので５製造工数の
削減と、製造コストの大幅な低減とができるほか、機構
の簡素化による重量軽減もできる半導体装置の製造方法
を提供するものである。以下この発明について説明する
。 第３図はこの発明の一実施例によりイＵられた半導体装
１４の部分断面図である。これらの図で、６は補助フィ
ンで、この補助フィン６に半導体チップ、例えばタイオ
ードチップＩを高融点半田ろう材８ａを介し【熱圧着に
より固定し、次にタイオードチップＩ上に高融点半田ろ
うＩ８ｂを介して外部リード１を熱圧着により固定し、
さらに補助フィン６を冷却フィン５に高融点゛￥〔（コ
ろ５利８ｃを介して熱圧着しでより固定し、その後、熱
処理炉に通して各、ｖ７＋融点半Ｈ１〕〕う拐８８〜８
ｃを同時に融着した後、モールド樹脂２によって樹脂成
形する。ここで用いられ１こ補助フ・イン６の詳細を第
５図に示す。 第４図はこの発明の他の実施例を示す半導体装置の部分
断面図でこの実施例は、第６図に示す補助フィン６ケ冷
却フイン５に固着（２１こ本のである。 第７図はこの発明を用いた三相ブリッジの２枚組の一方
の冷却フイ：１５とタイオードの取付状態を丞す正面図
である。 次に、この発明の製造工程につい゛Ｃ説明する。 （１） 補助フィン６を自動組立装置産ρ・−デツプ
する。 （２）高融点＝＋÷田ろう材８ａを補助フ・イン６に熱
圧着により固定する。 ■ タイオードチップＩを高融点半田ろうｔ１８ａの上
に熱圧着する。 ■ 晶融志士［■ろう利８ｂをタイオー トチツブＴ上
に熱圧着する。 ■ 外部！Ｉ −１’ １を高融点半Ｅｔｌろう月８ｂ
上に熱圧着する。 ■ サプラインに冷却フィン５をローデングする。 ■ 高融点半田ろう利８ｃ′ｔ／冷却フィン５上に熱圧
着する。 ■ 補助フィン６を高融点半田ろう月８ｃ上に位置決め
固定する。 ■ 不活性雰囲気炉に通し高融点半田ろう材８ａ〜８Ｃ
を融着させる。 ０ デスペンサーによりエポキシ樹脂２を注入する。 （１１）熱処理炉妬通しエポキシ樹脂２を硬化させる。 以上により、三相タイオー ドブリッジの一方の極性の
組立てが完了する。 同様にタイオードチップの極性の異ったもう一方の冷却
フィンを上記ラインに投入し、２ケをペアに組み合わせ
ると第１図に相当する三相タイオードブリッジが形成さ
れる。 なお、上記実施例においては、高融志士［■１ろ５月８
ａ〜８ｃｏ′）熱圧着による組立方法について示したが
、他に半田ペーストを用いる方法や、治具を川（ゴニ積
上げ方式でも同様に組立てできることは言うまでもない
。ま六−５上記実施例では自動車搭載用の三相プリクジ
に適用するものとして説明しム：が、こｔＩＷ限らず冷
却フィン５に直付けする他の個別半導体素子や、マルチ
チップ装置にも同様に適用できることは欄５までもない
。 以上説、明し１こよ５に、この発明は補助フィンを用い
るとともに、半導体デツプの固着と冷却フィンへの固着
を同時に行うよ５ＶｃＬｖ−のひ、補助フィンは’Ｉ’
に：、１ｆｉｌ）保時に発熱するｉイオー ドの放熱効
率の改善だけでフｘ ＜、崖導体ザソブを機械的外力力
ｒ）保ｄ侍することも主目的と１ろＬ二めに使用さ第１
るモールド樹脂の接７合力が、補助フィンを用いフｌい
場合に比較（−２て格段して向上するとともに、引はが
し力がかかった場合、従来構造であると、もろに半導体
チップに引張力がかかっていムニが、補則フィンの採用
により引張力の負担は、補助フィンと冷却フィン間の高
融点十口１ろ５Ｈにかかるようになる１こめ半導体千ツ
ブの（ｉ’ｅ壇が防げ、装置全体の機械的強度および信
テη性がバＬ、＜向−トする。また、半口〕ろ５月の融
点の上列により製品の動作時の信頼性向上と、長内命化
がｉｉ１能となり、また、補助フィンの効果で冷却効果
が向上し、ｆｕｌｌえげ同一電流定格においＣは、接合
部温度Ｔｊ を下げることができ、また、同一接合ｔ
・：ｌ（ｉ、１．λ度Ｔｊで使用時は直流定格を上げる
ことができるので、それによるコストタウン効果ま−（
，１よ品質、信頼性面での改善効果が著ｔ〜い半導体装
置がｆ！量られる利点がある。
第１図は従来のモールド形三相タイオードブリッジのが
）親図、第２図は従来のモールド形タイオードの’Ａ（
ｅ４斜を兄１ン１、第３図、第４図はこの発明の実施例
により得られ１こｆ導体装置ｄの部分断面図、第５図、
第６図は第３図、第４図に用いらすｔ定補助フィンの斜
視図、第７図はこの発明を用いた三相グリッジの２枚組
の一力のター（−Ａ−ドの取付状態を示す正面図である
。 図中、１は外部リード、２はゴボギシ樹脂、６（′：ｌ
補助フィン、γはタイオードチーツブ、８ａ〜８ｃは高
Ｉ独点半田ろう材である。ｉＪ ｔ、、ｉ、図中の同−
符弓は同一まｒｃは相当部分を示１゜ 代理人 葛 ！ｌＩｆ 信 −（外１名）第 １
図 第２図 ？ 第３図 第４図 手ｑゾ、：補正書 （自発） １．事件の表示 持ＩＱ（Ｉ昭５７−１５４４０
１号２、発明の名（４、半導体装置の製造方法３、補正
を−４ると 代表者片山１−八部 ４、代理人 ５３補正の対象 明細−１の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説
明の欄 ６、補ｉＪＥの内容 （１） 明細書第２頁２行の［自動車のＪを、１゛自
動車用の」と補正する。 （２）同じく第５頁１３．１５行の「エポキシ樹脂２」
を、「モールド樹脂２」と補止する。 （３）同じく第８頁３行の「エポキシ樹脂２」を、「モ
ールＩ・樹脂２」と補１１′する。 以 １−
）親図、第２図は従来のモールド形タイオードの’Ａ（
ｅ４斜を兄１ン１、第３図、第４図はこの発明の実施例
により得られ１こｆ導体装置ｄの部分断面図、第５図、
第６図は第３図、第４図に用いらすｔ定補助フィンの斜
視図、第７図はこの発明を用いた三相グリッジの２枚組
の一力のター（−Ａ−ドの取付状態を示す正面図である
。 図中、１は外部リード、２はゴボギシ樹脂、６（′：ｌ
補助フィン、γはタイオードチーツブ、８ａ〜８ｃは高
Ｉ独点半田ろう材である。ｉＪ ｔ、、ｉ、図中の同−
符弓は同一まｒｃは相当部分を示１゜ 代理人 葛 ！ｌＩｆ 信 −（外１名）第 １
図 第２図 ？ 第３図 第４図 手ｑゾ、：補正書 （自発） １．事件の表示 持ＩＱ（Ｉ昭５７−１５４４０
１号２、発明の名（４、半導体装置の製造方法３、補正
を−４ると 代表者片山１−八部 ４、代理人 ５３補正の対象 明細−１の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説
明の欄 ６、補ｉＪＥの内容 （１） 明細書第２頁２行の［自動車のＪを、１゛自
動車用の」と補正する。 （２）同じく第５頁１３．１５行の「エポキシ樹脂２」
を、「モールド樹脂２」と補止する。 （３）同じく第８頁３行の「エポキシ樹脂２」を、「モ
ールＩ・樹脂２」と補１１′する。 以 １−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 補助フィンを冷却フィンに高融点半田ろう拐を介して固
定し、半導体チップを前記補助フィンに高融点半Ｂ」ろ
う利を介して、または前記冷却フィンにじかに高融点半
田ろ５利を介して熱圧着により固定し、さらに前記半導
体チップに外部リードを高融点半田ろう利を介して熱圧
着により固定した後、前記それぞれの高融点半田ろう材
を同時に融着固定する工程と、前記外部リードおよび補
助フィンの一部分を露出せしめた状態で樹脂封止する工
程とから１９【ることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154401A JPS5943534A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154401A JPS5943534A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943534A true JPS5943534A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15583335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154401A Pending JPS5943534A (ja) | 1982-09-02 | 1982-09-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JPH07252548A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-10-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 廃触媒からの有価金属の回収方法 |
| US5863817A (en) * | 1988-09-20 | 1999-01-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6242797B1 (en) * | 1997-05-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof |
-
1982
- 1982-09-02 JP JP57154401A patent/JPS5943534A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072231A (en) * | 1988-03-20 | 2000-06-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6130114A (en) * | 1988-03-20 | 2000-10-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6081023A (en) * | 1988-03-20 | 2000-06-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6100115A (en) * | 1988-09-20 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6124629A (en) * | 1988-09-20 | 2000-09-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device including a resin sealing member which exposes the rear surface of the sealed semiconductor chip |
| US5981315A (en) * | 1988-09-20 | 1999-11-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6018191A (en) * | 1988-09-20 | 2000-01-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6069029A (en) * | 1988-09-20 | 2000-05-30 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device chip on lead and lead on chip manufacturing |
| US5863817A (en) * | 1988-09-20 | 1999-01-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6919622B2 (en) | 1988-09-20 | 2005-07-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| US5068712A (en) * | 1988-09-20 | 1991-11-26 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6100580A (en) * | 1988-09-20 | 2000-08-08 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having all outer leads extending from one side of a resin member |
| US5914530A (en) * | 1988-09-20 | 1999-06-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US5358904A (en) * | 1988-09-20 | 1994-10-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6720208B2 (en) | 1988-09-20 | 2004-04-13 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device |
| US6303982B2 (en) | 1988-09-20 | 2001-10-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6326681B1 (en) | 1988-09-20 | 2001-12-04 | Hitachi, Ltd | Semiconductor device |
| US6531760B1 (en) | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
| JPH07252548A (ja) * | 1994-03-11 | 1995-10-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 廃触媒からの有価金属の回収方法 |
| US6242797B1 (en) * | 1997-05-19 | 2001-06-05 | Nec Corporation | Semiconductor device having pellet mounted on radiating plate thereof |
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