JPS6410936B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6410936B2 JPS6410936B2 JP56198024A JP19802481A JPS6410936B2 JP S6410936 B2 JPS6410936 B2 JP S6410936B2 JP 56198024 A JP56198024 A JP 56198024A JP 19802481 A JP19802481 A JP 19802481A JP S6410936 B2 JPS6410936 B2 JP S6410936B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- bonding
- bumps
- substrate
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07236—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体素子のボンデイング方法、さら
に詳しくはフエイスダウンボンデイング方法に関
するものである。
に詳しくはフエイスダウンボンデイング方法に関
するものである。
フエイスダウンボンデイング方法は、ワイヤリ
ード或いはビームリードなどのリード線を用いな
いで、半導体チツプに設けた接続端子(バンプ)
を用いてボンデイングするボンデイングの一方法
である。
ード或いはビームリードなどのリード線を用いな
いで、半導体チツプに設けた接続端子(バンプ)
を用いてボンデイングするボンデイングの一方法
である。
フエイスダウンボンデイング方法の特徴は、
(1) ボンデイング工程が簡単化できる。
(2) 自動化が可能である。
等である。
第1図フエイスダウンボンデイング方法によつ
てボンデイングされた半導体チツプの断面図を載
せる。1がLSI等の半導体チツプであり、2が銅
2a及びハンダ2bのバンプであり、基板3上の
導体の銅箔4とメツキ5(金メツキ5a,ニツケ
ルメツキ5b)を介して接続している。
てボンデイングされた半導体チツプの断面図を載
せる。1がLSI等の半導体チツプであり、2が銅
2a及びハンダ2bのバンプであり、基板3上の
導体の銅箔4とメツキ5(金メツキ5a,ニツケ
ルメツキ5b)を介して接続している。
従来のフエイスダウンボンデイング方法の問題
点は、メツキ5の表面がフラツトであるためメツ
キ5とバンプ2の接合部分が基板の表面と平行方
向の外力に対し弱いということである。
点は、メツキ5の表面がフラツトであるためメツ
キ5とバンプ2の接合部分が基板の表面と平行方
向の外力に対し弱いということである。
本発明は上記の欠点をなくすため、半導体チツ
プと基板上の接合部分において、半導体チツプの
バンプを基板上のメツキのない導体箔と直接接続
させ、バンプと導体箔の接続部分と非接続部分と
で段差を生じさせ、ボンデイングの強度を増すこ
とを目的とする。
プと基板上の接合部分において、半導体チツプの
バンプを基板上のメツキのない導体箔と直接接続
させ、バンプと導体箔の接続部分と非接続部分と
で段差を生じさせ、ボンデイングの強度を増すこ
とを目的とする。
本発明のボンデイング方法の一実施例を図面を
参照しつつ説明する。
参照しつつ説明する。
第2図は銅箔4をラミネートしたガラスエポキ
シよりなる基板3上の、半導体チツプのバンプと
銅箔4のボンデイング相当部にフオトレジスト6
のパターンを形成する工程である。次いで従来技
術に従い銅箔4の酸化防止のためのメツキ5(金
メツキ5a,ニツケルメツキ5b)を施す(第3
図)。メツキは前記に限定するわけではない。フ
オトレジスト6を洗い落とすと第4図の如く銅箔
4を底としてメツキ5の一部に凹部7ができる。
該凹部7にLSI等の半導体チツプ1の銅2a及び
ハンダ2bのバンプ2の凸部をはめる。バンプ2
のハンダ2bでハンダ付けを完成する(第5図)。
シよりなる基板3上の、半導体チツプのバンプと
銅箔4のボンデイング相当部にフオトレジスト6
のパターンを形成する工程である。次いで従来技
術に従い銅箔4の酸化防止のためのメツキ5(金
メツキ5a,ニツケルメツキ5b)を施す(第3
図)。メツキは前記に限定するわけではない。フ
オトレジスト6を洗い落とすと第4図の如く銅箔
4を底としてメツキ5の一部に凹部7ができる。
該凹部7にLSI等の半導体チツプ1の銅2a及び
ハンダ2bのバンプ2の凸部をはめる。バンプ2
のハンダ2bでハンダ付けを完成する(第5図)。
もちろん第4図の凹部はLSI等の半導体チツプ
1のバンプ2の数,形状に応じて適宜変える。
1のバンプ2の数,形状に応じて適宜変える。
なお、銅箔4自体は外気にさらすと容易に酸化
しハンダ付けが不可能になるため、フオトレジス
ト6の剥離はハンダ付け直前で行うと良い。フオ
トレジスト6の剥離にはメチルイソブチルケトン
とかアルコール類の溶剤を浸すと早く処理が行え
る。
しハンダ付けが不可能になるため、フオトレジス
ト6の剥離はハンダ付け直前で行うと良い。フオ
トレジスト6の剥離にはメチルイソブチルケトン
とかアルコール類の溶剤を浸すと早く処理が行え
る。
以上本発明のボンデイング方法によれば、半導
体チツプと基板の接合部が従来のものより強化さ
れ、しかもバンプ付き半導体チツプの基板への接
合の位置合わせが、基板上の凹部にバンプの凸部
を合わすべく実施すれば良く、容易である。
体チツプと基板の接合部が従来のものより強化さ
れ、しかもバンプ付き半導体チツプの基板への接
合の位置合わせが、基板上の凹部にバンプの凸部
を合わすべく実施すれば良く、容易である。
第1図は従来のボンデイング法による半導体チ
ツプと基板のボンデイング断面図、第2図乃至第
5図は本発明のボンデイング法の各工程の部分断
面図である。 1…半導体チツプ、2…バンプ、3…基板、4
…銅箔、5…メツキ、6…フオトレジスト、7…
凹部。
ツプと基板のボンデイング断面図、第2図乃至第
5図は本発明のボンデイング法の各工程の部分断
面図である。 1…半導体チツプ、2…バンプ、3…基板、4
…銅箔、5…メツキ、6…フオトレジスト、7…
凹部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 半導体チツプ上に突出した接続端子(バン
プ)を用いて半導体チツプと基板上の電極接続用
の導体箔を結合しボンデイングを行う方法におい
て、 導体箔を設けた基板上に、導体箔上の半導体チ
ツプのバンプと導体箔とが接合する領域外のみに
導体箔保護のメツキを施し、 半導体チツプのバンプとメツキのない領域の導
体箔とを直接接続することを特徴とするボンデイ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198024A JPS5897840A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | ボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56198024A JPS5897840A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | ボンデイング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5897840A JPS5897840A (ja) | 1983-06-10 |
| JPS6410936B2 true JPS6410936B2 (ja) | 1989-02-22 |
Family
ID=16384248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56198024A Granted JPS5897840A (ja) | 1981-12-08 | 1981-12-08 | ボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5897840A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04170811A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
-
1981
- 1981-12-08 JP JP56198024A patent/JPS5897840A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5897840A (ja) | 1983-06-10 |
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