JPS6410936B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6410936B2
JPS6410936B2 JP56198024A JP19802481A JPS6410936B2 JP S6410936 B2 JPS6410936 B2 JP S6410936B2 JP 56198024 A JP56198024 A JP 56198024A JP 19802481 A JP19802481 A JP 19802481A JP S6410936 B2 JPS6410936 B2 JP S6410936B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
bonding
bumps
substrate
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56198024A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5897840A (ja
Inventor
Shin Tada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP56198024A priority Critical patent/JPS5897840A/ja
Publication of JPS5897840A publication Critical patent/JPS5897840A/ja
Publication of JPS6410936B2 publication Critical patent/JPS6410936B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/072Connecting or disconnecting of bump connectors
    • H10W72/07231Techniques
    • H10W72/07236Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07502Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体素子のボンデイング方法、さら
に詳しくはフエイスダウンボンデイング方法に関
するものである。
フエイスダウンボンデイング方法は、ワイヤリ
ード或いはビームリードなどのリード線を用いな
いで、半導体チツプに設けた接続端子(バンプ)
を用いてボンデイングするボンデイングの一方法
である。
フエイスダウンボンデイング方法の特徴は、 (1) ボンデイング工程が簡単化できる。
(2) 自動化が可能である。
等である。
第1図フエイスダウンボンデイング方法によつ
てボンデイングされた半導体チツプの断面図を載
せる。1がLSI等の半導体チツプであり、2が銅
2a及びハンダ2bのバンプであり、基板3上の
導体の銅箔4とメツキ5(金メツキ5a,ニツケ
ルメツキ5b)を介して接続している。
従来のフエイスダウンボンデイング方法の問題
点は、メツキ5の表面がフラツトであるためメツ
キ5とバンプ2の接合部分が基板の表面と平行方
向の外力に対し弱いということである。
本発明は上記の欠点をなくすため、半導体チツ
プと基板上の接合部分において、半導体チツプの
バンプを基板上のメツキのない導体箔と直接接続
させ、バンプと導体箔の接続部分と非接続部分と
で段差を生じさせ、ボンデイングの強度を増すこ
とを目的とする。
本発明のボンデイング方法の一実施例を図面を
参照しつつ説明する。
第2図は銅箔4をラミネートしたガラスエポキ
シよりなる基板3上の、半導体チツプのバンプと
銅箔4のボンデイング相当部にフオトレジスト6
のパターンを形成する工程である。次いで従来技
術に従い銅箔4の酸化防止のためのメツキ5(金
メツキ5a,ニツケルメツキ5b)を施す(第3
図)。メツキは前記に限定するわけではない。フ
オトレジスト6を洗い落とすと第4図の如く銅箔
4を底としてメツキ5の一部に凹部7ができる。
該凹部7にLSI等の半導体チツプ1の銅2a及び
ハンダ2bのバンプ2の凸部をはめる。バンプ2
のハンダ2bでハンダ付けを完成する(第5図)。
もちろん第4図の凹部はLSI等の半導体チツプ
1のバンプ2の数,形状に応じて適宜変える。
なお、銅箔4自体は外気にさらすと容易に酸化
しハンダ付けが不可能になるため、フオトレジス
ト6の剥離はハンダ付け直前で行うと良い。フオ
トレジスト6の剥離にはメチルイソブチルケトン
とかアルコール類の溶剤を浸すと早く処理が行え
る。
以上本発明のボンデイング方法によれば、半導
体チツプと基板の接合部が従来のものより強化さ
れ、しかもバンプ付き半導体チツプの基板への接
合の位置合わせが、基板上の凹部にバンプの凸部
を合わすべく実施すれば良く、容易である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のボンデイング法による半導体チ
ツプと基板のボンデイング断面図、第2図乃至第
5図は本発明のボンデイング法の各工程の部分断
面図である。 1…半導体チツプ、2…バンプ、3…基板、4
…銅箔、5…メツキ、6…フオトレジスト、7…
凹部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体チツプ上に突出した接続端子(バン
    プ)を用いて半導体チツプと基板上の電極接続用
    の導体箔を結合しボンデイングを行う方法におい
    て、 導体箔を設けた基板上に、導体箔上の半導体チ
    ツプのバンプと導体箔とが接合する領域外のみに
    導体箔保護のメツキを施し、 半導体チツプのバンプとメツキのない領域の導
    体箔とを直接接続することを特徴とするボンデイ
    ング方法。
JP56198024A 1981-12-08 1981-12-08 ボンデイング方法 Granted JPS5897840A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56198024A JPS5897840A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 ボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56198024A JPS5897840A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 ボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5897840A JPS5897840A (ja) 1983-06-10
JPS6410936B2 true JPS6410936B2 (ja) 1989-02-22

Family

ID=16384248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56198024A Granted JPS5897840A (ja) 1981-12-08 1981-12-08 ボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5897840A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04170811A (ja) * 1990-11-05 1992-06-18 Fujitsu Ltd 弾性表面波デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5897840A (ja) 1983-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2840316B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH11307675A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US6518653B1 (en) Lead frame and semiconductor device
JP3486872B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS61274333A (ja) 半導体装置
JP2569400B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH09162230A (ja) 電子回路装置及びその製造方法
JP2844058B2 (ja) 半導体パッケージ
JPS6410936B2 (ja)
US6936495B1 (en) Method of making an optoelectronic semiconductor package device
JPH0547836A (ja) 半導体装置の実装構造
JP2605999B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
JP2652222B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JP2986661B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0451056B2 (ja)
JPS6352460A (ja) マルチチツプモジユ−ルの製造方法
JPH01286430A (ja) 半導体チップの実装方法
JPH05144816A (ja) フエイスダウンボンデイング方法
JP2718299B2 (ja) 大規模集積回路
JP2549278Y2 (ja) 混成集積回路基板
JPH04127547A (ja) Lsi実装構造体
JPS63160262A (ja) リ−ドフレ−ムおよびそれを用いた半導体装置
JPS62199022A (ja) 半導体装置の実装具
JP2941533B2 (ja) 半導体チップのワイヤレスボンディング方法
JP2679197B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置