JPS6412084B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はチタン酸ストロンチウム（SrTiO₃）
またはチタン酸ストロンチウムカルシウム
（Sr_1-xCa_xTiO₃）を主体とする半導体磁器の粒界
に酸化ビスマス（Bi₂O₃）、酸化銅（Cu₂O）、酸化
マンガン（MnO₂）、酸化硼素（B₂O₃）、酸化リチ
ウム（Li₂O）、酸化ランタン（La₂O₃）および酸
化チタン（TiO₂）とを主体とする拡散剤を熱拡
散させて、その粒界領域に誘電体層を設けること
により得られるコンデンサ材料、すなわち粒界誘
電体層型半導体磁器の組成物に関する。 コンデンサ材料として粒界誘電体層型半導体磁
器の組成物とその半導体磁器の組成物とその半導
体磁器の粒界領域を高抵抗化し、結晶粒界に誘電
体層を設けるための粒界拡散剤の組成物との両者
からなる。この両者の選択によつてコンデンサの
諸特性が決まる。 本発明にかかる半導体磁器の組成物は酸化ネオ
ジウム（Nd₂O₃）を含有したチタン酸ストロンチ
ウム（SrTiO₃）またはチタン酸ストロンチウム
カルシウム（Sr_1-xCa_xTiO₃）固溶体を主体とし
たものである。 従来、酸化ニオブ（Nb₂O₅）や酸化デイスプロ
シウム（Dy₂O₃）等希土類酸化物をチタン酸スト
ロンチウム（SrTiO₃）に添加した粒界層型半導
体磁器誘電体は知られている。これらの粒界層形
成については、Bi₂O₃，PbO，B₂O₃からなる拡散
剤の用いられる例、あるいはBi₂O₃とCu₂Oおよび
MnO₂とを含んだ拡散剤の用いられる例等が知ら
れている。他は一般的に一種類の酸化物を拡散さ
せる例が多い。 本発明はSrTiO₃またはSr_1-xCa_xTiO₃にNd₂O₃
を添加してなる半導体磁器に、Bi₂O₃，Cu₂O，
MnO₂，B₂O₃，Li₂O，La₂O₃，TiO₂からなる組
成を拡散することにより得られる粒界層型半導体
磁器誘電体である。したがつて、前述従来例とは
実質的に異なつた磁器組成物である。 実用上、粒界誘電体層型半導体磁器コンデンサ
素子は静電容量の温度変化率の観点から次の３種
類の規格に分けられる。すなわち、YR規格、
YB規格およびYA規格である。20℃の容量を基
準として＋85℃から−25℃の温度範囲において容
量温度変化率が±15％以内のコンデンサがYR規
格、その容量温度変化率が±10％以内のコンデン
サがYB規格、また容量温度変化率が±５％以内
のコンデンサがYA規格である。いずれの規格の
コンデンサ素子においてもそのみかけ誘電率ε_aは
大きく、直流破壊電圧V_bは大きく、誘電損失
tanδは小さいことが望ましい。しかし、実用上要
求される各特性はYR規格ではε_aは35000以上、
V_bは500V／mm以上、tanδは0.01以下であり、YB
規格ではε_aは20000以上、V_bは700V／mm以上、
tanδは0.01以下であり、YA規格ではε_aは5000以
上、V_bは700V／mm以上、tanδは0.01以下である。 本発明にかかる粒界誘電体層型半導体磁器コン
デンサはこのような実用上要求される各特性を満
足するものである。特にYR規格用として推奨さ
れる半導体磁器組成物はSrO成分が50.23〜49.00
モル％，TiO₂成分が49.72〜50.00モル％，Nd₂O₃
成分が0.05〜1.0モル％からなる組成物、あるい
はこれらを主成分とし、主成分100モル部に対し
て0.2モル部以下のSiO₂成分を含有する組成物で
ある。またYB規格用として推奨される半導体磁
器組成物はSrO成分が50.23〜34.00モル％，CaO
成分が15モル％以下であり、かつSrO成分とCaO
成分との含量が50.23〜48.80モル％の範囲内であ
り、TiO₂成分が49.72〜50.20モル％，および
Nd₂O₃成分が0.05〜1.0モル％からなる組成物、あ
るいはこれらを主成分100モル部に対して0.5モル
部以下のSiO₂成分を含有する組成物である。さ
らにまた、YA規格の半導体磁器組成物としては
SrO成分が35.23〜26.40モル％，CaO成分が15〜
22.6モル％であり、かつSrO成分とCaO成分との
含量が50.23〜49.47モル％の範囲内であり、TiO₂
成分が49.72〜50.23モル％，およびNd₂O₃成分が
0.05〜1.0モル％からなる組成物、あるいはこれ
らを主成分とし、主成分100モル部に対して２モ
ル部以下のSiO₂成分を含有する組成物が望まし
い。 上記いずれの規格の半導体磁器組成物において
も本発明にかかるNd₂O₃成分量の範囲は0.05〜1.0
モル％である。Nd₂O₃はSrO成分とTiO₂成分そ
から構成されるSrTiO₃、あるいはSrO成分，
CaO成分，およびTiO₂成分から構成される
（Sr_1-xCa_x）TiO₃固溶体を原子価制御の原理によ
り半導体化させるのに必要な成分で、そのNd₂O₃
成分量が0.05モル％（SrTiO₃あるいはSr_1-xCa_x
TiO₃に対してほぼ0.1モル％）未満では半導体化
の効果がなく、一方その成分量が1.0モル％
（SrTiO₃あるいはSr_1-xCa_xTiO₃に対してはほぼ
2.0モル％）を超えるとSrTiO₃磁器あるいはSr_1-x
Ca_xTiO₃磁器の粒成長が抑制されると同時に半導
体磁器の比抵抗が大きくなるので望ましくない。
また半導体磁器の主成分であるSrTiO₃において
SrO成分をCaO成分で置換すると、そのCaO成分
量の増加に伴ない容量温度変化率を小さくする効
果を持つが、一方焼結粒径が一般に小さくなる傾
向にあり、そのCaO成分量が22.6モル％（ほぼ
Sr_0.55Ca_0.45TiO₃の組成に対応する）を超えると
磁器の焼結粒径が5μｍ以下となり、実用上要求
される最低のみかけ誘電率（ε_a）5000が確保でき
なくなるので望ましくない。さらに、SrO成分と
CaO成分との含量が50.23モル％を超えてもまた
TiO₂成分が49.72モル％未満でも半導体磁器の焼
結粒径は小さくなり、みかけ誘電率（ε_a）を5000
を確保できない。また、SrO成分とCaO成分との
合量が48.80モル％未満でもまたTiO₂成分が50.23
％を超えても半導体磁器の焼結粒径は同様に小さ
くなり、ε_a＝5000を確保できない。これは
SrTiO₃やSr_1-xCa_xTiO₃に対してある限度を超え
た過剰添加のSrO成分，CaO成分，あるいは
TiO₂成分が混在すると、焼結中のSrTiO₃粒子や
Sr_1-xCa_xTiO₃粒子の粒成長が抑制されるためで
ある。次に、SiO₂成分含有の効果はSrTiO₃ある
いはSr_1-xCa_xTiO₃系の半導体磁器の焼結を促進
し（結果として本焼成温度を低くすることができ
る。）、誘電損失（tanδ）をわずかに小さくするこ
とである。しかし、SiO₂成分の含有量が、SrO，
CaO，TiO₂，およびNd₂O₃の３〜４成分からな
る主成分100モル部に対して２モル部を超えると、
粒成長抑制作用が大きく、5μｍ以上の平均粒径
が得られない（すなわち、誘電率（ε_a）が5000以
上の特性が得られない）ので望ましくない。 次に、本発明における粒界拡散剤の組成物は
93.5〜8.5モル％のBi₂O₃成分，4.5〜45モル％の
Cu₂O成分，0.5〜４モル％のMnO₂成分，１〜8.5
モル％のB₂O₃成分，17モル％以下のLa₂O₃成分
および17モル％以下のTiO₂，Li₂O成分20モル％
以下の組成によつて構成される５成分系から７成
分系混合物であることに特徴がある。本発明にか
かる研究の結果、熱拡散後の粒界拡散成分におい
てBi₂O₃成分が増えるとε_aは大きくなるが、V_bは
小さくなり、容量温度変化率（85℃〜−25℃）は
大きくなる。逆にCu₂O成分が増えると容量温度
変化率は小さくなり、V_bは大きくなるが、ε_aが
小さくなる。Bi₂O₃成分が93.5モル％を超えても、
あるいはCu₂O成分が4.5モル％未満であつても、
V_bが実用上要求される最低の値500V／mm以上の
特性が得られないので望ましくない。またBi₂O₃
成分が8.5モル％未満であつても、あるいはCu₂O
成分が45モル％を超えても、ε_aが5000以上の特性
が得られないので望ましくない（たとえ平均粒径
の比較的大きい約20μｍの半導体磁器を用いても
得られない）。 次に、拡散剤成分としてMnO₂を添加するとV_b
の値が大きくなるという効果があるが、一方ε_aが
わずかに減少し、tanδが増大する傾向を持つ。
MnO₂成分量が４モル％を超えるとtanδが0.01以
下の特性が得られなくなるため、含有MnO₂量は
４モル％以下であることが望ましい。なお、
MnO₂量が0.5モル％未満ではV_bを大きくする効
果はほとんどみられない。また、拡散剤成分とし
てB₂O₃を添加すると、tanδを減少させる効果が
あるが、一方V_bを減少させる傾向を持つ。B₂O₃
成分が8.5モル％を超えるとV_bが500V／mm以上の
特性が得られなくなるので、含有B₂O₃成分量は
8.5モル％以下であることが望ましい。なお、
B₂O₃量が１モル％未満ではtanδを減少させる効
果はほとんどみられない。 次に、本発明にかかる拡散剤の特徴の一つであ
るLa₂O₃成分はコンデンサ素子の容量温度変化率
を小さくする効果を持つ。しかし、La₂O₃成分量
が多くなるとε_aが著しく減少し、V_bも減少する
傾向がある。La₂O₃成分量が17モル％を超えると
YR規格のε_a35000以上，V_b500V／mm以上の特性、
あるいはYB規格のε_a20000以上，V_b700V／mm以
上の特性を満足しないので望ましくない。ない、
La₂O₃成分量が0.5モル％未満では容量温度変化
率を小さくする効果はほとんどみられない。次
に、La₂O₃成分の存在下でTiO₂成分を添加する
と、容量温度変化率がさらに小さくなる効果がみ
られる。しかし、含有TiO₂成分量が17モル％を
超えるとε_aおよびV_bが共に減少するので、TiO₂
成分17モル％を超える添加は無用である。 このように、本発明にかかる粒界誘電体層型半
導体磁器組成物は実用コンデンサ素子に要求され
るYR規格，YB規格，YA規格のそれぞれの特性
を満足するものであつて、たとえばYR規格すな
わち容量温度変化率が±15％以内ではε_aが40000
〜60000，V_bが600〜1300V／mm，tanδが0.003〜
0.005，YB規格すなわち容量温度変化率が±10％
以内ではε_aが20000〜35000，V_bが1000〜2000V／
mm，tanδが0.003〜0.005，およびYA規格すなわ
ち容量温度変化率が±５％以内ではε_aが7000〜
20000，V_bが2000〜4000V／mm，tanδが0.003〜
0.005の優れたコンデンサ特性を提供するもので
ある。 以下本発明の詳細につき実施例を挙げて説明す
る。 実施例 １ 市販の工業用原料SrCO₃粉末（純度97.5％以
上），CaCO₃粉末（純度98％以上），TiO₂（アナタ
ーゼ型，純度98.5％以上），およびNd₂O₃粉末
（純度98％以上）を用い、第１表に示す半導体磁
器組成物の組成比になるように配合し、湿式混
合，乾燥，1200℃の温度で仮焼成した後、平均
2.5μｍの粉末に粉砕した後、ポリビニルアルコー
ル水溶液をバインダーとして添加混合し、32メツ
シユパスに整粒し、その整粒粉を直径15mm，厚さ
0.5mmの円板形に約１トン／cm²の加圧力で成形し、
これらの成形体を空気中において1000℃で加熱処
理した後、95％N₂−５％H₂の混合ガス気流中に
おいて1390℃の温度で４時間の本焼成して、直径
約12.5mm，厚さ約0.4mmの円板形の半導体磁器を
得た。これらの半導体磁器の破断面を研磨，エツ
チングして、顕微鏡観察し、平均粒径を測定した
結果を第１表に示す。なお焼結体の平均粒径は本
焼成温度を1380℃〜1400℃の範囲内で変えても変
化しなかつた。

【表】

【表】

【表】 ＊印は比較試料
得られた半導体磁器の20℃における比抵抗（In
−Ga電極）は試料１および同32を除いてすべて
0.2〜0.5Ωcmの範囲にあつた。しかし、試料１は
5.1Ωcm，比較試料32は6.7Ωcmと高い比抵抗を示
し、原子価制御型半導体化が不十分であつた。一
方、Nd₂O₃成分量が1.0モル％を超えた比較試料
14，同27，および同37は粒成長が抑制され、平均
粒径で5μｍ未満と小さかつた。 また、SrO成分量が50.23モル％を超えた試料
２、SrO成分とCao成分の合量が49.00モル％未満
の試料13および同26あるいはTiO₂成分量が49.72
モル％未満の試料２，同５および同18、TiO₂成
分量が50.20モル％を超えた試料10，同13，同23
および同26はいずれも粒成長が抑制され、平均粒
径で5μｍ未満と小さかつた。 また、CaO成分量が22.6モル％を超えた試料も
焼結粒径が5μｍ未満となるので望ましくない。
試料２，同５，同10，同13，同14，同18，同23，
同26，同27，同32，同37，および同39以外の試料
はすべて平均粒径が5μｍ以上であつた。 次に、第１表に示す試料のうち平均粒径が12μ
ｍを超える試料については、その半導体磁器にペ
ースト状の拡散剤を塗布し、1150℃の温度で２時
間の加熱処理を、また第１表に示す試料のうち平
均粒径が12μｍ以下の試料については、その半導
体磁器にペースト状の拡散剤を塗布し、1000℃の
温度で２時間の加熱処理をそれぞれ行なつて、粒
界に誘電体層を形成した。このときの拡散剤の組
成はすべての試料に対して、67.6モル％のBi₂O₃，
12.0モル％のCu₂O，2.4モル％のMnO₂，6.0モル
％のB₂O₃，4.0モル％のLa₂O₃，および8.0モル％
のTiO₂からなる６成分であつた。この拡散剤に
用いた各原料粉末はすべて市販の試薬特級であ
る。塗布量は半導体磁器素子１枚（250mg）当り
1.9mgであつた。また、熱拡散にあたつては、塗
布した拡散成分が試料外に蒸発あるいは拡散など
により逸散しないように留意した。このようにし
て得られた粒界誘電体層型半導体磁器の円板形素
子の両面にAg電極を焼付けてコンデンサ素子と
し、ε_a（1KHz），tanδ（1KHz），およびV_bを測定し
た。これらの結果を第２表に示す。

【表】

【表】 ＊印は比較試料
試料101，同116および同132はtanδが0.01を超
えているため、実用的価値に乏しく、本発明の範
囲外とした。また、試料102，同105，同110，同
113，同114，同118，同123，同126，同127，同
132，同137および同139はε_aが5000未満であり大
容量コンデンサとしての実用的価値に乏しく、本
発明の範囲外とした。 第２表に示す本発明の試料のうち試料104，同
107，同108，同111，同115，同117，同120，同
124および同128はいずれもε_aが35000以上、tanδ
が0.01以下，V_bが500V／mm以上，容量温度変化
率が±15％以内（YR規格）の実用特性を有して
いる。また試料121，同129，同130および同131は
ε_aが20000以上，tanδが0.01以下，V_bが700V／mm
以上，容量温度変化率が±10％以内（YB規格）
の実用特性を有している。また、試料103，同
106，同109，同112，同119，同122，同125，同
133，同134，同135，同136および同138はいずれ
もε_aが5000以上，tanδが0.01以下，V_bが700V／
mm以上，容量温度変化率が±５％以内（YA規
格）の実用特性を有している。 実施例 ２ 市販の試薬特級Bi₂O₃，Cu₂O，MnO₂，B₂O₃，
Li₂O，La₂O₃およびTiO₂の各粉末を第３表に示
す拡散剤組成物の組成比になるように配合し、乾
式混合し、さらに松やに，テレピン油等を適量加
えて混合して、ペースト状拡散剤を作製した。こ
のペースト状拡散剤を実施例１の第１表に示した
試料８の半導体磁器素子（平均粒径20μｍ）に塗
布した。拡散剤の塗布量は酸化物粉末に換算して
素子１枚（250mg）当り1.9mgである。このペース
ト状拡散剤を塗布した半導体磁器素子を1150℃の
温度で２時間加熱処理を行なつた。この熱拡散処
理にあたつては塗布した拡散成分が蒸発，溶融流
失，試料外への拡散などにより試料外に失なわれ
ないように留意した。このようにして得られた粒
界誘電体層型半導体磁器の円板形素子の両面に
Ag電極を焼付けてコンデンサ素子とし、ε_a（1K
Hz），tanδ（1KHz），V_bおよび容量温度変化率
（＋85℃〜−25℃の温度範囲で20℃を基準とする）
を測定した。これらの結果を第３表に示す。

【表】

【表】 ＊印は比較試料
試料1111，同1116，同1121，同1126，同1127，
同1128，同1135，同1139，同1143，および同1148
以外の本発明にかかる試料はε_aが35000以上，
tanδが0.01以下，V_bが500V／mm以上，容量変化
率が±15％以内のYR規格の実用特性、あるいは
ε_aが20000以上，tanδが0.01以下，V_bが700V／mm
以上，容量変化率が±10％以内のYB規格の実用
特性のいずれかを満足している。 実施例 ３ 第４表に示す拡散剤組成物の組成からなるペー
スト状拡散剤を実施例２と同様に作製した。この
ペースト状拡散剤を実施例１の第１表に示した試
料36（平均粒径8.5μｍ）の半導体磁器素子に塗布
した。拡散剤の塗布量は酸化物粉末に換算して素
子１枚（250mg）当り1.9mgである。このペースト
状拡散剤を塗布した半導体磁器素子を1000℃の温
度で２時間加熱処理を行なつた。このとき実施例
２と同様に、拡散成分が試料外に逸散しないよう
に留意した。このようにして得られた粒界誘電体
層型半導体磁器の円板形素子にAg電極を付与し、
実施例２と同様に各特性を測定した。これらの結
果を第４表に示す。

【表】 ＊印は比較試料
試料1149，同1150，同1155，同1159，同1161以
外の本発明にかかる試料はε_aが5000以上，tanδが
0.01以下，V_bが700V／mm以上，容量温度変化率
が±５％以内のYA規格の実用特性を有してい
る。 実施例 ４ 実施例１に示す市販の工業用各原料および市販
の試薬特級SiO₂粉末を用い、第５表に示す半導
体磁器組成物の組成比になるように配合し、実施
例１と同様に混合，乾燥，仮焼成，粉砕，整粒，
および成形を行なつた。これらの成形体を空気中
において1000℃で加熱処理した後、95％N₂−５
％H₂の混合ガス気流中において1390℃〜1330℃
の範囲の一定温度で４時間の本焼成をして、直径
約12.5mm，厚さ約0.4mmの円板形の半導体磁器を
得た。実施例１と同様にして、これらの半導体磁
器焼結体の平均粒径を測定した結果を第５表に示
す。

【表】 ＊印は比較試料
SiO₂成分量が主成分（SrO，CaO，TiO₂，
Nb₂O₅からなる３〜４成分）100モル部に対して
２モル部を超えた試料2022，同2031はSiO₂の粒
成長抑制作用のため半導体磁器焼結体の平均粒径
は5μｍ未満であつた。次に、SiO₂の焼結促進効
果は試料2013，同2014，および同2015の三者の比
較から明らかである。すなわち、本焼成温度を
1390℃から1350℃まで下げても平均粒径はほとん
ど変らない。同様な効果はSiO₂を１モル部含有
した試料2017，同2018，同2019あるいはSiO₂を
0.5モル部含有した試料2026，同2027においても
明らかである。 次に第５表に示す試料のうち平均粒径が12μｍ
を超える試料についてはその半導体磁器に実施例
１と同様のペースト状拡散剤（拡散剤組成も実施
例１と同一である）を塗布し、1150℃の温度で２
時間の加熱処理を、また第５表に示す試料のうち
平均粒径が12μｍ以下の試料についてはその半導
体磁器に実施例１と同様のペースト状拡散剤を塗
布し、1000℃の温度で２時間の加熱処処理をそれ
ぞれ行なつて粒界に誘電体層を形成した。塗布量
およびその他の拡散処理条件も実施例１と同じで
ある。このようにして得られた粒界誘電体層型半
導体磁器の円板形素子にはAg電極を付与し、実
施例１と同様に各特性を測定した。これらの結果
を第５表に示す。試料2022，同2031以外の本発明
にかかる試料はε_a35000以上，tanδ0.01以下，V_b
500V／mm以上，容量変化率±15％以内のYR規格
の実用特性（試料2011，同2012，同2013，同
2014，同2015，同2023，同2024），あるいはε_a
20000以上，tanδ0.01以下，V_b700V／mm以上，容
量変化率±10％以内のYB規格の実用特性（試料
2016，同2025，同2026，同2027），あるいはε_a
5000以上，tanδ0.01以下，V_b700V／mm以上，容
量変化率±５％以内のYA規格の実用特性（試料
2017，同2018，同2019，同2020，同2021，同
2028，同2029，同2030）のいずれかを満足してい
る。 なお、以上の実施例においては酸化ネオジウム
（Nd₂O₃）の高純度の試薬を用いたが、工業用の
低純度の原料で、 Nd₂O₃ 60重量％以上 Pr₆O₁₁ 40重量％以下 La₂O₃ Sm₂O₃ CeO₂ 合量５重量％以下 からなる組成物を使用してもそれによる大きな影
響はほとんどなかつた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 酸化ストロンチウム（SrO）成分が50.23〜
   48.80モル％、酸化チタン（TiO₂）成分が49.72〜
   50.20モル％、ならびに酸化ネオジウム（Nd₂O₃）
   成分が0.05〜1.0モル％なる組成比率の半導体磁
   器、または、酸化ストロンチウム（SrO）成分と
   酸化カルシウム（CaO）との合量が50.23〜48.80
   モル％であつて、前記酸化カルシウム（CaO）成
   分が22.60モル％以下、酸化チタン（TiO₂）成分
   が49.72〜50.20モル％、ならびに酸化ネオジウム
   （Nd₂O₃）成分が0.05〜1.0モル％なる組成比率の
   半導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマス
   （Bi₂O₃）成分が93.5〜8.5モル％、酸化銅（Cu₂O）
   成分が4.5〜45モル％、酸化マンガン（MnO₂）成
   分が0.5〜４モル％、ならびに酸化硼素（B₂O₃）
   成分が1.0〜8.0モル％なる組成比率の組成物、ま
   たは、酸化ビスマス（Bi₂O₃）成分が93.5〜8.5モ
   ル％、酸化銅（Cu₂O）成分が4.5〜45モル％、酸
   化マンガン（MnO₂）成分が0.5〜４モル％、酸化
   硼素（B₂O₃）成分が１〜8.5モル％、酸化リチウ
   ム（Li₂O）成分が20.0モル％以下、酸化ランタン
   （La₂O₃）成分が17.0モル％以下、ならびに酸化
   チタン（TiO₂）成分が17モル％以下なる組成比
   率の組成物を拡散させて、誘電体層を形成してな
   ることを特徴とする粒界誘電体層型半導体磁器組
   成物。 ２ 酸化ストロンチウム（SrO）成分が50.23〜
   48.80モル％、酸化チタン（TiO₂）成分が49.72〜
   50.20モル％、ならびに酸化ネオジウム（Nd₂O₃）
   成分が0.05〜1.0モル％なる組成物100部に２モル
   部を超えない量の酸化珪素（SiO₂）成分が含有
   されている半導体磁器、または、酸化ストロンチ
   ウム（SrO）成分と酸化カルシウム（CaO）との
   合量が50.23〜48.80モル％であつて、前記酸化カ
   ルシウム（CaO）成分が22.60モル％以下、酸化
   チタン（TiO₂）成分が49.72〜50.20モル％、なら
   びに酸化ネオジウム（Nd₂O₃）成分が0.05〜1.0モ
   ル％なる組成物100モル％に２モル部を超えない
   量の酸化珪素（SiO₂）成分が含有されている半
   導体磁器の結晶粒界に、酸化ビスマン（Bi₂O₃）
   成分が93.5〜8.5モル％、酸化銅（Cu₂O）成分が
   4.5〜45モル％、酸化マンガン（MnO₂）成分が
   0.5〜４モル％、ならびに酸化硼素（B₂O₃）成分
   が1.0〜8.5モル％なる組成比率の組成物、また
   は、酸化ビスマス（Bi₂O₃）成分が93.5〜8.5モル
   ％、酸化銅（Cu₂O）成分が4.5〜45モル％、酸化
   マンガン（MnO₂）成分が0.5〜４モル％、酸化硼
   素（B₂O₃）成分が１〜8.5モル％、酸化リチウム
   （Li₂O）成分が20.0モル％以下、酸化ランタン
   （La₂O₃）成分が17.0モル％以下、ならびに酸化
   チタン（TiO₂）成分が17モル％以下なる組成比
   率の組成物を拡散させて、誘電体層を形成してな
   ることを特徴とする粒界誘電体層型半導体磁器組
   成物。