JPS6418159U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6418159U JPS6418159U JP8698588U JP8698588U JPS6418159U JP S6418159 U JPS6418159 U JP S6418159U JP 8698588 U JP8698588 U JP 8698588U JP 8698588 U JP8698588 U JP 8698588U JP S6418159 U JPS6418159 U JP S6418159U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- reaction tube
- vertical
- growth
- vapor phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 4
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図及び第２図は本考案に係る縦型気相成長
装置の異なる実施例の断面模式図、第３図及び第
４図は本考案に係る基板保持治具の異なる実施例
の斜視模式図、第５図及び第６図は従来の縦型気
相成長装置の異なる例の模式断面図、第７図は従
来の成長層の厚さ分布図、第８図は従来の成長層
の平面模式図、である。 図において、１は反応管、２は支持棒、４は誘
導加熱体、５は高周波コイル、６は被成長基板、
７は成長ガス、８は上昇気流、１０は砒素析出層
、１１は成長ガス吹出しノズル、１２は遮蔽板、
１７はガス噴出孔、１８は下部遮蔽板、１９はガ
ス導入管、２０はガス排出孔、２１は上部遮蔽板
、２２はガス排出管、２３は成長領域、２４は基
板保持治具、２５は支持円板、２６ａ，２６ｂ，
２６ａ′，２６ｂ′は固定保持腕、２６ｃ，２６
ｃ′は揺動可能保持腕、２７はビン、２８は爪、
を示す。
装置の異なる実施例の断面模式図、第３図及び第
４図は本考案に係る基板保持治具の異なる実施例
の斜視模式図、第５図及び第６図は従来の縦型気
相成長装置の異なる例の模式断面図、第７図は従
来の成長層の厚さ分布図、第８図は従来の成長層
の平面模式図、である。 図において、１は反応管、２は支持棒、４は誘
導加熱体、５は高周波コイル、６は被成長基板、
７は成長ガス、８は上昇気流、１０は砒素析出層
、１１は成長ガス吹出しノズル、１２は遮蔽板、
１７はガス噴出孔、１８は下部遮蔽板、１９はガ
ス導入管、２０はガス排出孔、２１は上部遮蔽板
、２２はガス排出管、２３は成長領域、２４は基
板保持治具、２５は支持円板、２６ａ，２６ｂ，
２６ａ′，２６ｂ′は固定保持腕、２６ｃ，２６
ｃ′は揺動可能保持腕、２７はビン、２８は爪、
を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 成長ガスを下部から導入して上部に排出する
縦型反応管と、 被成長基板をその主面を下方に向けて周縁部分
のみで保持し、回動する支持棒に固持されて該反
応管内へ上部から挿入された基板保持治具と、 該被成長基板の裏面上に直に積載された誘導加
熱体と、 該反応管の周囲に設けられた高周波加熱コイル
とを具備し、 高周波電界の印加による該誘導加熱体の発熱に
より被成長基板の加熱を行うことを特徴とする縦
型気相成長装置。 ２ 前記被成長基板の保持が、該反応管の管軸方
向に対して直角に、且つ主面を下方に向けてなさ
れることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
１項記載の縦型気相成長装置。 ３ 前記被処理基板の保持が、該反応管の管軸方
向に対して斜めな角度に、且つ主面を下方に向け
てなされることを特徴とする実用新案登録請求の
範囲第１項記載の縦型気相成長装置。 ４ 前記基板保持治具が、支持棒下端に支持棒の
軸の方向に対して直角に設けられた平板部に、基
板保持爪を有する枠体が懸下配設され、該枠体内
に該基板保持用爪によつて主面を下方に向け且つ
裏面上に該誘導加熱体を積載した被処理基板が保
持される構造を有することを特徴とする実用新案
登録請求の範囲第１項記載の縦型気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698588U JPH0235814Y2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8698588U JPH0235814Y2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6418159U true JPS6418159U (ja) | 1989-01-30 |
| JPH0235814Y2 JPH0235814Y2 (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=31311622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8698588U Expired JPH0235814Y2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0235814Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP8698588U patent/JPH0235814Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235814Y2 (ja) | 1990-09-28 |
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