JPS642401Y2 - - Google Patents
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- JPS642401Y2 JPS642401Y2 JP13024682U JP13024682U JPS642401Y2 JP S642401 Y2 JPS642401 Y2 JP S642401Y2 JP 13024682 U JP13024682 U JP 13024682U JP 13024682 U JP13024682 U JP 13024682U JP S642401 Y2 JPS642401 Y2 JP S642401Y2
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- Japan
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- varistor
- linear expansion
- electrode
- electrode plate
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本考案は熱放散を良好にし耐熱衝撃性を改良し
た高電力バリスタに関する。 一般に高電力バリスタとしては熱放散が良好で
ある必要があり、そのため従来はセラミツク粉末
を成形焼結してなるバリスタ素体の両面に外周縁
を残して銀電極を形成し、該銀電極に例えば黄銅
板、銅板、ニツケル板、鉄板などの電極板をハン
ダ付し該電極板によつて熱放散機能を発揮させる
ようにしていた。しかし前記バリスタ素体の30〜
300℃の温度範囲における線膨張係数が3.5〜5.0
×10-6cm／cm／℃であるのに対し前記電極板の線
膨張係数は12〜20×10-6cm／cm／℃と大幅に違
う。このような場合VlmA／mmが100〜300Vの高
圧用のものはバリスタ素体としての焼結体の結晶
粒子が５〜50μmと非常に小さく結晶粒子間の結
合強度が強いため問題はないが、VlmA／mmが10
〜50Vの低圧用のものはバリスタ素体としての焼
結体の結晶粒子が50〜200μと非常に大きく結晶
粒子間の結合強度が大幅に低下するため急激な温
度変化をともなう例えば自動車用の電子部品とし
て用いた場合バリスタ素体が電極板の膨張・収縮
に追随できずに亀裂や割れを生じてしまう致命的
な問題を誘発する欠点をもつており、この欠点解
消は早急な課題であつた。 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので電極
板として線膨張係数の比較的小さい合金板からな
るものを用いることによつて熱衝撃によつてもバ
リスタ素体破壊のない長時間安定した特性を発揮
できる高電力バリスタを提供することを目的とす
るものである。 以下本考案の一実施例につき説明する。すなわ
ち図に示すように例えば酸化亜鉛、酸化錫、チタ
ン酸バリウム、チタン酸ストロンチユームなどを
主成分とし他に数種類の金属酸化物を混合したセ
ラミツク粉末を成形焼結してなるバリスタ素体１
の両面に外周縁を残して銀ベーストを塗布焼付し
て銀電極２を形成し該銀電極２に例えばニツケ
ル、鉄を主成分とし必要に応じてコバルトが添加
されさらに不純物としてマンガン、シリコン、炭
素などが微量添加されている30〜300℃の温度範
囲における線膨張係数が７×10-6cm／cm／℃以下
の合金電極板３をハンダ４付してなるものであ
る。 以上のように構成してなる高電力バリスタは電
極板として30〜300℃の温度範囲における線膨張
係数が７×10-6cm／cm／℃以下の合金電極板３を
用いバリスタ素体１自体の線膨張係数と比較的差
のないように設定してあるため必要回路に組込み
使用した場合の熱衝撃によつてもバリスタ素体１
を合金電極板３間の引張応力を小さくできバリス
タ素体１の破壊をなくすことができるすぐれた利
点を有する。 つぎに実験結果をもとに本考案の効果を述べ
る。すなわち直径21mm、厚さ0.8mmに成形焼結し
た立上り電圧（VlmA）22Vに設定した酸化亜鉛
系バリスタ素体の両面に銀電極を形成し該銀電極
に表１に示すそれぞれの電極板をハンダ付し、ヒ
ートサイクル試験によるバリスタ素体不良状況を
表２に示した。
た高電力バリスタに関する。 一般に高電力バリスタとしては熱放散が良好で
ある必要があり、そのため従来はセラミツク粉末
を成形焼結してなるバリスタ素体の両面に外周縁
を残して銀電極を形成し、該銀電極に例えば黄銅
板、銅板、ニツケル板、鉄板などの電極板をハン
ダ付し該電極板によつて熱放散機能を発揮させる
ようにしていた。しかし前記バリスタ素体の30〜
300℃の温度範囲における線膨張係数が3.5〜5.0
×10-6cm／cm／℃であるのに対し前記電極板の線
膨張係数は12〜20×10-6cm／cm／℃と大幅に違
う。このような場合VlmA／mmが100〜300Vの高
圧用のものはバリスタ素体としての焼結体の結晶
粒子が５〜50μmと非常に小さく結晶粒子間の結
合強度が強いため問題はないが、VlmA／mmが10
〜50Vの低圧用のものはバリスタ素体としての焼
結体の結晶粒子が50〜200μと非常に大きく結晶
粒子間の結合強度が大幅に低下するため急激な温
度変化をともなう例えば自動車用の電子部品とし
て用いた場合バリスタ素体が電極板の膨張・収縮
に追随できずに亀裂や割れを生じてしまう致命的
な問題を誘発する欠点をもつており、この欠点解
消は早急な課題であつた。 本考案は上記の点に鑑みてなされたもので電極
板として線膨張係数の比較的小さい合金板からな
るものを用いることによつて熱衝撃によつてもバ
リスタ素体破壊のない長時間安定した特性を発揮
できる高電力バリスタを提供することを目的とす
るものである。 以下本考案の一実施例につき説明する。すなわ
ち図に示すように例えば酸化亜鉛、酸化錫、チタ
ン酸バリウム、チタン酸ストロンチユームなどを
主成分とし他に数種類の金属酸化物を混合したセ
ラミツク粉末を成形焼結してなるバリスタ素体１
の両面に外周縁を残して銀ベーストを塗布焼付し
て銀電極２を形成し該銀電極２に例えばニツケ
ル、鉄を主成分とし必要に応じてコバルトが添加
されさらに不純物としてマンガン、シリコン、炭
素などが微量添加されている30〜300℃の温度範
囲における線膨張係数が７×10-6cm／cm／℃以下
の合金電極板３をハンダ４付してなるものであ
る。 以上のように構成してなる高電力バリスタは電
極板として30〜300℃の温度範囲における線膨張
係数が７×10-6cm／cm／℃以下の合金電極板３を
用いバリスタ素体１自体の線膨張係数と比較的差
のないように設定してあるため必要回路に組込み
使用した場合の熱衝撃によつてもバリスタ素体１
を合金電極板３間の引張応力を小さくできバリス
タ素体１の破壊をなくすことができるすぐれた利
点を有する。 つぎに実験結果をもとに本考案の効果を述べ
る。すなわち直径21mm、厚さ0.8mmに成形焼結し
た立上り電圧（VlmA）22Vに設定した酸化亜鉛
系バリスタ素体の両面に銀電極を形成し該銀電極
に表１に示すそれぞれの電極板をハンダ付し、ヒ
ートサイクル試験によるバリスタ素体不良状況を
表２に示した。
【表】
【表】
【表】
※ 不良判定：目視によるバリスタ素体割れ、亀裂
発生品
表２から明らかなように従来例(E)，(F)，(G)，(H)
のものは２回〜10回で全数不良となり参考例(D)の
ものも10回時点で不良発生し40回で全数不良とな
つたのに対して、本考案(A)，(B)，(C)のものは100
回時点でも不良発生が皆無でありすぐれた効果を
実証した。 以上述べたように本考案によれば非直線性を有
する金属酸化物系バリスタ素体の両面に形成した
銀電極に30〜300℃の温度範囲における線膨張係
数が７×10-6cm／cm／℃以下の合金電極板をハン
ダ付することによつて熱衝撃によつてもバリスタ
素体破壊のない長時間安定した特性を発揮できる
高電力バリスタを得ることができる。
発生品
表２から明らかなように従来例(E)，(F)，(G)，(H)
のものは２回〜10回で全数不良となり参考例(D)の
ものも10回時点で不良発生し40回で全数不良とな
つたのに対して、本考案(A)，(B)，(C)のものは100
回時点でも不良発生が皆無でありすぐれた効果を
実証した。 以上述べたように本考案によれば非直線性を有
する金属酸化物系バリスタ素体の両面に形成した
銀電極に30〜300℃の温度範囲における線膨張係
数が７×10-6cm／cm／℃以下の合金電極板をハン
ダ付することによつて熱衝撃によつてもバリスタ
素体破壊のない長時間安定した特性を発揮できる
高電力バリスタを得ることができる。
図は本考案の一実施例に係る高電力バリスタを
示す断面図である。 １……バリスタ素体、２……銀電極、３……合
金電極板、４……ハンダ。
示す断面図である。 １……バリスタ素体、２……銀電極、３……合
金電極板、４……ハンダ。
Claims (1)
- 金属酸化物を成形焼結してなるバリスタ素体
と、該素体の両面に外周縁を残して形成した銀電
極と、該電極にハンダ付した30〜300℃の温度範
囲における線膨張係数が７×10-6cm／cm／℃以下
の合金電極板を具備した高電力バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13024682U JPS5936202U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 高電力バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13024682U JPS5936202U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 高電力バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936202U JPS5936202U (ja) | 1984-03-07 |
| JPS642401Y2 true JPS642401Y2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=30294848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13024682U Granted JPS5936202U (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 高電力バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936202U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61259719A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Matsushita Electric Works Ltd | 浄油器のフイルタ− |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP13024682U patent/JPS5936202U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5936202U (ja) | 1984-03-07 |
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