JPS642643B2 - - Google Patents
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- JPS642643B2 JPS642643B2 JP3142684A JP3142684A JPS642643B2 JP S642643 B2 JPS642643 B2 JP S642643B2 JP 3142684 A JP3142684 A JP 3142684A JP 3142684 A JP3142684 A JP 3142684A JP S642643 B2 JPS642643 B2 JP S642643B2
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- fine
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、貴金属による微細な焼成パターン膜
の形成法に関する。
の形成法に関する。
従来、貴金属による微細なパターンは、貴金属
粒子の所望量に少量のバインダーを混入してペー
ストをつくり、これによりパターンを施すべき基
材面に所望の微細なパターンを描き、次でこれを
約800℃以上の高温に加熱してバインダーの有機
溶剤を飛ばすと共にバインダーの架橋反応による
貴金属粒子の相互結着を行なうことにより製造し
ていたが、バインダーや有機溶剤の揮発により生
成パターンは多孔性となり機械的強度が弱くな
り、又ペーストを使用するため、所定の細さの微
細なパターンが得にくゝ又肉厚をなり勝ちであ
り、又溶剤やバインダーなどを使用し所定のペー
ストを調製する煩らわしい作業を要する等の欠点
があつた。
粒子の所望量に少量のバインダーを混入してペー
ストをつくり、これによりパターンを施すべき基
材面に所望の微細なパターンを描き、次でこれを
約800℃以上の高温に加熱してバインダーの有機
溶剤を飛ばすと共にバインダーの架橋反応による
貴金属粒子の相互結着を行なうことにより製造し
ていたが、バインダーや有機溶剤の揮発により生
成パターンは多孔性となり機械的強度が弱くな
り、又ペーストを使用するため、所定の細さの微
細なパターンが得にくゝ又肉厚をなり勝ちであ
り、又溶剤やバインダーなどを使用し所定のペー
ストを調製する煩らわしい作業を要する等の欠点
があつた。
本発明は、上記の欠点を解消し、容易迅速にに
且つち密且つ堅牢な貴金属材のみによる焼成パタ
ーンを形成する方法を提供するもので、貴金属の
少くとも１種の超微粒子をキヤリヤーガスに担持
搬送しノズルより加熱した基材面に所定の微細な
パターンにスプレーすることを特徴とする。
且つち密且つ堅牢な貴金属材のみによる焼成パタ
ーンを形成する方法を提供するもので、貴金属の
少くとも１種の超微粒子をキヤリヤーガスに担持
搬送しノズルより加熱した基材面に所定の微細な
パターンにスプレーすることを特徴とする。
次に本発明の実施例を説明する。
平均粒径0.1μm以下のAg，Au，Pt，Pdなどの
貴金属超微粒子を原料とし、これをキヤリヤーガ
ス、好ましくは拡散し易いH2，Heなどのガスと
混合し、この混合流体をノズルより加熱された基
材面に吹き付け所定形状のパターンを描く。基材
の加熱温度は、貴金属の超微粒子であるため150
℃程度の低温でも焼成が可能である。従つて基材
としては、通常のガラス基材，耐熱性合成樹脂材
も使用でき、勿論その他の無機質材，金属材でも
差支えない。かくして、点，線，面等による模
様，図形などの任意のち密な焼成パターンが基材
面に得られる。尚、このパターン形成作業におい
て、基材は加熱されているので、H2，Heなどの
ガスは本来拡散性の良好な性質に加えてその加熱
のため、焼成被膜中より容易に追い出されて、ガ
スを含まないち密な焼成膜パターンが得られる。
貴金属超微粒子を原料とし、これをキヤリヤーガ
ス、好ましくは拡散し易いH2，Heなどのガスと
混合し、この混合流体をノズルより加熱された基
材面に吹き付け所定形状のパターンを描く。基材
の加熱温度は、貴金属の超微粒子であるため150
℃程度の低温でも焼成が可能である。従つて基材
としては、通常のガラス基材，耐熱性合成樹脂材
も使用でき、勿論その他の無機質材，金属材でも
差支えない。かくして、点，線，面等による模
様，図形などの任意のち密な焼成パターンが基材
面に得られる。尚、このパターン形成作業におい
て、基材は加熱されているので、H2，Heなどの
ガスは本来拡散性の良好な性質に加えてその加熱
のため、焼成被膜中より容易に追い出されて、ガ
スを含まないち密な焼成膜パターンが得られる。
実施例
平均粒径0.05μmのAu超微粒子30ｇを、内容積
１のガラス容器に入れ、該容器内に底部よりこ
れに接続した供給管を介してガス源よりH2を吹
き込み、該超微粒子の浮遊撹拌された混合流体を
得る。該容器にはその上部に接続した内径２mm，
長さ１mmの搬送管とその先端に交換自在に取り付
けた内径0.07mmのノズルとを有する。該ノズル
は、外気と遮断した室内に臨み、ノズル先端との
間に間隔0.5mmを存して下方にガラス基板を設け
る。ガラス基板は移動可能台上に固定して設置す
る。室内は例えば真空排気し真空状態に保つ。而
して、上記混合流体を該容器から搬送管を介して
ノズルから、予め例えば150℃に加熱しておいた
基板面に吹き付ける。この間基板を30mm／minの
速度で移動する。かくして、基板面に強固に結着
した幅0.064mm、長さ53mm、厚さ0.2mm、かさ密度
12.8ｇ／cm3（密度比68％）の線状の焼成パターン
を得た。該焼成パターンの比抵抗は4.8×10-5Ω.
cmであつた。膜の基板への付着強度及び膜自身の
強さも実用的に充分であつた。
１のガラス容器に入れ、該容器内に底部よりこ
れに接続した供給管を介してガス源よりH2を吹
き込み、該超微粒子の浮遊撹拌された混合流体を
得る。該容器にはその上部に接続した内径２mm，
長さ１mmの搬送管とその先端に交換自在に取り付
けた内径0.07mmのノズルとを有する。該ノズル
は、外気と遮断した室内に臨み、ノズル先端との
間に間隔0.5mmを存して下方にガラス基板を設け
る。ガラス基板は移動可能台上に固定して設置す
る。室内は例えば真空排気し真空状態に保つ。而
して、上記混合流体を該容器から搬送管を介して
ノズルから、予め例えば150℃に加熱しておいた
基板面に吹き付ける。この間基板を30mm／minの
速度で移動する。かくして、基板面に強固に結着
した幅0.064mm、長さ53mm、厚さ0.2mm、かさ密度
12.8ｇ／cm3（密度比68％）の線状の焼成パターン
を得た。該焼成パターンの比抵抗は4.8×10-5Ω.
cmであつた。膜の基板への付着強度及び膜自身の
強さも実用的に充分であつた。
同膜形成に要したAu超微粒子は8.68μｇであつ
た。本膜形成時の飛散超微粒子は、SEM電子顕
微鏡観察でもそのパターン周辺10mm幅の範囲でも
見当らなかつた。スプレー重量に対して99％以上
をパターンの形成に利用されることが分つた。
た。本膜形成時の飛散超微粒子は、SEM電子顕
微鏡観察でもそのパターン周辺10mm幅の範囲でも
見当らなかつた。スプレー重量に対して99％以上
をパターンの形成に利用されることが分つた。
従来のAu微粉を高分子バインダー中に混入し
てAuペーストとしたのち、塗布により未加熱の
基板上にスプレーしパターンを形成する場合に
は、容器，搬送管，ノズルなどの内面にAu微粉
が付着し残り、その歩留りは75％であつた。又こ
のように形成した上記と同じ線状パターンを
10-5Ω.cmレベルの比抵抗を得るためには600℃、
１時間以上の加熱が必要であつた。
てAuペーストとしたのち、塗布により未加熱の
基板上にスプレーしパターンを形成する場合に
は、容器，搬送管，ノズルなどの内面にAu微粉
が付着し残り、その歩留りは75％であつた。又こ
のように形成した上記と同じ線状パターンを
10-5Ω.cmレベルの比抵抗を得るためには600℃、
１時間以上の加熱が必要であつた。
このように本発明によるときは、貴金属超微粒
子を原料としこれをキヤリヤーガスにより混合搬
送して混合流体としてノズルより加熱基材面に吹
き付けるようにしたので、歩留りよく且つ容易迅
速にち密な微細焼成パターンを得ることができる
効果を有する。
子を原料としこれをキヤリヤーガスにより混合搬
送して混合流体としてノズルより加熱基材面に吹
き付けるようにしたので、歩留りよく且つ容易迅
速にち密な微細焼成パターンを得ることができる
効果を有する。
Claims (1)
- １ 貴金属の少くとも１種の超微粒子をキヤリヤ
ーガスに担持搬送し、ノズルより加熱した基材面
に所定の微細なパターンにスプレーすることを特
徴とする貴金属による微細な焼成パターン膜の形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142684A JPS60177188A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 貴金属による微細な焼成パタ−ン膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142684A JPS60177188A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 貴金属による微細な焼成パタ−ン膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177188A JPS60177188A (ja) | 1985-09-11 |
| JPS642643B2 true JPS642643B2 (ja) | 1989-01-18 |
Family
ID=12330912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142684A Granted JPS60177188A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 貴金属による微細な焼成パタ−ン膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177188A (ja) |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3142684A patent/JPS60177188A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60177188A (ja) | 1985-09-11 |
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