JPS6354076B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6354076B2 JPS6354076B2 JP59036187A JP3618784A JPS6354076B2 JP S6354076 B2 JPS6354076 B2 JP S6354076B2 JP 59036187 A JP59036187 A JP 59036187A JP 3618784 A JP3618784 A JP 3618784A JP S6354076 B2 JPS6354076 B2 JP S6354076B2
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- fired film
- gas
- ceramic
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Al2O3などの金属酸化物、窒化物な
どの超微粒子の焼成膜の形成法に関する。
どの超微粒子の焼成膜の形成法に関する。
従来、セラミツク塗膜は、バインダーを混入し
てこれを塗布、乾燥、焼成を行なつて形成したの
で、バインダーを含有し、強固なセラミツクのみ
の焼成膜を得ることができない欠点があつた。
てこれを塗布、乾燥、焼成を行なつて形成したの
で、バインダーを含有し、強固なセラミツクのみ
の焼成膜を得ることができない欠点があつた。
本発明は、上記の欠点を解消し、先に提案した
特願昭57−196085号の発明を発展させた良質のセ
ラミツク超微粒子焼成膜の形成法を提供するもの
で、キヤリヤーガスとしてHeを使用し、Heガス
にセラミツク超微粒子を担持させて、セラミツク
超微粒子の焼成温度に加熱された基板面にスプレ
ーしてその所定形状の焼成膜を基板に固着形成
し、得られた焼成膜を前記基板の加熱温度よりも
高温に加熱することを特徴とする。
特願昭57−196085号の発明を発展させた良質のセ
ラミツク超微粒子焼成膜の形成法を提供するもの
で、キヤリヤーガスとしてHeを使用し、Heガス
にセラミツク超微粒子を担持させて、セラミツク
超微粒子の焼成温度に加熱された基板面にスプレ
ーしてその所定形状の焼成膜を基板に固着形成
し、得られた焼成膜を前記基板の加熱温度よりも
高温に加熱することを特徴とする。
次に本発明実施例につき説明する。
セラミツク超微粒子としては、Al2O3、SiO2、
MgO2、Si3N4などの0.1μｍ以下の粒径のものを
原料とし、このセラミツク超微粒子の所定量をキ
ヤリヤーガスとして特にHeガスを使用してこれ
に混ぜ、その混合流を勢い良くノズルにより高温
に加熱した無機質、金属質などの耐熱性基板面に
吹き付ける。基板の温度は通常450℃程度、最大
でも800℃程度の比較的低温で、セラミツクは、
超微粒子のため、容易に焼結又は熔融し基板上に
ち密な焼成膜を形成できる。そのノズルや、基板
を適当に動かし、所望の形状の焼成膜が得られ
る。Heガスを特に使用する理由は、金属酸化物、
窒化物に対し不活性でこれを変質せしめないと共
に、そのスプレーにより基板に吹き付けられる超
微粒子間に或はその焼成膜中に閉じ込められるこ
とが極めて少ない性質を利用し、空隙の少ないち
密なセラミツク焼成膜を得ることができ、この場
合、基板も加熱されているので、更にHeの拡散、
排除を促進し、更に良質な焼成膜の生成を確保さ
れるからである。又、焼成膜の生成後、更にこれ
を上記加熱温度よりも高温に加熱することによ
り、更に微量にHeガスが膜中に混入していたも
のが、外部に放出され更に微孔空隙をなくし更に
ち密な焼成膜を得ることができる。
MgO2、Si3N4などの0.1μｍ以下の粒径のものを
原料とし、このセラミツク超微粒子の所定量をキ
ヤリヤーガスとして特にHeガスを使用してこれ
に混ぜ、その混合流を勢い良くノズルにより高温
に加熱した無機質、金属質などの耐熱性基板面に
吹き付ける。基板の温度は通常450℃程度、最大
でも800℃程度の比較的低温で、セラミツクは、
超微粒子のため、容易に焼結又は熔融し基板上に
ち密な焼成膜を形成できる。そのノズルや、基板
を適当に動かし、所望の形状の焼成膜が得られ
る。Heガスを特に使用する理由は、金属酸化物、
窒化物に対し不活性でこれを変質せしめないと共
に、そのスプレーにより基板に吹き付けられる超
微粒子間に或はその焼成膜中に閉じ込められるこ
とが極めて少ない性質を利用し、空隙の少ないち
密なセラミツク焼成膜を得ることができ、この場
合、基板も加熱されているので、更にHeの拡散、
排除を促進し、更に良質な焼成膜の生成を確保さ
れるからである。又、焼成膜の生成後、更にこれ
を上記加熱温度よりも高温に加熱することによ
り、更に微量にHeガスが膜中に混入していたも
のが、外部に放出され更に微孔空隙をなくし更に
ち密な焼成膜を得ることができる。
実施例 １
セラミツク超微粒子として、例えば平均粒径
0.1μｍのAl2O330gを、内容積１のガラス容器
に入れ、該容器の底部より外部のHeガスボンベ
のガス源から流量1.1／minでHeガスを流入し
Al2O3超微粒子を混合撹拌し、その混合状態をつ
くる。該容器にはその上部に接続した内径２mm、
長さ１ｍの搬送管とその先端に交換自在に取り付
けた内径0.1mmのノズルとを有し、該ノズルは外
気と遮断した室内に臨み固定して設けられ、ノズ
ル先端と間隔0.5mmを存してその下方に無機質基
材を移動自在に設けて置く、室を真空排気後、基
板を300℃に加熱しておき、この加熱基板上面に
前記のHeにより担持したAl2O3超微粒子をスプ
レーする。スプレーしながら30mm／minの速度で
基板を１方へ移動する。
0.1μｍのAl2O330gを、内容積１のガラス容器
に入れ、該容器の底部より外部のHeガスボンベ
のガス源から流量1.1／minでHeガスを流入し
Al2O3超微粒子を混合撹拌し、その混合状態をつ
くる。該容器にはその上部に接続した内径２mm、
長さ１ｍの搬送管とその先端に交換自在に取り付
けた内径0.1mmのノズルとを有し、該ノズルは外
気と遮断した室内に臨み固定して設けられ、ノズ
ル先端と間隔0.5mmを存してその下方に無機質基
材を移動自在に設けて置く、室を真空排気後、基
板を300℃に加熱しておき、この加熱基板上面に
前記のHeにより担持したAl2O3超微粒子をスプ
レーする。スプレーしながら30mm／minの速度で
基板を１方へ移動する。
かくして基板上に形成したAl2O3焼成膜の幅は
0.085mm、長さ53mm、厚さ1.1μｍであつた。更に、
この焼成膜を、高真空中の2.4×10-4Torr
（0.032Pa）圧力下で650℃に加熱し0.5時間保持す
る。かくして幅0.085mm、長さ53mm、厚さ1.1μｍ、
かさ密度2.9g/cm3である焼成膜を得た。この膜の
電気特成は、室温で1012Ω．cm以上の比抵抗を示
し、450℃Ar雰囲気中での比抵抗は109Ω．cmの
レベルである。
0.085mm、長さ53mm、厚さ1.1μｍであつた。更に、
この焼成膜を、高真空中の2.4×10-4Torr
（0.032Pa）圧力下で650℃に加熱し0.5時間保持す
る。かくして幅0.085mm、長さ53mm、厚さ1.1μｍ、
かさ密度2.9g/cm3である焼成膜を得た。この膜の
電気特成は、室温で1012Ω．cm以上の比抵抗を示
し、450℃Ar雰囲気中での比抵抗は109Ω．cmの
レベルである。
この比抵抗レベルはAl2O3の純度99％以上の場
合であり、本法の膜は、Al2O3の純度は低下して
いないことを示している。又膜と基板との付着強
度及び膜自身の強さも実用的に十分である。この
ように本発明によるときは、キヤリヤーガスとし
てHeガスを使用し、Heガスにセラミツク超微粒
子を担持し加熱基板上にスプレーしその焼成膜を
形成し、得られた焼成膜を前記基板の加熱温度よ
りも高温に加熱するようにしたので、ガスが容易
に排除された極めてち密なセラミツク焼成膜が容
易に得られ、電気絶縁性の高い而も強固に基板に
結着したものが得られる効果を有する。
合であり、本法の膜は、Al2O3の純度は低下して
いないことを示している。又膜と基板との付着強
度及び膜自身の強さも実用的に十分である。この
ように本発明によるときは、キヤリヤーガスとし
てHeガスを使用し、Heガスにセラミツク超微粒
子を担持し加熱基板上にスプレーしその焼成膜を
形成し、得られた焼成膜を前記基板の加熱温度よ
りも高温に加熱するようにしたので、ガスが容易
に排除された極めてち密なセラミツク焼成膜が容
易に得られ、電気絶縁性の高い而も強固に基板に
結着したものが得られる効果を有する。
Claims (1)
- １ キヤリヤーガスとしてHeを使用し、Heガス
にセラミツク超微粒子を担持させて、セラミツク
超微粒子の焼成温度に加熱された基板面にスプレ
ーしてその所定形状の焼成膜を基板に固着形成
し、得られた焼成膜を前記基板の加熱温度よりも
高温に加熱することを特徴とするセラミツク超微
粒子焼成膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3618784A JPS60184686A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | セラミツク超微粒子焼成膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3618784A JPS60184686A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | セラミツク超微粒子焼成膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60184686A JPS60184686A (ja) | 1985-09-20 |
| JPS6354076B2 true JPS6354076B2 (ja) | 1988-10-26 |
Family
ID=12462721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3618784A Granted JPS60184686A (ja) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | セラミツク超微粒子焼成膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60184686A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579251B2 (en) | 2003-05-15 | 2009-08-25 | Fujitsu Limited | Aerosol deposition process |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527150B2 (ja) * | 1973-06-12 | 1980-07-18 | ||
| EP0007721A1 (en) * | 1978-07-07 | 1980-02-06 | Certels Limited | Method of treating metal plate |
-
1984
- 1984-02-29 JP JP3618784A patent/JPS60184686A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60184686A (ja) | 1985-09-20 |
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