JPS643041B2 - - Google Patents
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- JPS643041B2 JPS643041B2 JP57045342A JP4534282A JPS643041B2 JP S643041 B2 JPS643041 B2 JP S643041B2 JP 57045342 A JP57045342 A JP 57045342A JP 4534282 A JP4534282 A JP 4534282A JP S643041 B2 JPS643041 B2 JP S643041B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明は酸化亜鉛を主成分とし出発原料として
金属亜鉛を含有する焼結体において添加物として
少なくとも酸化マグネシウムと酸化ビスマスを含
有してなる電圧非直線抵抗体の製造方法に関す
る。 近年、IC、トランジスタ、サイリスタなどの
半導体素子および半導体回路とその応用の急速な
発展にともない計測、制御、通信機器および電力
機器における半導体素子および半導体回路の使用
が普及し、これら機器の小型化、高性能化が急速
に進展している。しかし他方ではこのような進歩
にともないこれらの機器やその部品の耐電圧、耐
サージおよび耐ノイズ性能は十分とはいえない。
このためこれらの機器や部品を異常なサージやノ
イズから保護すること、あるいは回路電圧を安定
化することがきわめて重要な課題になつてきてい
る。これらの課題のために電圧非直線性がきわめ
て大きく放電耐量の大きい寿命特性のすぐれた、
しかも安価な電圧非直線抵抗体の開発が要求され
てきている。従来これらの目的のためにSiCバリ
スタやSiバリスタなどの電圧非直線抵抗体やツエ
ナーダイオードなどが用いられてきた。また最近
では酸化亜鉛を主成分としこれに添加物を加えた
バリスタが開発されている。バリスタの電流電圧
特性は一般につぎの関係 I=(V/C)〓 で表示される。ここでVはバリスタに印加されて
いる電圧であり、Iはバリスタを流れる電流であ
る。またCは与えられた電流を流したときの電圧
に対応する定数である。α=1はオームの法則に
したがう普通の抵抗体でありαが大きいほど非直
線性がすぐれているといえる。ここではバリスタ
特性をCとαで表わすかわりにlmAにおける立
上り電圧VlmAとαで表わすこととする。従来用
いられていたSiCバリスタはSiC粒子を磁器結合
剤で焼き固めたものでその非直線性はSiC粒子相
互の接触抵抗の電圧依存性に起因している。した
がつてバリスタを流れる電流方向の厚みを変える
ことによつてC値を制御することができる。しか
し非直線係数αは3から7と比較的小さい。しか
も非酸化性雰囲気中で焼結する必要がある。他方
Siバリスタはその非直線性がSiのP−n接合に起
因したものであるため広範囲にわたつてC値を制
御することが不可能である。ツエナーダイオード
も同様にSiのP−n接合を利用しているために電
圧非直線性はきわめて大きいが高電圧用の素体を
作ることが難しく、また放電耐量が小さくサージ
に弱いという欠点がある。また酸化亜鉛を主成分
とするセラミツクバリスタとして酸化ビスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンな
どを含むものが最近開発されている。これはその
非直線性が非常に大きいという長所をもつてい
る。しかしこれらは焼結体1mmあたりのバリスタ
電圧VlmAが200V前後と高いため耐電圧の低い
半導体や半導体回路を保護する目的で使用するこ
とが困難であつた。このため耐電圧の低い半導体
や半導体回路を異常なサージやノイズから保護す
るために焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧
VlmAが20〜30Vのバリスタの開発が必要とされ
た。このため広い電圧範囲にわたり高い非直線係
数αを有するバリスタの製造方法としてたとえば
特開昭55−151304号公報、特開昭55−153301号公
報、特開昭55−158603号公報、特開昭55−158604
号公報、特開昭55−158605号公報、特開昭55−
158606号公報、特開昭56−37604号公報、特開昭
56−37605号公報、特開昭56−38802号公報、特開
昭56−38803号公報のように酸化亜鉛を主成分と
し金属亜鉛を出発原料として含有することを特徴
とする方法も提案されているが、VlmA以下の低
電流領域での電流−電圧特性および耐湿寿命特性
を改善する必要があつた。低電流領域の電流−電
圧特性が悪いとリーク電流が大きく無駄な電力損
失が生じる。耐湿寿命特性が悪いと高湿雰囲気中
で長時間使用した場合低電流領域での電流−電圧
特性が劣化する。このためリーク電流が増加し無
駄な電力損失が生じる。さらに進むとバリスタに
流入する電流が大きくなりバリスタ自体が破壊す
る危険があるなどの欠点があつた。 本発明は上記のような欠点を除去するために酸
化亜鉛を主成分とし出発原料として金属亜鉛を含
有する焼結体において添加物として少なくとも酸
化マグネシウムと酸化ビスマスを含有させること
によつて焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧
VlmAが20〜30Vと低く高い非直線係数αを有
し、かつ低電流領域での電流−電圧特性がすぐれ
耐湿寿命特性のすぐれた電圧非直線抵抗体の製造
方法を提供せんとするものである。 以下本発明の詳細につき実施例にもとづいて説
明する。まず本発明は酸化亜鉛を主成分としこれ
に出発原料として金属亜鉛0.01〜20モル%を含
み、かつ添加物として酸化マグネシウムと酸化ビ
スマスをそれぞれ0.01〜5モル%を含有するもの
でこれらを必須成分とし、要すれば他の添加物と
してNiO,BaO,CaO,CuO,MnO,SrO,
PbO,CdO,TiO2,SnO2,MnO2,SiO2,
ZrO2,GeO2,ThO2,Sb2O3,Cr2O3,Co2O3,
Fe2O3,Al2O3,B2O3,Sc2O3,In2O3,La2O3,
Y2O3,Ga2O3,Li2O,MoO3,WO3,MeF2(Me
=Ca,Ba,Cd,Zn,Mg,Mn,Ni,Sn,Zr,
Ti,Ge),Me′F3(Me′=Cr,Al,Fe,Ce,Y)
などの酸化マグネシウムと酸化ビスマス以外の他
の金属酸化物を1種以上添加しこれらを十分に混
合し板状または柱状に成型し800〜1500℃の高温
で焼結し焼結体を形成する。該焼結体に一対の電
極をつけ該電極に端子を取着する。しかるのち合
成樹脂などで外装を形成するものである。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との特性
比較の一例を第1表に示す。実施例1〜9および
参考例10〜16はそれぞれの組成比にしたがい秤量
したのち混合し円板状に成型し1250℃の高温で焼
結した直径15mm×厚さ1mmの焼結体の両面に直径
11.3mmの銀電極をつけて特性を測定したもので、
焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧V1mAと
そのときの非直線係数αの比較を示すものであ
る。
金属亜鉛を含有する焼結体において添加物として
少なくとも酸化マグネシウムと酸化ビスマスを含
有してなる電圧非直線抵抗体の製造方法に関す
る。 近年、IC、トランジスタ、サイリスタなどの
半導体素子および半導体回路とその応用の急速な
発展にともない計測、制御、通信機器および電力
機器における半導体素子および半導体回路の使用
が普及し、これら機器の小型化、高性能化が急速
に進展している。しかし他方ではこのような進歩
にともないこれらの機器やその部品の耐電圧、耐
サージおよび耐ノイズ性能は十分とはいえない。
このためこれらの機器や部品を異常なサージやノ
イズから保護すること、あるいは回路電圧を安定
化することがきわめて重要な課題になつてきてい
る。これらの課題のために電圧非直線性がきわめ
て大きく放電耐量の大きい寿命特性のすぐれた、
しかも安価な電圧非直線抵抗体の開発が要求され
てきている。従来これらの目的のためにSiCバリ
スタやSiバリスタなどの電圧非直線抵抗体やツエ
ナーダイオードなどが用いられてきた。また最近
では酸化亜鉛を主成分としこれに添加物を加えた
バリスタが開発されている。バリスタの電流電圧
特性は一般につぎの関係 I=(V/C)〓 で表示される。ここでVはバリスタに印加されて
いる電圧であり、Iはバリスタを流れる電流であ
る。またCは与えられた電流を流したときの電圧
に対応する定数である。α=1はオームの法則に
したがう普通の抵抗体でありαが大きいほど非直
線性がすぐれているといえる。ここではバリスタ
特性をCとαで表わすかわりにlmAにおける立
上り電圧VlmAとαで表わすこととする。従来用
いられていたSiCバリスタはSiC粒子を磁器結合
剤で焼き固めたものでその非直線性はSiC粒子相
互の接触抵抗の電圧依存性に起因している。した
がつてバリスタを流れる電流方向の厚みを変える
ことによつてC値を制御することができる。しか
し非直線係数αは3から7と比較的小さい。しか
も非酸化性雰囲気中で焼結する必要がある。他方
Siバリスタはその非直線性がSiのP−n接合に起
因したものであるため広範囲にわたつてC値を制
御することが不可能である。ツエナーダイオード
も同様にSiのP−n接合を利用しているために電
圧非直線性はきわめて大きいが高電圧用の素体を
作ることが難しく、また放電耐量が小さくサージ
に弱いという欠点がある。また酸化亜鉛を主成分
とするセラミツクバリスタとして酸化ビスマス、
酸化コバルト、酸化マンガン、酸化アンチモンな
どを含むものが最近開発されている。これはその
非直線性が非常に大きいという長所をもつてい
る。しかしこれらは焼結体1mmあたりのバリスタ
電圧VlmAが200V前後と高いため耐電圧の低い
半導体や半導体回路を保護する目的で使用するこ
とが困難であつた。このため耐電圧の低い半導体
や半導体回路を異常なサージやノイズから保護す
るために焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧
VlmAが20〜30Vのバリスタの開発が必要とされ
た。このため広い電圧範囲にわたり高い非直線係
数αを有するバリスタの製造方法としてたとえば
特開昭55−151304号公報、特開昭55−153301号公
報、特開昭55−158603号公報、特開昭55−158604
号公報、特開昭55−158605号公報、特開昭55−
158606号公報、特開昭56−37604号公報、特開昭
56−37605号公報、特開昭56−38802号公報、特開
昭56−38803号公報のように酸化亜鉛を主成分と
し金属亜鉛を出発原料として含有することを特徴
とする方法も提案されているが、VlmA以下の低
電流領域での電流−電圧特性および耐湿寿命特性
を改善する必要があつた。低電流領域の電流−電
圧特性が悪いとリーク電流が大きく無駄な電力損
失が生じる。耐湿寿命特性が悪いと高湿雰囲気中
で長時間使用した場合低電流領域での電流−電圧
特性が劣化する。このためリーク電流が増加し無
駄な電力損失が生じる。さらに進むとバリスタに
流入する電流が大きくなりバリスタ自体が破壊す
る危険があるなどの欠点があつた。 本発明は上記のような欠点を除去するために酸
化亜鉛を主成分とし出発原料として金属亜鉛を含
有する焼結体において添加物として少なくとも酸
化マグネシウムと酸化ビスマスを含有させること
によつて焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧
VlmAが20〜30Vと低く高い非直線係数αを有
し、かつ低電流領域での電流−電圧特性がすぐれ
耐湿寿命特性のすぐれた電圧非直線抵抗体の製造
方法を提供せんとするものである。 以下本発明の詳細につき実施例にもとづいて説
明する。まず本発明は酸化亜鉛を主成分としこれ
に出発原料として金属亜鉛0.01〜20モル%を含
み、かつ添加物として酸化マグネシウムと酸化ビ
スマスをそれぞれ0.01〜5モル%を含有するもの
でこれらを必須成分とし、要すれば他の添加物と
してNiO,BaO,CaO,CuO,MnO,SrO,
PbO,CdO,TiO2,SnO2,MnO2,SiO2,
ZrO2,GeO2,ThO2,Sb2O3,Cr2O3,Co2O3,
Fe2O3,Al2O3,B2O3,Sc2O3,In2O3,La2O3,
Y2O3,Ga2O3,Li2O,MoO3,WO3,MeF2(Me
=Ca,Ba,Cd,Zn,Mg,Mn,Ni,Sn,Zr,
Ti,Ge),Me′F3(Me′=Cr,Al,Fe,Ce,Y)
などの酸化マグネシウムと酸化ビスマス以外の他
の金属酸化物を1種以上添加しこれらを十分に混
合し板状または柱状に成型し800〜1500℃の高温
で焼結し焼結体を形成する。該焼結体に一対の電
極をつけ該電極に端子を取着する。しかるのち合
成樹脂などで外装を形成するものである。 つぎに本発明の実施例と従来の参考例との特性
比較の一例を第1表に示す。実施例1〜9および
参考例10〜16はそれぞれの組成比にしたがい秤量
したのち混合し円板状に成型し1250℃の高温で焼
結した直径15mm×厚さ1mmの焼結体の両面に直径
11.3mmの銀電極をつけて特性を測定したもので、
焼結体厚さ1mmあたりのバリスタ電圧V1mAと
そのときの非直線係数αの比較を示すものであ
る。
【表】
【表】
第1表から組成中に出発原料として金属亜鉛を
0.01〜20モル%含む実施例1〜9の場合、非直線
係数α=19〜21、VlmA/mm=20〜26であるが、
金属亜鉛を含まないかまたは0.01モル%未満の参
考例10,11,12,15の場合、非直線係数α=10〜
13であり、金属亜鉛が20モル%を越える参考例
13,14,16の場合VlmA/mm=30〜32と高くな
る。また酸化マグネシウムおよび/または酸化ビ
スマスが0.01〜5モル%の実施例1〜9の場合、
非直線係数が大きくVlmA/mmも低いが酸化マグ
ネシウムおよび/または酸化ビスマスを含まない
かまたは0.01モル%未満の参考例10,11,12の場
合非直線係数が小さく、逆に5モル%を越える参
考例13,14,16の場合はVlmA/mmが高くなる。
つぎに第1表の実施例1、実施例2、実施例6、
実施例7、実施例9および参考例10、参考例12の
各試料の低電流領域の電流−電圧特性を第1図に
示す。第1図から実施例は参考例に比べて低電流
領域の電流−電圧特性がいちぢるしく改善される
ことがわかる。また第2図に実施例1、実施例
2、実施例6、実施例7、実施例9および参考例
10、参考例12の各試料を温度40℃、相対湿度95%
の雰囲気中に1000時間放置したときの低電流領域
の電流−電圧特性、すなわち低電流領域のバリス
タ電圧の変化率を示す。第2図から実施例は参考
例に比べて耐湿寿命特性がいちぢるしく改善され
ることがわかる。 以上詳述したように本発明によれば酸化亜鉛を
主成分とし出発原料として金属亜鉛0.01〜20モル
%を含み、かつ添加物として少なくとも酸化マグ
ネシウムおよび酸化ビスマスをそれぞれ0.01〜5
モル%含有させることによつて焼結体厚さ1mmあ
たりのバリスタ電圧VlmAが20〜30Vと低く高い
非直線係数αを有し、かつ低電流領域の電流−電
圧特性がすぐれ耐湿寿命特性のすぐれた電圧非直
線抵抗体の製造方法を提供することができる。
0.01〜20モル%含む実施例1〜9の場合、非直線
係数α=19〜21、VlmA/mm=20〜26であるが、
金属亜鉛を含まないかまたは0.01モル%未満の参
考例10,11,12,15の場合、非直線係数α=10〜
13であり、金属亜鉛が20モル%を越える参考例
13,14,16の場合VlmA/mm=30〜32と高くな
る。また酸化マグネシウムおよび/または酸化ビ
スマスが0.01〜5モル%の実施例1〜9の場合、
非直線係数が大きくVlmA/mmも低いが酸化マグ
ネシウムおよび/または酸化ビスマスを含まない
かまたは0.01モル%未満の参考例10,11,12の場
合非直線係数が小さく、逆に5モル%を越える参
考例13,14,16の場合はVlmA/mmが高くなる。
つぎに第1表の実施例1、実施例2、実施例6、
実施例7、実施例9および参考例10、参考例12の
各試料の低電流領域の電流−電圧特性を第1図に
示す。第1図から実施例は参考例に比べて低電流
領域の電流−電圧特性がいちぢるしく改善される
ことがわかる。また第2図に実施例1、実施例
2、実施例6、実施例7、実施例9および参考例
10、参考例12の各試料を温度40℃、相対湿度95%
の雰囲気中に1000時間放置したときの低電流領域
の電流−電圧特性、すなわち低電流領域のバリス
タ電圧の変化率を示す。第2図から実施例は参考
例に比べて耐湿寿命特性がいちぢるしく改善され
ることがわかる。 以上詳述したように本発明によれば酸化亜鉛を
主成分とし出発原料として金属亜鉛0.01〜20モル
%を含み、かつ添加物として少なくとも酸化マグ
ネシウムおよび酸化ビスマスをそれぞれ0.01〜5
モル%含有させることによつて焼結体厚さ1mmあ
たりのバリスタ電圧VlmAが20〜30Vと低く高い
非直線係数αを有し、かつ低電流領域の電流−電
圧特性がすぐれ耐湿寿命特性のすぐれた電圧非直
線抵抗体の製造方法を提供することができる。
第1図は本発明の実施例と従来の参考例との低
電流領域の電流−電圧特性の比較を示す曲線図、
第2図は低電流領域のバリスタ電圧の変化率を示
す耐湿寿命特性の曲線図である。
電流領域の電流−電圧特性の比較を示す曲線図、
第2図は低電流領域のバリスタ電圧の変化率を示
す耐湿寿命特性の曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛を主成分としこれに出発原料として
金属亜鉛0.01〜20モル%を含み、かつ添加物とし
て少なくとも酸化マグネシウムと酸化ビスマスを
それぞれ0.01〜5モル%含有することを特徴とす
る電圧非直線抵抗体の製造方法。 2 添加物として酸化マグネシウムと酸化ビスマ
ス以外に他の金属酸化物を1種以上含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電圧非
直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045342A JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045342A JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162001A JPS58162001A (ja) | 1983-09-26 |
| JPS643041B2 true JPS643041B2 (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=12716609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57045342A Granted JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162001A (ja) |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP57045342A patent/JPS58162001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58162001A (ja) | 1983-09-26 |
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