JPS58162001A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPS58162001A JPS58162001A JP57045342A JP4534282A JPS58162001A JP S58162001 A JPS58162001 A JP S58162001A JP 57045342 A JP57045342 A JP 57045342A JP 4534282 A JP4534282 A JP 4534282A JP S58162001 A JPS58162001 A JP S58162001A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｋｉ鏝化墓船を主成分とし出尭原料として蓋属菫
船を含ｉする貌結体において添加物として少なくと一酸
化マダネシウムと酸化ビスマスを含有してなる電圧非直
線抵抗体のｍ＊方法に関する。
船を含ｉする貌結体において添加物として少なくと一酸
化マダネシウムと酸化ビスマスを含有してなる電圧非直
線抵抗体のｍ＊方法に関する。
近年、ＩＣ，）ランジスタ、？イリスタなどの半導体電
子および半椿体回路とその応用の急速な尭皺にと−ない
ＩＦｔ測、−嚢、急−機器および電力−器における半導
体素子および半導体ｋｉ１ｍｔＤＩ用が普及し、これら
−一の小麺化、高性総化が急速に進展している。しかし
他方で轄このような進歩にと−ないこれらのｌｌｌ１Ｉ
中その部品の耐電圧、−ナージおよび一ノイズ性ｌ１１
１社十分とは−えない・このため仁れらの機器中部品を
異常なデージ中ノイズから胤験すること、あるいは−路
亀圧を安定化することがきわめて重要な謙−になってき
ている・これらの１１１１１１４０ために電圧非１−性
が鳶わめて大吉〈腋電−量の大吉い寿命特性のすぐれた
、しか４安愉な電圧＃ａｉ’ｌｉ＆抗体の開発が要求さ
れてきている。従来これらの目的のために８ｉＣパリス
タヤＢ１バリスタなどの電圧非直線抵抗体ヤツエナーダ
イオードなどが用いられて龜だ・また最近では鹸化Ｍ＆
を主成分としこれに添加物を加えたバリスタが一発され
ている。バリスタの電流電圧特性は一般につぎの質係 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）“ で表ボされる。ここでＶ紘バリスタに印加されている電
圧であり、■はバリスタを流れる電−である０箇た０社
与えられた電圧を流し友と自の電圧に９１！応するｉｉ
！腋である。−一１はオームの法−にしたがう着層の抵
抗体であ夛−が大１１いはど非直線性がすぐれていると
いえる。ζζではバリスタ特性をＣとαで歇わすかわ〉
にｌ鳳ムにおける立上シ亀圧ｖ１轟ムとｄで表わすこと
とする。従来用いられていたＳＩＣバリスタは８ｉＣ粒
子を磁−赫合剤で鋺き−めたものでその＃ＩｊＩＬ巌性
社８１Ｃ粒子相互の警触抵抗の電圧依存性に起因してい
る。
子および半椿体回路とその応用の急速な尭皺にと−ない
ＩＦｔ測、−嚢、急−機器および電力−器における半導
体素子および半導体ｋｉ１ｍｔＤＩ用が普及し、これら
−一の小麺化、高性総化が急速に進展している。しかし
他方で轄このような進歩にと−ないこれらのｌｌｌ１Ｉ
中その部品の耐電圧、−ナージおよび一ノイズ性ｌ１１
１社十分とは−えない・このため仁れらの機器中部品を
異常なデージ中ノイズから胤験すること、あるいは−路
亀圧を安定化することがきわめて重要な謙−になってき
ている・これらの１１１１１１４０ために電圧非１−性
が鳶わめて大吉〈腋電−量の大吉い寿命特性のすぐれた
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れてきている。従来これらの目的のために８ｉＣパリス
タヤＢ１バリスタなどの電圧非直線抵抗体ヤツエナーダ
イオードなどが用いられて龜だ・また最近では鹸化Ｍ＆
を主成分としこれに添加物を加えたバリスタが一発され
ている。バリスタの電流電圧特性は一般につぎの質係 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）“ で表ボされる。ここでＶ紘バリスタに印加されている電
圧であり、■はバリスタを流れる電−である０箇た０社
与えられた電圧を流し友と自の電圧に９１！応するｉｉ
！腋である。−一１はオームの法−にしたがう着層の抵
抗体であ夛−が大１１いはど非直線性がすぐれていると
いえる。ζζではバリスタ特性をＣとαで歇わすかわ〉
にｌ鳳ムにおける立上シ亀圧ｖ１轟ムとｄで表わすこと
とする。従来用いられていたＳＩＣバリスタは８ｉＣ粒
子を磁−赫合剤で鋺き−めたものでその＃ＩｊＩＬ巌性
社８１Ｃ粒子相互の警触抵抗の電圧依存性に起因してい
る。
したがってバリスタを薦れる電源方向の厚みを変えるこ
とによってＣ敏をｌ１１１Ｉｌすることがで寝る・しか
し非ｉＩ線係ｋａは３からフと比較的小さい。
とによってＣ敏をｌ１１１Ｉｌすることがで寝る・しか
し非ｉＩ線係ｋａは３からフと比較的小さい。
しかも非酸化性雰囲気ｉで洗紀する必＃がある。
他方８１バリスタはその非直−性が８１のＰ−１接合に
起因したものであるため広範−にわたってＣ値をｌｌ１
ｌ１１１１することが不＃１１１である。ツェナーダイ
オードーー嫌に８１のＰ−ｍｉｌｌ金を利用しているた
めに電圧非直線性はきわめて大きいが高電圧用の素体を
作ることが難しく、また被電耐量が小船を主成分とする
セラ文ツタバリスタとして鹸化ビスマス、１ｌＩＩ！化
コバルシ、鹸化マンガン、酸化アンチモンなどを含むも
のが最近−発されている。
起因したものであるため広範−にわたってＣ値をｌｌ１
ｌ１１１１することが不＃１１１である。ツェナーダイ
オードーー嫌に８１のＰ−ｍｉｌｌ金を利用しているた
めに電圧非直線性はきわめて大きいが高電圧用の素体を
作ることが難しく、また被電耐量が小船を主成分とする
セラ文ツタバリスタとして鹸化ビスマス、１ｌＩＩ！化
コバルシ、鹸化マンガン、酸化アンチモンなどを含むも
のが最近−発されている。
これはその非直−性が非常に大通いという長所を−って
いる。しかしこれらは焼結体１ｓＩＩＴｏたりのバリス
タ電圧ｖ１膳ムが２００Ｖ鯛後と高いため一電圧の低い
半導体ヤ半４体−路を胤論する目的で使用することが１
蟲でｈまた。このため−電圧の低い千辱悼や半導体−路
を異常なす一ジやノイズから――するために驚紬体廖さ
１ｓｌＴｏ＊りのバリスタ電圧ｖ１鳳Ａが２０〜３０Ｖ
のバリスタの一発が必要とされた。この友め広い電圧馳
囲にゎた砂＾い非直ｍ係数αを有するバリスタのｌｌｌ
１最万決として友とえば特開昭５ｓ−１’５ｚ３ｏ４号
公報、待關紹３５−１５３５０１号公報〕ｉ昭５５−１
５８６０３Ｊ＃公報＃＃ｍ昭５５−１４５１６０４号公
報、特開昭１５５−１５８６０ｉｓ号公報、特−餡！５
５−１１５８６０６号公報、特１ａ昭５６−３フロ０４
ｆ／１ｋＩＩＩ１．待＃ｊｊｊＪｓｓ−３７＠Ｏｓｔ公
−１ｔ開＄５６−３８１ｉ０２号公龜、待鮨紹５６−３
１１８０３８公報のように一化臘船を主＊＊とし曽ｌｌ
４ｊＩ船を出発龜料として含有することを待機とする方
法も提案されているが、Ｖ ｌ 鮎Ｑ下の低電線領域で
の電流−電圧特性および１劇寿命特性なａＳする必要が
あった。紘電総伽域の電流一電圧特性が愚いとリータ電
ｔＩＬが大通〈無駄な電力損失が生じる。−淑寿命特性
が愚いと、高１１１３１ｗＡ気ゆで１時ｒＩＩＡ便ルし
た場合低電流領域での１施−電圧特性が劣化する。この
ためリータ電把が増加し無飄な電力損失が生じる。さら
に進むとバリスタに流入する電流が大通〈な）バリスタ
自体が＃ＩＬ−する危険があるなどの欠点−ｆｉあった
。
いる。しかしこれらは焼結体１ｓＩＩＴｏたりのバリス
タ電圧ｖ１膳ムが２００Ｖ鯛後と高いため一電圧の低い
半導体ヤ半４体−路を胤論する目的で使用することが１
蟲でｈまた。このため−電圧の低い千辱悼や半導体−路
を異常なす一ジやノイズから――するために驚紬体廖さ
１ｓｌＴｏ＊りのバリスタ電圧ｖ１鳳Ａが２０〜３０Ｖ
のバリスタの一発が必要とされた。この友め広い電圧馳
囲にゎた砂＾い非直ｍ係数αを有するバリスタのｌｌｌ
１最万決として友とえば特開昭５ｓ−１’５ｚ３ｏ４号
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１１８０３８公報のように一化臘船を主＊＊とし曽ｌｌ
４ｊＩ船を出発龜料として含有することを待機とする方
法も提案されているが、Ｖ ｌ 鮎Ｑ下の低電線領域で
の電流−電圧特性および１劇寿命特性なａＳする必要が
あった。紘電総伽域の電流一電圧特性が愚いとリータ電
ｔＩＬが大通〈無駄な電力損失が生じる。−淑寿命特性
が愚いと、高１１１３１ｗＡ気ゆで１時ｒＩＩＡ便ルし
た場合低電流領域での１施−電圧特性が劣化する。この
ためリータ電把が増加し無飄な電力損失が生じる。さら
に進むとバリスタに流入する電流が大通〈な）バリスタ
自体が＃ＩＬ−する危険があるなどの欠点−ｆｉあった
。
事始ｗ）４は上記のような欠点を＃Ｉｋ来するために鹸
化亜鉛を主成分とじ出発原料としてＩＩＩＩＪＩＴｉ船
を含有する焼結体において添加物、として少なくと４酸
化！ダネシウムと鹸化ビスマスを食畜させることによっ
て焼結体厚さＩＩｍＴｏた）のバリスタ電圧Ｖ１＋＋ａ
ムが２０〜３０Ｖと低く高い非直脚侭歇−を有し、かつ
低電ｔ＊城での電流−電圧特性がすぐれｌｌＩ４紐寿命
特性のすぐれた電圧非直−抵抗体の製麹方法を提供せん
とするものである。
化亜鉛を主成分とじ出発原料としてＩＩＩＩＪＩＴｉ船
を含有する焼結体において添加物、として少なくと４酸
化！ダネシウムと鹸化ビスマスを食畜させることによっ
て焼結体厚さＩＩｍＴｏた）のバリスタ電圧Ｖ１＋＋ａ
ムが２０〜３０Ｖと低く高い非直脚侭歇−を有し、かつ
低電ｔ＊城での電流−電圧特性がすぐれｌｌＩ４紐寿命
特性のすぐれた電圧非直−抵抗体の製麹方法を提供せん
とするものである。
以下本発明の評細につ龜夷−例に−とづいて諷―する。
まず本命Ｉ！ｉ１ａ鹸化血船を主成分としこれに出発Ｊ
ｉ［科、として蓋属血船０．０１〜２０モル弧を含み、
かつ添加物として麹化！グネシウ＾と鹸化ビスマスをそ
れぞれ０．Ｏ１〜５モル襲を含有すみ−のでこれらを心
願成分とし、要すれば他の添加物としてＮｉｐ、Ｂすａ
Ｃａ、Ｏ＊ Ｃｕｂ、Ｍｕ（ＬＳｒＯａ Ｐｂ
Ｏ＊ ＣＬＯａ Ｔｉｅｓ、８ｎＯ寓ｍＭｍＯｓ＋
ｓ ８１０ｇ、ｚｒＯｍ、Ｇ゛ｅ０１．ＴｋＯ＊ｍ町
ｂ＠０３りＣｒ２０ＨａＣｏ諺０３ｘＦｍｍＯｓｍム１
１０３ａＢ１０３．ｇｏｍｉｓｅ１ｘｍＯｓ＃Ｌａｍｂ
ｓａＹｍＯｓａＧ ＆ １０５ ａ Ｌ Ｌ ＠ Ｏａ
Ｍ ＯＯＢ 、 Ｗ Ｏ３、Ｍ ＠ Ｆ ＠ （Ｍ
＠ 富Ｃａ＊ＢａａＣ１ａＺｍｓＭｇａＭｍｍＮ１ｅ８
ｍａＺｒａＴｉｍＧｏ）、Ｍｓ’Ｆ３（Ｍ＠’５ａＣｒ
、ＡｌａＦ＠、ＣａｓＹ）などの鹸化マグネシウムと酸
化ビスマス以外の他の曽属醗化物を１１ＩＩ以上添加し
これらを十分に混合し飯状または柱吠に成製し８００−
１１００’０の高車で鋺紬し焼結体を形成する。＃焼結
体に一対の電値をつけ該１１１１籠に端子を取−する。
ｉ［科、として蓋属血船０．０１〜２０モル弧を含み、
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これらを十分に混合し飯状または柱吠に成製し８００−
１１００’０の高車で鋺紬し焼結体を形成する。＃焼結
体に一対の電値をつけ該１１１１籠に端子を取−する。
しかるのち合成１１になとて外装を層成するものである
・つぎに本発明の！ｉ１−一と従来の参考例との時性比
較のｍ−を第１表にボす・実−一１〜９および参考例１
０〜１６はそれぞれの組成比にしたがい秤皺したのち混
合し円板状に成製し１２５０１）の１＆潟で鋺紬した１
嫌１５ｍ×犀さｌ■の睨紬体のｍ−にｌｌ径１１．３園
の銀電値をつけて特性を一定した−ので、胱結体本さ１
ｍあたｐのバリスタ電圧Ｖｌ＋ｍムとそのときの非直−
係数αの比較をボす４のである。
・つぎに本発明の！ｉ１−一と従来の参考例との時性比
較のｍ−を第１表にボす・実−一１〜９および参考例１
０〜１６はそれぞれの組成比にしたがい秤皺したのち混
合し円板状に成製し１２５０１）の１＆潟で鋺紬した１
嫌１５ｍ×犀さｌ■の睨紬体のｍ−にｌｌ径１１．３園
の銀電値をつけて特性を一定した−ので、胱結体本さ１
ｍあたｐのバリスタ電圧Ｖｌ＋ｍムとそのときの非直−
係数αの比較をボす４のである。
ｃ以下赤白】
１ｓ １ 表
第１＃ｌ！から組成中に出発嫁料として蓋属禽船をｏ、
ｏｌ 〜２０モ＋１ｔむ実ｍ＠１−９０１ｍ合、＃１麹
ｆｊｋ敵−！ ＮＧ１〜２１ ｍ Ｖ１ｍＡ７１１１１
ｍ ｍ ２０〜２ｆｌであるが、強真益船を含まないか
筐、た紘０．０１モル襲未渦の参考例１０ 、１１ 、
１２ 、１５の場合５、非直−像款一一１０〜１３であ
夛、蓋属血船が２０七ル≦を越える参考−１３，１４，
１６の場合Ｖ ｌ ＋＋Ａ７’ｍ ＝ ３０〜３２と烏
くなる・また鹸化！ダ本シウムおよび／まえは酸化ビス
マスが０．０１〜５モル弧の実−−１〜９の場合、＃ｄ
Ｌ＃Ｍ４ＩＩ＆数が大吉（ｖｌ飄ム／腸も紘いが鹸化！
ダネシウムおよび／または酸化ビスマスを含まないかｔ
＊、ａｏ−ｏ１＋４１未−の参考−Ｎｏ。
ｏｌ 〜２０モ＋１ｔむ実ｍ＠１−９０１ｍ合、＃１麹
ｆｊｋ敵−！ ＮＧ１〜２１ ｍ Ｖ１ｍＡ７１１１１
ｍ ｍ ２０〜２ｆｌであるが、強真益船を含まないか
筐、た紘０．０１モル襲未渦の参考例１０ 、１１ 、
１２ 、１５の場合５、非直−像款一一１０〜１３であ
夛、蓋属血船が２０七ル≦を越える参考−１３，１４，
１６の場合Ｖ ｌ ＋＋Ａ７’ｍ ＝ ３０〜３２と烏
くなる・また鹸化！ダ本シウムおよび／まえは酸化ビス
マスが０．０１〜５モル弧の実−−１〜９の場合、＃ｄ
Ｌ＃Ｍ４ＩＩ＆数が大吉（ｖｌ飄ム／腸も紘いが鹸化！
ダネシウムおよび／または酸化ビスマスを含まないかｔ
＊、ａｏ−ｏ１＋４１未−の参考−Ｎｏ。
１１．１２の場合非直縁係敵が小さく、逆に５七ル弧を
越える参考例１３．１４．１６の場合祉Ｖ１ｍム／諺が
高くなる。 つぎに第１表の実ｍＮ１．実施−２゜実施
−６，実−例７．実施例９および参考例１０ 。
越える参考例１３．１４．１６の場合祉Ｖ１ｍム／諺が
高くなる。 つぎに第１表の実ｍＮ１．実施−２゜実施
−６，実−例７．実施例９および参考例１０ 。
参考例１２の各試料の低電流領域の電流−電圧特性をｌ
ｌ’ｌ−に示す◎第１−から奥−例は参考例に比べて低
電流領域の電流−電圧特性がいちぢるしく改善される仁
とがわかる。ｔた第２図に実−例■、実鳩例２．実−−
６．実鳩例７．実−−９および参考−１０．龜考−１２
の各試料を湿炭４０°０゜相対厳［９５襲の喜−気中に
１０００時閾放置したときの鯰亀ｔｉｔ伽域の電流−電
圧特性、すなわち低電流領域のバリスタ電圧の変化率を
不丁・ｇ２＃に！Ａから夷ＭＩＡ＠ｄ番考例に比べて耐
湿寿命特性がいちぢるしく教書されることがわかる。
ｌ’ｌ−に示す◎第１−から奥−例は参考例に比べて低
電流領域の電流−電圧特性がいちぢるしく改善される仁
とがわかる。ｔた第２図に実−例■、実鳩例２．実−−
６．実鳩例７．実−−９および参考−１０．龜考−１２
の各試料を湿炭４０°０゜相対厳［９５襲の喜−気中に
１０００時閾放置したときの鯰亀ｔｉｔ伽域の電流−電
圧特性、すなわち低電流領域のバリスタ電圧の変化率を
不丁・ｇ２＃に！Ａから夷ＭＩＡ＠ｄ番考例に比べて耐
湿寿命特性がいちぢるしく教書されることがわかる。
以上詳述したように本発明によれば鹸化臘船を主成分と
じ出尭腺科として蓋属臘船０．０１〜２０毫ル弧を含み
、かつ添加物として少なくとも鹸化マダネシウ濃および
酸化ビスマスをそれぞれ０．０１〜５モル憾含′４ｉ′
ｆｋせることによって説結体犀さ１ｓｌＩあた如のバリ
スタ電圧Ｖ１ｍＡが２０〜３０Ｖと低く高い非直線係数
ｇｔｔＴｊし、かつ低電流領域の電流−電圧特性がすぐ
れ耐湿寿命特性のすぐれた電圧−直一抵抗体の製造方法
を提供することかで亀る。
じ出尭腺科として蓋属臘船０．０１〜２０毫ル弧を含み
、かつ添加物として少なくとも鹸化マダネシウ濃および
酸化ビスマスをそれぞれ０．０１〜５モル憾含′４ｉ′
ｆｋせることによって説結体犀さ１ｓｌＩあた如のバリ
スタ電圧Ｖ１ｍＡが２０〜３０Ｖと低く高い非直線係数
ｇｔｔＴｊし、かつ低電流領域の電流−電圧特性がすぐ
れ耐湿寿命特性のすぐれた電圧−直一抵抗体の製造方法
を提供することかで亀る。
第１ｗ４＃ｉ本発明の実ｋＩｉ４と従来の参考鉤七の低
電ｔＩＬ領域の電流−電圧特性の比較を示す曲ｉ１図、
第３−は低電流像域のバリスタ電圧の変化率き示丁−鰹
寿命特性の曲−１である。 特許出願人 ！ルコン竜子株式金社
電ｔＩＬ領域の電流−電圧特性の比較を示す曲ｉ１図、
第３−は低電流像域のバリスタ電圧の変化率き示丁−鰹
寿命特性の曲−１である。 特許出願人 ！ルコン竜子株式金社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ鹸化蒼鉛を主成分としこれに出発原料として曹Ｉ４
亜船０．０１〜２０モル憾を含み、かりｉ加物として少
なくと一鹸化マダネシウムと暖化ビス！スをそれぞれ０
．０１〜５モル襲 含暑°することを特徴とする電圧＃
直珈抵抗体の製置方法。 （２） Ｉｌｂ加物として鹸化マダネシウ＾と酸化ビス
マス以外に他の曹ＩＩＡ鹸化物を１楓以上含１−するこ
とを特徴とする特許請求の軸−第（１）項記板の電圧＃
Ｉｊ［Ｉｉｉ抵抗体のｌｌ１ｌ造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045342A JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57045342A JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58162001A true JPS58162001A (ja) | 1983-09-26 |
| JPS643041B2 JPS643041B2 (ja) | 1989-01-19 |
Family
ID=12716609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57045342A Granted JPS58162001A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58162001A (ja) |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP57045342A patent/JPS58162001A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS643041B2 (ja) | 1989-01-19 |
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