JPS645256Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS645256Y2 JPS645256Y2 JP9725783U JP9725783U JPS645256Y2 JP S645256 Y2 JPS645256 Y2 JP S645256Y2 JP 9725783 U JP9725783 U JP 9725783U JP 9725783 U JP9725783 U JP 9725783U JP S645256 Y2 JPS645256 Y2 JP S645256Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chute
- guide
- carrier
- distribution mechanism
- insulating member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は半導体素子の電気的特性を高温また
は低温状態において連続して測定する装置に係る
ものである。
は低温状態において連続して測定する装置に係る
ものである。
半導体素子は一定の温度においてその電気的特
性が測定されるが測定項目の多い素子では一個の
測定に相当な時間を要する。そこでこれを能率的
に測定するために例えば第１図に示すように複数
個の素子を同時に測定することが行なわれてい
る。すなわちシユート１によつて連続して搬送さ
れてくる半導体素子５はシユート１の途中で徐々
に予備加熱されながら供給され複数列（図では２
列）のシユート２，３上の測定部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
の四カ所で測定される。この場合シユート１にお
いて予備加熱された素子は測定位置に入つて測定
温度まで加熱される。
性が測定されるが測定項目の多い素子では一個の
測定に相当な時間を要する。そこでこれを能率的
に測定するために例えば第１図に示すように複数
個の素子を同時に測定することが行なわれてい
る。すなわちシユート１によつて連続して搬送さ
れてくる半導体素子５はシユート１の途中で徐々
に予備加熱されながら供給され複数列（図では２
列）のシユート２，３上の測定部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ
の四カ所で測定される。この場合シユート１にお
いて予備加熱された素子は測定位置に入つて測定
温度まで加熱される。
ところがシユート１と２，３との間の素子の配
分機構４に素子が置かれるときに放熱され、予備
加熱された素子の温度が低下する恐れがある。
分機構４に素子が置かれるときに放熱され、予備
加熱された素子の温度が低下する恐れがある。
そうすると測定部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに入つても加
熱に時間をとることとなり、測定能率が低下す
る。
熱に時間をとることとなり、測定能率が低下す
る。
これを防止するために、従来は配分機構４に設
けられ、シユート２，３に素子を案内するための
案内軸６の中央にヒータを入れて、これによつて
配分機構４全体を加熱して、素子の温度低下を防
止していた。
けられ、シユート２，３に素子を案内するための
案内軸６の中央にヒータを入れて、これによつて
配分機構４全体を加熱して、素子の温度低下を防
止していた。
しかし素子は軽量であつて蓄熱量も小さく、か
つヒータ部分と素子との間に距離があるため加熱
効果が非常に悪く、希望する状態に加熱すること
が困難であつた。この考案はこの欠点を改善した
ものである。
つヒータ部分と素子との間に距離があるため加熱
効果が非常に悪く、希望する状態に加熱すること
が困難であつた。この考案はこの欠点を改善した
ものである。
第２図において、配分機構４の案内軸６は素子
５を保持するキヤリヤ７を貫通しており、キヤリ
ヤ７は図示しない機構によつて軸６上を移動して
シユート２，３の入口に一致する姿勢、位置をと
る。いは第１図のシユート１およびシユート２に
連絡するキヤリヤ７の位置をとし、シユート３
に連絡する位置をとする。キヤリヤ７の上部に
は断熱部材９を取付け、その中に案内８を埋め、
この中に素子を保持する。そしてキヤリヤ７は動
作していない時は位置で常に待機する。
５を保持するキヤリヤ７を貫通しており、キヤリ
ヤ７は図示しない機構によつて軸６上を移動して
シユート２，３の入口に一致する姿勢、位置をと
る。いは第１図のシユート１およびシユート２に
連絡するキヤリヤ７の位置をとし、シユート３
に連絡する位置をとする。キヤリヤ７の上部に
は断熱部材９を取付け、その中に案内８を埋め、
この中に素子を保持する。そしてキヤリヤ７は動
作していない時は位置で常に待機する。
位置の案内８の真上には断熱部材１０が設け
られ、その下に発熱部１１を案内８に向けて取付
ける。ここで発熱部１１を上下動可能とし、素子
５が案内８内に送られてきたとき下降して案内８
と発熱部１１とを接触もしくは近接させる。
られ、その下に発熱部１１を案内８に向けて取付
ける。ここで発熱部１１を上下動可能とし、素子
５が案内８内に送られてきたとき下降して案内８
と発熱部１１とを接触もしくは近接させる。
そして素子をシユート２もしくは３に送り出す
ときには、発熱部１１を上昇させて、キヤリヤ７
の移動を自由にする。
ときには、発熱部１１を上昇させて、キヤリヤ７
の移動を自由にする。
なおの待機位置からシユート３に素子を送り
出すのはごく短時間であるので、素子の温度低下
はごくわずかである。また待機位置にある小さな
案内８を素子５と共に加熱するので、加熱の効果
は非常に良い。そこで素子が測定位置に入つたと
きごく短時間で測定温度とすることができる。
出すのはごく短時間であるので、素子の温度低下
はごくわずかである。また待機位置にある小さな
案内８を素子５と共に加熱するので、加熱の効果
は非常に良い。そこで素子が測定位置に入つたと
きごく短時間で測定温度とすることができる。
なお上記実施例においては半導体素子を一定温
度に加熱した状態でその特性を測定することにつ
いて説明したが、一定温度に冷却した状態で測定
する場合も勿論適用可能で、この場合には発熱部
１１の代りに冷却装置を取付けることによつて容
易に実施することができる。
度に加熱した状態でその特性を測定することにつ
いて説明したが、一定温度に冷却した状態で測定
する場合も勿論適用可能で、この場合には発熱部
１１の代りに冷却装置を取付けることによつて容
易に実施することができる。
第１図は本考案が対象とする測定装置の概要を
示す説明図、第２図は本考案の要部説明図。 １……供給シユート、２，３……測定シユー
ト、４……配分機構、５……素子、６……軸、７
……キヤリヤ、８……案内、９，１０……断熱部
材、１１……発熱部（または冷却部）。
示す説明図、第２図は本考案の要部説明図。 １……供給シユート、２，３……測定シユー
ト、４……配分機構、５……素子、６……軸、７
……キヤリヤ、８……案内、９，１０……断熱部
材、１１……発熱部（または冷却部）。
Claims (1)
- 供給シユート１から半導体素子を連続して受け
取る配分機構４によつて複数列の測定部を有する
シユート２，３に素子を加熱もしくは冷却搬送す
る測定装置において、配分機構４のキヤリヤ７上
の断熱部材９の中に素子の案内８を設け、素子の
受取り位置をキヤリヤ７の待機位置とし、この
位置の案内８に対向して断熱部材１０により覆わ
れた発熱もしくは冷却部１１を設け、素子が位
置にあるとき発熱もしくは冷却部１１を案内８に
接触もしくは近接可能としたことを特徴とする半
導体素子の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9725783U JPS604963U (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体素子の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9725783U JPS604963U (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体素子の測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604963U JPS604963U (ja) | 1985-01-14 |
| JPS645256Y2 true JPS645256Y2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=30231423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9725783U Granted JPS604963U (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体素子の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604963U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0740721U (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | 荒庄鳴河株式会社 | 女性の水着用バストカップ |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP9725783U patent/JPS604963U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS604963U (ja) | 1985-01-14 |
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