JPS645366B2 - - Google Patents
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- JPS645366B2 JPS645366B2 JP15139380A JP15139380A JPS645366B2 JP S645366 B2 JPS645366 B2 JP S645366B2 JP 15139380 A JP15139380 A JP 15139380A JP 15139380 A JP15139380 A JP 15139380A JP S645366 B2 JPS645366 B2 JP S645366B2
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- Japan
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- magnetic layer
- magnetic
- layer
- gap
- forming
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/312—Details for reducing flux leakage between the electrical coil layers and the magnetic cores or poles or between the magnetic cores or poles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法に
係り、さらに詳しくは供給される電流の磁気変換
効率を改善した薄膜磁気ヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
係り、さらに詳しくは供給される電流の磁気変換
効率を改善した薄膜磁気ヘツドおよびその製造方
法に関するものである。
薄膜磁気ヘツドは従来型の磁気ヘツドに比較し
て超小型化することができ、周波数特性が優れて
いるため、記録密度の増大に対処できる磁気ヘツ
ドとして大きな期待がもたれている。この薄膜磁
気ヘツドは優れた利点があるが書き込み電流が大
きいことおよび再生出力が少ないと言う点で改良
の余地があり、努力がつづけられている。その成
果の１つが巻線部分を多数巻きにすることであ
る。この多数巻き構造の例を第１図〜第４図に示
す。
て超小型化することができ、周波数特性が優れて
いるため、記録密度の増大に対処できる磁気ヘツ
ドとして大きな期待がもたれている。この薄膜磁
気ヘツドは優れた利点があるが書き込み電流が大
きいことおよび再生出力が少ないと言う点で改良
の余地があり、努力がつづけられている。その成
果の１つが巻線部分を多数巻きにすることであ
る。この多数巻き構造の例を第１図〜第４図に示
す。
第１図および第２図に示す例はスパイラル構造
の例を示し、図において符号１は基板で、この基
板１上に磁性材２と、スパイラル状に形成された
巻線３が薄膜堆積法の技術などを利用して、被着
されている。これらの部分の整形はエツチング法
などによつて行われる。さらに詳細に述べれば、
第２図に示すように磁性材２は下部磁性層２ａと
上部磁性層２ｂとから成り、下部磁性層２ａ上に
絶縁層４を介して巻線３が形成され、さらに、そ
の上側に絶縁層５を介して上部磁性層２ｂが形成
され、その上に保護板６が重ねられる。
の例を示し、図において符号１は基板で、この基
板１上に磁性材２と、スパイラル状に形成された
巻線３が薄膜堆積法の技術などを利用して、被着
されている。これらの部分の整形はエツチング法
などによつて行われる。さらに詳細に述べれば、
第２図に示すように磁性材２は下部磁性層２ａと
上部磁性層２ｂとから成り、下部磁性層２ａ上に
絶縁層４を介して巻線３が形成され、さらに、そ
の上側に絶縁層５を介して上部磁性層２ｂが形成
され、その上に保護板６が重ねられる。
このようなスパイラル構造を有する巻線を備え
た薄膜磁気ヘツドは構造が簡単である為、製造工
程が少なくて済むという利点があるが、下部磁性
層２ａと上部磁性層２ｂとの間の端部が巻線３の
間で狭くなつたり広くなつたりする為、磁気回路
的に漏洩が生じやすくなり、ギヤツプ部分への磁
気変換効率が悪くなる。この為、絶縁層５を厚く
するなどの種々の改良案が考えられているが、工
程が複雑になるわりには磁気変換効率に対して充
分な効果がない。
た薄膜磁気ヘツドは構造が簡単である為、製造工
程が少なくて済むという利点があるが、下部磁性
層２ａと上部磁性層２ｂとの間の端部が巻線３の
間で狭くなつたり広くなつたりする為、磁気回路
的に漏洩が生じやすくなり、ギヤツプ部分への磁
気変換効率が悪くなる。この為、絶縁層５を厚く
するなどの種々の改良案が考えられているが、工
程が複雑になるわりには磁気変換効率に対して充
分な効果がない。
第３図及び第４図に示す例は積層構造の例で、
両図中第１図及び第２図と同一部分または相当す
る部分には同一符号を付してある。この例にあつ
ては巻線３はほぼＵ字状に形成されるとともに、
下層のものほど幅広で、上層のものほど幅狭に形
成され、それぞれの間には、絶縁層５ａが介装さ
れており、各巻線の端部間は導線３ａによつて接
続されている。
両図中第１図及び第２図と同一部分または相当す
る部分には同一符号を付してある。この例にあつ
ては巻線３はほぼＵ字状に形成されるとともに、
下層のものほど幅広で、上層のものほど幅狭に形
成され、それぞれの間には、絶縁層５ａが介装さ
れており、各巻線の端部間は導線３ａによつて接
続されている。
このような積層構造の巻線３を有する薄膜磁気
ヘツドでは、積層された巻線間に大きな段差がで
き、上部磁性層２ｂや絶縁層５ａを薄膜堆積法で
形成する場合、均一な膜を形成することが難しく
なり、いわゆるステツプカバレツジが問題とな
る。すなわち巻線３の段差部において上部磁性層
２ｂや絶縁層が平坦な部分と比較して薄くなつた
り、切れたりする為に磁気回路的に段差部の磁性
層の薄くなつた所の磁束密度が増大して最初に飽
和してしまいヘツドのギヤツプ部分は未飽和の状
態となり、結果的には磁気変換効率が悪くなつて
しまう。
ヘツドでは、積層された巻線間に大きな段差がで
き、上部磁性層２ｂや絶縁層５ａを薄膜堆積法で
形成する場合、均一な膜を形成することが難しく
なり、いわゆるステツプカバレツジが問題とな
る。すなわち巻線３の段差部において上部磁性層
２ｂや絶縁層が平坦な部分と比較して薄くなつた
り、切れたりする為に磁気回路的に段差部の磁性
層の薄くなつた所の磁束密度が増大して最初に飽
和してしまいヘツドのギヤツプ部分は未飽和の状
態となり、結果的には磁気変換効率が悪くなつて
しまう。
本発明は以上のような従来の欠点を解消する為
になされたもので、磁気変換効率を大幅に向上さ
せることができるように構成した薄膜磁気ヘツド
及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
になされたもので、磁気変換効率を大幅に向上さ
せることができるように構成した薄膜磁気ヘツド
及びその製造方法を提供することを目的としてい
る。
本発明においては上記の目的を達成するために
薄膜磁気ヘツドを保護板側構成体と基板側構成体
とに分け、基板側構成体に第１磁性層、絶縁層、
巻線層、フロントギヤツプ部第２磁性層及びバツ
クギヤツプ部第２磁性層を配し、保護板側構成体
に磁気記録媒体摺動面側に凸部が設けられた保護
板及び該凸部よりバツクギヤツプ側に配され前記
フロントギヤツプ部第２磁性層と前記バツクギヤ
ツプ部第２磁性層とを磁気的に接続するための保
護板側第２磁性層とを配し、両者を接合して一体
化させる構成を採用した。
薄膜磁気ヘツドを保護板側構成体と基板側構成体
とに分け、基板側構成体に第１磁性層、絶縁層、
巻線層、フロントギヤツプ部第２磁性層及びバツ
クギヤツプ部第２磁性層を配し、保護板側構成体
に磁気記録媒体摺動面側に凸部が設けられた保護
板及び該凸部よりバツクギヤツプ側に配され前記
フロントギヤツプ部第２磁性層と前記バツクギヤ
ツプ部第２磁性層とを磁気的に接続するための保
護板側第２磁性層とを配し、両者を接合して一体
化させる構成を採用した。
以下、図面に示す実施例に基いて、本発明の詳
細を説明する。
細を説明する。
第５図及び第６図は基板側の構造を説明するも
ので、図において符号１０で示すものはシリコン
などからなる基板で、この基板１０上には磁性材
をスパツタリングなどの薄膜堆積法により被着さ
せ、エツチングにより整形し、下部磁性層１１を
形成する。この下部磁性層１１の上面には絶縁層
及びギヤツプを形成する為に、SiO2などの絶縁
材からなる絶縁層１２を同じくスパツタリングし
て形成し、エツチング処理して整形する。この絶
縁層１２の上にAlなどの導電材を蒸着し、エツ
チングを行つてスパイラル状の巻線１３を形成す
る。そしてさらにこれら巻線１３を被つて絶縁層
及びギヤツプ部となる絶縁層１４をSiO2などを
スパツタリングとエツチングにより形成する。
ので、図において符号１０で示すものはシリコン
などからなる基板で、この基板１０上には磁性材
をスパツタリングなどの薄膜堆積法により被着さ
せ、エツチングにより整形し、下部磁性層１１を
形成する。この下部磁性層１１の上面には絶縁層
及びギヤツプを形成する為に、SiO2などの絶縁
材からなる絶縁層１２を同じくスパツタリングし
て形成し、エツチング処理して整形する。この絶
縁層１２の上にAlなどの導電材を蒸着し、エツ
チングを行つてスパイラル状の巻線１３を形成す
る。そしてさらにこれら巻線１３を被つて絶縁層
及びギヤツプ部となる絶縁層１４をSiO2などを
スパツタリングとエツチングにより形成する。
SiO2からなる絶縁層１２，１４はギヤツプ幅
として利用する為に、両者を合わせた厚みがギヤ
ツプ幅になるように成膜を行うことが必要であ
る。
として利用する為に、両者を合わせた厚みがギヤ
ツプ幅になるように成膜を行うことが必要であ
る。
次に、絶縁層１４の両端部にフロントギヤツプ
部上部磁性層（フロントギヤツプ部第２磁性層）
１５とバツクギヤツプ部上部磁性層（バツクギヤ
ツプ部第２磁性層）１６を形成する。ギヤツプ部
の形成は薄膜堆積技術及びエツチング技術を利用
している為、極めて高精度に形成することができ
る。
部上部磁性層（フロントギヤツプ部第２磁性層）
１５とバツクギヤツプ部上部磁性層（バツクギヤ
ツプ部第２磁性層）１６を形成する。ギヤツプ部
の形成は薄膜堆積技術及びエツチング技術を利用
している為、極めて高精度に形成することができ
る。
このようにして、まず、基板側の部分を形成し
ておく。
ておく。
ところで保護板側は第７図〜第１０図に示すよ
うにして形成される。
うにして形成される。
まず、第７図に示すようにガラスなどからなる
保護板１７上でギヤツプ先端部の５割〜８割に相
当する部分にM0層１８を蒸着し、エツチングを
行つてM0層１８の下に凸部１９を形成する。こ
の凸部１９の高さは第６図に示すギヤツプ先端部
の磁性層１５の膜厚とほぼ同一にする。
保護板１７上でギヤツプ先端部の５割〜８割に相
当する部分にM0層１８を蒸着し、エツチングを
行つてM0層１８の下に凸部１９を形成する。こ
の凸部１９の高さは第６図に示すギヤツプ先端部
の磁性層１５の膜厚とほぼ同一にする。
次にM0層１８を残したままでギヤツプ先端部
分及びバツクギヤツプ部分に相当する部分にフオ
トレジスト２０を塗布する。
分及びバツクギヤツプ部分に相当する部分にフオ
トレジスト２０を塗布する。
次に第８図に示すようにフオトレジスト２０で
覆われていない部分をエツチングして保護板１７
に凹部１７ａを形成する。この凹部１７ａの深さ
は巻線１３、絶縁層１２，１４の合計の厚さより
大であることが好ましく、その1.5〜５倍程度が
好ましい。また、凹部１７ａの側壁は傾斜を持た
せた方が良く、好ましくは45〜80度程度になるよ
うに調整する。
覆われていない部分をエツチングして保護板１７
に凹部１７ａを形成する。この凹部１７ａの深さ
は巻線１３、絶縁層１２，１４の合計の厚さより
大であることが好ましく、その1.5〜５倍程度が
好ましい。また、凹部１７ａの側壁は傾斜を持た
せた方が良く、好ましくは45〜80度程度になるよ
うに調整する。
次に第９図に示すようにフオトレジスト２０を
除去し、M0層１８を残したままで保護板１７の
全面にわたつて上部磁性層（保護板側第２磁性
層）２１を薄膜堆積法によつて形成する。しかる
後、第１０図に示すようにM0層１８を除いてM0
層１８の上部の磁性層２１をリフトオフ法で取り
除く。そしてバツクギヤツプ部分に相当する部分
に第６図に示した磁性層１５と１６の段差にほぼ
等しい厚さで磁性層２２をマスキングにより形成
する。
除去し、M0層１８を残したままで保護板１７の
全面にわたつて上部磁性層（保護板側第２磁性
層）２１を薄膜堆積法によつて形成する。しかる
後、第１０図に示すようにM0層１８を除いてM0
層１８の上部の磁性層２１をリフトオフ法で取り
除く。そしてバツクギヤツプ部分に相当する部分
に第６図に示した磁性層１５と１６の段差にほぼ
等しい厚さで磁性層２２をマスキングにより形成
する。
このようにして保護板１７側の各部を形成した
後第１１図に示すように基板１０側と保護板１７
側とを接着剤を介して接着させ一体化させる。こ
の時保護板１７側の凹部１７ａが形成する空間２
３は接着剤で満たされても空間のままでも良い。
このようにして一体化させた後、第１１図にＤ―
Ｄ線で示す部分を研削して磁気テープ摺動面を形
成し薄膜磁気ヘツドを完成する。
後第１１図に示すように基板１０側と保護板１７
側とを接着剤を介して接着させ一体化させる。こ
の時保護板１７側の凹部１７ａが形成する空間２
３は接着剤で満たされても空間のままでも良い。
このようにして一体化させた後、第１１図にＤ―
Ｄ線で示す部分を研削して磁気テープ摺動面を形
成し薄膜磁気ヘツドを完成する。
このようにして得た薄膜磁気ヘツドは薄膜堆積
技術を利用して形成される為、高精度に作成で
き、磁気回路的にも上部磁性体と下部磁性体との
間の距離を充分にとることができ、磁気の漏洩は
少なく電流の磁気変換効率は極めて高くなる。ま
た、第１１図からも明らかなように、上部磁性層
２１がギヤツプ部の上部磁性層１５と接触してい
る部分がギヤツプ先端より奥にひつこんでいるた
め磁気記録媒体の摺動面にでるギヤツプは一つで
あり磁気変換効率を高めることができる。
技術を利用して形成される為、高精度に作成で
き、磁気回路的にも上部磁性体と下部磁性体との
間の距離を充分にとることができ、磁気の漏洩は
少なく電流の磁気変換効率は極めて高くなる。ま
た、第１１図からも明らかなように、上部磁性層
２１がギヤツプ部の上部磁性層１５と接触してい
る部分がギヤツプ先端より奥にひつこんでいるた
め磁気記録媒体の摺動面にでるギヤツプは一つで
あり磁気変換効率を高めることができる。
尚、上記の実施例はスパイラル構造のものとし
て例示したが、積層構造の薄膜磁気ヘツドに対し
てもまつたく同様に適応することができる。又、
スパイラルと積層型との混合型のものにも適用で
き、基板材料としてはガラスの他にシリコン、ア
ルミナ等が使用でき、絶縁層としてはSiO2の他
にアルミナ、マグネシア、スピネル等が使用でき
巻線の材料としてはAlの他にAu、Cu等も充分に
使用できる。
て例示したが、積層構造の薄膜磁気ヘツドに対し
てもまつたく同様に適応することができる。又、
スパイラルと積層型との混合型のものにも適用で
き、基板材料としてはガラスの他にシリコン、ア
ルミナ等が使用でき、絶縁層としてはSiO2の他
にアルミナ、マグネシア、スピネル等が使用でき
巻線の材料としてはAlの他にAu、Cu等も充分に
使用できる。
以上の説明から明らかなように、本発明の薄膜
磁気ヘツドによれば基板側構成体と保護板側構成
体とを別々に構成し、両者を接合する構成となつ
ているため第１磁性層と第２磁性層との間隔を十
分に取ることができるため、これらの間の磁気の
漏洩が少なく、かつ保護板側第２磁性層が磁気記
録媒体摺動面に露出しないため、該摺動面に出る
ギヤツプは１つとなり、これらによつて磁気変換
効率を大幅に高めることができる。
磁気ヘツドによれば基板側構成体と保護板側構成
体とを別々に構成し、両者を接合する構成となつ
ているため第１磁性層と第２磁性層との間隔を十
分に取ることができるため、これらの間の磁気の
漏洩が少なく、かつ保護板側第２磁性層が磁気記
録媒体摺動面に露出しないため、該摺動面に出る
ギヤツプは１つとなり、これらによつて磁気変換
効率を大幅に高めることができる。
第１図は従来のスパイラル構造の巻線を有する
薄膜磁気ヘツドの平面図、第２図は、第１図のＡ
―Ａ線一部拡大断面図、第３図は従来の積層型巻
線を有する薄膜磁気ヘツドの平面図、第４図は第
３図のＢ―Ｂ線一部拡大断面図、第５図以下は本
発明の一実施例を説明するもので、第５図は基板
の平面図、第６図は第５図のＣ―Ｃ線一部拡大断
面図、第７図〜第１０図は保護板側の製造工程を
説明する一部拡大断面図、第１１図は基板側と保
護板側とを一体化させた状態の一部拡大断面図で
ある。 １０…基板、１１…第１磁性層、１２，１４…
絶縁層、１３…巻線、１５，１６…フロントギヤ
ツプ部第２磁性層、バツクギヤツプ部第２磁性
層、１７…保護板、１８…M0層、２０…フオト
レジスト、２１，２２…保護板側第２磁性層。
薄膜磁気ヘツドの平面図、第２図は、第１図のＡ
―Ａ線一部拡大断面図、第３図は従来の積層型巻
線を有する薄膜磁気ヘツドの平面図、第４図は第
３図のＢ―Ｂ線一部拡大断面図、第５図以下は本
発明の一実施例を説明するもので、第５図は基板
の平面図、第６図は第５図のＣ―Ｃ線一部拡大断
面図、第７図〜第１０図は保護板側の製造工程を
説明する一部拡大断面図、第１１図は基板側と保
護板側とを一体化させた状態の一部拡大断面図で
ある。 １０…基板、１１…第１磁性層、１２，１４…
絶縁層、１３…巻線、１５，１６…フロントギヤ
ツプ部第２磁性層、バツクギヤツプ部第２磁性
層、１７…保護板、１８…M0層、２０…フオト
レジスト、２１，２２…保護板側第２磁性層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１磁性層、絶縁層、巻線層、フロントギヤ
ツプ部第２磁性層及びバツクギヤツプ部第２磁性
層を含む基板側構成体と、磁気記録媒体摺動面側
に凸部が設けられた保護板及び該凸部よりバツク
ギヤツプ側に配され前記フロントギヤツプ部第２
磁性層と前記バツクギヤツプ部第２磁性層とを磁
気的に接続するための保護板側第２磁性層を含む
保護板側構成体とを一体化してなる薄膜磁気ヘツ
ド。 ２ 基板上に第１磁性層を形成する工程と、この
第１磁性層上に巻線層を形成する工程と、この巻
線層上に絶縁層を形成する工程と、この絶縁層の
フロントギヤツプ側端部にフロントギヤツプ部第
２磁性層を形成する工程と、バツクギヤツプ側端
部にバツクギヤツプ部第２磁性層を形成して基板
側構成体を得る工程と、保護板のフロントギヤツ
プ側に凸部を形成する工程と、該凸部よりバツク
ギヤツプ側に保護板側第２磁性層を形成して保護
板側構成体を得る工程と、該保護板側第２磁性層
によつて前記フロントギヤツプ部第２磁性層と前
記バツクギヤツプ部第２磁性層とが磁気的に接続
されるよう前記保護板側構成体と基板側構成体と
を接合する工程とを含むことを特徴とする薄膜磁
気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15139380A JPS5778613A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15139380A JPS5778613A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5778613A JPS5778613A (en) | 1982-05-17 |
| JPS645366B2 true JPS645366B2 (ja) | 1989-01-30 |
Family
ID=15517596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15139380A Granted JPS5778613A (en) | 1980-10-30 | 1980-10-30 | Thin film magnetic head and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5778613A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0359965A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄形２次電池およびそのための充電器と充電方法 |
| JPH0367472A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄形２次電池用充電器 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58212616A (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツド |
| US4755898A (en) * | 1983-06-13 | 1988-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amorphous magnetic head |
| JPS6010409A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0760490B2 (ja) * | 1983-08-29 | 1995-06-28 | ソニー株式会社 | 多素子薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS60119614A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-27 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| DE3420746A1 (de) * | 1984-06-04 | 1985-12-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schichtweise aufgebauter magnetkopf fuer ein senkrecht zu magnetisierendes aufzeichnungsmedium |
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5184618A (ja) * | 1975-01-22 | 1976-07-24 | Nippon Electric Co | Jikihetsudo |
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1980
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5778613A (en) | 1982-05-17 |
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