JPS646529B2 - - Google Patents
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- JPS646529B2 JPS646529B2 JP8617780A JP8617780A JPS646529B2 JP S646529 B2 JPS646529 B2 JP S646529B2 JP 8617780 A JP8617780 A JP 8617780A JP 8617780 A JP8617780 A JP 8617780A JP S646529 B2 JPS646529 B2 JP S646529B2
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Landscapes
- Compounds Of Iron (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体、特に電算機などに使用
するデイスク状の磁気記録媒体の表面に形成する
酸化物磁性薄膜の製造法に関するものである。こ
の種の磁性薄膜を形成する方法には、γ―Fe2O3
を主成分とする磁性体粉末にバインダーを加えて
デイスクの表面に塗布する方法と、Ni―Co―Ｐ
系の強磁性薄膜をメツキによつて形成する方法と
があり、後者は磁気特性のすぐれている点で注目
されているがメツキ作業の条件を確定することが
困難なことおよび形成した薄膜の機械的強度が十
分でないなどの理由で、実用化がおくれており、
現在行なわれている方法は、殆んど前者の方法で
ある。
するデイスク状の磁気記録媒体の表面に形成する
酸化物磁性薄膜の製造法に関するものである。こ
の種の磁性薄膜を形成する方法には、γ―Fe2O3
を主成分とする磁性体粉末にバインダーを加えて
デイスクの表面に塗布する方法と、Ni―Co―Ｐ
系の強磁性薄膜をメツキによつて形成する方法と
があり、後者は磁気特性のすぐれている点で注目
されているがメツキ作業の条件を確定することが
困難なことおよび形成した薄膜の機械的強度が十
分でないなどの理由で、実用化がおくれており、
現在行なわれている方法は、殆んど前者の方法で
ある。
ところで、最近は電算機が大型となり、かつ、
高密度の記録が行なわれるようになつたが、γ―
Fe2O3粉末にバインターを加えた磁性薄膜は磁気
記録に関与するγ―Fe2O3が20％程度で、残余は
磁気記録に関与しないバインダーで占めている。
したがつて高密度の記録を行なうために、γ―
Fe2O3粒子の微粒子化と高密度の配間比、機械的
研磨による塗布膜の薄膜化が行なわれるが、その
記録密度は20000BPTが限度とされている。この
ようにγ―Fe2O3粉末のバインダーによる塗布膜
には記録密度に限界があるので、さらに高密度の
記録の要請に答える手段として、Feを真空中で
蒸着する方法、酸化性ふん囲気中でFe2O3を蒸着
する方法、Feターゲツトを用い、Fe、α―
Fe2O3、Fe3O4などの薄膜をスパツタリングによ
つて形成する方法、α―Fe2O3をターゲツトに用
い還元性ふん囲気中でFe3O4の薄膜をスパツタリ
ングによつて形成する方法、あるいは鉄の塩化物
を含む溶液をノズルから加熱された記録媒体に噴
霧状に吹付けて薄膜を形成する方法が考えられて
いる。
高密度の記録が行なわれるようになつたが、γ―
Fe2O3粉末にバインターを加えた磁性薄膜は磁気
記録に関与するγ―Fe2O3が20％程度で、残余は
磁気記録に関与しないバインダーで占めている。
したがつて高密度の記録を行なうために、γ―
Fe2O3粒子の微粒子化と高密度の配間比、機械的
研磨による塗布膜の薄膜化が行なわれるが、その
記録密度は20000BPTが限度とされている。この
ようにγ―Fe2O3粉末のバインダーによる塗布膜
には記録密度に限界があるので、さらに高密度の
記録の要請に答える手段として、Feを真空中で
蒸着する方法、酸化性ふん囲気中でFe2O3を蒸着
する方法、Feターゲツトを用い、Fe、α―
Fe2O3、Fe3O4などの薄膜をスパツタリングによ
つて形成する方法、α―Fe2O3をターゲツトに用
い還元性ふん囲気中でFe3O4の薄膜をスパツタリ
ングによつて形成する方法、あるいは鉄の塩化物
を含む溶液をノズルから加熱された記録媒体に噴
霧状に吹付けて薄膜を形成する方法が考えられて
いる。
本発明は高密度の記録を行なうための磁性薄膜
の製造法として、上記従来の蒸着法、スパツタリ
ング法あるいは吹付法とは全く異なる新たな方法
を提供するものである。本発明の方法は無水塩化
鉄をその沸点前後の温度で加熱蒸発してえた蒸発
煙を、還元性ガスをキヤリアガスとして加熱され
た基板上に導き、これと接触させてその表面に金
属鉄の薄膜を形成し、該薄膜を酸化してα―
Fe2O3となし、次にこれを還元してFe2O3とした
後、再び酸化してγ―Fe2O3とする方法であつ
て、基板上に最初に金属鉄の薄膜を蒸着し、最終
的にはこれをγ―Fe2O3の強磁性薄膜とする点に
特徴を有する。
の製造法として、上記従来の蒸着法、スパツタリ
ング法あるいは吹付法とは全く異なる新たな方法
を提供するものである。本発明の方法は無水塩化
鉄をその沸点前後の温度で加熱蒸発してえた蒸発
煙を、還元性ガスをキヤリアガスとして加熱され
た基板上に導き、これと接触させてその表面に金
属鉄の薄膜を形成し、該薄膜を酸化してα―
Fe2O3となし、次にこれを還元してFe2O3とした
後、再び酸化してγ―Fe2O3とする方法であつ
て、基板上に最初に金属鉄の薄膜を蒸着し、最終
的にはこれをγ―Fe2O3の強磁性薄膜とする点に
特徴を有する。
以下本発明の方法を実施例と共に説明する。本
発明において使用される鉄の塩化物はFeCl3であ
る。FeCl2も使用可能ではあるが、これは沸点
（1023℃）が高いので使用が困難である。これに
対しFeCl3は沸点（317℃）が低いので使用に適
している。FeCl3を還元性ガス気中で250゜〜350℃
に直接、加熱するか、あるいは250゜〜350℃に加
熱された熱容量の大きいホツトプレートに液状に
して滴下し、又は霧状に吹けるとFeCl3の蒸発煙
がえられる。この蒸発煙は水素又はアルゴン若し
くはこれらの混合ガスをキヤリアガスとしてパイ
プによつて蒸着槽に導かれる。蒸着槽の内部には
400゜〜700℃に加熱された基板が還元性ふん囲気
の下におかれてあり、パイプによつてこの蒸着槽
に導入されたFeCl3の蒸発煙はスリツトあるるい
はノズルを備えた吹付器によつて基板の表面に吹
付けられる。基板の温度が400℃以下のときは膜
の形成が殆んどなく、またあつても僅かで析出速
度が遅く、かつ、膜の基板に対する付着力が乏し
い。基板の温度が700℃以上になると膜の粒子が
粗大となつて表面の平滑を欠き緻密な良質の薄膜
がえられない。したがつて基板の最適の加熱温度
は550゜〜650℃の範囲内にある。かくして基板の
表面に形成された金属鉄の薄膜は400℃の酸化性
ふん囲気（空気）のなかで１時間、加熱されてα
―Fe2O3の薄膜となり、次に350℃の還元性ふん
囲気（水素）の下で１時間、還元されてFe3O4の
薄膜となり、最後に350℃の酸化性ふん囲気の下
で１時間、再び酸化されてγ―Fe2O3の薄膜とな
る。
発明において使用される鉄の塩化物はFeCl3であ
る。FeCl2も使用可能ではあるが、これは沸点
（1023℃）が高いので使用が困難である。これに
対しFeCl3は沸点（317℃）が低いので使用に適
している。FeCl3を還元性ガス気中で250゜〜350℃
に直接、加熱するか、あるいは250゜〜350℃に加
熱された熱容量の大きいホツトプレートに液状に
して滴下し、又は霧状に吹けるとFeCl3の蒸発煙
がえられる。この蒸発煙は水素又はアルゴン若し
くはこれらの混合ガスをキヤリアガスとしてパイ
プによつて蒸着槽に導かれる。蒸着槽の内部には
400゜〜700℃に加熱された基板が還元性ふん囲気
の下におかれてあり、パイプによつてこの蒸着槽
に導入されたFeCl3の蒸発煙はスリツトあるるい
はノズルを備えた吹付器によつて基板の表面に吹
付けられる。基板の温度が400℃以下のときは膜
の形成が殆んどなく、またあつても僅かで析出速
度が遅く、かつ、膜の基板に対する付着力が乏し
い。基板の温度が700℃以上になると膜の粒子が
粗大となつて表面の平滑を欠き緻密な良質の薄膜
がえられない。したがつて基板の最適の加熱温度
は550゜〜650℃の範囲内にある。かくして基板の
表面に形成された金属鉄の薄膜は400℃の酸化性
ふん囲気（空気）のなかで１時間、加熱されてα
―Fe2O3の薄膜となり、次に350℃の還元性ふん
囲気（水素）の下で１時間、還元されてFe3O4の
薄膜となり、最後に350℃の酸化性ふん囲気の下
で１時間、再び酸化されてγ―Fe2O3の薄膜とな
る。
〔実施例 １〕
FeCl3を300℃で加熱し、蒸発煙を水素をキヤ
リアガスとして600℃に加熱した基板（パイレツ
クスガラス）にノズルで吹き付けた、吹付時間は
15秒である。基板上に形成された金属鉄薄膜の厚
さは1500Åであり、この金属鉄薄膜を前述のよう
に酸化、還元、再酸化して最終的にえたγ―
Fe2O3の薄膜の保磁力Heは350O¨e、残留磁化Br
は2800ガウスであつた。なお、これらの薄膜はＸ
線、電子線解析の結果、いづれも金属鉄ないしは
γ―Fe2O3であることが確認された。
リアガスとして600℃に加熱した基板（パイレツ
クスガラス）にノズルで吹き付けた、吹付時間は
15秒である。基板上に形成された金属鉄薄膜の厚
さは1500Åであり、この金属鉄薄膜を前述のよう
に酸化、還元、再酸化して最終的にえたγ―
Fe2O3の薄膜の保磁力Heは350O¨e、残留磁化Br
は2800ガウスであつた。なお、これらの薄膜はＸ
線、電子線解析の結果、いづれも金属鉄ないしは
γ―Fe2O3であることが確認された。
〔実施例 ２〕
FeCl3の加熱温度を350℃とし、500℃に加熱さ
れたパイレツクスガラス基板にFeCl3の蒸発煙を
実施例１と同様の方法によつて吹付けて金属鉄薄
膜を形成し、これを酸化、還元、再酸化してγ―
Fe2O3の薄膜とした。金属鉄薄膜の厚さは1200
Å、γ―Fe2O3の磁気特性は、He＝320O¨e、Br
＝2400ガウスであつた。
れたパイレツクスガラス基板にFeCl3の蒸発煙を
実施例１と同様の方法によつて吹付けて金属鉄薄
膜を形成し、これを酸化、還元、再酸化してγ―
Fe2O3の薄膜とした。金属鉄薄膜の厚さは1200
Å、γ―Fe2O3の磁気特性は、He＝320O¨e、Br
＝2400ガウスであつた。
〔実施例 ３〕
FeCl3の加熱温度を350℃とし、表面を鏡面研
磨した後、1450℃で熱処理したアルミナ基板を
650℃に加熱し、水素ガス中においてFeCl3の蒸
発煙をノズルによりアルミナ基板の表面に15秒間
吹付けた、アルミナ基板の表面に形成された金属
鉄薄膜の厚さは3500Åであり、これを酸化、還
元、再酸化してえたγ―Fe2O3の磁気特性は、
He＝380O¨e、Br＝2700ガウスであつた。
磨した後、1450℃で熱処理したアルミナ基板を
650℃に加熱し、水素ガス中においてFeCl3の蒸
発煙をノズルによりアルミナ基板の表面に15秒間
吹付けた、アルミナ基板の表面に形成された金属
鉄薄膜の厚さは3500Åであり、これを酸化、還
元、再酸化してえたγ―Fe2O3の磁気特性は、
He＝380O¨e、Br＝2700ガウスであつた。
以上述べたように本発明の方法は、還元性気中
において、加熱された基板の表面にFeCl3の蒸発
煙を吹付けることによつて金属鉄の薄膜を形成
し、これを酸化、還元、再酸化して酸化物磁性薄
膜とする方法であつて、基板と強固に結合し、質
が緻密で表面の平滑な、磁気特性のすぐれた酸化
物磁性薄膜をうることのできる特長を有する。
において、加熱された基板の表面にFeCl3の蒸発
煙を吹付けることによつて金属鉄の薄膜を形成
し、これを酸化、還元、再酸化して酸化物磁性薄
膜とする方法であつて、基板と強固に結合し、質
が緻密で表面の平滑な、磁気特性のすぐれた酸化
物磁性薄膜をうることのできる特長を有する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 無水塩化鉄をその沸点前後の温度で加熱蒸発
してえた蒸発煙を、還元性ガスをキヤリアガスと
して加熱された基板上に導き、これと接触させて
その表面に金属鉄の薄膜を形成し、該薄膜を酸化
してα―Fe2O3となし、次にこれを還元して
Fe3O4とした後、再び酸化してγ―Fe2O3とする
ことを特徴とする酸化物磁性薄膜の製造法。 ２ 特許請求の範囲１において、前記無水塩化鉄
はFeCl3であつてその加熱蒸発の温度は250℃〜
350℃であり、前記基板の加熱温度は400゜〜700℃
であることを特徴とする酸化物磁性薄膜の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8617780A JPS5711833A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Preparation of thin oxide magnetic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8617780A JPS5711833A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Preparation of thin oxide magnetic film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711833A JPS5711833A (en) | 1982-01-21 |
| JPS646529B2 true JPS646529B2 (ja) | 1989-02-03 |
Family
ID=13879470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8617780A Granted JPS5711833A (en) | 1980-06-25 | 1980-06-25 | Preparation of thin oxide magnetic film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5711833A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06235660A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nec Corp | 分光分析装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5265898A (en) * | 1975-11-26 | 1977-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparing oxidized magnetic thin film |
-
1980
- 1980-06-25 JP JP8617780A patent/JPS5711833A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06235660A (ja) * | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Nec Corp | 分光分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711833A (en) | 1982-01-21 |
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