JPH0456779B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0456779B2 JPH0456779B2 JP27518784A JP27518784A JPH0456779B2 JP H0456779 B2 JPH0456779 B2 JP H0456779B2 JP 27518784 A JP27518784 A JP 27518784A JP 27518784 A JP27518784 A JP 27518784A JP H0456779 B2 JPH0456779 B2 JP H0456779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid surface
- ferrite
- forming
- liquid film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compounds Of Iron (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、磁
気ヘツド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪
素子、磁気音響素子などに広く応用されている
Fe3+を含むスピネル型フエライト膜の作製法に
係り、特に金属、非金属を問わず固体表面に、少
なくとも第１鉄イオンを水溶液を用いて高温
（300℃以上）での熱処理を必要とせずに、スピネ
ル型構造の結晶性フエライトを効率よく堆積・作
成させる方法に関する。
気ヘツド、磁気光学素子、マイクロ波素子、磁歪
素子、磁気音響素子などに広く応用されている
Fe3+を含むスピネル型フエライト膜の作製法に
係り、特に金属、非金属を問わず固体表面に、少
なくとも第１鉄イオンを水溶液を用いて高温
（300℃以上）での熱処理を必要とせずに、スピネ
ル型構造の結晶性フエライトを効率よく堆積・作
成させる方法に関する。
［発明の背景］
従来、フエライト膜を固体表面に形成する方法
としては、バインダーを用いる塗布法あるいはシ
ート法によるか、バインダーを用いない方法によ
るかに大別されている。
としては、バインダーを用いる塗布法あるいはシ
ート法によるか、バインダーを用いない方法によ
るかに大別されている。
塗布法によるフエライト膜の例としては、現在
磁気テープ、磁気デイスク等には広く用いられて
いるが、(イ)フエライト粒子の間の非磁性のバイン
ダーが存在するため磁気記録密度が低く、また磁
気光学素子、磁歪素子、磁気音響素子などの多結
晶であることを必要とする素子には利用できな
い、(ロ)膜の磁気異方性を得るのにフエライト粒子
の形状異方性を利用するため、針状の微粒子が得
られるγ−Fe2 O3，Fe3 O4に限られる、とい
う制約があつた。
磁気テープ、磁気デイスク等には広く用いられて
いるが、(イ)フエライト粒子の間の非磁性のバイン
ダーが存在するため磁気記録密度が低く、また磁
気光学素子、磁歪素子、磁気音響素子などの多結
晶であることを必要とする素子には利用できな
い、(ロ)膜の磁気異方性を得るのにフエライト粒子
の形状異方性を利用するため、針状の微粒子が得
られるγ−Fe2 O3，Fe3 O4に限られる、とい
う制約があつた。
またシート法によるフエライト膜は、フエライ
ト粒子の充填率が低いために１mm以上の厚い膜と
して電波吸収体として利用される程度であり、高
充填率を必要とする前記した各種素子には利用で
きないという制約がある。
ト粒子の充填率が低いために１mm以上の厚い膜と
して電波吸収体として利用される程度であり、高
充填率を必要とする前記した各種素子には利用で
きないという制約がある。
一方、バインダーを用いないフエライト膜作製
法としては、(1)溶液コート法、(2)電気泳動電着
法、(3)スパツタ、真空蒸着、アーク放電などの乾
式メツキ法、(4)溶融スプレー法、(5)気相成長法な
どが従来知られているが、前記(1)〜(3)の方法では
膜を非晶質状態で堆積させた後所望するフエライ
ト結晶構造をもつた膜とする手法であるため、
(1)，(2)では700℃の高温の熱処理、(3)ではフエラ
イトが金属元素として鉄のみを含む場合でも300
℃以上、鉄以外の金属元素をも含む場合には700
℃以上の高温で熱処理を施さねばならない。また
(4)の方法では膜堆積中において基板を1000℃以上
に保たねばならず、更に(5)の方法でも基盤が高融
点の酸化物単結晶のものでなければならないの
で、結局これらのいずれの方法によるとしても融
点、分解温度の低い物質を基板として用いること
ができない制約があつた。
法としては、(1)溶液コート法、(2)電気泳動電着
法、(3)スパツタ、真空蒸着、アーク放電などの乾
式メツキ法、(4)溶融スプレー法、(5)気相成長法な
どが従来知られているが、前記(1)〜(3)の方法では
膜を非晶質状態で堆積させた後所望するフエライ
ト結晶構造をもつた膜とする手法であるため、
(1)，(2)では700℃の高温の熱処理、(3)ではフエラ
イトが金属元素として鉄のみを含む場合でも300
℃以上、鉄以外の金属元素をも含む場合には700
℃以上の高温で熱処理を施さねばならない。また
(4)の方法では膜堆積中において基板を1000℃以上
に保たねばならず、更に(5)の方法でも基盤が高融
点の酸化物単結晶のものでなければならないの
で、結局これらのいずれの方法によるとしても融
点、分解温度の低い物質を基板として用いること
ができない制約があつた。
そこで、本発明者等は、前記した従来のフエラ
イト膜形成の方法とはその技術思想を全く異にし
た新規な方法、すなわち固体表面に、金属イオン
として少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接
触させて、前記固体表面にFeOH+又はこれと他
の水酸化金属イオンを吸着させ、吸着FeOH+の
酸化によりフエライト結晶化反応を行なわせるフ
エライト膜形成法を提案（特開昭59−111929号公
報）した。
イト膜形成の方法とはその技術思想を全く異にし
た新規な方法、すなわち固体表面に、金属イオン
として少なくとも第１鉄イオンを含む水溶液を接
触させて、前記固体表面にFeOH+又はこれと他
の水酸化金属イオンを吸着させ、吸着FeOH+の
酸化によりフエライト結晶化反応を行なわせるフ
エライト膜形成法を提案（特開昭59−111929号公
報）した。
このフエライト膜形成法は、例えば、水溶液浴
中のフエライトを構成する金属をフエライトとし
て析出させる目的に従い、まず固体と水溶液の境
界面における界面活性を利用した固体表面での反
応により、金属イオンを固体表面に吸着させ、次
いで該金属イオンを適宜の方法で酸化せしめて、
フエライト膜を形成せしめるものである。
中のフエライトを構成する金属をフエライトとし
て析出させる目的に従い、まず固体と水溶液の境
界面における界面活性を利用した固体表面での反
応により、金属イオンを固体表面に吸着させ、次
いで該金属イオンを適宜の方法で酸化せしめて、
フエライト膜を形成せしめるものである。
代表的には、Fe3+を含むスピネル型構造の結
晶性フエライト膜は、以下の方法により形成され
る。
晶性フエライト膜は、以下の方法により形成され
る。
すなわち、少なくともFeOH+を含む水溶液中
に、吸着に対して界面活性をもつ固体を浸すと、
この固体表面上にはFeOH+が吸着される。これ
を化学式で表すと次（）式の如くなる。
に、吸着に対して界面活性をもつ固体を浸すと、
この固体表面上にはFeOH+が吸着される。これ
を化学式で表すと次（）式の如くなる。
FeOH+→FeOH+−（固体） （）
なお、水溶液中に第１鉄イオンがFeOH+以外
の形すなわちFeA〓+(2-〓〓)（ただしＡは価数αの陰
イオンであり、例えばSO2- 4とすればα＝２、β
＝１）で存在し、加水分解を伴なつて前記（）
式の反応を次式の如く生じさせる場合 FeA〓+(2-〓
の形すなわちFeA〓+(2-〓〓)（ただしＡは価数αの陰
イオンであり、例えばSO2- 4とすればα＝２、β
＝１）で存在し、加水分解を伴なつて前記（）
式の反応を次式の如く生じさせる場合 FeA〓+(2-〓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フエライト膜を形成させる固体表面を常に薄
い液膜で漏らした状態に維持するため、少なくと
も第１鉄イオンを含む脱酸素水溶液を前記固体表
面に連続的に流下又は噴霧し、該液膜内で前記固
体表面に吸着する水酸化第１鉄イオン又はこれと
他の水酸化金属イオンを、前記水溶液の流下又は
噴霧と並行して液膜内に連続的に酸素を供給する
ことで酸化させ、フエライト結晶化反応を行なわ
せることを特徴とするフエライト膜の形成方法。 ２ 固体表面上への薄い液膜の形成を含酸素雰囲
気下で行なうことで、液膜中に酸素を供給するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
フエライト膜の形成方法。 ３ 固体表面上の薄い液膜に含酸素気体を吹き付
けることで、液膜中の酸素を供給することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載したフエライ
ト膜の形成方法。 ４ 固体表面上に水溶液を噴霧するためのガスに
含酸素気体を用いることで、液膜中に酸素を供給
することを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載したフエライト膜の形成方法。 ５ 固体表面上の液膜を形成する水溶液は、重力
又は遠心力によつて流動性が付与されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載したフ
エライト膜の形成方法。 ６ 固体表面上の液膜を形成する水溶液が、付与
された流動性により固体表面から連続的に流出す
るようになつていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載したフエライト膜の形成方法。 ７ 固体表面がプラズマで前処理されたものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
６項のいずれかに記載したフエライト膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27518784A JPS61179877A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | フエライト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27518784A JPS61179877A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | フエライト膜の形成方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6416085A Division JPS61222924A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | フエライト膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179877A JPS61179877A (ja) | 1986-08-12 |
| JPH0456779B2 true JPH0456779B2 (ja) | 1992-09-09 |
Family
ID=17551891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27518784A Granted JPS61179877A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | フエライト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179877A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2508479B2 (ja) * | 1987-02-24 | 1996-06-19 | ソニー株式会社 | 軟磁性フエライト薄膜 |
| US7160636B2 (en) | 2002-09-13 | 2007-01-09 | Nec Tokin Corporation | Ferrite thin film, method of manufacturing the same and electromagnetic noise suppressor using the same |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP27518784A patent/JPS61179877A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61179877A (ja) | 1986-08-12 |
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