JPS647507B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS647507B2 JPS647507B2 JP58211782A JP21178283A JPS647507B2 JP S647507 B2 JPS647507 B2 JP S647507B2 JP 58211782 A JP58211782 A JP 58211782A JP 21178283 A JP21178283 A JP 21178283A JP S647507 B2 JPS647507 B2 JP S647507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- logic integrated
- scan path
- circuit section
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体論理集積装置に関し、特にス
キヤン・パス方式を採用した半導体論理集積装置
に関する。最近の半導体論理集積装置は、微細加
工技術等の製造技術の進歩と、CADツールの発
達による設計工数上の制限の解消により、その論
理規模が、ますます増大し、複雑な論理を実現す
るようになつてきている。一般に論理規模が大き
くなればなるほど、半導体論理集積装置に取り込
まれる順序回路はその数が増大し、その状態を設
定するのに、非常にに多くの入力信号の組合せ
(入力パターン)を要する。また、この順序回路
はその内部状態を確認するにも多大な入力パター
ンが必要となる。入力パターン数の増大は、その
作成に多大な工数を要するとともに、その論理集
積回路の機能試験を行うのに、発生可能なテス
ト・ベクトル数の大きな、高価なLSIテスターを
必要とし、大規模論理集積回路を設計開発するに
際し、機能試験をどのように行うかが、その開発
工数に多大な影響を与えるようになつてきてい
る。
キヤン・パス方式を採用した半導体論理集積装置
に関する。最近の半導体論理集積装置は、微細加
工技術等の製造技術の進歩と、CADツールの発
達による設計工数上の制限の解消により、その論
理規模が、ますます増大し、複雑な論理を実現す
るようになつてきている。一般に論理規模が大き
くなればなるほど、半導体論理集積装置に取り込
まれる順序回路はその数が増大し、その状態を設
定するのに、非常にに多くの入力信号の組合せ
(入力パターン)を要する。また、この順序回路
はその内部状態を確認するにも多大な入力パター
ンが必要となる。入力パターン数の増大は、その
作成に多大な工数を要するとともに、その論理集
積回路の機能試験を行うのに、発生可能なテス
ト・ベクトル数の大きな、高価なLSIテスターを
必要とし、大規模論理集積回路を設計開発するに
際し、機能試験をどのように行うかが、その開発
工数に多大な影響を与えるようになつてきてい
る。
たとえば、半導体論理集積装置は第1図に示す
ように単純な、組合せ回路部102とスキヤン・
パス構成順序回路部101とにより構成されてい
る。このスキヤンパス構成順序回路部101は、
更に切換スイツチ103と順序回路104とから
成り、シフト制御端子105からの制御信号によ
り、切換スイツチ103を作動させスキヤン・パ
スを構成するか、通常の論理回路を構成するかを
選択する。
ように単純な、組合せ回路部102とスキヤン・
パス構成順序回路部101とにより構成されてい
る。このスキヤンパス構成順序回路部101は、
更に切換スイツチ103と順序回路104とから
成り、シフト制御端子105からの制御信号によ
り、切換スイツチ103を作動させスキヤン・パ
スを構成するか、通常の論理回路を構成するかを
選択する。
この半導体論理集積装置は通常動作時に、チツ
プと外部との信号の受渡しが端子109,110
および111で行われ、スキヤン・パス構成時に
は、クロツク端子107からのクロツク信号によ
り、シフト・入力端子(SIN)106から、信号
を1ビツトづつ、内部の順序回路104に取入
れ、内部状態を設定する。また、シフト・出力端
子(SOT)108から、クロツク端子107の
クロツク信号により1ビツトづつ、順序回路10
4の内部状態が読み出される。
プと外部との信号の受渡しが端子109,110
および111で行われ、スキヤン・パス構成時に
は、クロツク端子107からのクロツク信号によ
り、シフト・入力端子(SIN)106から、信号
を1ビツトづつ、内部の順序回路104に取入
れ、内部状態を設定する。また、シフト・出力端
子(SOT)108から、クロツク端子107の
クロツク信号により1ビツトづつ、順序回路10
4の内部状態が読み出される。
この従来の半導体論理集積装置はクロツク端子
107からのクロツク信号1パルスにつき、1ビ
ツトだけしかシフトしないので、順序回路の数
が、N個であるとすると、任意の順序回路の状態
を設定するのに最悪N個のクロツク・パルスを必
要とし、これを高価なLSIテスターを使用せずに
行えば、非常に繁雑な操作となり、装置自身の規
模が、大きくなり、スキヤン・パスのビツト数N
が、増加すれば、するだけ、繁雑になる。
107からのクロツク信号1パルスにつき、1ビ
ツトだけしかシフトしないので、順序回路の数
が、N個であるとすると、任意の順序回路の状態
を設定するのに最悪N個のクロツク・パルスを必
要とし、これを高価なLSIテスターを使用せずに
行えば、非常に繁雑な操作となり、装置自身の規
模が、大きくなり、スキヤン・パスのビツト数N
が、増加すれば、するだけ、繁雑になる。
このように半導体論理集積装置は内部の順序回
路をある制御信号により、組合せ回路から切離
し、内部に含まれる全ての順序回路を一連のシフ
ト・レジスターとして動作させる径路(スキヤ
ン・パス)を構成し、論理集積回路の順序回路の
状態を外部からのシリアル信号の入力により自由
に設定でき、また順序回路に設定された状態も、
このスキヤン・パスを用いシリアル信号の出力と
して外部に、取り出せるようにしたが、半導体論
理集積装置の内部状態が自由自在に設定できると
残りの組合せ回路の試験をするにも、簡単なアル
ゴリズムにより、入力信号の組合せを考えるだけ
ですむので、計算機によるテスト・パターンの自
動作成が可能となり、大幅な、論理集積回路開発
工数の削減となる。
路をある制御信号により、組合せ回路から切離
し、内部に含まれる全ての順序回路を一連のシフ
ト・レジスターとして動作させる径路(スキヤ
ン・パス)を構成し、論理集積回路の順序回路の
状態を外部からのシリアル信号の入力により自由
に設定でき、また順序回路に設定された状態も、
このスキヤン・パスを用いシリアル信号の出力と
して外部に、取り出せるようにしたが、半導体論
理集積装置の内部状態が自由自在に設定できると
残りの組合せ回路の試験をするにも、簡単なアル
ゴリズムにより、入力信号の組合せを考えるだけ
ですむので、計算機によるテスト・パターンの自
動作成が可能となり、大幅な、論理集積回路開発
工数の削減となる。
しかし、従来の半導体論理集積装置の回路構成
に、このスキヤン・パスを導入しても、論理集積
回路の機能試験において、高価なLSIテスターを
使用するか、または繁雑な、操作を行いシリアル
入力信号を、論理集積回路の内部に送出し、さら
に、論理集積回路の内部状態を読み出すときに
も、繁雑な操作を要し、また、この操作は、論理
集積回路の規模が大きくなり、内部の順序回路の
数が増し、スキヤン・パスのビツト数がふえれ
ば、ふえるほど、繁雑さが増すことになる等の欠
点を有していた。
に、このスキヤン・パスを導入しても、論理集積
回路の機能試験において、高価なLSIテスターを
使用するか、または繁雑な、操作を行いシリアル
入力信号を、論理集積回路の内部に送出し、さら
に、論理集積回路の内部状態を読み出すときに
も、繁雑な操作を要し、また、この操作は、論理
集積回路の規模が大きくなり、内部の順序回路の
数が増し、スキヤン・パスのビツト数がふえれ
ば、ふえるほど、繁雑さが増すことになる等の欠
点を有していた。
本発明の目的は、従来の半導体論理集積装置の
欠点を解消すると共に大規模論理集積回路の内部
状態を設定し、機能試験を容易ならしめる半導体
論理集積装置を提供することにある。
欠点を解消すると共に大規模論理集積回路の内部
状態を設定し、機能試験を容易ならしめる半導体
論理集積装置を提供することにある。
更に本発明の目的は、論理集積回路において、
スキヤン・パスを構成し、さらに、該スキヤン・
パスのビツト数だのパルス列を発生する発振器を
チツプ内に形成して、機能試験を容易にした、半
導体論理集積装置を提供することにある。
スキヤン・パスを構成し、さらに、該スキヤン・
パスのビツト数だのパルス列を発生する発振器を
チツプ内に形成して、機能試験を容易にした、半
導体論理集積装置を提供することにある。
本発明によれば、組合せ回路および順序回路部
を有する半導体論理集積装置において、順序回路
部の全てが、一連のシフト・レジスタとして作動
する経路(スキヤン・パス)を設けるとともに、
前記スキヤン・パスのビツト数だけのパルス列を
発生する発振回路部を設けたことを特徴とする半
導体論理集積装置が得られる。
を有する半導体論理集積装置において、順序回路
部の全てが、一連のシフト・レジスタとして作動
する経路(スキヤン・パス)を設けるとともに、
前記スキヤン・パスのビツト数だけのパルス列を
発生する発振回路部を設けたことを特徴とする半
導体論理集積装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説
明する。
明する。
第2図は本発明の一実施例の半導体論理集積装
置を示す。第2図において、本実施例は組合せ回
路部201と、該組合せ回路部201に接続さ
れ、一連のシフト・レジスタを構成する順序回路
202と、該順序回路202に接続され、パルス
列を発生する発振回路部203とを含む。
置を示す。第2図において、本実施例は組合せ回
路部201と、該組合せ回路部201に接続さ
れ、一連のシフト・レジスタを構成する順序回路
202と、該順序回路202に接続され、パルス
列を発生する発振回路部203とを含む。
組合せ回路部201は第1図の組合せ回路10
2に相当し、順序回路部202は第1図の順序回
路部101に相当する。順序回路部202はスキ
ヤンパ構成で、一連のシフトレジスタとしての機
能を有しており、かつシフト入力端子204およ
びシフト出力端子205を有している。
2に相当し、順序回路部202は第1図の順序回
路部101に相当する。順序回路部202はスキ
ヤンパ構成で、一連のシフトレジスタとしての機
能を有しており、かつシフト入力端子204およ
びシフト出力端子205を有している。
発振回路部203はスキヤン・パスのビツト数
だけのパルス列を発生する発振器で、発振制御信
号206により、通常の発振器として作動し、か
つチツプのクロツク信号としても作動する。更
に、この発振回路部203は発振開始指示端子2
07からの1つのパルス信号により、スキヤン・
パスのビツト数だけのパルス列を発生し、このパ
ルス列を、スキヤン・パスのクロツクとして入力
することにより、順序回路の全ビツトの状態の設
定及び読出しができる。即ち、スキヤン・パス構
成順序回路部202は、ただ1つのパルス信号に
より、任意に設定及び状態の読出しができるよう
になり、繁雑な操作を必要としなくなる。
だけのパルス列を発生する発振器で、発振制御信
号206により、通常の発振器として作動し、か
つチツプのクロツク信号としても作動する。更
に、この発振回路部203は発振開始指示端子2
07からの1つのパルス信号により、スキヤン・
パスのビツト数だけのパルス列を発生し、このパ
ルス列を、スキヤン・パスのクロツクとして入力
することにより、順序回路の全ビツトの状態の設
定及び読出しができる。即ち、スキヤン・パス構
成順序回路部202は、ただ1つのパルス信号に
より、任意に設定及び状態の読出しができるよう
になり、繁雑な操作を必要としなくなる。
第3図は本実施例に用いる発振回路部の具体的
な構成例を示し、第4図は、第3図の発振器の動
作を示すタイミング・チヤートを示す。第3図お
よび第4図において、この発振回路部203はゲ
ート回路およびインバータ回路等で構成され、発
振制御端子に接続される発振器301と、複数の
フリツプフロツプで構成され前記発振器301に
接続されるカウンタ302と、発振制御開始端子
207に接続され、前記カウンタ302を作動せ
しめるフリツプフロツプ306と、発振出力信号
を送出するアンド回路311とを有する。
な構成例を示し、第4図は、第3図の発振器の動
作を示すタイミング・チヤートを示す。第3図お
よび第4図において、この発振回路部203はゲ
ート回路およびインバータ回路等で構成され、発
振制御端子に接続される発振器301と、複数の
フリツプフロツプで構成され前記発振器301に
接続されるカウンタ302と、発振制御開始端子
207に接続され、前記カウンタ302を作動せ
しめるフリツプフロツプ306と、発振出力信号
を送出するアンド回路311とを有する。
発振器301は出力端子がアンド回路311お
よびインバータ回路312に接続され、アンド回
路311の出力端子は発振出力端子208に接続
されている。インバータ回路312はカウンタ3
02の入力側にあるフリツプフロツプおよびアン
ド回路313の一端に接続されている。
よびインバータ回路312に接続され、アンド回
路311の出力端子は発振出力端子208に接続
されている。インバータ回路312はカウンタ3
02の入力側にあるフリツプフロツプおよびアン
ド回路313の一端に接続されている。
カウンタ302は各フリツプフロツプの出力が
ナンド回路321に接続されており、その出力が
アンド回路313および発振器301のオア回路
315に接続されている。アンド回路313の出
力はフリツプフロツプ306のR端子に接続され
ている。
ナンド回路321に接続されており、その出力が
アンド回路313および発振器301のオア回路
315に接続されている。アンド回路313の出
力はフリツプフロツプ306のR端子に接続され
ている。
フリツプフロツプ306はQ出力端子がインバ
ータ回路314を介してアンド回路311に接続
されている。
ータ回路314を介してアンド回路311に接続
されている。
次に発振制御端子206に信号“1”が入力さ
れると、発振器301は無条件に発振を行い、チ
ツプのクロツクとして機能する。この発振器30
1は振制御端子206の信号が“0”のときに、
発振開始指示端子(CKST)207に第4図に示
すようなパルスaが1つ入力されることにより、
フリツプフロツプ306のQ出力信号bが“1”
になり、カウンター302が、初期化される。こ
のカウンター302が初期化されると、カウンタ
302の出力信号cが“1”になり、発振器30
1の発振が開始する。発振が開始されると、フリ
ツプ・フロツプ306はリセツトされ、カウンタ
ー302の初期化信号が解除され、発振器の発振
出力に従い、カウンター302が、カウント動作
を開始し、カウンター302を構成する全フリツ
プ・フロツプのQ出力信号が“1”になると、ナ
ンド回路321の出力信号cが“0”になり、発
振器301が停止する。すなわちカウンター30
2は各フリツプ・フロツプのセツト・リセツトを
適当に組合せて初期化することにより、任意のN
個のパルス列を発生することができる。
れると、発振器301は無条件に発振を行い、チ
ツプのクロツクとして機能する。この発振器30
1は振制御端子206の信号が“0”のときに、
発振開始指示端子(CKST)207に第4図に示
すようなパルスaが1つ入力されることにより、
フリツプフロツプ306のQ出力信号bが“1”
になり、カウンター302が、初期化される。こ
のカウンター302が初期化されると、カウンタ
302の出力信号cが“1”になり、発振器30
1の発振が開始する。発振が開始されると、フリ
ツプ・フロツプ306はリセツトされ、カウンタ
ー302の初期化信号が解除され、発振器の発振
出力に従い、カウンター302が、カウント動作
を開始し、カウンター302を構成する全フリツ
プ・フロツプのQ出力信号が“1”になると、ナ
ンド回路321の出力信号cが“0”になり、発
振器301が停止する。すなわちカウンター30
2は各フリツプ・フロツプのセツト・リセツトを
適当に組合せて初期化することにより、任意のN
個のパルス列を発生することができる。
したがつて、発振器301はパルスeを所望の
数をアンド回路311から送出することができ
る。
数をアンド回路311から送出することができ
る。
次に、第5図を参照して、本実施例の半導体論
理集積装置を説明する。第5図において、本実施
例の半導体装置200は、内部状態設定用シフ
ト・レジスター520と、内部状態読出し用シフ
ト・レジスター530とに接続される。この半導
体装置の機能試験を実施するには、まず、内部状
態設定用シフト・レジスター520の各ビツトの
データ入力端子521に簡単な切換えスイツチ等
により“0”または、“1”を設定し、内部状態
設定用シフト・レジスター520にパラレル・ロ
ードを行う。
理集積装置を説明する。第5図において、本実施
例の半導体装置200は、内部状態設定用シフ
ト・レジスター520と、内部状態読出し用シフ
ト・レジスター530とに接続される。この半導
体装置の機能試験を実施するには、まず、内部状
態設定用シフト・レジスター520の各ビツトの
データ入力端子521に簡単な切換えスイツチ等
により“0”または、“1”を設定し、内部状態
設定用シフト・レジスター520にパラレル・ロ
ードを行う。
次に、この半導体論理集積装置200は発振開
始指示端子(CKST)に、パルス1つ入力するこ
とにより、内部状態設定用シフト・レジスター5
20の状態が、シフト入力端子(SIN)から、に
書込まれ、所望の内部状態に設定する。内部状態
設定後は、他の入力端子の入力信号に対する出力
端子の出力信号を確認し、次に、発振開始指示端
子(CKST)に、次のパルスを1つ入力すること
により、内部状態読出し用シフト・レジスター5
30に、シフト出力端子(SOT)から、内部状
態が読出される。
始指示端子(CKST)に、パルス1つ入力するこ
とにより、内部状態設定用シフト・レジスター5
20の状態が、シフト入力端子(SIN)から、に
書込まれ、所望の内部状態に設定する。内部状態
設定後は、他の入力端子の入力信号に対する出力
端子の出力信号を確認し、次に、発振開始指示端
子(CKST)に、次のパルスを1つ入力すること
により、内部状態読出し用シフト・レジスター5
30に、シフト出力端子(SOT)から、内部状
態が読出される。
内部状態読出し用シフト・レジスター503は
各フリツプ・フロツプのQ出力にLED等の簡単
な表示装置を取付ければ容易に内部状態の確認
が、行なえる。
各フリツプ・フロツプのQ出力にLED等の簡単
な表示装置を取付ければ容易に内部状態の確認
が、行なえる。
本実施例においてはこうした一連の操作を行う
ことにより、複雑な論理回路の機能試験が簡単に
行え、かつ、内部状態設定用シフト・レジスター
520と内部状態読出し用のシフト・レジスター
530を1つのシフト・レジスターで行うことが
できる。つまり、本半導体論理集積装置はシフト
出力端子(SOT)からの出力信号をシフト・レ
ジスター520のシリアル入力にすると、読出さ
れた内部状態を次の発振開始信号により、そのま
ま半導体論理集積装置に戻すことが、可能にな
る。
ことにより、複雑な論理回路の機能試験が簡単に
行え、かつ、内部状態設定用シフト・レジスター
520と内部状態読出し用のシフト・レジスター
530を1つのシフト・レジスターで行うことが
できる。つまり、本半導体論理集積装置はシフト
出力端子(SOT)からの出力信号をシフト・レ
ジスター520のシリアル入力にすると、読出さ
れた内部状態を次の発振開始信号により、そのま
ま半導体論理集積装置に戻すことが、可能にな
る。
本発明は以上説明したように複雑な論理集積回
路に対して高価なLSIテスターを使用しなくて
も、容易に機能試験を行えることで、今日、ます
ます、論理集積回路が大規模化するなかで、非常
に顕著なものとなり、またスキヤン・パスのビツ
ト数を、チツプ内で自動的に発生するパルス列に
よつてシフトさせるので、シフト回数の誤りによ
るスキヤン・パスの状態設定ミスが解消される効
果が得られる。
路に対して高価なLSIテスターを使用しなくて
も、容易に機能試験を行えることで、今日、ます
ます、論理集積回路が大規模化するなかで、非常
に顕著なものとなり、またスキヤン・パスのビツ
ト数を、チツプ内で自動的に発生するパルス列に
よつてシフトさせるので、シフト回数の誤りによ
るスキヤン・パスの状態設定ミスが解消される効
果が得られる。
第1図は、従来のスキヤン・パスを持つた論理
集積回路を示す図、第2図は、本発明の実施例で
ある半導体論理集積装置を示す図、第3図は、本
発明の実施例に使用した、スキヤン・パスのビツ
ト数たのパルス列を発生する発振器を示す図、第
4図は、第3図の発振器の動作を表わす、タイミ
ング・チヤートを示す図、第5図は、本発明の実
施例である半導体論理集積装置を適用した例を示
す図である。 101……スキヤン・パス構成順序回路部、1
02……組合せ回路部、103……切換スイツ
チ、104……順序回路、105……シフト制御
端子、106……シフト入力端子、107……ク
ロツク入力端子、108……シフト出力端子、1
09,110,111……入力または、出力端
子、200……半導体論理集積装置、201……
組合せ回路部、202……スキヤン・パス構成順
序回路部、203……発振回路部、204……シ
フト入力端子、205……シフト出力端子、20
6……発振制御端子、207……発振開始指示端
子、208……発振出力端子、301……発振
器、302……カウンター、306……カウンタ
ー初期化制御フリツプ・フロツプ、401〜40
5……信号波形、520……内部状態設定用シフ
ト・レジスター、521……データ入力端子、5
30……内部状態読出し用シフト・レジスター、
531……データ出力端子。
集積回路を示す図、第2図は、本発明の実施例で
ある半導体論理集積装置を示す図、第3図は、本
発明の実施例に使用した、スキヤン・パスのビツ
ト数たのパルス列を発生する発振器を示す図、第
4図は、第3図の発振器の動作を表わす、タイミ
ング・チヤートを示す図、第5図は、本発明の実
施例である半導体論理集積装置を適用した例を示
す図である。 101……スキヤン・パス構成順序回路部、1
02……組合せ回路部、103……切換スイツ
チ、104……順序回路、105……シフト制御
端子、106……シフト入力端子、107……ク
ロツク入力端子、108……シフト出力端子、1
09,110,111……入力または、出力端
子、200……半導体論理集積装置、201……
組合せ回路部、202……スキヤン・パス構成順
序回路部、203……発振回路部、204……シ
フト入力端子、205……シフト出力端子、20
6……発振制御端子、207……発振開始指示端
子、208……発振出力端子、301……発振
器、302……カウンター、306……カウンタ
ー初期化制御フリツプ・フロツプ、401〜40
5……信号波形、520……内部状態設定用シフ
ト・レジスター、521……データ入力端子、5
30……内部状態読出し用シフト・レジスター、
531……データ出力端子。
Claims (1)
- 1 組合せ回路部および順序回路部を有する半導
体論理集積装置において、順序回路部の全てが、
一連のシフト・レジスタとして作動するスキヤ
ン・パスを設けるとともに、前記スキヤン・パス
のビツト数だけのパルス列を発生する発振回路部
を設けたことを特徴とする半導体論理集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211782A JPS60103638A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体論理集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58211782A JPS60103638A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体論理集積装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60103638A JPS60103638A (ja) | 1985-06-07 |
| JPS647507B2 true JPS647507B2 (ja) | 1989-02-09 |
Family
ID=16611506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58211782A Granted JPS60103638A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体論理集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60103638A (ja) |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP58211782A patent/JPS60103638A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60103638A (ja) | 1985-06-07 |
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