JPS648472B2 - - Google Patents
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- JPS648472B2 JPS648472B2 JP55019877A JP1987780A JPS648472B2 JP S648472 B2 JPS648472 B2 JP S648472B2 JP 55019877 A JP55019877 A JP 55019877A JP 1987780 A JP1987780 A JP 1987780A JP S648472 B2 JPS648472 B2 JP S648472B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
- H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
- H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Image Input (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一次元イメージセンサー、特に等倍も
しくは等倍に近い縮率で原稿の画像を走査するの
に適した一次元イメージセンサーに関する。
しくは等倍に近い縮率で原稿の画像を走査するの
に適した一次元イメージセンサーに関する。
従来のこの種のイメージセンサーにおいては、
受光素子の電極に接続すべき集積回路（IC）チ
ツプが電極と同一の基板上に配置されておらず、
従つてセンサー全体が大形となり、またICチツ
プと電極との接続をワイヤボンデイングによつて
行なつていたため、イメージセンサーの製造の作
業能率が低い上、製品の信頼性が低いという問題
があつた。
受光素子の電極に接続すべき集積回路（IC）チ
ツプが電極と同一の基板上に配置されておらず、
従つてセンサー全体が大形となり、またICチツ
プと電極との接続をワイヤボンデイングによつて
行なつていたため、イメージセンサーの製造の作
業能率が低い上、製品の信頼性が低いという問題
があつた。
本発明の目的は、小形で信頼性が高く、かつ製
造が容易な一次元イメージセンサーを提供するこ
とにある。
造が容易な一次元イメージセンサーを提供するこ
とにある。
本発明の一次元イメージセンサーにおいては、
第１の基板の透明部分の上に共通電極、光導電性
物質層及び対電極を上下に積層することによりフ
オトダイオードを形成し、それらのフオトダイオ
ードを前記基板の長手方向にストライプ状に形成
することによりフオトダイオードアレイを構成
し、前記対電極の複数をそれぞれ群に分け、それ
らの対電極に順次駆動信号を印加する一次元イメ
ージセンサーにおいて、 前記第１の基板と別体にして前記第１の基板と
一体化される第２の基板と；予めテープキヤリア
にインナーリードボンデイングされており、前記
第２の基板上に前記対電極群に対応して設けられ
て、前記駆動信号が前記各対電極に印加される毎
に前記フオトダイオードの蓄積電荷を順次読み出
す制御を行う複数の集積回路チツプと；前記対電
極群に対応する前記集積回路チツプのテープキヤ
リアの導線に対して、アフターリードボンデイン
グによつて接続される、前記対電極群における前
記対電極の延長端と；を備えるものとして構成さ
れる。
第１の基板の透明部分の上に共通電極、光導電性
物質層及び対電極を上下に積層することによりフ
オトダイオードを形成し、それらのフオトダイオ
ードを前記基板の長手方向にストライプ状に形成
することによりフオトダイオードアレイを構成
し、前記対電極の複数をそれぞれ群に分け、それ
らの対電極に順次駆動信号を印加する一次元イメ
ージセンサーにおいて、 前記第１の基板と別体にして前記第１の基板と
一体化される第２の基板と；予めテープキヤリア
にインナーリードボンデイングされており、前記
第２の基板上に前記対電極群に対応して設けられ
て、前記駆動信号が前記各対電極に印加される毎
に前記フオトダイオードの蓄積電荷を順次読み出
す制御を行う複数の集積回路チツプと；前記対電
極群に対応する前記集積回路チツプのテープキヤ
リアの導線に対して、アフターリードボンデイン
グによつて接続される、前記対電極群における前
記対電極の延長端と；を備えるものとして構成さ
れる。
第１図は本発明に係る一次元イメージセンサー
の一実施例を示したもので、鎖線で示す部分の
断面が第２図に示されている。同図において、１
は帯状の基板で、幅方向の一方の側を占める受光
素子支持板１ａと他方の側を占めるICチツプ支
持板１ｂとにより構成されている。板１ａは透明
な材料、例えばガラスにより形成されている。板
１ｂは、例えばガラスエポキシ樹脂により形成さ
れている。２は補強板で、基板１と同一の平面形
状を有し、例えばガラスエポキシ樹脂により形成
されている。補強板２には、第２図および底面を
描いた第３図に示されるように、補強板２の板１
ａを接合した部分を縦方向に延びたスリツト状の
光窓２ａが設けられている。
の一実施例を示したもので、鎖線で示す部分の
断面が第２図に示されている。同図において、１
は帯状の基板で、幅方向の一方の側を占める受光
素子支持板１ａと他方の側を占めるICチツプ支
持板１ｂとにより構成されている。板１ａは透明
な材料、例えばガラスにより形成されている。板
１ｂは、例えばガラスエポキシ樹脂により形成さ
れている。２は補強板で、基板１と同一の平面形
状を有し、例えばガラスエポキシ樹脂により形成
されている。補強板２には、第２図および底面を
描いた第３図に示されるように、補強板２の板１
ａを接合した部分を縦方向に延びたスリツト状の
光窓２ａが設けられている。
３はフオトダイオードアレイで、第２図に示さ
れるように、基板１上に、光窓２ａ真上に、光窓
２ａに沿つてストライプ状に延びている。フオト
ダイオードアレイ３は、基板１の上に固着された
透明の共通電極４と、共通電極４の上に設けられ
た光導電性物質層５と、光導電性物質層５の上に
設けられた個別の対電極６とから成る。共通電極
４は例えばSnO2により形成されている。共通電
極４はその幅を第１図に鎖線Ｃで示すように大き
くして、電気抵抗を減少させることができる。
れるように、基板１上に、光窓２ａ真上に、光窓
２ａに沿つてストライプ状に延びている。フオト
ダイオードアレイ３は、基板１の上に固着された
透明の共通電極４と、共通電極４の上に設けられ
た光導電性物質層５と、光導電性物質層５の上に
設けられた個別の対電極６とから成る。共通電極
４は例えばSnO2により形成されている。共通電
極４はその幅を第１図に鎖線Ｃで示すように大き
くして、電気抵抗を減少させることができる。
光導電性物質層は、例えば第２図に示すように
透明電極４の上に順に設けられたCdS層５ａ、
CdTe層５ｂおよびAs2Se3層５ｃから成る。光導
電性物質層５は第２図に示すものの代りにアモル
フアスコルコゲナイド系のもので形成することも
できる。
透明電極４の上に順に設けられたCdS層５ａ、
CdTe層５ｂおよびAs2Se3層５ｃから成る。光導
電性物質層５は第２図に示すものの代りにアモル
フアスコルコゲナイド系のもので形成することも
できる。
個別の対電極６は、一定の数、例えば32個毎に
群G1，G2，G3……に分けられ、各群の個別の対
電極６はフオトダイオードアレイのストライプに
対し互いに同一の側に板１ａの板１ｂとの接合部
の近傍まで延びている。対電極６は例えばAuに
より形成されているが、蒸着法による場合、Au
のガラスに対する接着強度が弱いので、延長部分
６ａにおいてはAuとガラス板との間にCr層６ｂ
が介在している。
群G1，G2，G3……に分けられ、各群の個別の対
電極６はフオトダイオードアレイのストライプに
対し互いに同一の側に板１ａの板１ｂとの接合部
の近傍まで延びている。対電極６は例えばAuに
より形成されているが、蒸着法による場合、Au
のガラスに対する接着強度が弱いので、延長部分
６ａにおいてはAuとガラス板との間にCr層６ｂ
が介在している。
１１はICチツプで、対電極の各群に対して１
個ずつ設けられている。フオトダイオードアレイ
３の一端から数えて奇数番目の群G1，G3……に
対応するICチツプは互いに基板の幅方向の同一
の位置に設けられ、偶数番目の群G2，……に対
応するICチツプは互いに基板１の幅方向の同一
の位置に設けられている。また奇数番目の群に対
応するICチツプと偶数番目の群に対応するICチ
ツプは互いに幅方向の異なる位置に設けられてい
る。
個ずつ設けられている。フオトダイオードアレイ
３の一端から数えて奇数番目の群G1，G3……に
対応するICチツプは互いに基板の幅方向の同一
の位置に設けられ、偶数番目の群G2，……に対
応するICチツプは互いに基板１の幅方向の同一
の位置に設けられている。また奇数番目の群に対
応するICチツプと偶数番目の群に対応するICチ
ツプは互いに幅方向の異なる位置に設けられてい
る。
ICチツプ１１は、第４図に示すように、それ
ぞれフオトダイオードPDに接続された32個の
MOSスイツチMSと、MOSスイツチMSの開閉を
制御する32ビツトシフトレジスタSRとを備えて
いる。シフトレジスタSRはスタートパルスVsに
より起動され、クロツクパルスVcを受ける毎に
MOSスイツチMSを順に導通させる。各フオトダ
イオードは、接続されたMOSスイツチが非導通
の間の受光量に応じた電荷を蓄積し、接続された
MOSスイツチが導通した時に蓄積電荷を出力端
子Voutから出力する。
ぞれフオトダイオードPDに接続された32個の
MOSスイツチMSと、MOSスイツチMSの開閉を
制御する32ビツトシフトレジスタSRとを備えて
いる。シフトレジスタSRはスタートパルスVsに
より起動され、クロツクパルスVcを受ける毎に
MOSスイツチMSを順に導通させる。各フオトダ
イオードは、接続されたMOSスイツチが非導通
の間の受光量に応じた電荷を蓄積し、接続された
MOSスイツチが導通した時に蓄積電荷を出力端
子Voutから出力する。
ICチツプ１１は、それぞれ予めテープキヤリ
ア１２上にインナーリードボンデイングされたも
ので、テープキヤリアの導線の一端は板１ａ上に
おいてフオトダイオードアレイの個別電極の延長
端にアウターリードボンデイングされている。
ア１２上にインナーリードボンデイングされたも
ので、テープキヤリアの導線の一端は板１ａ上に
おいてフオトダイオードアレイの個別電極の延長
端にアウターリードボンデイングされている。
板１ｂの外側寄りの部分には縦方向に延びる入
出力線１３が設けられ、テープキヤリア１２の導
線の他端が入出力線１３にアウターリードボンデ
イングされている。入出力線１３の端部には端子
群１４が形成されている。この端子群１４からは
またアースライン１５が延びている。このアース
ラインは共通電極４に接続されている。
出力線１３が設けられ、テープキヤリア１２の導
線の他端が入出力線１３にアウターリードボンデ
イングされている。入出力線１３の端部には端子
群１４が形成されている。この端子群１４からは
またアースライン１５が延びている。このアース
ラインは共通電極４に接続されている。
フオトダイオードアレイ３やICチツプ１１を
載せた基板１の上面はカバー２１により覆われて
いる。
載せた基板１の上面はカバー２１により覆われて
いる。
製造にあたつて、フオトダイオードアレイを板
１ａ上に設け、テープキヤリアを接続したICチ
ツプを板１ｂの上に設けた後、補強板２に板１ａ
を接合し、次いで補強板２および板１ａに板１ｂ
を接合し、対電極の延長端にテープキヤリアの導
線をボンデイングする。このようにすれば、板１
ａへのフオトダイオードアレイの設置、および板
１ｂへのICの設置の後に、各組立部分の検査を
行なうことができる。従つて、歩留りを向上させ
ることができる。
１ａ上に設け、テープキヤリアを接続したICチ
ツプを板１ｂの上に設けた後、補強板２に板１ａ
を接合し、次いで補強板２および板１ａに板１ｂ
を接合し、対電極の延長端にテープキヤリアの導
線をボンデイングする。このようにすれば、板１
ａへのフオトダイオードアレイの設置、および板
１ｂへのICの設置の後に、各組立部分の検査を
行なうことができる。従つて、歩留りを向上させ
ることができる。
尚第５図のように、電極の配置を逆にしてもよ
い。即ち、Auで形成した共通電極を最上層とし、
SnO2で形成した対電極６を最下層とし、これら
の間に光導電性物質層５を介在させる。そして、
対電極６に、Auで形成された延長部６ａおよび
Crで形成された介在層６ｂを接続する。第４図
のフオトダイオードPDの接続極性が逆になる。
い。即ち、Auで形成した共通電極を最上層とし、
SnO2で形成した対電極６を最下層とし、これら
の間に光導電性物質層５を介在させる。そして、
対電極６に、Auで形成された延長部６ａおよび
Crで形成された介在層６ｂを接続する。第４図
のフオトダイオードPDの接続極性が逆になる。
ICチツプをフオトダイオードアレイと同一の
基板の上に設けることとしたので、イメージセン
サーが全体として小形になる。また、図示の実施
例のように、奇数番目のICチツプと偶数番目の
ICチツプとを互いに基板の幅方向の異なる位置
に設けることとすれば、ICチツプの寸法が大き
くても、ICチツプが互いにぶつかりあうことな
く、イメージセンサーを一層小形にすることがで
きる。さらに図示の実施例のように、対電極の延
長端にICチツプのテープキヤリアの導線をボン
デイングすることとすれば、ボンデイング部の信
頼性が高くなる。
基板の上に設けることとしたので、イメージセン
サーが全体として小形になる。また、図示の実施
例のように、奇数番目のICチツプと偶数番目の
ICチツプとを互いに基板の幅方向の異なる位置
に設けることとすれば、ICチツプの寸法が大き
くても、ICチツプが互いにぶつかりあうことな
く、イメージセンサーを一層小形にすることがで
きる。さらに図示の実施例のように、対電極の延
長端にICチツプのテープキヤリアの導線をボン
デイングすることとすれば、ボンデイング部の信
頼性が高くなる。
このように、本発明によれば、互いに別体の第
１及び第２の基板を設け、第１の基板にフオトダ
イオードを形成し、第２の基板に集積回路チツプ
を設け、それらのフオトダイオードと集積回路チ
ツプとを接続するようにしたので、第１の基板と
第２の基板とを互いに無関係にそれぞれ別々に検
査し、第１及び第２の基板のうちの良品のみを用
いることができ、それにより製品の歩留りを向上
させることができ、さらに、フオトダイオードと
集積回路チツプとを接続するに際し、集積回路チ
ツプを予めテープキヤリアにインナーリードボン
デイングしておき、そのテープキヤリアの導線と
対電極の延長端とをアフターリードボンデイング
するようにしたので、フオトダイオードと集積回
路チツプとの接続を容易に行うことができ、しか
もフオトダイオードと集積回路チツプとはテープ
キヤリアの導線及び対電極の延長端を介して接続
されることとなり、フオトダイオードと集積回路
チツプとは熱的に良好に遮断され、さらにフオト
ダイオードと集積回路チツプとを接続するに際
し、対電極をその複数毎の対電極群に分け、その
各対電極群と各集積回路チツプとを対応させ、対
応する対電極群と集積回路チツプとにおいて、上
記の如く、対電極群の対電極の延長端と集積回路
チツプのテープキヤリアの導線とをボンデイング
することにより構成するようにしたので、上記各
対電極群とそれに対応する各集積回路チツプとに
よつて構成される各ブロツク毎に不良が生じた場
合は、不良ブロツク毎にアフターリードボンデイ
ングをやり直し、あるいは集積回路チツプを交換
し、あるいは集積回路チツプをテープキヤリアご
と交換してアフターリードボンデイングをやり直
すことにより対処することができ、それによつて
も製品の歩留りを向上させることができ、コスト
を低く抑えることができ、さらに、集積回路チツ
プをテープキヤリアを介して第２の基板に設ける
ようにしたので、集積回路チツプを第２の基板上
の任意の位置に設けて、集積回路チツプとフオト
ダイオードとを可及的に近づけて寄生容器をでき
るだけ少なくすることができ、これによりフオト
ダイオードにおける読取速度の高速化を達成する
ことができる。
１及び第２の基板を設け、第１の基板にフオトダ
イオードを形成し、第２の基板に集積回路チツプ
を設け、それらのフオトダイオードと集積回路チ
ツプとを接続するようにしたので、第１の基板と
第２の基板とを互いに無関係にそれぞれ別々に検
査し、第１及び第２の基板のうちの良品のみを用
いることができ、それにより製品の歩留りを向上
させることができ、さらに、フオトダイオードと
集積回路チツプとを接続するに際し、集積回路チ
ツプを予めテープキヤリアにインナーリードボン
デイングしておき、そのテープキヤリアの導線と
対電極の延長端とをアフターリードボンデイング
するようにしたので、フオトダイオードと集積回
路チツプとの接続を容易に行うことができ、しか
もフオトダイオードと集積回路チツプとはテープ
キヤリアの導線及び対電極の延長端を介して接続
されることとなり、フオトダイオードと集積回路
チツプとは熱的に良好に遮断され、さらにフオト
ダイオードと集積回路チツプとを接続するに際
し、対電極をその複数毎の対電極群に分け、その
各対電極群と各集積回路チツプとを対応させ、対
応する対電極群と集積回路チツプとにおいて、上
記の如く、対電極群の対電極の延長端と集積回路
チツプのテープキヤリアの導線とをボンデイング
することにより構成するようにしたので、上記各
対電極群とそれに対応する各集積回路チツプとに
よつて構成される各ブロツク毎に不良が生じた場
合は、不良ブロツク毎にアフターリードボンデイ
ングをやり直し、あるいは集積回路チツプを交換
し、あるいは集積回路チツプをテープキヤリアご
と交換してアフターリードボンデイングをやり直
すことにより対処することができ、それによつて
も製品の歩留りを向上させることができ、コスト
を低く抑えることができ、さらに、集積回路チツ
プをテープキヤリアを介して第２の基板に設ける
ようにしたので、集積回路チツプを第２の基板上
の任意の位置に設けて、集積回路チツプとフオト
ダイオードとを可及的に近づけて寄生容器をでき
るだけ少なくすることができ、これによりフオト
ダイオードにおける読取速度の高速化を達成する
ことができる。
第１図は本発明にかかるイメージセンサーの一
実施例の平面図、第２図は第１図の−線拡大
断面図、第３図は第１図のイメージセンサーの異
なる尺度による底面図、第４図はICチツプとフ
オトダイオードアレイとの電気的接続を示す配線
図、第５図は電極の配置の変形例を示す断面図で
ある。 １……基板、１ａ……透明な板、３……ストラ
イプ状のフオトダイオードアレイ、４……透明電
極、５……光導電性物質層、６……対電極、６ａ
……対電極の延長部、１１……ICチツプ、１２
……テープキヤリア、G1，G2，G3……対電極の
群。
実施例の平面図、第２図は第１図の−線拡大
断面図、第３図は第１図のイメージセンサーの異
なる尺度による底面図、第４図はICチツプとフ
オトダイオードアレイとの電気的接続を示す配線
図、第５図は電極の配置の変形例を示す断面図で
ある。 １……基板、１ａ……透明な板、３……ストラ
イプ状のフオトダイオードアレイ、４……透明電
極、５……光導電性物質層、６……対電極、６ａ
……対電極の延長部、１１……ICチツプ、１２
……テープキヤリア、G1，G2，G3……対電極の
群。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１の基板の透明部分の上に共通電極、光導
電性物質層及び対電極を上下に積層することによ
りフオトダイオードを形成し、それらのフオトダ
イオードを前記基板の長手方向にストライプ状に
形成することによりフオトダイオードアレイを構
成し、前記対電極の複数をそれぞれ群に分け、そ
れらの対電極に順次駆動信号を印加する一次元イ
メージセンサーにおいて、 前記第１の基板と別体にして前記第１の基板と
一体化される第２の基板と；予めテープキヤリア
にインナーリードボンデイングされており、前記
第２の基板上に前記対電極群に対応して設けられ
て、前記駆動信号が前記各対電極に印加される毎
に前記フオトダイオードの蓄積電荷を順次読み出
す制御を行う複数の集積回路チツプと；前記対電
極群に対応する前記集積回路チツプのテープキヤ
リアの導線に対して、アフターリードボンデイン
グによつて接続される、前記対電極群における前
記対電極の延長端と；を備えることを特徴とする
一次元イメージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987780A JPS56117474A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | One-dimensional image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987780A JPS56117474A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | One-dimensional image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56117474A JPS56117474A (en) | 1981-09-14 |
| JPS648472B2 true JPS648472B2 (ja) | 1989-02-14 |
Family
ID=12011432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987780A Granted JPS56117474A (en) | 1980-02-20 | 1980-02-20 | One-dimensional image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56117474A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085558A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 原稿読取装置 |
| JPS60132452A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 長尺イメ−ジセンサおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55165066A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion unit |
-
1980
- 1980-02-20 JP JP1987780A patent/JPS56117474A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56117474A (en) | 1981-09-14 |
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