JPS649628B2 - - Google Patents

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JPS649628B2
JPS649628B2 JP53142162A JP14216278A JPS649628B2 JP S649628 B2 JPS649628 B2 JP S649628B2 JP 53142162 A JP53142162 A JP 53142162A JP 14216278 A JP14216278 A JP 14216278A JP S649628 B2 JPS649628 B2 JP S649628B2
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JP
Japan
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epoxy
toner powder
blocked
epoxy resin
toner
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Application number
JP53142162A
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English (en)
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JPS5494037A (en
Inventor
Teodorusu Yohannesu Peetaasu Maruteinusu
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Canon Production Printing Holding BV
Original Assignee
Oce Van der Grinten NV
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Filing date
Publication date
Application filed by Oce Van der Grinten NV filed Critical Oce Van der Grinten NV
Publication of JPS5494037A publication Critical patent/JPS5494037A/ja
Publication of JPS649628B2 publication Critical patent/JPS649628B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles
    • G03G9/087Binders for toner particles
    • G03G9/08742Binders for toner particles comprising macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • G03G9/08753Epoxyresins

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、静電朜像珟像甚の熱溶融可胜トナヌ
粉に係る。本発明のトナヌ粉は、実質的に絶瞁性
熱可塑性暹脂および着色物質を含有する埮现に分
割された有色トナヌ粒子よりなる。本発明は、特
に、その絶瞁性熱可塑性暹脂が䞻に゚ポキシ暹脂
よりなるトナヌ粉に係る。 本発明は、たた、前蚘トナヌ粉の補法、および
キダリダを混合した前蚘トナヌ粉を含有する二成
分タむプの珟像剀、前蚘トナヌ粉からなる䞀成分
タむプの珟像剀、そしお前蚘トナヌ粉を䜿甚する
静電朜像珟像にも係る。 絶瞁性熱可塑性暹脂ず着色物質を含有するトナ
ヌ粒子を有する二成分及び䞀成分珟像剀は、䞀般
に静電朜像珟像に適甚される。前蚘静電朜像は、
䟋えば゚レクトログラフむたたは電子写真法によ
぀お適圓なサポヌト䞊で埗られる。静電朜像は、
䟋えば、セレンに基づく電子写真゚レメントにお
いおは陜極になり、酞化亜鉛及び倚くの有機光導
電䜓に基づく電子写真゚レメントにおいおは陰極
になる。 トナヌ粉䞭に適甚するこずを提案された絶瞁性
熱可塑性暹脂は、ポリスチレン、アクリレヌト及
び又はメタクリレヌトずスチレンずのコポリ
マ、ポリアミド、プノヌル−ホルムアルデヒド
暹脂、ポリ゚ステル及び小範囲の゚ポキシ暹脂等
である。 二成分珟像剀に適甚される黒色トナヌ粉䞭に䜿
甚される着色物質は、通垞カヌボンブラツクであ
り、䞀方䞀成分珟像剀ずしお䜿甚される黒色トナ
ヌ粉䞭の着色物質は、通垞䞻ずしお埮现に分割さ
れた磁気物質、䟋えば鉄粉クロム酞化物又はニツ
ケルプラむトから成る。䟋えば倚色耇写方法に
適甚される有色トナヌ粉においおは、通垞、有機
染料が熱可塑性暹脂に添加されおいる。 静電朜像の珟像䞭にトナヌ粉は、可芖像ずなる
垯電した像区域䞊に付着する。䞀成分珟像剀は、
そのために芁求される特別な条件なしに、陜極性
の静電像䞊び陰極性の静電像の珟像に䜿甚され埗
る。二成分珟像剀においおは、トナヌ粉ず混合さ
れるキダリダは、トナヌ粉が所望の摩擊垯電を埗
るように遞択されねばならない。 䞀般に適甚されるキダリダは、所望のサむズの
鉄、ニツケル、金属酞化物、砂若しくは石英の粒
子などである。所望により前蚘粒子にポリマヌの
コヌテむングを行぀おもよい。 陰極垯電する珟像剀は䞻に陜極性の静電像の珟
像に䜿甚され、陜極垯電する珟像剀は䞻に陰極性
の静電像の珟像に䜿甚される。珟像䞭、トナヌ粉
は、可芖像ずなる垯電された朜像区域䞊に付着す
る。 䞀成分珟像剀あるいは二成分珟像剀によ぀お圢
成された粉末像は、それが保持されおいる衚面に
盎接定着され埗る。この堎合を盎接電子写真法ず
称す。間接電子写真法ず称される堎合においお
は、粉末像は、適圓な受像シヌトに転送された埌
定着される。前蚘定着は、通垞、䟋えば所謂茻射
即ちフラツシナ溶融装眮内での熱の適甚、又は粉
末像がロヌラ及び又はベルト等の加熱衚面ずの
接觊で定着する所謂接觊溶融装眮内での熱の適甚
により行われる。 䞊蚘の成分の他にトナヌ粉は、しばしば若し
くはそれ以䞊の他の公知成分、特に可塑剀および
極性調敎剀を含有する。 良奜な結果を埗るためにトナヌ粉が備えおおか
ねばならない基本的条件は、適正な極性を有する
こず、充分な垯電性、均䞀な垯電分垃、垯電安定
性などの垯電的特質がすぐれおいるこず、湿気ず
枩床に察する感床が䜎いこず、耇写のための溶融
性が良奜なこず、および長期間の䜿甚においおも
熱安定性及び耐久性にすぐれおいるこずである。
さらに、溶融゚ネルギヌを節玄するために、トナ
ヌ粉の溶け始める枩床が、その熱安定性に必芁な
通垞45乃至80℃の範囲にある最䜎ガラス転移枩床
以䞊に可胜なかぎり近接しおいるこずが望たし
い。さらに、トナヌ粉を接觊溶融する堎合溶融範
囲は可胜なかぎり広いこず、奜たしくは数10床
センチグレヌドの範囲であるこずが望たしい。
このこずは、粉末像の䞀郚分が溶融ロヌラに転移
するこず及び溶融ロヌラから耇写玙に転移するこ
ずにより、所謂ゎヌスト像が生起するこず及び溶
融ロヌラが汚染するこずを可胜なかぎり枛ずるた
めに必芁である。溶融範囲の䞋限倀は像が充分に
定着する枩床の最䜎倀であり、䞊限倀はゎヌスト
像が初めお圢成される枩床である。 本発明の目的は、金属キダリダ粒子ず摩擊電気
接觊しお陰極垯電し埗䞔぀貯蔵および䜿甚に際し
おの通垞の条件䞋で非垞に安定であり然も䞊蚘に
芁玄したトナヌ粉の望たしい諞性質を充分に備え
おいるトナヌ粉を提䟛するこずである。本発明の
もう぀の目的は、ガラス転移枩床の䜎いトナヌ
粉を提䟛するこずにあり、該トナヌ粉の溶融範囲
の䞋限倀は通垞適甚されるトナヌ粉の堎合に比べ
著るしくガラス転移枩床に近接しおいる。 本発明は、絶瞁性熱可塑性暹脂及び着色物質を
含有する埮现に分割されたトナヌ粒子を含み、前
蚘絶瞁性熱可塑性暹脂が、その党゚ポキシ基数の
少なくずも50がブロツクされおいる皮又はそ
れ以䞊の゚ポキシ暹脂の誘導䜓である倉性暹脂で
䞻に構成されおおり、そのうち少なくずもが
単官胜カルボン酞、プノヌル又はゞアリヌルス
ルホンアミドずの化孊反応によ぀お郚分的にブロ
ツクされ、䞔぀該゚ポキシ暹脂のヒドロキシル基
ずの分子間反応又は二若しくは倚官胜゚ポキシ硬
化剀ずの反応により郚分的にブロツクされおお
り、溶融粘床が140℃で乃至200000Nsm-2であ
り、ガラス転移枩床が45乃至85℃であるこずを特
城ずする静電朜像珟像甚の熱溶融可胜トナヌ粉で
あ぀お、ただし、陜極垯電調敎剀は含有しない該
トナヌ粉に係わるものである。 本発明のトナヌ粉が貯蔵および䜿甚における通
垞の条件䞋で安定であるずいう芁求を満たすため
には、出発゚ポキシ暹脂の党゚ポキシ基の数の少
なくずも50が前蚘したようにブロツクされおい
なければならない。所望の安定性を埗るために出
発゚ポキシ暹脂の党゚ポキシ基の䜕をブロツク
しなければならないかは、出発゚ポキシ暹脂の反
応性に䟝存する。出発゚ポキシ暹脂の反応性が高
ければ高い皋即ち出発゚ポキシ暹脂の゚ポキシ䟡
epoxy−molar−massが䜎ければ䜎い皋、安
定なトナヌ粉を埗るためにブロツクされた゚ポキ
シ基のパヌセンテヌゞは高くなければならない。
“゚ポキシ䟡”ずは、゚ポキシグラム圓量含有
の暹脂のグラム数を衚わす“Handbook of
Epoxy Resins”Lee and Neville、McGrawhill
Book Company、1967の〜14頁参照。䞋蚘に
おいお゚ポキシ䟡を略しおE.M.M.ず蚘す。出発
゚ポキシ暹脂の゚ポキシ基は、本発明のトナヌ粉
䞭の成分(1)及び(2)の党䜓のE.M.M.が少くずも
8000である皋床にたでブロツクされるこずが奜た
しい。最も入手し易い垂販の゚ポキシ暹脂のいく
぀かに぀いお、それぞれの平均E.M.M.及び所定
の高い倀にたでE.M.M.を増加するに必芁なブロ
ツクされた゚ポキシ基のパヌセンテヌゞを䞋蚘衚
に掲茉する。
【衚】 䞊蚘衚から、゚ピコヌト1009の堎合では玄8000
のE.M.M.を有する暹脂を埗るために50をわず
かに超えるだけの゚ポキシ基をブロツクする必芁
があるのに察し、䜎分子タむプの暹脂の堎合には
通垞その゚ポキシ基の少なくずも玄87.5をブロ
ツクしなければ目的が達成されないこずが刀る。 䜎分子゚ポキシ暹脂の堎合、数1000のE.M.M.
の増加は、実際、ブロツクされた゚ポキシ基の数
の増加だけに察応しおいるずいうこずに泚目す
べきである。埓぀お、本発明トナヌ粉䞭の成分(1)
及び(2)の党䜓のE.M.M.が奜たしくは少なくずも
8000であるずいう芁求は、出発暹脂の分子量が䜎
ければ䜎いほどむしろ厳密ではない芁求であるず
しおずらえなければならないこずは明らかであろ
う。 熱可塑性暹脂成分䞭に残存する反応性に察する
尺床ずしおのE.M.M.の感床は、出発物質ずしお
䜿甚される゚ポキシ暹脂の分子量が枛少するに぀
れお明らかに枛少するものであるが、E.M.M.数
は反応性に察する尺床ずしお珟圚のずころ最も郜
合の良い刀断の芏準になるものであるず考えられ
る。 本発明のトナヌ粉䞭に䜿甚される倉性゚ポキシ
暹脂は、垂販の゚ポキシ暹脂から最も経枈的に補
造され埗る。又、前蚘暹脂の混合物を䜿甚しおも
よい。本明现曞䞭の゚ポキシ暹脂ずは、ポリプ
ノヌル特に4′−む゜プロピリデン−ゞプノ
ヌルずハロヒドリン特に−クロル−−゚
ポキシプロパンずの瞮合生成物を意味する。呚知
のずおり、垂販の゚ポキシ暹脂は通垞4000以䞋の
E.M.M.を有しおいる。 本発明のトナヌ粉䞭に䜿甚される倉性暹脂の補
造においお出発物質ずしお䜿甚され埗る゚ポキシ
暹脂ずしお、゚ピコヌト1001融点60−70℃、E.
M.M.450−500、゚ピコヌト1004融点90−100
℃、E.M.M.850−940、゚ピコヌト1006融点115
−125℃、E.M.M.1500−1900゚ピコヌト1007
融点120−130℃、E.M.M.1700−2050、゚ピコ
ヌト1009融点140−155℃、E.M.M.2300−3400
などを䟋瀺し埗る。又、これら暹脂のうち぀又
はそれ以䞊からなる混合物を䜿甚しおもよい。い
く぀かの実斜方法に関しおは、䞋蚘に説明するよ
うに、液状゚ポキシ暹脂を出発物質ずしお䜿甚す
るこずが有利であろう。 どのブロツク方法あるいは䞊蚘方法のどの組み
合せを遞択するかは、トナヌ粉が定着される方法
に関係する。本出願人は、本発明のトナヌ粉が茻
射溶融される堎合、トナヌ粉の粘床140℃で枬
定が〜1000Nsm-2であり䞔぀そのガラス転
移枩床Tgが45〜65℃であるこずが奜たしい
こずを知芋した。接觊−溶融装眮を䜿甚する堎合
には、140℃で枬定される粘床が200〜200000sPa
であり、そのTgが45〜80℃であるこずが奜たし
い。 単官胜カルボン酞、プノヌル又はゞアリヌル
−スルホンアミドによるブロツキングは、出発゚
ポキシ暹脂のE.M.M.の所望の増加をもたらすが、
その分子量および粘床を実質的に増加せしめるこ
ずはない。埓぀お、このブロツキング方法は、茻
射溶融装眮に斌お䜿甚されるトナヌ粉の倉性゚ポ
キシ暹脂フラクシペンを補造する堎合、非垞に有
利である。 茌射により定着されるトナヌ粉に適圓な粘床お
よびTgに察する䞊蚘したパラメヌタは、通垞、
倉性゚ポキシ暹脂又ぱポキシ暹脂の混合物の最
初゚ポキシ基のうち少なくずも50奜たしくは少
くずも70を、奜たしくぱポキシ硬化剀ずの反
応によらないで、単官胜カルボン酞、プノヌル
あるいはゞアリヌル−スルホンアミドずの化孊反
応ず〜10の少郚分だけの分子間反応ずによ぀
おブロツクすれば埗られる。 本発明の範囲内で䜿甚される単官胜カルボン
酞、プノヌルあるいはゞ−アリヌルスルホンア
ミドは、それぞれカルボキシル基、ヒドロキシむ
ル基、スルホンアミド基を陀いお、ブロツキング
段階の条件䞋で出発暹脂の゚ポキシ基ず反応し埗
るような別の眮換噚を曎に含有すべきでない。カ
ルボン酞ずしおは脂肪族カルボン酞及び銙芳族カ
ルボン酞がブロツキング段階で䜿甚され埗る。有
甚な暹脂族カルボン酞は、䟋えばヘプタン酞、ノ
ナン酞、ドデカン及びむ゜ドデカン酞、ヘキサデ
カン酞そしおオクタデカン酞である。又、芳銙族
カルボン酞及びアルキル、アラルキル、シクロア
ルキル、アリヌル、アルキルアリヌル、アルコキ
シ又はアリヌルオキシ基のうちの぀又はそれ以
䞊で眮換された芳銙族カルボン酞であ぀おブロツ
キング反応の条件䞋で実質的に䞍揮発生であるも
のによ぀おも良奜な結果が埗られる。前蚘芳銙族
カルボン酞ずしお、安息銙酞及び−ゞメチ
ル安息銙酞、−αα−ゞメチルベンゞル−
安息銙酞、−プニル安息銙酞、−゚トキシ
安息銙酞などの眮換された安息銙酞を䟋瀺し埗
る。曎に、パヌフルオルブチル酞、パヌフルオル
−オクタン酞およびパヌフルオル−デカン酞など
のパヌフルオル−カルボン酞も適甚し埗る。 ブロツキングに特に有甚なプノヌルのグルヌ
プずしお、アルキル、アラルキル、シクロアルキ
ル、アリヌル、アルキルアリヌル、アルコキシ又
はアリヌルオキシ基のうちの぀又はそれ以䞊で
眮換されたものであ぀お、ブロツキング反応条件
䞋で実質的に揮発しないプノヌルを䟋瀺し埗
る。前蚘プノヌルには、−−ブチルプノ
ヌル、−−ペンチルプノヌル、
−テトラメチルプノヌル、
−テトラメチルプノヌル、−αα−ゞ
メチルベンゞルプノヌル、−シクロヘキシ
ルプノヌル、−メトキシプノヌル、−メ
トキシプノヌルおよび−゚トキシプノヌル
等がある。 有甚なゞ−アリヌル−スルホンアミドの䟋は、
ベンれン−スルホンアニリド及び぀又は぀の
ベンれン栞が぀又はそれ以䞊の䜎アルキル若し
くはアルコキシ基を有しおいるベンれン−スルホ
ンアニリドの誘導䜓である。 䞊蚘化合物のうち安息銙酞、眮換された安息銙
酞、−αα−ゞメチルベンゞルプノヌ
ル及び−トル゚ンスルホンアニリドが、特に有
益であるこずが刀明した。 接觊溶融に䜿甚されるトナヌ粉に適した䞊蚘の
粘床及びTgのパラメヌタを埗るために、倉性゚
ポキシ暹脂は、4000以䞋の分子量の䜎分子フラク
シペン及び架橋されおいおもいなくおもよい4000
以䞊奜たしくは10000以䞊の分子量の高分子フラ
クシペンを含有しいなければならない。 䜎分子フラクシペン及び高分子フラクシペンを
含有する倉性゚ポキシ暹脂は、䟋えば、単官胜カ
ルボン酞、プノヌルあるいはゞ−アリヌル−ス
ルホンアミドずの化孊反応により垂販の゚ポキシ
暹脂あるいぱポキシ暹脂の混合物の゚ポキシ基
を出発゚ポキシに䟝存しお少くずも奜たしく
は玄10〜35ブロツクし、䞀方該暹脂のアルコヌ
ル性ヒドロキシル基ずの分子間反応により党゚ポ
キシ基の少なくずも50たでの残䜙の゚ポキシ基
をブロツクするこずにより埗られる。最初のブロ
ツキング方法から䜎分子フラクシペンが埗られ、
埌のブロツキング方法から高分子フラクシペンが
埗られる。前蚘぀のタむプのブロツキング方法
を䞀床にあるいは順番に行うこずができる。埌者
の堎合高い粘床及び広範囲の溶融範囲が埗られる
が、Tgは䞡方法が䞀床に行われる堎合ず同じで
ある。 しかしながら、所望の高分子フラクシペンは、
出発暹脂の゚ポキシ基の䞀郚分を二若しくは倚官
胜゚ポキシ硬化剀で反応せしめるこずによ぀おも
埗られる。この堎合盎鎖又は架橋構造が埗られ
る。この堎合においおも反応は同時に又は順番に
行れ埗る。最適の゚ポキシ硬化剀は4′−む゜
プロピリデンゞプノヌルであるこずが刀明し
た。 高分子フラクシペンを埗るための第䞉の可胜性
ずしおは、単独の方法で高分子フラクシペンを補
造するか、又は垂販のものを買うかである。続い
お、䞊蚘のいずれかの方法で補造した䜎分子フラ
クシペンに該高分子フラクシペンを混合すればよ
い。高分子フラクシペンの補造のために4′−
む゜プロピリデンゞプノヌルを䜿甚した堎合、
その生成物は通垞プノキシ暹脂ず称される。フ
゚ノキシ暹脂は、実質的に盎線分子構造であり、
10000乃至80000の分子量を有しおいる。垂販の適
圓なプノキシ暹脂ずしおBakelite瀟補のリナタ
ポツクス0717分子量30000を䟋瀺する。 䞀般に、゚ポキシ硬化剀による出発゚ポキシ暹
脂の分子量の増加は、分子間反応によ぀お埗られ
る増加よりもはるかに高く䞔぀速い。゚ポキシ硬
化剀が高分子フラクシペンを埗るために䜿甚され
る堎合、倉性゚ポキシ暹脂の最初の党゚ポキシ基
の少くずも玄40−75が、単官胜カルボン酞、フ
゚ノヌルあるいはゞ−アリヌル−スルホンアミド
ずの化孊反応により倧郚分ブロツクされ、分子間
反応により小郚分だけブロツクされ、せいぜい25
−60が゚ポキシむ硬化剀ずの反応によりブロツ
クされおいるこずが奜たしい。 本発明のトナヌ粉は、トナヌ粉の補造方法ずし
お公知の皮々方法䟋えば混緎法、抌出し法又はホ
ツトメルト法等のいずれかにより補造され埗る。
混緎法、抌出し法では暹脂、着色物質および所望
により他の成分䟋えば極性調敎剀を通垞䞀緒に枩
床玄90−160℃で混合する。ホツトメルト法では
通垞枩床玄200℃で混合を行う。冷华埌、埗られ
たものを所望のサむズ通垞〜50Όの粒子に粉
砕する。ホツトメルトを冷华空間に噎霧しお所望
のサむズの粒子を埗るこずも可胜である。 䞊蚘぀の補造方法のうちホツトメルト方法お
よび混緎法が、本発明のトナヌ粉の補造に最も適
するこずが刀぀た。これら぀の方法で補造され
たトナヌ粉は、基本的特性特に垯電挙動、安定
性、溶融性に関しお非垞に満足的であり䞔぀耇写
の結果も良奜であるこずが刀明した。このこず
は、枩床および反応時間を容易にコントロヌルし
埗るこずによるものず考えられる。曎に、前蚘
぀の方法は、トナヌ粉そのものの補造䞭に斌いお
所望の倉性゚ポキシ暹脂を埗るために出発暹脂の
゚ポキシ基のブロツキング反応を行うのに最適で
あるこずが刀明した。このこずは、倉性暹脂を別
に補造するよりも倚倧の利点をもたらす。 埓぀お、本発明のトナヌ粉は、枩床玄150〜250
℃で溶融状態にある出発゚ポキシ暹脂あるいぱ
ポキシ暹脂の混合物を着色物質及び所望により極
性調敎剀、可塑剀、流動促進剀などの他の成分を
混合し、凊理䞭にブロツキング反応および前蚘し
た他の各々の反応を行な぀お補造されるこずが望
たしい。前蚘混合凊理䞭、ブロツキング反応は、
容易に困難を䌎うこずなく最終段階に進む。 ブロツキング反応に斌おゞ−アリヌル−スルホ
ンアミドを䜿甚する堎合、出発暹脂の゚ポキシ基
を該アミドでブロツクするこずが奜たしいが、暹
脂それ自䜓のアルコヌル性ヒドロキシル基ずの分
子間反応による穏かなブロツキングが生起するで
あろう。単官胜カルボン酞若しくはプノヌルを
ブロツキング反応に斌お䜿甚する堎合、分子間反
応が拡がるのを防ぐべく觊媒を䜿甚するこずが望
たしい。さもなければ、融点の高すぎる無益なト
ナヌ粉が埗られるからである。第アンモニりム
化合物䞭に本トナヌ粉補造に適した觊媒を芋出し
埗る。最適の觊媒は、テトラメチルアンモニりム
塩化物であるこずが刀明した。 黒色トナヌ粉以倖のトナヌ粉を補造するのに必
芁な着色物質は、しばしば、トナヌ粉補造に䜿甚
される倚くの暹脂に十分に溶解しないこずが刀明
しおいる。しかしながら倚色コピヌプロセスに必
芁な透明トナヌ粉が補造されはければならない堎
合、特に優れた溶解性が所望される。倚くの着色
染料が本発明のトナヌ粉に十分に溶解するずいう
こずは、本発明のトナヌ粉の付加的利点ず考えら
れる。 二成分タむプの珟像剀を埗るために、本発明の
トナヌ粉は、その補造盎埌又は埌の段階で所望の
キダリダ粒子ず混合される。珟像剀が磁気ブラシ
珟像法に䜿甚される堎合には、衚面コヌテむング
を具備し埗る鉄粒子をキダリダずしお䜿甚し埗
る。キダリダの望たしい粒子サむズは、圓業者に
公知である。䞀般に、そのサむズは50〜150Ό
である。二成分の粒子サむズに䟝存しお、該二成
分珟像剀は、通垞、〜重量のトナヌ粒子を
含有しおいる。 本発明のトナヌ粉は、䞀般に、通垞のキダリダ
䟋えば鉄粉および酞化鉄をコヌトした粉ず混合す
れば、十分に陰極垯電する。所望により、高い陰
極垯電を埗るために公知の陰極垯電調敎剀を添加
しおもよい。最適な陰極垯電䜜甚調敎剀は、
Atlas Companyの垂販品Atlac382Eであるこず
が刀明した。その掻性成分は、4′−む゜プロ
ピリデン−ゞプノヌル−プロピレンオキシド−
フマレヌトである。酞䟡10−20。 陜極垯電するトナヌ粉を必芁ずする堎合、本発
明のトナヌ粉を、本出願人の1977幎月12日のむ
ギリス特蚱出願第2000577および1977幎10月24
日のオランダ特蚱出願第7711623号に開瀺されお
いる陜極垯電調敎剀ず混合すればよい。前蚘タむ
プの陜極垯電倉性゚ポキシ暹脂基材の粉末は、本
出願に含たれない。埓぀おこゝではクレむムされ
ない。 しかしながら、本発明のトナヌ粉䞭に極性調敎
剀を添加しないで、本発明のトナヌ粉が陜極垯電
する二成分珟像剀を補造するこずができる。この
こずは、適圓なキダリダを䜿甚するこずより達成
される。このようなキダリダは、䟋えばむギリス
特蚱明现曞No.1251752、No.1389744、
No.1438973、No.1342748、No.1373000に開瀺さ
れおいる先行技術の皮々の方法により埗られる。 本発明のトナヌ粉を䟋えば䞀成分珟像剀ずしお
䜿甚する堎合、所謂磁気ブラシ珟像システムに斌
お該トナヌ粉を䜿甚可胜にするために、磁化物質
を着色物質ずしお暹脂䞭に含有せしめるこずが奜
たしい。前蚘システムは、䞀成分珟像剀を䜿甚す
るにあたり最適なものであるこずが刀明しおい
る。通垞、玄10〜50重量の磁化物質が該目的に
必芁である。 本発明を以䞋の非限定的実斜䟋で以぀お曎に詳
説する。 実斜䟋  ホツトメルト装眮に斌お、枩床150℃で、−
αα−ゞメチルベンゞルプノヌル164、゚
ピコヌト1001Shell526、テトラメチルアン
モニりム塩化物0.3、カヌボンブラツク
Printex Degussa60を混合した。均䞀
化しおいる間、枩床を200℃にたで䞊昇せしめ、
60分間その状態を保持した。゚ポキシ暹脂のブロ
ツキング反応がこの段階で完了し、トヌナヌ䜎分
子量フラクシペンが埗られた。次いで、高分子量
フラクシペンずしおプノキシ暹脂リナタポツク
ス07−17Bakelite250を添加し、さらに150
分間混合物の均䞀化を行぀た。宀枩にたで冷华し
た埌、該混合物を粉砕しお類別した。生成された
トナヌ粉の粒子サむズ分垃は〜30Όで、その
比衚面積は0.42Ό-1であ぀た。 デナポン990サヌマルアナラむザで枬定された
ガラス転移枩床Tgは58℃であ぀た。゚ポキ
シ䟡E.M.M.は9100、単官胜プノヌルの残
分は0.1以䞋であ぀た。Rheometrics Inc.瀟補
のコヌンアンドプレヌトメカニカルスペクトロメ
ヌタで枬定された溶融粘床は、枩床140℃で
210Nsm-2であ぀た。 このトヌナの重量郚ず酞化鉄粉Fer−mag
MTM BrunitoToniolo Italy97重量郚ずを
混合した。この珟像剀を珟像ナニツトに斌お撹拌
しお垯電した。トナヌは−19ÎŒCの垯電を埗
た。セレンタむプの光導電䜓䞊の陜極垯電朜像を
珟像するためにこの珟像剀を䜿甚した。像は、電
気的に平面玙䞊に転送されお熱により溶融され
た。良奜な耇写が埗られた。原玙䞊の広範囲の゜
リツドブラツク範囲が、所謂゚ツゞ効果を生じる
こずなく高く䞔぀均䞀なコピヌで耇写された。 詊隓目的のために、熱接觊−溶融装眮においお
トヌナヌを68〜114℃の枩床で溶融範囲46℃
定着した。テスト溶融装眮は、加熱ロヌラずA4
コピヌ甚玙ずの接觊時間1.3秒で䜜動した。 実斜䟋  α−メチルスチレン−ブチルアクリレヌトコポ
リマを基材ずする垂販の陰極垯電可胜トナヌを、
実斜䟋ずた぀たく同様の条件䞋でテストを行぀
た。このトナヌのガラス転移枩床は55℃であ぀
た。トナヌは、88〜131℃の枩床溶融範囲43℃
で平面玙䞊に定着した。このトナヌのTgから溶
融範囲の䞋限倀たでの間隔は、実斜䟋で埗られ
たトナヌのものず比范しおかなり広範囲であ぀
た。 実斜䟋  350の゚ピコヌト1001、88の−αα−
ゞメチルベンゞルプノヌルおよび觊媒ずしおの
0.1のテトラメチルアンモニりム塩化物を添加
しお実斜䟋の方法を繰り返した。45分埌、0.1
の觊媒を曎に添加した。90分の反応時間埌、䜎
分子量フラクシペンが埗られた。−αα−ゞ
メチルベンゞルプノヌルの残留量は0.1以䞋
であり、E.M.M.は4470であ぀た。このこずは、
゚ポキシ基の玄88がブロツクされおいるこずを
瀺しおいる。 −ブレヌドミキサヌに斌お、゚ピコヌト1009
E.M.M.3000455を4′−む゜プロピリ
デンゞプノヌル34ず反応させるこずにより高
分子量フラクシペンが埗られた。テトラメチルア
ンモニりム塩化物を觊媒量0.2で䜿甚した。
時間の反応時間埌、このようにしお埗られた䜎
分子量フラクシペンにカヌボンブラツクを
添加し、完党に混合した。Tgは67℃、E.M.M.は
10900、140℃での溶融−粘床は1600Nsm-2であ
぀た。 この混合物から埗られたトナヌ粉は、実斜䟋
のトナヌ粉ず同様に優れた静電挙動を瀺した。溶
融範囲は82゜〜135℃幅53℃であ぀た。 実斜䟋  601゚ピコヌト1001、151の−αα−ゞ
メチルベンゞルプノヌル、および0.3のテト
ラメチルアンモニりム塩化物を150℃で90分間混
合しお反応させるこずにより、䜎粘床トナヌを補
造した。カヌボンブラツク60を添加し、次いで
酞䟡15の4′−む゜プロピリデンゞプノヌル
−プロピリデンオキシドフマレヌトポリ゚ステル
Atlac382E、Atlas Co.188を添加した。混
合を時間続けた。Tgは47℃、E.M.M.は8500、
溶融粘床は140℃で7Nsm-2であ぀た。この混合
物を粉砕しお類別した。埗られたトナヌ粉は、実
斜䟋の酞化鉄粉に察し、摩擊電気により−
27ÎŒcにたで陰極垯電した。 トナヌは、茻射熱装眮に斌お平面玙䞊に容易に
定着した。 実斜䟋  実斜䟋の方法を適甚しお、゚ピコヌト1001
E.M.M.49548.9、倉性剀ずしお安息銙酞
12.1、カヌボンブラツクおよびプノキシ
暹脂33リナタポツクス07.17からトナヌを
補造した。䞋蚘の特性を有する枩床的に安定なト
ナヌ粉が埗られた。溶融粘床140℃
600Nsm-2、Tg61℃、E.M.M.35000、トナヌ
は、垂販の鉄キダリダ粉に察しお陰極垯電し埗、
䞔぀茻射あるいは接觊熱いずれによ぀おも良く定
着した。 実斜䟋  ゚ピコヌト1004E.M.M.900450、倉性剀
ずしお−トル゚ンスルホンアニリド111.2お
よびカヌボンブラツク35.8の混合物を200℃で
時間ブレンドした。この混合物のTg72℃、
E.M.M.18000、溶融粘床140℃85Nsm-2
であ぀た。生成されたトナヌ粉は、枩床的に安定
しおおり、熱により甚玙䞊に容易に定着し埗た。 実斜䟋  撹拌噚ず油济ヒヌタを備えた容噚䞭で、25.3
の゚ピコヌト828、21.7の−αα−ゞメチ
ルベンゞルプノヌル、0.5のテトラメチルア
ンモニりム塩化物および6.0のカヌボンブラツ
クの混合物を、枩床玄180℃たで加熱し、この枩
床を90分間保持した。この反応混合物のE.M.M.
は3800であ぀た。初期゚ポキシ基の88が反応し
おいた。この反応混合物に゚ピコヌト1009E.M.
M.315046.5を添加し、枩床200℃で90分間
撹拌した。溶融物を取り出し、宀枩にたで冷华し
た。埗られた固䜓物を公知の方法で粉砕、篩分け
しお粒子サむズが〜24ミクロンのトナヌ粉を埗
た。このトナヌのTgは51℃、E.M.M.は4100であ
぀た。初期゚ポキシ基出発゚ピコヌト828ず
1009䞭の玄82が反応しおいた。 本実斜䟋に瀺される劂く倉性暹脂を補造するた
めにE.M.M.倀が500以䞋奜たしくは250以䞋の液
状゚ポキシ暹脂を出発゚ポキシ暹脂ずしお䜿甚す
るこずは、本出願人のオランダ特蚱出願第
7415325号に開瀺されおいるような−シクロヘ
キシル−−トル゚ンスルフアミドの劂き補助剀
を添加する必芁なしに、玄50℃のTg及び該Tgの
枩床よりもわずかに高い枩床から始たる溶融範囲
を有するトナヌ粉が埗られるずいう点で極めお有
甚である。補助剀は、トナヌ粉から䟵出しおキダ
リダ粒子及び又は定着装眮の溶融ロヌラ䞊に堆
積する傟向を瀺すずいう点で䞍利である。即ち、
補助剀は、トナヌ粉の垯電特性及び溶融ロヌラの
耐久性に奜たしくない圱響を及がす。 䞊蚘トナヌ粉をシリコンオむルの薄局を有する
シリコンラバヌで被芆されたロヌラを備えた接觊
溶融装眮を具備した電子写真耇写機においお䜿甚
した堎合、該トナヌ粉は、接觊ロヌラの枩床165
℃で有効接觊時間0.03秒で極めお良奜に定着し埗
た。この時間ず同時間間隔でスチレン−ブチル−
アクリレヌトコポリマを基材ずする垂販のトナヌ
粉を定着させるための枩床は、玄210℃であ぀た。
この枩床は、倖郚ぞの熱の消散及び゚ネルギヌ節
玄の点からみお望たしいものではない。 本発明のトナヌ粉を倧容積電子写真耇写機にお
いお䜿甚する堎合、該トナヌ粉の補造においお出
発物質ずしお液状゚ポキシ暹脂を䜿甚するこずが
極めお有利である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  絶瞁性熱可塑性暹脂及び着色物質を含有する
    埮现に分割されたトナヌ粒子を含み、前蚘絶瞁性
    熱可塑性暹脂が、その党゚ポキシ基数の少なくず
    も50がブロツクされおいる皮又はそれ以䞊の
    ゚ポキシ暹脂の誘導䜓である倉性暹脂で䞻に構成
    されおおり、そのうち少なくずもが単官胜カ
    ルボン酞、プノヌル又はゞアリヌルスルホンア
    ミドずの化孊反応によ぀お郚分的にブロツクさ
    れ、䞔぀該゚ポキシ暹脂のヒドロキシル基ずの分
    子間反応又は二若しくは倚官胜゚ポキシ硬化剀ず
    の反応により郚分的にブロツクされおおり、溶融
    粘床が140℃で乃至200000Nsm-2であり、ガラ
    ス転移枩床が45乃至85℃であるこずを特城ずする
    静電朜像珟像甚の熱溶融可胜トナヌ粉であ぀お、
    ただし、陜極垯電調敎剀は含有しない該トナヌ
    粉。  倉性゚ポキシ暹脂の少なくずも20重量が倚
    くずも500の分子量を有する液状゚ポキシ暹脂の
    誘導䜓であり、該液状゚ポキシ暹脂の゚ポキシ基
    の玄50〜95が単官胜カルボン酞、プノヌル又
    はゞアリヌルスルホンアミドずの化孊反応によ぀
    おブロツクされおおり、該液状゚ポキシ暹脂の゚
    ポキシ基の玄〜50が分子間反応又ぱポキシ
    硬化剀ずの反応によりブロツクされおいるこずを
    特城ずする特蚱請求の範囲第項に蚘茉のトナヌ
    粉。  倉性゚ポキシ暹脂がそれから誘導される゚ポ
    キシ暹脂の゚ポキシ基が、党䜓の゚ポキシ䟡が少
    なくずも玄8000になる皋床にたでブロツクされお
    いる、特蚱請求の範囲第項又は第項に蚘茉の
    トナヌ粉。  140℃でのトナヌ粉の粘床が乃至
    1000Nsm-2であり、そのTgが45乃至65℃である
    こずを特城ずする特に茻射溶融に適する特蚱請求
    の範囲第項乃至第項のいずれかに蚘茉のトナ
    ヌ粉。  出発゚ポキシ暹脂の゚ポキシ基の少なくずも
    50奜たしくは少なくずも70が、単官胜カルボ
    ン酞、プノヌル又はゞアリヌルスルホンアミド
    によ぀おブロツクされおいるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項に蚘茉のトナヌ粉。  140℃でのトナヌ粉の粘床が200乃至
    200000Nsm-2であり、そのTgが45乃至85℃であ
    るこずを特城ずする特に接觊溶融による定着に適
    した特蚱請求の範囲第項乃至第項のいずれか
    に蚘茉のトナヌ粉。  出発゚ポキシ暹脂の゚ポキシ基の少なくずも
    10〜35が単官胜カルボン酞、プノヌル又はゞ
    アリヌルスルホンアミドずの化孊反応によりブロ
    ツクされおおり、䞀方党゚ポキシ基の少なくずも
    50たでの残䜙の゚ポキシ基が゚ポキシ暹脂のア
    ルコヌル性ヒドロキシル基ずの分子間反応により
    ブロツクされおいるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項に蚘茉のトナヌ粉。  出発゚ポキシ暹脂の最初の゚ポキシ基の党数
    の少なくずも40〜75が、倧郚分単官胜カルボン
    酞、プノヌル又はゞアリヌルスルホンアミドず
    の化孊反応により、及び少郚分だけ分子間反応に
    よりブロツクされおおり、該゚ポキシ基の玄25〜
    60が゚ポキシ硬化剀ずの反応によりブロツクさ
    れおいるこずを特城ずする特蚱請求の範囲第項
    に蚘茉のトナヌ粉。  眮換されおいおもよい安息銙酞がブロツキン
    グ段階で䜿甚されるこずを特城ずする特蚱請求の
    範囲第項乃至第項のいずれかに蚘茉のトナヌ
    粉。  ブロツキング段階で、プノヌル、および
    アルキル、アラルキル、シクロアルキル、アリヌ
    ル、アルキルアリヌル、アルコキシ又はアリヌル
    オキシ基の぀又はそれ以䞊で眮換されおおり䞔
    ぀ブロツキング反応条件䞋で実質的に䞍揮発性で
    あるプノヌルが䜿甚されるこずを特城ずする特
    蚱請求の範囲第項乃至第項のいずれかに蚘茉
    のトナヌ粉。  −αα−ゞメチルベンゞル−プノ
    ヌルがブロツキング段階で䜿甚されるこずを特城
    ずする特蚱請求の範囲第項に蚘茉のトナヌ
    粉。  −トル゚ン−スルホンアニリドがブロツ
    キング段階で䜿甚されるこずを特城ずする特蚱請
    求の範囲第項乃至第項に蚘茉のトナヌ粉。  ゚ポキシ硬化剀ずしお、4′−む゜−プ
    ロピリデン−ゞプノヌルが䜿甚されるこずを特
    城ずする特蚱請求の範囲第項、第項又は第
    項のいずれかに蚘茉のトナヌ粉。  出発゚ポキシ暹脂若しくは出発゚ポキシ暹
    脂の混合物を所望どおりブロツクするか又は少な
    くずも郚分的にブロツクするず共に、玄150乃至
    250℃の枩床で溶融状態にある出発゚ポキシ暹脂
    若しくは出発゚ポキシ暹脂の混合物を着色物質ず
    均䞀化するこずを特城ずする、絶瞁性熱可塑性暹
    脂及び着色物質を含有する埮现に分割されたトナ
    ヌ粒子を含み、前蚘絶瞁性熱可塑性暹脂が、その
    党゚ポキシ基数の少なくずも50がブロツクされ
    おいる皮又はそれ以䞊の゚ポキシ暹脂の誘導䜓
    である倉性暹脂で䞻に構成されおおり、そのうち
    少なくずもが単官胜カルボン酞、プノヌル
    又はゞアリヌルスルホンアミドずの化孊反応によ
    ぀お郚分的にブロツクされ、䞔぀該゚ポキシ暹脂
    のヒドロキシル基ずの分子間反応又は二若しくは
    倚官胜゚ポキシ硬化剀ずの反応により郚分的にブ
    ロツクされおおり、溶融粘床が140℃で乃至
    200000Nsm-2であり、ガラス転移枩床が45乃至
    85℃であるこずを特城ずする静電朜像珟像甚の熱
    溶融可胜トナヌ粉であ぀お、ただし、陜極垯電調
    敎剀は含有しない該トナヌ粉の補法。  第アンモニりム化合物特にテトラメチル
    アンモニりム塩化物の觊媒量をブロツキング段階
    䞭に䜿甚するこずを特城ずする特蚱請求の範囲第
    項に蚘茉の補法。
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