KR910000278B1

KR910000278B1 - 반도체이미지센서

Info

Publication number: KR910000278B1
Application number: KR1019870002958A
Authority: KR
Inventors: 타미오 사이토
Original assignee: 가부시키가이샤 도시바; 와타리 스기이치로
Priority date: 1986-03-31
Filing date: 1987-03-30
Publication date: 1991-01-23
Also published as: US4772951A; EP0239955A3; KR870009484A; EP0239955A2; JPS62229970A

Abstract

내용 없음.

Description

반도체이미지센서

제1도는 본 발명의 실시예 에 따른 2개의 분리기판을 갖는 밀착형 선형이미지센서의 요부평면도.

제2도는 제1도에 도시된 밀착형 선형 이미지센서의 확대측면도.

제3도는 제1도에 도시된 이미지센서의 기판가운데 해당라인패턴을 전기적으로 접속시켜 주는데 사용되는 접속고무패드의 부분사시도.

제4도는 본 발명의 실시예 2에 따른 밀착형 선형 이미지센서의 확대단면도.

제5도는 본 발명의 실시예 3에 따른 밀착형 선형 이미지센서의 요부평면도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 반도체이미지센서 12 : 제1기판

14 : 제2기판 16 : 지지평판

18 : 비결정반도체층 20 : 평면금속층(공통셀전극)

20a : 접속패드패턴 22 : 선형금속셀전극층

24 : 열신호라인 26 : 행신호라인

28 : 매트릭스배선부 30 : 박막절연층

32(32a-32d) : 접속패드패턴 34,36 : 화소신호독출회로칩

38 : 접속패드패턴 40 : 접속패드패턴

50 : 고무컨넥터 52 : 절연체

54 : 도전층 56 : 고정용플레이트

58 : 스크류 60 : 접속용 도전막

62 : 금속패턴 70 : 절연층

72 : 제2금속층패턴 74 : 와이어본딩

D : 광도전층셀 D1,D2…,Dm,Di(i=1,2…,M) : 셀그룹

본 발명은 반도체이미지센서에 관한 것으로, 특히 비결정질의 반도체광전변환소자로 이루어진 선형 셀어레이가 구비되고, 여기에 매트릭스구동방식이 사용되어 절환구동되어지는 반도체이미지센서에 관한 것이다.

일반적으로 비결정질의 반도체이미지센서는 팩시밀리, 광학모우드독출장치(OCR), 복사기등과 같은 여러 종류의 화상독출장치에 널리 사용되어지고 있는 바, 그 이유로는 이러한 이미지센서를 사용하게 되면 전반적인 화상독출장치의 크기를 줄일 수 있기 때문이다.

특히, 이러한 이미지센서로서는 독출해야 될 원고의 폭과 같은 폭을 갖는 밀착형 반도체 선형 이미지센서의 개발에 주력하고 있는데, 이 이미지센서들은 원고의 화상이 도달하기 전에 렌즈시스템을 사용하여 화상축소를 제거해 줄 수 있는 여러 종류의 화상처리장치에 한가지 장점을 부가해 주므로써 광학적으로 화상을 독출하도록 된 장치들의 크기를 소형화시켜 줄 수 있다.

이러한 밀착형 비결정질 반도체이미지센서는 매트릭스회로에 접속되어 매트릭스구동방식으로 절환구동되어지게 되는데, 이 경우 선형적으로 배열되어 화소(화상소자)로서 작용을 하는 광전변환소자는 화소그룹과 셀부로 나뉘어져서 개개의 셀전극으로서 작용하는 그의 제1빗형 평면전극이 행신호라인과 열신호라인이 교차배열되어 구성된 매트릭스배선회로를 매개로 화상신호검출기에 접속되어 있고, 각 화소그룹에는 공통전극으로 동작하는 제2빗형 평면전극이 설치되어 있으며, 상기 화소의 제2빗형 평면전극들은 구동전압발생기에 접속되어 있다. 또한 광전변환소자는 각 화소그룹을 하나의 단위씩 연속적으로 선택하므로써 화상신호검출기에 의해 타임시퀀셜비디오신호가 검출될 수 있도록 되어 있다.

통상의 이미지센서에 의하면, 비결정 실리콘층이 광전변환소자를 위한 광전변환층으로서 작용을 하도록 기판에 설치되어 광전변환소자에서 일어나는 이미지광선을 비결정실리콘층의 광도전효과를 이용하여 감지하게 되는데, 이러한 비결정실리콘층은 반도체 IC의 제조방법처럼 화학적기상성장법이나 에칭기술과 같은 박막제조기술을 사용하여 기판상의 소정표면영역을 덮도록 형성시켜 놓은 것이다.

특히 비결정실리콘층은 단일 기판의 최상단에 적층되어 있고, 이어 이와 같이 적층된 비결정 실리콘층은 일부 소정영역을 제외하고 대부분이 에칭기술에 의해 제거되어지게 된다.

그 결과, 비결정 실리콘층은 광전변환소자에 의해 점유된 기판의 표면영역에만 형성되어지게 되고, 매트릭스배선/구동회로와 신호구동회로와 같은 전기회로는 비결정 실리콘층이 제거된 기판표면에 형성되어지게 된다.

그런데, 광전변환소자가 주변의 전기회로와 함께 단일 기판상에 형성된 종래의 이미지센서는 생산성이 낮다는 문제를 갖고 있는데, 이러한 문제는 기판의 모든 표면에다 한번에 비결정 실리콘층을 적층시켜 주어야 한다는 데서 야기되어 진다. 그 까닭은, 한번에 적층시켜 줄 수 있는 비결정 실리콘층영역이 CVD시스템에서는 제한되어지기 때문에 CVD시스템에서 동시에 CVD성장시켜줄 수 있는 단일기판형 이미지센서의 기판수가 감소되어지므로 말미암아 CVD시스템에서는 기판의 하우징효율이 떨어진다.

그 결과 이미지센서의 생산성이 저하되어 불필요한 제조원가가 상승되어지게 된다.

이러한 문제에 대처하기 위해서, 이미지센서기판은 센서부(광전변환소자부)를 형성시켜 주기 위한 제1기판과, 매트릭스배선과 신호독출회로등을 구비하고 있는 주변 전기회로를 형성시켜 주기 위한 제2기판으로 분리시켜 주도록 제안되어 있다.

이 경우, 비결정 실리콘층을 성장시켜 주기 위해 CVD시스템에 내장된 센서부를 형성시켜 주기 위한 분리된 제1기판은 그 영역과 CVD시스템에서 기판의 하우징효율을 실제 절반정도를 축소시켜 줄 수 있고, 비결정실리콘층의 형성에 관한 생산도를 높혀줄 수 있다.

그후, 제1기판은 에칭공정을 거치게 되는데, 여기서 비결정 실리콘층은 소정의 평면형태를 얻을 수 있도록 제조되므로써 센서부로서 동작하는 광전변환소자가 제조되는 것이다.

이와 같이 기판을 2개의 분리된 기판으로 분리시켜 주는 방법은 이미지센서의 생산력을 증가시켜 주게 되지만, 그 분리된 영역을 전기적으로 접속시켜 주기 위한 배치가 매우 복잡하게 된다는 또다른 문제를 내포하게 된다.

보통 그 기판들을 전기적으로 접속시켜 주기 위해서는 얇고 폭이 넓은 연성콘넥터를 사용하게 되는데, 이 연성 컨넥터는 이미지센서에서 많은 공간을 차지하게 되는데, 이것이 패케징효율을 감소시키게 됨에 따라 이미지센서의 실질적인 장점인 소형화에 역행하게 됨과 더불어 그 동작의 신뢰성도 떨어뜨리게 된다.

본 발명은 센서부와 주변회로배열을 위해 기판을 2개로 분리시켜 주는 것과 무관하게 생산력이 우수하고, 2개 기판간의 전기적 접속배열을 간단하게 해 주므로써 동작의 신뢰도를 높혀줄 수 있도록 된 반도체 이미지센서를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.

본 발명은 위와 같은 목적을 해결해 주기 위한 것으로, 2개의 분리기판이 그들간의 경계선을 통해 서로 다른 기판에 인접되게 배열된 독특한 반도체이미지센서를 제안하는 것이다. 이미지센서의 광전셀과 매트릭스배선부로서 작용을 하는 광전변환소자는 제1기판에 설치되는 한편, 광전변환소자를 구동시켜 타임시퀀셜 화상신호를 발생시켜 주는 전기회로는 제2기판에 분리되어 설치된다.

광전변환소자는 셀그룹으로 나뉘어지도록 선형적으로 제1기판에 배열되고, 각각의 셀그룹에 구비되어 있는 광전변환소자는 각각의 셀전극으로서 동작하는 제1단자와 공통셀전극에 접속된 제2단자를 구비하고 있으며, 매트릭스배선부는 광전변화소자에 접속된 열신호라인과 상기 열신호라인과 교차배열되어 매트릭스배선패턴을 형성시켜 주는 행신호라인이 구비되어 있다.

제1기판의 접속패턴은 제1기판과 제2기판간의 경계선을 따라 선형적으로 배열되어 있는데, 이 접속패턴은 각 셀그룹의 공통셀전극에 접속되는 제1접속패턴과 행신호라인에 접속되는 제2접속패턴을 구비하고 있다. 또한 제2기판의 접속패턴, 즉 제3접속패턴은 제1접속패턴과 제2접속패턴의 반대로 제1기판과 제2기판간의 경계선을 따라 1대 1대응방법으로 제2기판의 주변에 직선적으로 배열되어 전기회로부에 접속되어 있고, 접속부는 제1,제2접속패턴을 제3접속패턴에 접속시켜 주도록 설치되므로써 제1기판에 배열된 광전환소자를 매트릭스배선부를 통해 분리배열된 전기회로부에 접속시켜 주도록 되어 있다.

제1도는 본 발명의 실시예 1에 따른 광전변환소자의 화소어레이가 구비된 밀착형 반도체 선형 이미지센서(10)를 나타내는 것으로, 이 이미지센서(10)는 얇은 직각평면형으로 이루어져 지지평판(16)에 설치되는 2개의 분리 절연기판, 즉, 제1기판(12)과 제2기판(14)을 갖추고 있는데, 이러한 제1기판(12)과 제2기판(14)은 지지평판(16)상에서 그 수직경계선에 서로 다른 분리절연기판이 직접 접촉되도록 고정적으로 위치하고 있다.

제1기판(12)은 광도전셀(화상소자)로서 작용하도록 하기 위해 광전변환소자의 화소어레이가 제1기판(12)의 길이방향을 따라 직선적으로 배열되도록 구성된 센서부가 설치되어 센서판으로서 작용을 하게 되고, 제2기판(14)은 매트릭스회로와 화상신호독출회로가 구비된 주변회로가 형성되는 전기회로기판으로서의 기능을 갖도록 되어 있다.

띠모양으로 된 비결정반도체(실리콘)층(18)은 제1기판(12)에 형성되어 이미지센서의 전기변환층으로서 작용을 한다. 광도전층셀(D)은 각각 N개의 셀로 이루어진 M개의 셀그룹(또는 셀부)(D1,D2,…Dm)으로 나뉘어진 비결정반도체층(18)에 형성되어 있다.

본 실시예에서는 해상도가 A4용지 크기에서 8화소/mm로 이루어지도록 M이 54 그리고 N이 32(총 셀수는 1728)로 설정되어 있는 것인데, 제1도의 도면에서는 도면의 설명을 간략화하기 위해 단지 4×8셀에 대해 예로 든 것이다.

빗모양의 평면금속층(20)은 제1기판(12)상에 형성되어 각각의 셀부(Di)에 구비되어 있는 광도전셀(D)의 공통 제1전극에 접속되므로써 상기 평면금속층(20)은 셀부(D1,D2,…Dm)의 공통셀전극으로서 작용을 한다(여기서 첨자 1,2,…는 물론 다른 소자들에 대해서도 사용될 수 있는 것인데, 이는 다음 설명에서와 같이 하나씩 사용될 수 있는 것이므로 명확히 할 필요는 없는 것이다).

또한 M×n의 선형 금속셀전극(22)은 광도전셀(D)의 제2전극을 접속시켜 주는 것과 같은 방법으로 제1기판(12)에 형성시켜 준다. 각각의 금속셀전극(22)은 각각 열신호라인(24)에 접속되도록 수직적으로 뻗어나게끔 제1기판(12)에 형성되고, 행신호라인(24)은 제1기판(12)상에서 수평 방향으로 뻗어있는 행신호라인(26)과 전기적으로 교차되어 매트릭스회로(28)를 이루고 있는 바, 이 매트릭스회로(28)에는 접촉홈(도시되지 않음)이 형성되어 있는 박막절연층(30)이 열신호라인(24)의 패턴과 행신호라인(26)의 패턴사이에 설치되어 있는데, 각 셀부(Di)의 열신호라인(24)은 통상적인 방법으로 행신호라인(26)에 전기적으로 접속되어 있다. 여기서 각각의 층(20,22,24,26,30)등은 통상적인 박막제조공정으로 제1기판(12)상에 적층시켜줄 수 있다.

공통셀전극(20)은 제1기판(12)의 길이방향경계선을 따라 배열된 접속패드패턴(20a)을 갖추고 있고, 행신호라인(26)은 상반부의 제1라인그룹(제1도에서는 각 셀그룹에 대해 4개의 셀만이 도시되어 있기 때문에 상단부의 행라인은 2개임)과 하반부의 제2라인그룹(위와 마찬가지로 하반부의 행라인도 2개임)으로 나뉘어지며, 제1라인그룹에 속해 있는 행라인(26a)(26b)은 그 왼쪽끝에서 90° 꺽여져서 각각 접속패드패턴(32a)(32b)에 접속되어 있는 한편, 제2라인그룹에 속하는 행라인(26C)(26D)은 오른쪽 끝에서 90° 꺽여져서 각각 접속패드패턴(32c)(32d)에 접속되어 있다.

이러한 접속패드패턴(32)은 제1기판(12)의 길이방향 경계선을 따라 상기한 바와 같은 공통셀전극(20)의 접속패드패턴(20a)과 같이 직선적으로 배열된 것이고, 행신호라인(26)은 비결정반도체층(20a)과 같이 직선적으로 배열된 것이고, 행신호라인(26)은 비결정반도체층(18)의 외측으로 확장시켜 주었기 때문에 상기 비결정반도체층(18)과 중첩되지 않는다.

집적회로화된 화소신호독출회로체(34)(36)은 제2기판(14)상에 설치되어 있는데, 이 화소신호독출회로체(34)(36)은 제1기판(12)상에 설치된 공통셀전극(20)의 패턴이나 행신호라인(26)에 순서적으로 구동전압을 공급해 주는 구동회로와, 구동전압의 인가에 따라 나머지 하나의 공통셀전극(20)의 패턴이나 행신호라인(26)을 통해 흐르는 광전류(화소전류)를 순서적으로 검출하여 화소신호를 발생시켜 주는 검출회로를 구비하고 있는데, 이러한 회로의 내부배열은 통상적으로 잘 알려져 있는 기술이므로 여기서는 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 광도전셀(D)의 좌반부는 화소신호독출회로체(34)에 의해 구동되는 한편, 그 우반부는 화소신호독출회로칩(36)에 의해 구동된다.

와이어본딩 기술을 사용하여 화소신호독출회로칩(34)(36)은 제2기판(14)에 형성된 해당 신호라인패턴(37)에 전기적으로 접속되어 있다. 특히, 제2기판(14)에는 제1기판(12)의 길이방향을 따른 인접부근에 접속패드패턴(38)이 직선적으로 배열되어 있고, 상기 화소신호독출회로(34)는 접속패드패턴(38)의 좌반부를 매개로 광도전셀(D)의 좌반부에 설치된 셀부의 공통셀전극과 제1라인그룹에 속해 있는 행신호라인(26a)(26b)에 접속되어 있으며, 화소신호독출회로칩(36)은 접속패드패턴(38)의 나머지부분을 매개로 광도전셀(D)의 우반부에 설치된 셀부의 공통셀전극과 제1라인그룹에 속해 있는 행신호라인(26c)(26d)에 접속되어 있다.

지지평판(16)에는 이미지센서를 그와 함께 접속시켜 주게 될 외부유니트(도시되지 않음)를 접속시켜 주는데 필요한 접속패드패턴(40)이 설치되어 있는데, 이 접속패드패턴(40)은 길이방향을 따라 제2기판(14)의 반대쪽에 직선적으로 배열되어 제1도에 도시된 바와 같이 화소신호독출회로체(34)(36)의 해당 단자에 접속되어 있다. 따라서, 신호패턴은 제2기판(14)상의 오른쪽과 왼쪽에서 실제 축에 대해 대칭이 된다.

제2도는 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 전기적 접속상태를 보다 명백하게 나타내는 반도체 선형 이미지센서(10)의 측면도를 나타내는 것으로, 얇은 고무컨넥터(50)가 공통셀전극패턴(20)과 제1기판(12)상에 설치된 행신호라인(26)의 접속패드패턴(32)을 제2기판(14)의 접속패드패턴(38)에 전기적으로 접속시켜 주도록 설치되어 있는데, 이 고무컨넥터(50)는 인접된 2개의 대응 접속패드패턴끼리 중첩시켜 주도록 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 인접방향인 길이방향(경계선)을 따라 적절하게 배치되어 있다.

고무컨넥터(50)는 실리콘고무와 같은 부드러운 탄성절연체(52)와 이 절연체(52)의 하부에 띠모양으로 형성된 도전층(54)으로 구성되어 있는데, 이 띠모양의 도전층(54)은 제3도에 도시된 바와 같이 컨넥터(50)가 2개의 기판(12)(14)위에 놓여있는 경우 제1기판(12)의 행방향을 따라 얼룩무늬패턴으로 형성되도록 폭방향으로 형성되어 있다.

따라서 고무컨넥터(50)가 제1기판(12)과 제2기판(14)으로 부터 약간 편차를 두고 위치되어 있을지라도 단일기판상에서 인접한 접속패드패턴(예컨대 32a와 32b)사이에서 신호의 전기적 손실이 효과적으로 방지됨과 더불어 제1기판(12)과 제2기판(14)을 전기적으로 접속시켜 줄 수 있다. 고리고 고무컨넥터(50)는 고정용 틀레이트(56)와 스크류(58)에 의해 제1기판(12)과 제2기판(14)에 확실하게 고정되어 있다.

상기와 같이 배열된 이미지센서에 의하면, 센서부가 설치되어 있는 전극(20)의 접속패드패턴(20a)과 제1기판(12)에 설치된 행신호라인(26)에 대한 접속패드패턴(32a,32b,32c,32d)은 센서부가 설치되어 있는 제1기판(12)과 이에 인접된 제2기판(14)사이의 접속경계선을 따라 직선적으로 배열되어 있고, 제2기판(14)의 접속패드패턴(38)은 1대 1대응법으로 접속패드패턴(20a)(32a)(32b)(32c)(32d)에 일치시켜 주도록 상기 제2기판(14)의 접속경계선을 따라 직선적으로 배열되어 있다.

따라서, 단지 인접된 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 경계선에 간단하게 컨넥터(예컨대 고무컨넥터(50))를 설치해 주므로써 제1기판(12)과 제2기판(14)을 전기적으로 용이하게 접속시켜 줄 수 있다.

그러므로 이미지센서의 2개분리기판(12)(14)을 전기적으로 접속시켜 주기위한 패케징공간을 축소시켜 줄 수 있을 뿐만 아니라 그와 같은 전기적 접속에 대한 신뢰도를 향상시켜 줄 수 있기 때문에, 비록 생산력을 높혀주기 위해 이미지센서기판이 제1기판(12)과 제2기판(14)으로 분리되었다고 할지라도 이미지센서의 크기를 전반적으로 소형화시켜줄 수 있다.

또한, 이와 같은 이미지센서에 의하면, 센서부가 설치되는 행신호라인(26)의 상반부와 하반부가 각각 달리 제2기판(14)에 접속되도록 배선해 주므로써 행신호라인(26)의 접속패드패턴을 공통셀전극(20)의 양 접속패드패턴어레이에 위치된 2개의 그룹으로 나누어줄 수 있게 된다.

따라서 행신호라인(26)의 총길이가 짧아지게 되므로써 부유캐패시턴스가 감소되어지게 된다. 그 결과, 화소신호를 독출하는 기간동안에 발생하게 되는 응답시간의 변동이 억제되어 이미지센서의 작용에 대한 신뢰도를 향상시켜줄 수 있다.

또한, 짧은 띠모양의 비결정 반도체층(18)이 행신호라인(26)에 중첩되지 않도록 제1기판(12)에 형성되기 때문에 신호전류의 손실과 화소신호를 시순서적으로 독출하는 동안 발생되는 크로스토크를 억제할 수 있게 되어 화소신호의 신호대잡음비를 향상시켜 줄 수 있다.

제4도에 도시된 본 발명의 실시예 2에 따른 밀착형 이미지센서에 의하면, 제1기판(12)과 제2기판(14)간에는 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 경계에 대해 열압력으로 얇게 형성시켜 준 접속용 도전막(60)에 의해 접속되어 있으므로 이미지센서의 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 전기적 접속을 매우 단순화시켜 줄 수 있게 되어 이미지센서를 보다 소형으로 제작해 줄 수 있게 된다.

제5도는 본 발명의 실시예 3에 따른 밀착형 이미지센서의 평면도를 나타내는 것으로, 이 가운데 제1도에 도시된 것과 동일한 부분에 대해서는 동일 참조부호를 붙혀 주므로써 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

이러한 실시예 3는 절연층에 행신호라인과 열신호라인의 매트릭스배선과 더불어 직선적으로 배열된 광전도전소자를 덮도록 확장된 실시예 1과는 다른 것으로, 특히 실시예 3에서는 절연층(70)이 센서부가 설치되는 제1기판(12)의 모든 표면을 덮도록 형성되므로써 비결정반도체층(18)과 공통셀전극(20) 및 열신호라인(24)이 절연층(70)의 하측에 위치하게 되고, 그에 대한 행신호라인(26)과 접속패드패턴(32a,32b,32c,32d)이 절연층(70)위에 형성되게 된다.

특히, 제2금속층패턴(72)이 접촉홈(도시되지 않음)을 매개로 공통셀전극(20)의 접속패드패턴(20a)에 전기적으로 접속되도록 절연층(70)위에 형성되어지게 되고, 이 제2금속층패턴(72)이 와이어본딩(74)에 의해 제2기판(14)의 해당 접속패드패턴(38)에 전기적으로 접속되어 있다.

상기한 바와 같은 실시예 3의 이미지센서에 따르면, 절연층(70)이 센서부가 설치되는 제1기판(12)의 모든 표면을 덮도록 형성되어지게 되어 제1기판(12)의 표면을 편평하게 해줄 수 있을 뿐만 아니라 화소신호의 독출에 따른 전류손실과 크로스토크를 최소화시켜 줄 수 있다.

따라서 이미지센서의 동작에 대한 신뢰도를 높혀줄 수 있고, 더구나 공통셀전극(20)을 위한 제2금속층패턴(72)이 설치되기 때문에 제1기판(12)의 접속패드패턴에 대한 층두께와 전도도와 같은 접속상태를 일정하게 설정해 줄 수 있다. 그 결과, 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 접속에 대한 신뢰도를 향상시켜 줄 수 있다.

비록 본 발명은 특정한 실시예에 관해서만 설명되어 있지만 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 여러가지로 변형시켜 사용할 수 있는 것으로, 예컨대 제1기판(12)과 제2기판(14)간의 전기적 접속을 고무컨넥터(50)나 와이어본딩(64)이나 절연층(70)으로만 한정하지 않고 필요에 따른 다른 종류의 접속수단을 사용하도록 변형시킬 수도 있다.

Claims

각각 셀전극으로서 작용하는 제1단자(22)와 공통셀전극(20)에 접속되는 제2단자를 갖춘 광전변환소자가 각각 구비된 셀그룹(D1,D2,…,Dm)으로 나뉘어짐과 더불어 이들이 일직선으로 배열되어 광도전셀로서 작용하도록 된 비결정반도체 광전변환소자(D)와, 광전변환소자에 접속된 열신호라인(24)과 상기 열신호라인(24)에 교차된 행신호라인(26)이 매트릭스배선패턴으로 형성된 매트릭스배선부(28) 및, 광전변환소자(D)의 셀그룹을 구동시켜 타임시팍셜화상신호를 발생시켜 주는 전기회로수단(34,36)으로 구성되어지되, 상기 기판이 광전변환소자(D)와 매트릭스배선부(28)가 설치되는 제1기판(12)과 전기회로수단(34,36)이 설치되는 제2기판(14)으로 분리되어 접속경계선을 사이에 두고 제1기판(12)과 제2기판(14)이 서로 인접되게 배치된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서에 있어서, 공통셀전극(20)에 접속된 제1접속패드층(20a)과 행신호라인(26)에 접속된 제2접속패드층(32a,32b,32c,32d)이 구비되어 이들이 제1기판(12)과 제2기판(14)의 접속경계선을 따라 일직선으로 배열되도록 제1기판(12)위에 형성된 접속패드층과, 제1접속패드층(20a)과 제2접속패드층(32)배열의 반대쪽에 상기 접속패드층과 같은 방법으로 접속 경계선을 따라 일직선으로 배열되어 전기회로수단(34,36)에 접속된 제2기판(14)상에 형성된 제2접속패드층 및, 제1접속패드층(20a)과 제2접속패드층(32)을 제3접속패드층(38)에 전기적으로 접속시켜 주어 광전변환소자(D)를 매트릭스배선부(28)를 통해 전기회로수단(34,36)에 접속시켜 주는 컨넥터수단(50,60,70)으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제1항에 있어서, 제2접속패드층(32)은 제1접속패드층(20a) 어레이의 양쪽에 배치되는 제1접속패드층(32a,32b)패턴 그룹과 제2접속패드층(32c,32d)패턴그룹으로 분리되어진 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제2항에 있어서, 광전변환소자는 제1기판(12)상에 형성되어 매트릭스배선부(28)가 중첩되는 것을 방지해 주는 띠모양의 비결정 반도체층(18)을 갖춘 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제3항에 있어서, 행신호라인(26)은 비결정 반도체층(18)의 양측을 따라 확장되어 제2접속패드층(32)의 제1접속패드층 패턴그룹과 제2접속패드층 패턴그룹에 접속된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제4항에 있어서, 행신호라인(26)과 열신호라인(24)사이에 샌드위치되도록 제1기판(12)상에 형성된 절연층(30,60)이 추가로 구성되어 이루어지되, 상기 절연층(30,60)에는 접촉홈이 형성되어 행신호라인(26)이 상기 접촉홈을 매개로 대응된 열신호라인에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제5항에 있어서, 절연층(60)은 광전변환소자를 덮도록 형성되어진 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제6항에 있어서, 행신호라인(26)에 접속된 제2접속패드층(32)은 절연층(60)위에 형성되고, 광전변화소자의 공통전극에 접속된 제1접속패드층(20a)은 절연층(60)의 하측에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제7항에 있어서, 절연층(60)은 제2접촉홈을 갖추고, 제1접속패드층(20a)은 각각 절연층(60)위에 형성된 금속패턴(62)을 갖추어서, 상기 금속패턴(62)이 절연층(60)의 제2접촉홈을 매개로 대응된 제1접속패드층(20a)에 전기적으로 접속되어진 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제8항에 있어서, 제1기판(12)과 제2기판(14)을 지지해 주는 지지평판수단(16)이 추가로 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제9항에 있어서, 접속수단은 탄성절연체(52)와 상기 탄성절연체(52)의 표면일측에 형성된 띠모양의 도전층패턴(54)을 갖춘 고무컨넥터(50)를 구비하되, 상기 고무컨넥터(50)는 제1기판(12)과 제2기판(14)사이의 접속경계선을 따라 일직선으로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제9항에 있어서, 접속수단은 제1기판(12)과 제2기판(14)사이의 접속경계선을 따라 제1기판(12)과 제2기판(14)위에 배열된 박층형 도전막(60)을 구비하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.
제9항에 있어서, 접속수단은 와이어본딩수단을 구비하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체이미지센서.