KR970077358A - 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법에 관해 게시한다. 본 발명은 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1절연막, 제1도전층, 제2도전층, 및 제2절연막을 순차적으로 적층하는 단계와, 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제2절연막을 패터닝하는 단계와, 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제2도전층대 제1도전층의 선택비가 0.7:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계 및 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제1도전층대 제1절연막의 선택비가 50:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함함으로써 종래의 문제점인 잔류물이나 피팅을 방지하여 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도 내지 제6도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법을 도시한 공정순서도이다.

Claims (4)

  1. 반도체 장치의 트랜지스터이 게이트 전극을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상에 제1절연막, 제1도전층, 제2도전층, 및 제2절연막을 순차적으로 적층하는 단계; 게이트 전극을 형성하기 위하여 상기 제2절연막을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제2도전층대 제1도전층의 선택비가 0.7:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계; 및 상기 패터닝된 제2절연막을 마스크로하여 제1도전층대 제1절연막의 선택비가 50:1 이상인 식각 매체를 이용하여 상기 반도체 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층은 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2도전층은 텅스텐과 실리콘의 합금인 WSi로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 트랜지스터의 게이트 전극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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