KR970077605A - 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 히트 싱크와 봉지 수지가 접하는 면에 단차와 같은 불연속면을 형성하여 봉지 수지의 플래쉬가 히트 싱크에 도달되지 않도록 함으로써, 양호한 열 방출이 이루어지는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지에 관한 것으로서, 봉지 수지 외부로 노출된 히트 싱크 면에 봉지 수지 플래쉬가 누설됨으로써, 외부 히트 싱크와의 접촉이 불완전해지고 열 방출 능력이 저하되는 종래의 문제점을 해결하기 위한 것이다.

Description

히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의한 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지의 사시도, 제4도는 제3도에 도시된 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지가 형성되기 위한 성형 금형과, 제3도의 4-4선 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩과 전기적으로 접속되는 리드와, 상기 반도체 칩과 상기 리드의 전기적 접속 부분을 봉지하는 봉지 수지와, 상기 반도체 칩이 실장되며 그 일부가 봉지 수지 외부로 노출되는 히트 싱크를 포함하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지에 있어서, 상기 봉지 수지와 히트 싱크의 접면이 불연속적인 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 봉지 수지와 히트 싱크의 접면이 단차를 이룸으로써 동일면에 형성되지 않는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 히트 싱크가 열 방출 능력이 우수한 구리 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 칩과 리드의 전기적 접속이 금 또는 알루미늄와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 봉지 수지가 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)인 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 히트 싱크의 두께가 상기 리드의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 히트 싱크 노출형 파워 트랜지스터 패키지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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