MD2714G2 - Способ получения пористых полупроводниковых структур - Google Patents

Способ получения пористых полупроводниковых структур Download PDF

Info

Publication number
MD2714G2
MD2714G2 MDA20040250A MD20040250A MD2714G2 MD 2714 G2 MD2714 G2 MD 2714G2 MD A20040250 A MDA20040250 A MD A20040250A MD 20040250 A MD20040250 A MD 20040250A MD 2714 G2 MD2714 G2 MD 2714G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
semiconductor structures
porous semiconductor
onto
semiconductor
obtaining
Prior art date
Application number
MDA20040250A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2714F1 (en
Inventor
Эдуард МОНАЙКО
Ион ТИГИНЯНУ
Вячеслав УРСАКИ
Original Assignee
Ион ТИГИНЯНУ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион ТИГИНЯНУ filed Critical Ион ТИГИНЯНУ
Priority to MDA20040250A priority Critical patent/MD2714G2/ru
Publication of MD2714F1 publication Critical patent/MD2714F1/xx
Publication of MD2714G2 publication Critical patent/MD2714G2/ru

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологии производства полупроводников, в частности, к способам получения полупроводниковых пористых структур.Способ получения полупроводниковых пористых структур заключается в том, что на поверхность полупроводника наносят маску, на непокрытые участки имплантируют ионы высокой энергии, затем маску удаляют, а поверхность полупроводника подвергают электрохимическому травлению. Новизна состоит в том, что перед травлением на поверхность полупроводника наносят слой из материала фоторезиста.
MDA20040250A 2004-10-19 2004-10-19 Способ получения пористых полупроводниковых структур MD2714G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040250A MD2714G2 (ru) 2004-10-19 2004-10-19 Способ получения пористых полупроводниковых структур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040250A MD2714G2 (ru) 2004-10-19 2004-10-19 Способ получения пористых полупроводниковых структур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2714F1 MD2714F1 (en) 2005-02-28
MD2714G2 true MD2714G2 (ru) 2005-10-31

Family

ID=34374323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040250A MD2714G2 (ru) 2004-10-19 2004-10-19 Способ получения пористых полупроводниковых структур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2714G2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD152Z (ru) * 2009-03-10 2010-09-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
US6476409B2 (en) * 1999-04-27 2002-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Nano-structures, process for preparing nano-structures and devices
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6476409B2 (en) * 1999-04-27 2002-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Nano-structures, process for preparing nano-structures and devices
US6277662B1 (en) * 1999-06-03 2001-08-21 Seiichi Nagata Silicon substrate and forming method thereof
MD2536G2 (ru) * 2004-04-28 2005-03-31 Ион ТИГИНЯНУ Способ получения полупроводниковых пористых структур

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD152Z (ru) * 2009-03-10 2010-09-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ формирования пространственно-объемной микроструктуры
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки

Also Published As

Publication number Publication date
MD2714F1 (en) 2005-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008150930A3 (en) Masking high-aspect ratio structures
TW200943002A (en) Production method for semiconductor device
TW200603342A (en) Technique for creating different mechanical stress in different channel regions by forming an etch stop layer having differently modified intrinsic stress
SG131948A1 (en) Self-pattering of photo-active dielectric materials for interconnect isolation
TW200707554A (en) Offset spacers for CMOS transistors
TW200611323A (en) Method and system for etching a film stack
MD2714F1 (en) Process for obtaining porous semiconductor structures
TW200713569A (en) Bottle-shaped trench and method of fabricating the same
TW200625457A (en) Etching process to avoid polysilicon notching
FR2878535B1 (fr) Procede de realisation d'un substrat demontable
MD2536G2 (ru) Способ получения полупроводниковых пористых структур
TW200802621A (en) Method of fabricating recess gate in semiconductor device
TW200614384A (en) Impurity introducing method
TW200607010A (en) Method of fabricating a gate oxide layer
WO2010147937A3 (en) Enhancing nand flash floating gate performance
TW200644068A (en) Manufacturing method for gate dielectric layer
MD2610F1 (en) Process semiconductor porous surface obtaining
TW200724709A (en) A method for forming a mask pattern for ion-implantation
WO2006066882A3 (de) Flächiges implantat und verfahren zu seiner herstellung
TW200627520A (en) Pattern forming method, lower layer film forming composition and manufacturing method of semiconductor device
TW200733189A (en) Method for manufacturing semiconductor device
MD2585G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктур
TW200715478A (en) Method of fabricating a bottle-shaped trench
AU2003299368A1 (en) Method of the production of cavities in a silicon sheet
MD2556G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктур

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees