MD2585G2 - Способ получения полупроводниковых наноструктур - Google Patents

Способ получения полупроводниковых наноструктур Download PDF

Info

Publication number
MD2585G2
MD2585G2 MDA20040137A MD20040137A MD2585G2 MD 2585 G2 MD2585 G2 MD 2585G2 MD A20040137 A MDA20040137 A MD A20040137A MD 20040137 A MD20040137 A MD 20040137A MD 2585 G2 MD2585 G2 MD 2585G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
obtaining
semiconductor
semiconductor nanostructures
carried out
ion implantation
Prior art date
Application number
MDA20040137A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD2585F1 (en
Inventor
Эдуард МОНАЙКО
Ион ТИГИНЯНУ
Ала КОЖОКАРУ
Вячеслав УРСАКИ
Original Assignee
Ион ТИГИНЯНУ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ион ТИГИНЯНУ filed Critical Ион ТИГИНЯНУ
Priority to MDA20040137A priority Critical patent/MD2585G2/ru
Publication of MD2585F1 publication Critical patent/MD2585F1/xx
Publication of MD2585G2 publication Critical patent/MD2585G2/ru

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к производства полупроводников, в частности к способам получения полупроводниковых наноструктур.Сущность изобретения заключается в том, что способ получения полупроводниковых наноструктур включает осаждение маски на одну из поверхностей полупроводниковой пластинки, ионную имплантацию, электрохимическую обработку и удаление маски. Ионная имплантация осуществляется при энергии ионов до 30 keV и дозах не более 1011 cm-2, а электрохимическая обработка проводится при прохождении тока плотностью не менее 100 mA/cm2.
MDA20040137A 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур MD2585G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040137A MD2585G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MDA20040137A MD2585G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD2585F1 MD2585F1 (en) 2004-10-31
MD2585G2 true MD2585G2 (ru) 2005-05-31

Family

ID=33308445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MDA20040137A MD2585G2 (ru) 2004-06-01 2004-06-01 Способ получения полупроводниковых наноструктур

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD2585G2 (ru)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD4063C1 (ru) * 2010-02-18 2011-03-31 Технический университет Молдовы Способ получения нанотрубок из диоксида титана на титановой подложке

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2192698C1 (ru) * 2001-07-05 2002-11-10 Омский государственный технический университет Устройство для защиты электродвигателей

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2192698C1 (ru) * 2001-07-05 2002-11-10 Омский государственный технический университет Устройство для защиты электродвигателей

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I.M. Tiginyanu, C. Schwab, J.J. Grob, B. Prevot, H.L. Hartnagel, A. Vogt, G.Irmer, J.Monecke. Appl. Phys. Lett., vol. 71, nr. 26, 1997, p.3829-3831 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD2982G2 (ru) * 2005-08-10 2006-10-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Cпособ получения полупроводниковых наноструктур
MD3811G2 (ru) * 2007-11-06 2009-08-31 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полупроводниковых наноструктурных зон
MD193Z (ru) * 2009-06-04 2010-11-30 Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы Способ получения полисульфидной плёнки
MD4063C1 (ru) * 2010-02-18 2011-03-31 Технический университет Молдовы Способ получения нанотрубок из диоксида титана на титановой подложке

Also Published As

Publication number Publication date
MD2585F1 (en) 2004-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200943002A (en) Production method for semiconductor device
SG136060A1 (en) A method of fabricating a thin film
TW200507445A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200737404A (en) Semiconductor on glass insulator made using improved ion implantation process
TW200721491A (en) Semiconductor structures integrating damascene-body finfet's and planar devices on a common substrate and methods for forming such semiconductor structures
WO2009155498A3 (en) Use of pattern recognition to align patterns in a downstream process
MY205082A (en) Method of treating water with an ion exchange bed in a water treatment system
WO2008151309A3 (en) An ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of ions derived from carborane cluster ions
TW200603342A (en) Technique for creating different mechanical stress in different channel regions by forming an etch stop layer having differently modified intrinsic stress
TW200502428A (en) Ozone post-deposition treatment to remove carbon in a flowable oxide film
TW200943574A (en) Method to form a photovoltaic cell comprising a thin lamina
WO2008096160A3 (en) An article and a method of surface treatment of an article
WO2011126772A3 (en) Continuously optimized solar cell metallization design through feed-forward process
GB0208642D0 (en) Metal implants
TW200608492A (en) System for modifying small structures
TW200644092A (en) Self-aligned high-energy implantation for deep junction structure
MD2585G2 (ru) Способ получения полупроводниковых наноструктур
WO2009018203A3 (en) Integrated circuit formation using different angled implants
WO2013003282A3 (en) Use of a shadow mask and a soft mask for aligned implants in solar cells
TW200710965A (en) Method of forming align key in well structure formation process and method of forming element isolation structure using the align key
RU2009146073A (ru) Способ изготовления силового полупроводникового прибора
EP1563888A3 (en) Water treatment composition and process of making the same
TW200709305A (en) Method for manufacturing electronic devices integrated in a semiconductor substrate and corresponding devices
MY166017A (en) Demagnetization of magnetic media by c doping for hdd patterned media application
ATE366953T1 (de) Mikrostrukturierungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
KA4A Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration)
MM4A Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees