MD3029C2 - Способ получения датчиков (варианты) - Google Patents
Способ получения датчиков (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- MD3029C2 MD3029C2 MDA20040208A MD20040208A MD3029C2 MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2 MD A20040208 A MDA20040208 A MD A20040208A MD 20040208 A MD20040208 A MD 20040208A MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- obtained materials
- metal
- chemical components
- ultra
- variant
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники, в частности к технологии получения датчиков, и может быть использовано для получения датчиков на основе оксидных слоев полупроводников или металлов.Способ получения датчиков, по первому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Затем осуществляют быструю фототермическую обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.Способ получения датчиков, по второму варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно одновременно с нанесением химических компонентов осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью. Затем осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.Способ получения датчиков, по третьему варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью, и затем осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например, с кислородом.Способ получения датчиков, по четвертому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Затем дополнительно осуществляют фототермическую быструю обработку полученных материалов в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом, и одновременно их легирование по меньшей мере, одной донорской или акцепторной примесью.Способ получения датчиков, по пятому варианту, включает нанесение химических компонентов оксидных слоев полупроводников или металлов в присутствии ультрафиолетовых лучей. Дополнительно осуществляют легирование полученных материалов, по меньшей мере, одной примесью донорской или акцепторной, при этом концентрация примесей, введенных при легировании составляет максимально возможную для полученного материала, и затем фототермическую быструю обработку полученных материалов, которую осуществляют в условиях понижения температуры от температуры легирования до температуры окружающей среды в вакууме или в воздухе, или в газовой камере, например с кислородом.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3029B1 MD3029B1 (en) | 2006-04-30 |
| MD3029C2 true MD3029C2 (ru) | 2006-11-30 |
Family
ID=36202584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ru) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Способ получения датчиков (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3029C2 (ru) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
| RU2542977C2 (ru) * | 2009-10-15 | 2015-02-27 | Аркема Инк. | НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
-
2004
- 2004-09-06 MD MDA20040208A patent/MD3029C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Arijit Chowdhury et al. Fast response characteristics with ultra-thin CuO islands on sputtered SnO2, Sensors and Actuators, B93, 2003, p. 572-579 * |
| S. Leopold, I.U. Schuchrt et al. Electrochemical depozition of cilindrical Cu/Cu2O microstructures, Electrochemica Arta, 47, 2002, p. 4393 – 4397 * |
| Won Jae Moon et al. The CO and H2 gas selectivity of CuO-doped SnO2-ZnO compoyite gas sensor, Sensors and Actuators, B 87, 2002, p. 464-470 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ru) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих слоев |
| MD175Z (ru) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Устройство для получения сверхпроводящих пленок |
| RU2542977C2 (ru) * | 2009-10-15 | 2015-02-27 | Аркема Инк. | НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ |
| MD353Z (ru) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Сверхпроводящий спиновой вентиль |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3029B1 (en) | 2006-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8512471B2 (en) | Halosilane assisted PVT growth of SiC | |
| WO2006091588A3 (en) | Etching chamber with subchamber | |
| IL180213A0 (en) | Quartz glass jig for processing semiconductor wafers and method for producing the jig | |
| JP5886627B2 (ja) | 汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法及び高純度シリコンを処理する炉 | |
| EP2009681A3 (en) | Methods for high temperature etching a high-k material gate structure | |
| ITBO20030348A1 (it) | Camera per sensori di gas e metodo di rilevamento di odori. | |
| KR102497995B1 (ko) | 가스 배리어성 평가 장치 및 가스 배리어성 평가 방법 | |
| TW200746354A (en) | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill | |
| CN201689872U (zh) | 一种具有气体检测装置的加热炉 | |
| MD3029C2 (ru) | Способ получения датчиков (варианты) | |
| WO2006009278A3 (ja) | シリコンウエハ基板係止ステージ、シリコンウエハ基板温度測定法 | |
| WO2006009278A1 (ja) | シリコンウエハ基板係止ステージ、シリコンウエハ基板温度測定法 | |
| KR101503438B1 (ko) | 가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서 | |
| US8597732B2 (en) | Thin film depositing method | |
| MD3894G2 (ru) | Газовый датчик на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников | |
| WO2009150152A3 (en) | System and process for the production of polycrystalline silicon for photovoltaic use | |
| MD2859C2 (ru) | Нанотехнология получения наноструктурированных материалов и нанокомпозитов (варианты) | |
| EP2259290A3 (en) | Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen | |
| Nakayama et al. | Super H2O-barrier film using Cat-CVD (HWCVD)-grown SiCN for film-based electronics | |
| TW200605101A (en) | Thermistor thin-film and its forming method | |
| TWI268555B (en) | Silicon wafer and process for producing it | |
| TW200639928A (en) | Thin-film forming apparatus | |
| TW200636829A (en) | Apparatus and method for thermal processing | |
| Morandi et al. | Cr–Sn oxide thin films: electrical and spectroscopic characterisation with CO, NO2, NH3 and ethanol | |
| Kondoh et al. | Measurements of trace gaseous ambient impurities on an atmospheric pressure rapid thermal processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |