MD627G2 - Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы - Google Patents

Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы

Info

Publication number
MD627G2
MD627G2 MD94-0257A MD940257A MD627G2 MD 627 G2 MD627 G2 MD 627G2 MD 940257 A MD940257 A MD 940257A MD 627 G2 MD627 G2 MD 627G2
Authority
MD
Moldova
Prior art keywords
indium
bases
source
saturation
gaz
Prior art date
Application number
MD94-0257A
Other languages
English (en)
Romanian (ro)
Other versions
MD627F2 (en
Inventor
Vasile Botnariuc
Леонид ГОРЧАК
Ion Diacov
Andrei Chitoroaga
Valentin Plesca
Симион РАЕВСКИЙ
Original Assignee
Государственный Университет Молд0
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственный Университет Молд0 filed Critical Государственный Университет Молд0
Priority to MD94-0257A priority Critical patent/MD627G2/ru
Publication of MD627F2 publication Critical patent/MD627F2/xx
Publication of MD627G2 publication Critical patent/MD627G2/ru

Links

Landscapes

  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев фосфида индия с управляемыми электрофизическими параметрами.Для устранения потерь материала источника в процессе его насыщения фосфором и обеспечения управляемости составом газовой фазы с помощью заявляемого способа, включающего подготовку оснастки, химическое травление подложек, продувку реактора водородом, термостатирование трихлорида, нагрев источника и подложек, газовое травление подложек, рост слоев проводят используя в качестве источников одновременно жидкий индий и твердый фосфид индия, расположенные в отдельных каналах.Технический результат изобретения выражается в устранении потерь индия при его насыщении фосфором и улучшении воспроизводимости электрофизических параметров эпитаксиальных слоев за счет управляемого дозирования элементов в газовой фазе.
MD94-0257A 1994-07-25 1994-07-25 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы MD627G2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0257A MD627G2 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MD94-0257A MD627G2 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы

Publications (2)

Publication Number Publication Date
MD627F2 MD627F2 (en) 1996-11-29
MD627G2 true MD627G2 (ru) 1997-06-30

Family

ID=19738568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
MD94-0257A MD627G2 (ru) 1994-07-25 1994-07-25 Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы

Country Status (1)

Country Link
MD (1) MD627G2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD249Z (ru) * 2009-04-29 2011-02-28 Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы Способ изготовления термоэлектрического охладителя для подложки ЧИПа

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.Cryst. Growth, vol. 54, nr.1, 1981 (R.C.Clark , Indium phosphide vapor phase epitaxy, p. 88-100). *
Сборник "Обзоры по электронной технике", Сер. 2, Полупроводниковые приборы, B. 3, 1985 г. (Т.П.Колмакова, Г.Ф.Лымарь. "Выращивание эпитаксиальных слоев фосфида индия в системе InP-PCl3-H2", c. 93). *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MD151Z (ru) * 2008-12-30 2010-09-30 Государственный Университет Молд0 Способ выращивания эпитаксиальных слоёв GaAs в горизонтальном реакторе

Also Published As

Publication number Publication date
MD627F2 (en) 1996-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60317814T2 (de) Vorrichtung und verfahren zur abscheidung eines oxidfilms
Kanber et al. A comparison of rapid thermal annealing and controlled atmosphere annealing of Si‐implanted GaAs
MD627G2 (ru) Способ получения эпитаксиальных слоев фосфида индия из газовой фазы
JPS56138917A (en) Vapor phase epitaxial growth
JPS5740940A (en) Semiconductor device
GB1477941A (en) Epitaxial methods of growing layers of gallium phosphide
JPS54106081A (en) Growth method in vapor phase
JPH04202091A (ja) 化合物半導体の気相成長装置
JPS6071596A (ja) 気相成長装置
JPS56161832A (en) Gaseous phase treatment device
JPS5591815A (en) Silicon epitaxial growth
MD626G2 (ru) Способ изготовления гетероструктур p+ InP-pInP/CdS и p+GaAs-pGaAs/CdS
JPS5727999A (en) Vapor phase growing method for gan
SU1800856A1 (ru) Способ получения эпитаксиальных структур на подложках арсенида галлия
JPS5469062A (en) Vapor growth method for magnespinel
JPS57149721A (en) Method of vapor epitaxial growth
JPS5618000A (en) Vapor phase growing method for 3-5 group compound semiconductor
JPS5518024A (en) Vapor phase reactor
JPS5669297A (en) Method of growing to large-size single crystal
JPS5429560A (en) Gas phase growth method for semiconductor
JPS5526622A (en) Method of controlling density of carrier in epitaxial film of chemical semiconductor
JPS607715A (ja) 化合物半導体装置の製造方法
JPS53105966A (en) Growth method for epitaxial layer
JPS5524413A (en) Process of epitaxial growth for semiconductor
JPH0665209B2 (ja) 気相成長による半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
FG3A Granted patent for invention
IF99 Valid patent on 19990615

Free format text: EXPIRES: 20140725