NO320516B1 - Halvledende trykksensor - Google Patents
Halvledende trykksensor Download PDFInfo
- Publication number
- NO320516B1 NO320516B1 NO20003985A NO20003985A NO320516B1 NO 320516 B1 NO320516 B1 NO 320516B1 NO 20003985 A NO20003985 A NO 20003985A NO 20003985 A NO20003985 A NO 20003985A NO 320516 B1 NO320516 B1 NO 320516B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- layer
- semi
- pressure sensor
- insulating layer
- conductive layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 32
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
- G01L9/0055—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements bonded on a diaphragm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
Teknisk område
Foreliggende oppfinnelse vedrører en halvledertrykksensor for måling av trykk ved bruk av den piezoresistive effekt av en halvleder, og en fremgangsmåte for fremstilling av den samme.
Teknisk bakgrunn
Blant forskjellige typer trykksensorer er en halvledende trykksensor som utnytter den piezoresistive effekt av en halvleder kompakt, lett i vekt og svært følsom, og blir følgelig mye brukt i applikasjoner slik som på området industriell instrumentering og medisin. I en slik halvledende trykksensor blir en strekklapp med en piezoresistiv effekt dannet på en halvledende membran. Strekklappen de-formeres av et trykk påført membranen, og en endring i re-sistansen av strekklappen forårsaket av den piezoresistive effekt detektert, hvorved den måler trykket. Membranen dannes ved å gravere i en overflate av en halvledende råskive
(wafer) ved etsing. Tykkelsen av membranen har stor innfly-telse på karakteristikkene til den halvledende trykksensor. Følgelig må tykkelsen av membranen kontrolleres nøyaktig. I en konvensjonell produksjonsmetode er imidlertid etsetiden og temperaturen vanskelig å kontrollere, hvilket gjør det meget vanskelig å kontrollere tykkelsen av membranen og dens jevnhet med høy presisjon.
En halvledende trykksensor har vært foreslått hvor et etsestoppende lag laget av en isolator eller lignende dannes på et halvledende substrat, og det halvledende substrat etses til det etsestoppende lag, og derved nøyaktig kontrollerer tykkelsen av membranen (japansk patentpublikasjon nr. 59-38744). Figur 4 er et snittbilde av den konvensjonelle halvledende trykksensor beskrevet i japansk patentpublikasjon 59-38744. Denne halvledende trykksensor består av et enkeltkrystall Si-lag (11) som tjener som basis, et Si02-lag (12) dannet på enkeltkrystall Si-laget (11), et enkeltkrystall Si-lag (13) dannet på Si02-laget (12) , en membran
(14) dannet ved å etse den del av enkeltkrystall Si-laget (11) som korresponderer til det trykksensitive området ved bruk av Si02-laget (12) som et etsestoppende lag, og en strekklapp (ikke vist) med en piezoresistiv effekt dannet på overflaten av enkeltkrystall Si-laget (13). I den halvledende trykksensor vist i figur 4 har membranen (14) uønskede temperaturkarakteristikker på grunn av en forskjell i termisk utvidelseskoeffisient mellom Si-laget (13) og Si02-laget (12). I en kantdel (16) av membranen, vil det også oppstå sprekkdannelse i Si02-laget (12), som er mer skjørt enn Si, på grunn av avbøyning av membranen (14) . Denne sprekkdannelse strekker seg til Si-laget (13) for til slutt å bryte membranen (14). Selv om det eksponerte Si02-lag (12) blir fjernet etter etsing av Si-laget (14), vil sprekkdannelse fremdeles oppstå i et grensesnitt mellom Si-laget (13) og Si02-laget (12) , siden Si02-laget
(12) forblir i kantdelen (16) av membranen.
Fra europeisk patentsøknad EP 0 512 771 er det kjent en halvlederstruktur (100) bestående av et første lag (110) og et andre lag (120). Det første laget (110) består av et materiale med en ladningstype forskjellig fra materialet i det andre laget (120). Et første område (115) dannes delvis inn i det laget som skal etses. Overflaten maskeres og etses. Det dannes derved en struktur som varierer med led-ningstype og geometri til det første området (115) samt etsemiddelet som benyttes. Det bortetsede område strekker seg kun gjennom det ene lag, og ikke det andre. Det er hel-ler ikke noe isolerende lag med i strukturen.
Foreliggende oppfinnelse har blitt utført for å løse de ovenfor nevnte problemer, og har som sin hensikt å tilveie-bringe en halvledende trykksensor hvor temperaturkarakte-ristikkene til en membran kan forbedres og styrken av en kantdel av membranen kan økes, og en fremgangsmåte for fremstilling av det samme.
Beskrivelse av opp f1' titioi onn
For å oppnå hensikten ovenfor omfatter foreliggende oppfinnelse et første halvlederlag som danner en basis, et isolerende lag dannet på det første halvledende lag, et andre halvledende lag dannet på det isolerende lag og med en membrandel som danner et trykkfølsomt område, og en fordypning dannet i det trykkfølsomme området som strekker seg gjennom det første halvledende lag og det isolerende lag til en forhåndsbestemt dybde som når det andre halvledende lag. Slik vil ikke det isolerende lag forbli på membrandelen og en kantdel av membranen.
Foreliggende oppfinnelse omfatter også trinnene å danne en trelagsstruktur bestående av et første halvledende lag som danner en basis, et isolerende lag dannet på det første halvledende lag, og et andre halvledende lag dannet på det isolerende lag og et trykkfølsomt område, å etse det første halvledende lag korresponderende til det trykkfølsomme området ved bruk av det isolerende lag som et etsestoppende lag, og derved eksponere det isolerende lag, fjerne det eksponerte isolerende lag, og etse det andre halvledende lag en forhåndsbestemt mengde ved bruk av det gjenværende isolerende lag som en maske, og derved danne en membrandel i det trykkfølsomme området.
I foreliggende oppfinnelse har dybden av fordypningen dannet i det andre halvledende lag en øvre tillatelig grense på et titalls mikrometer.
Ifølge én utførelse av foreliggende oppfinnelse, har det andre halvledende lag en tykkelse på 30 mikrometer, og fordypningen dannet i det andre halvledende lag en dybde på 5 mikrometer til 10 mikrometer.
Ifølge én utførelse av foreliggende oppfinnelse, er de første og andre halvledende lag dannet av n-type enkeltkrystall Si, og det isolerende lag er laget av Si02.
Én utførelse av foreliggende oppfinnelse omfatter minst én strekklapp dannet på membrandelen av det andre halvledende lag.
Kortfattet beskrivelse av tegningene
Figur 1 er et snittbilde av en halvledende trykksensor ifølge én utførelse av foreliggende oppfinnelse. Figur 2 viser plan og bunnsnitt av den halvledende trykksensor i figur 1. Figur 3 viser snittbilder av trinnene i en fremgangsmåte for fremstilling av den halvledende trykksensor i figur 1. Figur 4 er et snittbilde av en konvensjonell halvledende trykksensor.
Foretrukket utførelsesform
En utførelse av foreliggende oppfinnelse vil bli beskrevet i detalj med henvisning til de vedlagte tegninger. Figur l er et snittbilde av en halvledende trykksensor ifølge én utførelse av foreliggende oppfinnelse, figur 2A er et plan-bilde av den halvledende trykksensor i figur l, og figur 2B er et bilde fra undersiden av den halvledende trykksensor i figur l.
Denne halvledende trykksensor består av et n-type enkeltkrystall Si-lag (1) som tjener som en basis, et Si02-lag (2) dannet på n-type enkeltkrystall Si-laget (l), et n-type enkeltkrystall Si-lag (3) dannet på Si02-laget (2) , en membran (4) dannet ved etsing av den del av det n-type enkeltkrystall Si-laget (1) som korresponderer til et trykkfølsomt område i Si02-laget (2) ved å bruke Si02-laget (2) som et etsestoppende lag, ved fjerning av det eksponerte Si02-lag (2), og etse det trykkfølsomme området av n-type enkeltkrystall Si-laget (3) med en forhåndsbestemt mengde, og strekklapper (5) piezoresistiv effekt dannet på det trykkfølsomme området på n-type enkeltkrystall Si-laget (3) .
En fremgangsmåte for fremstilling av denne halvledende trykksensor vil bli beskrevet med henvisning til figur 3. Først, som vist i figur 3A, blir en SOI- (Silicon On Insu-lator, det vil si silisium på isolator) råskive bestående av n-type enkeltkrystall Si-laget (1) , Si02-laget (2) med en tykkelse på omtrent 0,5 mikrometer og n-type enkeltkrystall Si-laget (3) fremskaffet. For å fabrikkere denne SOI-råskive, kan det benyttes en SIMOX- (Separation by IMplanted OXygen, det vil si separasjon ved implantert ok-sygen) teknikk for å danne et Si02-lag ved å implantere ok-sygen inn i et Si-substrat, en SDB (Silicon Direct Bonding, det vil si silisium direkte forbindelse) teknikk for bin-ding av to Si-substrater, eller andre fremgangsmåter.
n-type enkeltkrystall Si-laget (3) poleres til en forhåndsbestemt tykkelse (for eksempel 30 mikrometer) med en pole-ringsmetode kalt CCP (Computer Controlled Polishing, det vil si datastyrt polering), eller lignende, for å gjøre den plan og tynn. Alternativt kan et n-type enkeltkrystall Si-lag (3) med en forhåndsbestemt tykkelse dannes på Si02-laget (2) ved epitaksering. En Si02-film eller resist (ikke vist) dannes på den nedre overflate av SOI-råskiven dannet på denne måten, og en åpning dannes i den del av Si02-fil-men eller resisten som korresponderer til et trykkfølsomt område (et område hvor membranen (4) skal dannes). Ved å bruke Si02-filmen eller resisten utformet på denne måte som en membrandannende etsemaske, blir n-type enkeltkrystall Si-laget (1) dyppet i en løsning av KOH eller TMAH, hvorved n-type enkeltkrystall Si-laget (1) blir etset (figur 3B). Etsingen går gradvis frem i åpningen beskrevet ovenfor, og stopper automatisk når Si02-laget (2) blir nådd.
Deretter blir Si02-laget (2) etset med en løsning av HF eller lignende, ved bruk av n-type enkeltkrystall Si-laget (1) som en etsemaske, for å fjerne Si02-laget (2) eksponert ved etsing av Si-laget (1) (figur 3C). n-type enkeltkrystall Si-laget (3) etses med en løsning av KOH eller TMAH (figur 3D) , ved å bruke Si02-laget (2) som en etsemaske. Etsedybden kontrolleres til en forhåndsbestemt liten mengde (omtrent 5 mikrometer til 10 mikrometer) ved tidsstyring.
Membranen (4) dannes på denne måte. Siden mengden etsing av n-type enkeltkrystall Si-laget (3) er så meget lite som omtrent 5 mikrometer til 10 mikrometer og tykkelsen av n-type enkeltkrystall Si-laget (3) ikke varierer med etsing drøyt 10 mikrometer eller mindre, kan membranen dannes med en jevn tykkelse. Strekklappene (piezoresistive områder) (5) laget av p-Si, dannes på den øvre overflate av n-type enkeltkrystall Si-laget (3) ved diffusjon av urenheter eller ioneimplantasjon (figur 3E).
Suksessivt dannes et Si02-lag (ikke vist) på den øvre overflate av n-type enkeltkrystall Si-laget (3), og kontakthull dannes i Si02-laget på strekklappene (5). Etter dette blir Al-elektroder (ikke vist) dannet på kontakthulldelene ved dampavsetning for å oppnå elektrisk kontakt med strekklappene (5). Da er fremstillingen av den halvledende trykksensor avsluttet.
Som beskrevet ovenfor, blir den del av n-type enkeltkrystall Si-laget (1) som korresponderer til det trykkfølsomme området etset fra dets nedre overflate til Si02-laget (2) ved å bruke Si02-laget (2) som det etsestoppende lag, deretter blir Si02-laget (2) eksponert ved denne etsing fjernet, og det trykkfølsomme området av n-type enkeltkrystall Si-laget (3) etses med en meget liten mengde, slik at Si02-laget (2) ikke vil forbli på membranen (4) og en kantdel (6) av membranen. Som et resultat, kan temperaturkarakte-ristikkene til membranen (4) forbedres, og styrken av kantdelen (6) av membranen kan økes.
Selv om anisotropisk etsing som utnytter etsekarakteristik-kene i de krystallografiske akser av enkeltkrystall Si blir utført i denne utførelse, kan isotropisk etsing utføres i stedet. Tørretsing kan utføres i stedet for våtetsing som i denne utførelse.
Industriell anvendelighet
Den halvledende trykksensor ifølge denne oppfinnelse er egnet som en trykksensor benyttet på området industriell instrumentering og i det medisinske området.
Claims (10)
1. Halvledende trykksensor,
karakterisert ved at den omfatter: • et første halvledende lag dannet på en basis, • et isolerende lag dannet på nevnte første halvledende lag, • et andre halvledende lag dannet på nevnte isolerende lag og med en membrandel som danner et trykkfølsomt område, og • en fordypning dannet i nevnte trykkfølsomme område og strekker seg gjennom nevnte første halvledende lag og nevnte isolerende lag til en forhåndsbestemt dybde som når nevnte andre halvledende lag.
2. Halvledende trykksensor ifølge krav 1, karakterisert ved at dybden av nevnte fordypning dannet i nevnte andre halvledende lag har en øvre tillatelig grense på vel 10 mikrometer.
3. Halvledende trykksensor ifølge krav 1, karakterisert ved at nevnte andre halvledende lag har en tykkelse på 30 mikrometer og nevnte fordypning dannet på nevnte andre halvledende lag har en dybde på 5 mikrometer til 10 mikrometer.
4. Halvledende trykksensor ifølge krav 1, karakterisert ved at nevnte første og andre halvledende lag er laget av n-type enkeltkrystall Si, og nevnte isolerende lag er laget av Si02.
5. Halvledende trykksensor ifølge krav 1, karakterisert ved at den omfatter minst én strekklapp dannet på nevnte membrandel av nevnte andre halvledende lag.
6. Fremgangsmåte for fremstilling av en halvledende trykksensor,
karakterisert ved at den omfatter trinnene : • å danne en trelagsstruktur bestående av et første halvledende lag som danner en basis, et isolerende lag dannet på nevnte første halvledende lag, og et andre halvledende lag dannet på nevnte isolerende lag og som har et trykkfølsomt område, • å etse nevnte første halvledende lag korresponderende til nevnte trykkfølsomme områder ved å bruke nevnte isolerende lag som et etsestoppende lag, og derved eksponere nevnte isolerende lag, • å fjerne nevnte eksponerte isolerende lag, og • å etse nevnte andre halvledende lag med en forhåndsbestemt mengde ved å bruke nevnte gjenværende isolerende lag som en maske, og derved danne en membrandel i nevnte trykkfølsomme område.
7. Fremgangsmåte for fremstilling av en halvledende trykksensor ifølge krav 6,
karakterisert ved at en fordypning dannes i nevnte andre halvledende lag, som har en dybde med en øvre tillatelig grense på vel 10 mikrometer.
8. Fremgangsmåte for fremstilling av en halvledende trykksensor ifølge krav 6,
karakterisert ved at nevnte andre halvledende lag har en tykkelse på 30 mikrometer, og en fordypning dannes i nevnte andre halvledende lag med en dybde på 5 mikrometer til 10 mikrometer.
9. Fremgangsmåte for fremstilling av en halvledende trykksensor ifølge krav 6,
karakterisert ved at nevnte første og andre halvledende lag er laget av n-type enkeltkrystall Si, og nevnte isolerende lag er laget av Si02.
10. Fremgangsmåte for fremstilling av en halvledende trykksensor ifølge krav 6,
karakterisert ved at den omfatter trinnet å danne minst én strekklapp på nevnte membrandel av nevnte andre halvledende lag.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34992798A JP3506932B2 (ja) | 1998-12-09 | 1998-12-09 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
| PCT/JP1999/006751 WO2000034754A1 (fr) | 1998-12-09 | 1999-12-02 | Capteur de pression a semi-conducteurs et son procede de fabrication |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20003985D0 NO20003985D0 (no) | 2000-08-07 |
| NO20003985L NO20003985L (no) | 2000-10-09 |
| NO320516B1 true NO320516B1 (no) | 2005-12-12 |
Family
ID=18407058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20003985A NO320516B1 (no) | 1998-12-09 | 2000-08-07 | Halvledende trykksensor |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6619133B1 (no) |
| EP (1) | EP1055920A4 (no) |
| JP (1) | JP3506932B2 (no) |
| KR (1) | KR100462569B1 (no) |
| CN (1) | CN1138135C (no) |
| CA (1) | CA2319570C (no) |
| NO (1) | NO320516B1 (no) |
| WO (1) | WO2000034754A1 (no) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2169912C1 (ru) * | 2000-03-30 | 2001-06-27 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Микроэлектронный датчик давления |
| JP2007516746A (ja) * | 2003-12-11 | 2007-06-28 | プロテウス バイオメディカル インコーポレイテッド | 移植可能な圧力センサ |
| DE102005004603B3 (de) * | 2005-02-01 | 2006-06-08 | Siemens Ag | Kraftsensor |
| US7219021B2 (en) * | 2005-09-13 | 2007-05-15 | Honeywell International Inc. | Multiple wireless sensors for dialysis application |
| CN101273255B (zh) * | 2005-11-15 | 2010-05-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体压力传感器及其制造方法 |
| KR100773759B1 (ko) * | 2006-03-27 | 2007-11-09 | 한국기계연구원 | 마이크로 압력센서 |
| DE602007012995D1 (de) * | 2007-01-31 | 2011-04-21 | Infineon Technologies Ag | Mikromechanischer Drucksensor |
| JP4916006B2 (ja) | 2007-02-28 | 2012-04-11 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
| JP4925306B2 (ja) | 2007-02-28 | 2012-04-25 | 株式会社山武 | 圧力センサ |
| DE102007010913A1 (de) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensor |
| US7571650B2 (en) * | 2007-07-30 | 2009-08-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Piezo resistive pressure sensor |
| WO2009041463A1 (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Alps Electric Co., Ltd. | 半導体圧力センサ |
| JP4600468B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2010-12-15 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器 |
| JP5357469B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-12-04 | アルプス電気株式会社 | 半導体圧力センサ |
| JP5067584B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2012-11-07 | オムロン株式会社 | 半導体センサ及びその製造方法 |
| JP5286153B2 (ja) | 2009-04-28 | 2013-09-11 | アズビル株式会社 | 圧力センサの製造方法 |
| US8569092B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-10-29 | General Electric Company | Method for fabricating a microelectromechanical sensor with a piezoresistive type readout |
| ITFI20110090A1 (it) * | 2011-05-02 | 2012-11-03 | Mattia Glauber | Venous reservoir with an integrated pressure measurement/visualization system.reservoir venoso avente un sistema integrato di misurazione / visualizzazione della pressione. |
| US8556394B2 (en) | 2011-07-27 | 2013-10-15 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ink supply |
| US10322481B2 (en) * | 2014-03-06 | 2019-06-18 | Infineon Technologies Ag | Support structure and method of forming a support structure |
| JP6218330B2 (ja) * | 2014-07-04 | 2017-10-25 | アルプス電気株式会社 | 圧力センサ及びその製造方法 |
| JP6568644B2 (ja) | 2016-03-18 | 2019-08-28 | 株式会社日立製作所 | メンブレンデバイスの製造方法、メンブレンデバイス、および、ナノポアデバイス |
| CN105783993B (zh) * | 2016-03-21 | 2018-01-30 | 安徽工程大学 | 集成温度相对湿度传感器 |
| DE102017210691A1 (de) | 2017-06-26 | 2018-12-27 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Sensoren |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938744B2 (ja) * | 1976-09-29 | 1984-09-19 | 株式会社デンソー | 圧力−電気変換装置およびその製造方法 |
| JPS5938744A (ja) | 1982-08-30 | 1984-03-02 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | デイスクフイルム等の位置合わせ方法 |
| JP2770362B2 (ja) * | 1989-01-11 | 1998-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサの製造方法 |
| US4996627A (en) * | 1989-01-30 | 1991-02-26 | Dresser Industries, Inc. | High sensitivity miniature pressure transducer |
| JPH02281760A (ja) | 1989-04-24 | 1990-11-19 | Fujikura Ltd | 単結晶薄模部材の製造方法 |
| JPH03248474A (ja) | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2918299B2 (ja) * | 1990-06-25 | 1999-07-12 | 沖電気工業株式会社 | 半導体圧力センサおよびそれを有する半導体装置の製造方法 |
| US5225377A (en) | 1991-05-03 | 1993-07-06 | Honeywell Inc. | Method for micromachining semiconductor material |
| JPH05190872A (ja) * | 1992-01-16 | 1993-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体圧力センサおよびその製造方法 |
| JP3428179B2 (ja) | 1994-10-12 | 2003-07-22 | 株式会社デンソー | 半導体ダイヤフラム構造および半導体ダイヤフラム製造方法 |
| DE19638373B8 (de) * | 1995-09-19 | 2007-08-09 | Denso Corp., Kariya | Halbleitersensor und sein Herstellungsverfahren |
| US6284670B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-09-04 | Denso Corporation | Method of etching silicon wafer and silicon wafer |
| JP3248474B2 (ja) | 1997-11-25 | 2002-01-21 | 住友電装株式会社 | 配電ボックス |
-
1998
- 1998-12-09 JP JP34992798A patent/JP3506932B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-12-02 CN CNB998038962A patent/CN1138135C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 WO PCT/JP1999/006751 patent/WO2000034754A1/ja not_active Ceased
- 1999-12-02 US US09/622,271 patent/US6619133B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 KR KR10-2000-7008559A patent/KR100462569B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-02 EP EP99973325A patent/EP1055920A4/en not_active Ceased
- 1999-12-02 CA CA002319570A patent/CA2319570C/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-08-07 NO NO20003985A patent/NO320516B1/no not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NO20003985D0 (no) | 2000-08-07 |
| EP1055920A4 (en) | 2007-07-25 |
| KR100462569B1 (ko) | 2004-12-17 |
| NO20003985L (no) | 2000-10-09 |
| KR20010040683A (ko) | 2001-05-15 |
| WO2000034754A1 (fr) | 2000-06-15 |
| US6619133B1 (en) | 2003-09-16 |
| CN1138135C (zh) | 2004-02-11 |
| JP3506932B2 (ja) | 2004-03-15 |
| EP1055920A1 (en) | 2000-11-29 |
| JP2000171318A (ja) | 2000-06-23 |
| CA2319570C (en) | 2004-08-24 |
| CA2319570A1 (en) | 2000-06-15 |
| CN1292868A (zh) | 2001-04-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO320516B1 (no) | Halvledende trykksensor | |
| JP4298807B2 (ja) | 集積圧電抵抗圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP3444639B2 (ja) | 一体型圧力変換器の製造方法および装置 | |
| US6472244B1 (en) | Manufacturing method and integrated microstructures of semiconductor material and integrated piezoresistive pressure sensor having a diaphragm of polycrystalline semiconductor material | |
| US6445053B1 (en) | Micro-machined absolute pressure sensor | |
| GB2274945A (en) | Capacitive micromachined differential pressure sensor | |
| GB2276979A (en) | Capacitive surface micromachined absolute pressure sensor | |
| GB2276978A (en) | Capacitive absolute pressure sensor | |
| JPH09507965A (ja) | 絶縁微細構造上のアンダーカット・シリコンのための基板アンカー | |
| JPH0349267A (ja) | 半導体式加速度センサおよびその製造方法 | |
| US6860154B2 (en) | Pressure sensor and manufacturing method thereof | |
| US6518084B1 (en) | Method of producing a micromechanical structure for a micro-electromechanical element | |
| WO2007058010A1 (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| EP0890998A1 (en) | Manufacturing method and integrated piezoresistive pressure sensor having a diaphragm of polycristalline semiconductor material | |
| JP4168497B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| CN107421662B (zh) | 一种mems电容式压力传感器的敏感结构 | |
| JPH1131825A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| CN114235236A (zh) | 一种降低输出漂移的mems压力传感器芯片的制作方法 | |
| JPH06302834A (ja) | 薄膜構造の製造方法 | |
| EP1846321B1 (en) | Method of fabricating a silicon-on-insulator structure | |
| JP2002350259A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JPH06221945A (ja) | 半導体圧力センサおよびその製造方法 | |
| JP4134367B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH04329676A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP3580285B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK1K | Patent expired |