PL357706A1 - Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents

Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Info

Publication number
PL357706A1
PL357706A1 PL02357706A PL35770602A PL357706A1 PL 357706 A1 PL357706 A1 PL 357706A1 PL 02357706 A PL02357706 A PL 02357706A PL 35770602 A PL35770602 A PL 35770602A PL 357706 A1 PL357706 A1 PL 357706A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
sub
gallium
voluminal
mono
production
Prior art date
Application number
PL02357706A
Other languages
English (en)
Other versions
PL221055B1 (pl
Inventor
Robert Dwiliński
Roman Doradziński
Jerzy Garczyński
Leszek P. Sierzputowski
Yasuo Kanbara
Original Assignee
Ammono Sp.Z O.O.
Nichia Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ammono Sp.Z O.O., Nichia Corporation filed Critical Ammono Sp.Z O.O.
Priority to PL357706A priority Critical patent/PL221055B1/pl
Priority to JP2004558480A priority patent/JP2006509707A/ja
Priority to US10/538,349 priority patent/US7314517B2/en
Priority to PCT/JP2003/015903 priority patent/WO2004053208A1/en
Priority to AU2003285766A priority patent/AU2003285766A1/en
Priority to PL379548A priority patent/PL225430B1/pl
Publication of PL357706A1 publication Critical patent/PL357706A1/pl
Publication of PL221055B1 publication Critical patent/PL221055B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego, zawierającego co najmniej jony metalu alkalicznego (I grupa IUPAC 1989) i jony metalu ziem alkalicznych (II grupa IUPAC 1989), rozpuszcza się materiał źródłowy zwierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal , mającego korzystnie wzór ogólny Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<>1, z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego . Stosunek molowy metalu ziem alkalicznych do wprowadzanego wraz z nim metalu alkalicznego wynosi od 1:500 do 1:5, korzystniej od 1:100 do 1:20.
PL357706A 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal PL221055B1 (pl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357706A PL221055B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
JP2004558480A JP2006509707A (ja) 2002-12-11 2003-12-11 ガリウム含有窒化物のバルク単結晶を得るための改良されたプロセス
US10/538,349 US7314517B2 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
PCT/JP2003/015903 WO2004053208A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride
AU2003285766A AU2003285766A1 (en) 2002-12-11 2003-12-11 Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride
PL379548A PL225430B1 (pl) 2002-12-11 2003-12-11 Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL357706A PL221055B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL357706A1 true PL357706A1 (pl) 2004-06-14
PL221055B1 PL221055B1 (pl) 2016-02-29

Family

ID=32733406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL357706A PL221055B1 (pl) 2002-12-11 2002-12-11 Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL221055B1 (pl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191126A1 (en) 2013-05-30 2014-12-04 Ammono S.A. Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method
WO2016038099A1 (en) 2014-09-11 2016-03-17 Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014191126A1 (en) 2013-05-30 2014-12-04 Ammono S.A. Method for obtaining monocrystalline gallium-containing nitride and monocrystalline gallium-containing nitride obtained by this method
WO2016038099A1 (en) 2014-09-11 2016-03-17 Ammono S.A. W Upadlosci Likwidacyjnej A method for producing monocrystalline gallium containing nitride and monocrystalline gallium containing nitride, prepared with this method

Also Published As

Publication number Publication date
PL221055B1 (pl) 2016-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Fukuda et al. Prospects for the ammonothermal growth of large GaN crystal
Wang et al. Ammonothermal growth of GaN crystals in alkaline solutions
US7252712B2 (en) Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
PL371405A1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
EP1538241A3 (en) Group III nitride crystal, method of its manufacturing, and equipment for manufacturing group III nitride crystal
EP1111663A3 (en) GaN-based compound semiconductor device and method of producing the same
FR2826016B1 (fr) Compose a base d&#39;un alcalino-terreux, de soufre et d&#39;aluminium, de gallium ou d&#39;indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore
HUP0401882A1 (hu) Nitrid-egykristálytömb
EP1215311A3 (en) Manufacturing method of silicon carbide single crystals
EP0966047A3 (en) GaN single crystal substrate and method of producing same
PL357697A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
CN104781057A (zh) 第iii族氮化物晶片和其制造方法
Hashimoto et al. Growth of gallium nitride via fluid transport in supercritical ammonia
JP2002326898A5 (pl)
JP2005225681A5 (pl)
PL357706A1 (pl) Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
Uedono et al. Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation
NO20054062D0 (no) Middel for forsinket faseendring for invert emulsjon borefluid
DK0607426T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af højviskose jordolieprodukter og viderepumpning af disse
TW429553B (en) Nitride semiconductor device and a method of growing nitride semiconductor crystal
JP4768975B2 (ja) ＧａＮ結晶およびＧａＮ結晶基板の製造方法
PL357695A1 (pl) Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal
Wang et al. Transport growth of GaN crystals by the ammonothermal technique using various nutrients
Shibata et al. Synthesis of gallium nitride by ammonia injection into gallium melt
KR20120028897A (ko) 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법 및 제조 장치