PL357695A1 - Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal - Google Patents
Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego galInfo
- Publication number
- PL357695A1 PL357695A1 PL02357695A PL35769502A PL357695A1 PL 357695 A1 PL357695 A1 PL 357695A1 PL 02357695 A PL02357695 A PL 02357695A PL 35769502 A PL35769502 A PL 35769502A PL 357695 A1 PL357695 A1 PL 357695A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- gallium
- sub
- obtaining
- sodium
- voluminal
- Prior art date
Links
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 title abstract 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title abstract 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 abstract 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 abstract 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
W jednym z rozwiązań przedmiotem wynalazku jest sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego z dodatkiem mineralizatora, polegający na tym, że w autoklawie wytwarza się nadkrytyczny rozpuszczalnik amoniakalny, zawierający co najmniej dwa rodzaje jonów metali alkalicznych (I grupa IUPAC 1989), korzystnie jony sodu i innego metalu alkalicznego, rozpuszcza się w tym rozpuszczalniku materiał źródłowy zawierający gal i prowadzi się krystalizację azotku zawierającego gal z nadkrytycznego roztworu na powierzchni zarodka w temperaturze wyższej i/lub ciśnieniu niższym niż dla rozpuszczania materiału źródłowego. Korzystnie jako mineralizator stosuje się sód w połączeniu z innymi metalami alkalicznymi, w stosunku molowym jonów sodu do innego metalu od 1:10 do 10:1. Sposobem według wynalazku otrzymuje się korzystnie azotek zawierający gal o wzorze ogólnym Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N, gdzie 0<$E<<=>x<$E<<=>1.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357695A PL232211B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego |
| AU2003285766A AU2003285766A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride |
| JP2004558480A JP2006509707A (ja) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | ガリウム含有窒化物のバルク単結晶を得るための改良されたプロセス |
| PL379548A PL225430B1 (pl) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Mineralizator do zastosowania w sposobie otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w nadkrytycznym rozpuszczalniku amoniakalnym |
| PCT/JP2003/015903 WO2004053208A1 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Process for obtaining bulk-crystalline gallium-containing nitride |
| US10/538,349 US7314517B2 (en) | 2002-12-11 | 2003-12-11 | Process for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357695A PL232211B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL357695A1 true PL357695A1 (pl) | 2004-06-14 |
| PL232211B1 PL232211B1 (pl) | 2019-05-31 |
Family
ID=32733395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL357695A PL232211B1 (pl) | 2002-12-11 | 2002-12-11 | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal w środowisku nadkrytycznego rozpuszczalnika amoniakalnego |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL232211B1 (pl) |
-
2002
- 2002-12-11 PL PL357695A patent/PL232211B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL232211B1 (pl) | 2019-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Ammonothermal growth of GaN crystals in alkaline solutions | |
| Morishita et al. | Promoted nitrogen dissolution due to the addition of Li or Ca to Ga-Na melt; some effects of additives on the growth of GaN single crystals using the sodium flux method | |
| Wang et al. | Ammonothermal synthesis of III-nitride crystals | |
| Purdy | Ammonothermal synthesis of cubic gallium nitride | |
| FR2826016B1 (fr) | Compose a base d'un alcalino-terreux, de soufre et d'aluminium, de gallium ou d'indium, son procede de preparation et son utilisation comme luminophore | |
| Fukuda et al. | Prospects for the ammonothermal growth of large GaN crystal | |
| JP2002293696A (ja) | ＧａＮ単結晶の製造方法 | |
| EP1111663A3 (en) | GaN-based compound semiconductor device and method of producing the same | |
| WO2003083187A8 (en) | High pressure high temperature growth of crystalline group iii metal nitrides | |
| PL371405A1 (pl) | Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku | |
| TW200515488A (en) | Group III nitride crystal, method of its manufacture, and equipment for manufacturing group III nitride crystal | |
| HUP0401882A1 (hu) | Nitrid-egykristálytömb | |
| MXPA01002392A (es) | Metodos y composiciones acidificadas para reducir la corrosion en las superficies de metal y la precipitacion del sulfuro. | |
| TW200741044A (en) | Semiconductor substrate, electronic device, optical device, and production methods therefor | |
| Hashimoto et al. | Growth of gallium nitride via fluid transport in supercritical ammonia | |
| PL357697A1 (pl) | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal | |
| WO2007075886A3 (en) | Non-spherical semiconductor nanocrystals and methods of making them | |
| EP1666645A4 (en) | SILICON CARBIDE PRODUCT, PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR CLEANING A SILICON CARBIDE PRODUCT | |
| BRPI0407194A (pt) | processo para controlar a inversão de um fluido de perfuração e processo para controlar a umectabilidade de uma crosta de lodo | |
| DK0607426T3 (da) | Fremgangsmåde til fremstilling af højviskose jordolieprodukter og viderepumpning af disse | |
| PL357695A1 (pl) | Sposób otrzymywania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal | |
| JP2007290921A (ja) | 窒化物単結晶の製造方法、窒化物単結晶、およびデバイス | |
| PL357706A1 (pl) | Sposób wytwarzania objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal | |
| PL357696A1 (pl) | Sposób wytwarzania podłoża standaryzowanego warstwą epitaksjalną ( podłoża typu template), z objętościowego monokrystalicznego azotku zawierającego gal, o powierzchni pod epitaksję o wysokiej jakościstrukturalnej | |
| DE10313315A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines III-V-Verbundhalbleiters |