PL409931A1 - Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania - Google Patents
Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzaniaInfo
- Publication number
- PL409931A1 PL409931A1 PL409931A PL40993114A PL409931A1 PL 409931 A1 PL409931 A1 PL 409931A1 PL 409931 A PL409931 A PL 409931A PL 40993114 A PL40993114 A PL 40993114A PL 409931 A1 PL409931 A1 PL 409931A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- zno
- producing
- meh
- hfp
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 abstract 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 abstract 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 229920005569 poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) Polymers 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 abstract 1
- 150000003304 ruthenium compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/40—Solar thermal energy, e.g. solar towers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Hybrid Cells (AREA)
Abstract
Ogniwo fotowoltaiczne charakteryzuje się tym, że materiał transportujący dziury stanowi wielowarstwowe pokrycie PVDF-HFP/MEH-PPV, natomiast półprzewodnikiem typu n oddalającym elektrony do zewnętrznego obwodu jest nanokrystaliczny tlenek cynku. Sposób wytworzenia ogniwa polega na tym, że nanosi się metodą atomowego osadzania warstw nanokrystaliczną warstwę ZnO o grubości 0,5 - 4µm na komercyjne podłoże szklane z warstwą TCO, przy czym warstwę ZnO wytwarza się przy użyciu prekursora dietylocynku oraz wody jako reagenta w temperaturze 200 - 400°C. Następnie nanosi się barwnik - komercyjny związek rutenu - przez zanurzenie płytki szklanej z naniesioną warstwą ZnO w ciekłym roztworze barwnika z alkoholem etylowym, po czym osadza się warstwy PVDF-HFP oraz MEH-PPV z roztworu metodą wirową z prędkością obrotową podłoża w zakresie 1000 - 5000 obr/min., a na tak przygotowaną strukturę wielowarstwową naparowuje się kontakty metaliczne.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409931A PL229752B1 (pl) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL409931A PL229752B1 (pl) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL409931A1 true PL409931A1 (pl) | 2016-05-09 |
| PL229752B1 PL229752B1 (pl) | 2018-08-31 |
Family
ID=55910472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL409931A PL229752B1 (pl) | 2014-10-27 | 2014-10-27 | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL229752B1 (pl) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL241410B1 (pl) * | 2019-02-11 | 2022-09-26 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu<sub>₂</sub>SnZnS<sub>₄</sub> |
| PL241416B1 (pl) * | 2019-02-11 | 2022-09-26 | Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie | Sposób wytwarzania proszkowego kesterytu typu Cu₂SnZnS₄, przeznaczonego do produkcji warstw czynnych w cienkowarstwowych ogniwach fotowoltaicznych |
-
2014
- 2014-10-27 PL PL409931A patent/PL229752B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL229752B1 (pl) | 2018-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2014121187A3 (en) | Photovoltaic device including a p-n junction | |
| Sinha et al. | Atomic-layer-deposited buffer layers for thin film solar cells using earth-abundant absorber materials: a review | |
| MY185883A (en) | Perovskite material layer processing | |
| WO2012037382A3 (en) | Deposition processes and devices for photovoltaics | |
| WO2011106072A3 (en) | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions | |
| CN104025309B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| MY198714A (en) | Photovoltaic devices and method of manufacturing | |
| FR2982422B1 (fr) | Substrat conducteur pour cellule photovoltaique | |
| EA033122B1 (ru) | Способ получения подложки, покрытой набором, содержащим слой прозрачного проводящего оксида | |
| WO2015091781A3 (en) | Method of producing transition metal dichalcogenide layer | |
| WO2012040299A3 (en) | A thin-film photovoltaic device with a zinc magnesium oxide window layer | |
| WO2012129554A3 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
| BR112015024056A2 (pt) | estrutura fotovoltaica e processo para fabricar um dispositivo fotovoltaico | |
| WO2012055738A3 (en) | Fabrication method for thin film solar cell with kesterite absorber | |
| CN105280817A (zh) | 太阳能电池与其形成方法 | |
| CN103718308A (zh) | 太阳能电池设备及其制造方法 | |
| MY188522A (en) | Fabricating thin-film optoelectronic devices with modified surface | |
| PH12019500371A1 (en) | A method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and a semiconductor device | |
| WO2016061468A3 (en) | High-speed deposition of mixed oxide barrier films | |
| KR20100109315A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| WO2012118771A3 (en) | Improved thin-film photovoltaic devices and methods of manufacture | |
| PL409931A1 (pl) | Barwnikowe ogniwo fotowoltaiczne i sposób jego wytwarzania | |
| EA201692354A1 (ru) | Материал, содержащий функциональный слой, изготовленный из серебра, кристаллизованного на слое оксида никеля | |
| PL412250A1 (pl) | Struktura ogniwa fotowoltaicznego oraz sposób wykonania struktury ogniwa fotowoltaicznego | |
| TW201714318A (en) | Solar cell structure and method for manufacturing the same |