PL414209A1 - Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN - Google Patents
Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFNInfo
- Publication number
- PL414209A1 PL414209A1 PL414209A PL41420915A PL414209A1 PL 414209 A1 PL414209 A1 PL 414209A1 PL 414209 A PL414209 A PL 414209A PL 41420915 A PL41420915 A PL 41420915A PL 414209 A1 PL414209 A1 PL 414209A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- mixture
- semiconductor structure
- plcc
- qfp
- subassembly
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title abstract 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 abstract 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 235000018553 tannin Nutrition 0.000 abstract 1
- 229920001864 tannin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000001648 tannin Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN polega na tym, że proces wydzielenia struktury półprzewodnikowej wykonuje się w dwóch etapach. W pierwszym etapie chemicznie usuwa się podłoże metaliczne podzespołu z zastosowaniem mieszaniny stężonego kwasu azotowego i kwasu siarkowego w proporcji 1 : 2 z dodatkiem kwasu solnego w ilości od 1 do 20 ml na 1 dm3 mieszaniny dla podłoży miedzianych i mosiężnych lub mieszaniny stężonego kwasu azotowego i stężonego kwasu solnego w proporcji HCl : HNO3 : H2O 1 : 1 : 1 dla podłoży aluminiowych w czasie od 15 do 60 sekund, w temperaturze od 90°C do 100°C. W drugim etapie usuwa się kolejne warstwy podzespołu wraz z jego obudową z zastosowaniem mieszaniny kwasu siarkowego i wody utlenionej (30%) w proporcji od 15 : 1 do 10 : 1 z dodatkiem taniny w ilości 5 mg na 1 dm3 mieszaniny, w czasie od 30 sekund do 1 minuty w temperaturze od 90 do 120°C. Następnie podzespół płucze się w acetonie w płuczce ultradźwiękowej przez 15 sekund, przy czym operacje trawienia i płukania w drugim etapie ekstrakcji prowadzi się naprzemiennie, aż do wyekstrahowania krzemowej struktury półprzewodnikowej.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL414209A PL229726B1 (pl) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL414209A PL229726B1 (pl) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL414209A1 true PL414209A1 (pl) | 2017-04-10 |
| PL229726B1 PL229726B1 (pl) | 2018-08-31 |
Family
ID=58463561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL414209A PL229726B1 (pl) | 2015-09-29 | 2015-09-29 | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych typu PLCC, SO, QFP i QFN |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL229726B1 (pl) |
-
2015
- 2015-09-29 PL PL414209A patent/PL229726B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL229726B1 (pl) | 2018-08-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200614362A (en) | Cleaning liquid and cleaning method | |
| TWI716518B (zh) | 銅蝕刻劑組成物之用途 | |
| SE0701681L (sv) | Etsnings- och återvinningsförfarande | |
| TW200733220A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| CN101319172A (zh) | 用于基板的洗涤或蚀刻的碱性水溶液组合物 | |
| CN103153002B (zh) | 具有三面包夹孔铜结构印制电路板的制造方法 | |
| CN101399196B (zh) | 晶圆背面粗糙化处理方法 | |
| TW200510570A (en) | Novel aqueous based metal etchant | |
| MY194513A (en) | Washing method, manufacturing method, and washing device for polycrystalline silicon | |
| JP7027323B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
| JP2002115083A5 (pl) | ||
| DE60230725D1 (de) | Verfahren zum verarbeiten von rutheniumsilizid | |
| US9888585B2 (en) | Method for manufacturing wiring structure, copper displacement plating solution, and wiring structure | |
| JPWO2014112430A1 (ja) | シリコンエッチング液およびエッチング方法並びに微小電気機械素子 | |
| CN104392919B (zh) | Nmos器件的硅衬底表面的处理方法及nmos器件的制作方法 | |
| CN103966601B (zh) | 非金属基体导电线路的制作方法及其产品 | |
| RU2376676C1 (ru) | Способ обработки кристаллов кремния | |
| JP2013060634A (ja) | エッチング液 | |
| JP2006179871A5 (pl) | ||
| PL409775A1 (pl) | Sposób chemicznej ekstrakcji struktury półprzewodnikowej i warstwy izolacyjnej z podzespołów elektronicznych | |
| RU2534444C2 (ru) | Способ удаления окисла с поверхности кремниевых пластин | |
| CN108766932A (zh) | 一种用半导体集成电路或者分立器件的溅射前处理方法 | |
| RU2524137C1 (ru) | Способ химического травления полупроводников | |
| PL414208A1 (pl) | Sposób chemicznej dekapsulacji podzespołów elektronicznych w obudowach SOT, VTLA, QFP i QFN | |
| CN102543681A (zh) | 芯片背面含金成分的金属的去除方法 |