PL420763A1 - Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru - Google Patents

Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru

Info

Publication number
PL420763A1
PL420763A1 PL420763A PL42076317A PL420763A1 PL 420763 A1 PL420763 A1 PL 420763A1 PL 420763 A PL420763 A PL 420763A PL 42076317 A PL42076317 A PL 42076317A PL 420763 A1 PL420763 A1 PL 420763A1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
boron nitride
hexagonal boron
seconds
mixed
exfoliation
Prior art date
Application number
PL420763A
Other languages
English (en)
Inventor
Ewa Mijowska
Mateusz Dudziak
Magdalena Jędrzejczak-Silicka
Original Assignee
Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie filed Critical Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny W Szczecinie
Priority to PL420763A priority Critical patent/PL420763A1/pl
Publication of PL420763A1 publication Critical patent/PL420763A1/pl

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

Przedmiotem zgłoszenia jest sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru, który charakteryzuje się tym, że sproszkowany heksagonalny azotek boru miesza się z manganianem (VII) potasu w stosunku 1 : 4, miesza się mieszadłem magnetycznym pod chłodnicą zwrotną, stopniowo dolewa się kwas siarkowy (VI) o stężeniu 96% w ilości 20 : 1 w stosunku do manganianu, podgrzewa się do temperatury 40°C przez 6 godzin i studzi. Następnie dodaje się nadtlenek wodoru w stosunku 10 : 3 w odniesieniu nadtlenku do kwasu siarkowego całość utrzymuje się w niskich temperaturach z wykorzystaniem łaźni wodnej z lodem. Tak otrzymany eksfoliowany chemicznie h-BN poddaje się oczyszczaniu w wirówce, wyrównując pH do 7 i przemywa wodą, po czym poddaje się go eksfoliacji mechanicznej. Eksfoliowany chemicznie heksagonalny azotek boru w ilości 0,5% objętościowych miesza się z N-metylopirolidonem i poddaje sonikacji tipem przez 30 minut. Po odparowaniu rozpuszczalnika otrzymuje się heksagonalny azotek boru o cienkich warstwach. Stosuje się sonikator o mocy 600 W (25% - moc oznaczeniowa na sonikatorach z tipem), w którym moduł pulsowania ustawia się na 5 sekund (5 sekund włączony, 5 sekund wyłączony).
PL420763A 2017-03-08 2017-03-08 Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru PL420763A1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL420763A PL420763A1 (pl) 2017-03-08 2017-03-08 Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL420763A PL420763A1 (pl) 2017-03-08 2017-03-08 Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL420763A1 true PL420763A1 (pl) 2018-09-10

Family

ID=63445872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL420763A PL420763A1 (pl) 2017-03-08 2017-03-08 Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL420763A1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY158452A (en) Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates
BR112012009165A2 (pt) anodos de bateria de silício estruturados
BR112014031949A2 (pt) células solares
WO2008132983A1 (ja) 研磨剤組成物および半導体集積回路装置の製造方法
WO2008126717A1 (ja) 半導体用接着フィルム、複合シート及びこれらを用いた半導体チップの製造方法
CN105369239A (zh) 一种氧化石墨烯掺杂钝化膜的制备方法
MY176046A (en) Composition and method
NO20075032L (no) Fremgangsmate for fremstilling av silisium med hoy renhet
PL420763A1 (pl) Sposób eksfoliacji heksagonalnego azotku boru
MD3888G2 (ro) Procedeu de obţinere a nanocompozitului fotoluminescent din CdS şi polimeri organici
NO20081386L (no) Method for texturing silicon surfaces and wafers thereof
PL420764A1 (pl) Sposób funkcjonalizacji eksfoliowanego heksagonalnego azotku boru
US8383523B2 (en) Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and use
MY151042A (en) New process for obtaining the crystalline form v of agomelatine
MX2016007399A (es) Método de reducción parcial de óxido de grafeno mediante reductores suaves a temperatura ambiente.
ATE521735T1 (de) Verfahren zur schnellen makroporen-ätzung in n- typ silizium
MY159481A (en) Polishing composition
ATE514193T1 (de) Verfahren zum texturieren von siliziumwafern zur herstellung von solarzellen
AR084946A1 (es) Procedimiento de preparacion de metaxalona
PL417441A1 (pl) Sposób otrzymywania hybrydowych materiałów węglowo-azotowych o rozwiniętej strukturze porowatej
PL409776A1 (pl) Sposób chemicznej dekapsulacji podzespołów elektronicznych
US8182710B2 (en) Structuring method
CN104591157A (zh) 无硫可膨胀石墨的制备方法
CN106757043A (zh) 一种紫铜抛光液及其使用方法
MD2982G2 (ro) Procedeu de obţinere a nanostructurilor semiconductoare