PL433156A1 - Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy - Google Patents
Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicyInfo
- Publication number
- PL433156A1 PL433156A1 PL433156A PL43315620A PL433156A1 PL 433156 A1 PL433156 A1 PL 433156A1 PL 433156 A PL433156 A PL 433156A PL 43315620 A PL43315620 A PL 43315620A PL 433156 A1 PL433156 A1 PL 433156A1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- temperature
- producing large
- rate
- diameter
- increased
- Prior art date
Links
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 title abstract 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 5
- 239000003708 ampul Substances 0.000 abstract 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 abstract 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy, to znaczy o średnicy równej 3 całe lub większej i o wadze ponad 2,5 kg metodą Bridgman'a. Według sposobu, dobrze wymieszane, pierwiastki materiału wsadowego (Cd, Zn i Mg, Te, Mn) materiału wsadowego umieszcza się w ampule kwarcowej znajdującej się w poziomym piecu i prowadzi się proces termiczny. W pierwszej fazie procesu, do temperatury 350 – 380°C wzrost temperatury prowadzi się z szybkością 70 - 90°C/h, następnie zwalnia się szybkość grzania do 2 – 3°C/h. Po osiągnięciu przez ampułę temperatury 430 – 450°C, zatrzymuje się grzanie i temperaturę utrzymuje na tym poziomie przez co najmniej kilka godzin. Po tym czasie podnosi się temperaturę z szybkością ~10°C/h do temperatury 1090 - 1100°C, pionizuje się piec i prowadzi się w znany sposób dalszy proces krystalizacji.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL433156A PL243492B1 (pl) | 2020-03-05 | 2020-03-05 | Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL433156A PL243492B1 (pl) | 2020-03-05 | 2020-03-05 | Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL433156A1 true PL433156A1 (pl) | 2021-09-06 |
| PL243492B1 PL243492B1 (pl) | 2023-09-04 |
Family
ID=77662596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL433156A PL243492B1 (pl) | 2020-03-05 | 2020-03-05 | Sposób wytwarzania kryształów na bazie CdTe o dużej średnicy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL243492B1 (pl) |
-
2020
- 2020-03-05 PL PL433156A patent/PL243492B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL243492B1 (pl) | 2023-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| McCarroll et al. | Preparation of lithium molybdenum oxide bronzes by a temperature gradient flux growth technique | |
| Hughes et al. | Quaternary adamantine selenides and tellurides of the form I III IV VI4 | |
| CN102689928B (zh) | 一种近化学计量比钽酸锂晶体的制备方法 | |
| CN104562191A (zh) | 一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法 | |
| Carvalho et al. | Crystal growth of Bi2TeO5 by a double crucible Czochralski method | |
| CN102689927B (zh) | 一种近化学计量比铌酸锂晶体的制备方法 | |
| CN114262933A (zh) | 一种硼10-lbo晶体的生长方法 | |
| Zawilski et al. | Glass formation and optical properties of CdGeAs2 alloys | |
| CN118531501B (zh) | 一种硼铍酸钡晶体及其制备方法和应用 | |
| Weston et al. | The growth of calcium metasilicate polymorphs from supercooled melts and glasses | |
| JPH0469599B2 (pl) | ||
| Anderson et al. | Thermal behavior of M+ B5O6 (OH) 4· 2H2O (M+= K, Rb, Cs) and polymorphic transformations of CsB5O8 | |
| GB1495800A (en) | Manufacture of monocrystalline gallium arsenide | |
| UA150873U (uk) | Спосіб одержання люмінофора ортофосфату калію-європію(ііі) | |
| UA149418U (uk) | Спосіб одержання монокристалів подвійного ортофосфату калію-гадолінію(ііі) | |
| Svetlyakova et al. | Synthesis, growth and some physical properties of new orthoborates ScBaNa (BO3) 2 and YBaNa (BO3) 2 | |
| Houserova et al. | Glass-forming region in the Cd-Si-As system | |
| UA160075U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ ТАЛІЙ(І)СТИБІЙ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ TlSbP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| UA127739U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Pb2GeS4 | |
| JPH05330994A (ja) | ゲルマニウム酸ビスマス単結晶の製造方法 | |
| UA157930U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ ТАЛІЙ (I) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ TI<sub>4</sub>P<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| Málek | The crystallization of Ge40S60 glass | |
| UA153137U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ АРГЕНТУМ(І) БІСМУТ(ІІІ) ГЕКСАСЕЛЕНОГІПОДИФОСФАТУ AgBiP<sub>2</sub>Se<sub>6</sub> МЕТОДОМ СПРЯМОВАНОЇ КРИСТАЛІЗАЦІЇ З РОЗПЛАВУ | |
| JPH0250080B2 (pl) | ||
| UA153429U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Pr<sub>4</sub>S<sub>300</sub> |