RS49852B - Postupak za izradu jednog izvora isparavanja - Google Patents
Postupak za izradu jednog izvora isparavanjaInfo
- Publication number
- RS49852B RS49852B YUP-445/02A YUP44502A RS49852B RS 49852 B RS49852 B RS 49852B YU P44502 A YUP44502 A YU P44502A RS 49852 B RS49852 B RS 49852B
- Authority
- RS
- Serbia
- Prior art keywords
- block
- metallization
- back plate
- aluminum
- physical separation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Postupak za izradu jednog izvora isparavanjaj za fizičko razdvajanje pare, koji se sastoji od jednog bloka, koji pored jedne ili više komponenata sadrži jednu aluminijumsku komponentu i takodje jednu zadnju ploču povezanu sa blokom, koja je izradjena od materijala bolje toplotne provodljivosti od bloka, pri čemu se blok izradjuje hladnim presovanjem mešavine pojedinačnih komponenata u obliku praha, a potom se uz tečenje obradjuje oblikovanjem na temperaturi ispod tačke topljenja pojedinačnih komponenata do dostizanja gustine od najmanje 98% teoretske gustine, naznačen time, što se zadnja ploča, koja se takodje sastoji od praškastog polaznog materijala spaja zajedno sa komponentama blokla i to slaganjem slojeva jedne praškaste frakcije preko druge, a zatim presuje i dalje obradjuje.
Description
Pronalazak se odnosi na postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare, koji se sastoji od jednog bloka koji pored jedne ili više drugih komponenata ima jednu aluminijumsku komponentu i jednu zadnju ploču, povezanu sa blokom, od materijala bolje toplotne provodljivosti od bloka, pru čemu se blok izrađuje hladnim presovanjem mešavine pojedinačnih komponenata u obliku praška i potom obradom na temperaturama ispod tačke topljenja pojedinačnih komponenata uz tečenje do dostizanja gustine od najmanje 98% od teoretske gustine.
Metalizacioni blokovi za fizičko razdvajanje pare danas se koriste u velikom obimu za izradu raznih slojeva. Primena se kreće od obloga otpornih na habanje i na koroziju za različite materijale podloga, pa do izrade slojevitih kompozitnih materijala naročito u industriji poluprovodnika i u elektronskoj industriji. Zbog ovako širokog spektra primene moraju se najrazličitiji materijali za oblaganje razdvajati.
Problem je u tome, što se, kada se različiti materijali moraju istovremeno raspršivati, kod izrade legura na konvencionalan način obrazuju krte, neobradive međumetalne faze, tako da se te legure više ne mogu oblikovati ni toplim ni hladnim presovanjem, a samo se mogu uz veliki trošak obrađivati skidanjem strugotine. Izrada metalizacionih blokova od ovih legura zbog toga je veoma skupa ili čak nemoguća.
Tako, na primer, u ove problematične materijale spadaju legure aluminijuma i titana i mogu se pogodno obrađivati u metalizacione blokove samo na napred pomenut način.
Ovaj je postupak opširno opisan u AT PS 388 752.
Metalizacioni blokovi se obično u postrojenjima za metalizovanje rasprši-vanjem mehanički pričvršćuju na vodom hlađene bakarne podloge kako bi se snizila temperatura površine. U većini slučajeva leži metalizacioni blok, koji je načinjen od materijala koji treba da se rasprši, neposredno na bakarnoj podlozi.
Da bi se što je moguće više materijala raspršilo jednim metalizacionim blokom, teži se tome da se metalizacioni blokovi izrađuju sa što je moguće većom konstrukcijskom visinom. Pri tome treba paziti da sa povećanjem konstrukcijske visine povećani otpor metalizacionog bloka ne bude suviše velik, tako da temperatura površine metalizacionog bloka ostane na dozvoljenim vrednostima.
Kako veliki deo materijala koji treba đa se rasprše ili ima srazmerno dobru toplotnu provodljivost i/ih može imati relativno visoku površinsku temperaturu a da ne dođe do nekih problema, postojeća su postrojenja za metalizovanje raspršivanjem podešena na relativno velike konstrukcijske visine metalizacionih blokova, tako da se u tim postrojenjima metalizacioni blokovi manje konstrukcijske visine mogu koristiti samo uz velike teškoće. Posebno se aluminijum zbog svoje izvanredne toplotne provodljivosti vrlo često koristi u svrhe nanošenja slojeva tehnikom metalizacije raspršivanjem, tako da su mnoga postrojenja za metalizovanje raspršivanjem podešena, pored konstrukcijske visine metalizacionih blokova, i na dobru toplotnu provodljivost aluminijuma.
U ovim postrojenjim za nanošenje slojeva javljaju se problemi kada treba da se aluminijum rasprši zajedno sa materijalima koji imaju relativno lošu toplotnu provodljivost i koji istovremeno kod procesa metalizovanja raspršavanjem ne smeju imati suviše visoke površinske temperature kako bi se sprečile neželjene reakcije između više komponenata metalizacionih blokova. Aluminijum se često koristi sa titanom i eventualno dodatnim komponentama u svrhe nanošenja slojeva za zaštitu od habanja.
Kod metalizacionih blokova od ovih materijala već i male količine titana znatno pogoršavaju dobru toplotnu provodljivost aluminijuma. Zbog toga može kod ovih metalizacionih blokova, kada su izrađeni sa konstrukcijskim visinama uobičajenim za postrojenja za metalizovanje raspršivanjem, kod velikih brzina nanošenja doći do tako visokih površinskih temperatura, da nastane jedna egzotermna reakcija koja dovodi do razaranja bloka.
Međutim, i drugi materijali koji se raspršuju zajedno sa aluminijumom pomoću metalizacionih blokova mogu biti kritični i izazvati probleme u toku nanošenja slojeva. Za elektronske primene mogu, na primer, doći u obzir kombinacije aluminijuma sa Ta, Nd ili Y, dok se za optičke i magnetne memorije često koriste kombinacije aluminijuma sa Ni i Cr.
Kod primene za zaštitu od habanja, kada jedna od komponenata deluje kao suvo mazivo, koriste se, na primer, kombinacije aluminijuma sa Sn, Zn, Ag, W, Mo, često povezane sa dodatnim udelom Ti.
Kako bi se kod svih ovih kritičnih materijala u navećoj mogućoj meri otklonili pomenuti problemi, danas se mora brzina isparavanja ograničiti kako se ne bi dozvolilo da površinska temperatura previše poraste.
Jedna mogućnost da se površinska temperatura ovih kritičnih metalizacionih blokova i kod velikih brzina nanošenja slojeva snizi bez menjanja kostru-kcijske visine, jeste da se na metalizacioni blok u području zone dodira sa vodom hlađenom bakarnom podlogom postavi jedna zadnja ploča od materijala dobre toplotne provodljivosti i da se ta zadnja ploča mehanički pričvrsti na bakarnu podlogu.
Postupci za izradu ovakvih izvora isparavanja, kod kojih je zadnja ploča spojena sa metalizacionim blokom lemljenjem ili difuznim lepljenjem, opisani su, na primer, u WO 00/22185 ili u US 5 397 050.
Kod ovako izrađenih izvora isparavanja nepovoljno je to da se između bloka i zadnje ploče može pojaviti jedna prelazna zona loše toplotne provodljivosti, koja ne obezbeđuje optimalno odvođenje toplote sa površine metalizacionog bloka u zadnju ploču i dalje u hlađenu bakarnu podlogu.
Kako temperatura na površini metalizacionog viša za samo neki stepen izaziva poremećaj svojstava raspršivanja, treba takve prelazne zone sa lošom toplotnom provodljivošću po mogućnosi izbeći.
Zbog toga je zadatak ovog pronalaska da se ostvari jedan postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko odvajanje pare, kod koga će metalizacioni blok, koji sadrži aluminijum, biti povezan sa zadnjom pločom bez obrazovanja prelazne zone sa lošom toplotnom provodljivošću.
To se prema pronalasku postiže tako što se zadnja ploča od praškastog polaznog materijala zajedno sa komponentama bloka u jedna preko druge naslaganim frakcijama praška presuje i potom obrađuje.
Na taj se način može ostvariti izvanredna veza između materijala bloka i zadnje ploče, a da pri tome ne dođe do obrazovanja prelazne zone sa lošom toplotnom provodljivošću, tako da se postiže izvanredan odvod temperature sa povTŠine metalizacionog bloka u zadnju ploču a potom u vodom hlađenu bakarnu podlogu. Kako se metalizacioni blok povezuje sa vodom hlađenom podlogom po pravilo zavrtnjima ili steganma, logično je da se deo bloka koji se ionako više ne može raspršivati izvede kao zadnja ploča, tako da je pri istoj konstrukcijskoj visini u poređenju sa mehanizacionim blokom bez zadnje ploče na raspolaganju ista efektivna količina isparljivog materijala.
Da bi se ostvarila posebno dobra veza materijala bloka sa zadnjom pločom, treba da se blok sastoji od najmanje 15% atoma aluminijuma.
Metalizacioni blokovi kod kojih se pronalazak može ostvariti na posebno pogodan način jesu blokovi načinjeni od 15% atoma aluminijuma i 85% atoma titana.
Kao posebno pogodan materijal za zadnju ploču izvora isparavanja jeste čisti aluminijum koji ima izvanrednu toplotnu provodljivost. Kako je aluminijum relativno mek, može se mehaničkim spajanjem sa vodom hlađenom bakarnom podlogom ostvariti dobra prelazna zona sa malim toplotnim otporom. Pri tome šteta za raspršen sloj nije suviše velika ako nepažnjom dođe do isparavanja kroz materijal bloka pa se tako jedan određeni deo zadnje ploče rasprši. Pored aluminijuma pogodni su za zadnju ploču i drugi materijal sa dobrom toplotnom provodljivošću, na primer bakar.
Postupak koji se dobro pokazao da bi se kod obrade otpresaka postiglo tečenje materiala jeste kovanje u kovačkoj presi.
Ako je blok načinjen od aluminijuma-titana, na primer 15% atoma aluminijuma i 85% atoma titana, dobro se pokazalo da se kovanje vrši na temperaturi između 400°C i 450°C.
Istiskivanje je drugi postupak kojim se može najpogodnije izvesti obrada otpresaka uz tečenje materijala. Prednost je ove varijante postupka izrade prema pronalasku u tome, što se od istisnutog materijala mogu odvojiti metalizacioni blokovi različitih konstrukcijskih visina.
Dalje će postupak biti detaljnije objašnjen preko primera izvođenja.
PRIMER 1
Izvor isparavanja oblika okrugle ploče, prečnika 63 mm i ukupne visine 32 mm, sastoji se od jednog metalizacionog bloka visine 20 mm, načinjenog od 50% atoma aluminijuma i 50% atoma titanijuma i jedne zadnje ploče od aluminijuma, debljine 12 mm, Čvrsto spojene sa metalizacionim blokom, načinjen je postup-kom prema pronalasku na sledeći način.
Aluminijumski prah i prah titana za metalizacioni blok, prosečne veličine zrna od 30/xm, mešani su u vibracionoj mešalici.
U dvodelnom kalupu jedne hidraulične prese, koji s obzirom na krajnje dimenzije izvora isparavanja ima dovoljno veće dimenzije, prvo se donji deo kalupa ispuni čistim aluminijumskim prahom srednje veličine zrnaca od 30pirapa se punjenje praška glatko poravna. Potom se postavi gornji deo kalupa prese i napuni pomešanim prahom aluminijuma i titana, mešavina praškova se opet glatko poravna i punje kalupa se hladno presuje u sirov otpresak sa 94 % njegove teoretske gustine.
Otpresak će se naknadno sabiti u kovačkoj presi sa poluotvorenim kalupom i temperaturom kalupa od oko 200°C sa ukupno pet radnih hodova uz tečenje odnosno gnječenje pojedinačnih komponenata.
Pri tome će otpresak pre naknadnog sabijanja i između pojedinačnih radnih hodova biti u jednoj peći za predgrevanje doveden na temperaturu između 400°C i 450°C. Tokom kratkih vremena oblikovanja i niskih temperatura oblikovanja nije bila potrebna zaštita od oksidacije, tako da se naknadno sabijanje moglo vršiti u nepoznatom stanju.
Najzad je izvor isparavanja mehaničkom obradom doveden na krajnje dimenzije.
Od prelazne zone između materijala metalizacionog bloka i materijala zadnje ploče načinjena je strukturna veza.
Na slici 1 prikazana je ta prelazna zona sa uvećanjem od 100 puta.
Jasno se može videti apsolutno homogen prelaz između materijala metalizacionog bloka i materijala zadnje ploče bez obrazovanja ometajućeg međusloja sa smanjenom toplotnom provodnošću.
PRIMER 2
Radi poređenja izrađen je izvor isparavanja u obliku kružne ploče sa istim dimenzijama kao i u primeru 1. Za razliku od primera 1, izvor isparavanja se sastoji u potpunosti od jednog metalizacionog bloka od 50% atoma alumiijuma i 50% atoma i nema aluminijumsku zadnju ploču. Izrada metalizacionog bloka izvedena je sa istim parametrima izrade kao i u primeru 1.
PRIMER 3
Radi poređenja izrađen je izvor isparavanja koji se sastoji od metalizacionog bloka i jedne zadnje ploče sa istim dimenzijama i istom kombinacijom materijala kao u primeru 1. Za razliku od primera 1, izvor isparavanja nije izra-đen istovremenom obradom praškastih polaznih materijala. Zadnja ploča je načinjena sa istim dimenzijama nezavisno od metalizacionog bloka od jednog bakarnog poluproizvoda izrađenog metalurgijom topljenja pa je korišćenjem jednog međusloja od indijuma povezana lepljenjem sa gotovim metalizacionim blokom izrađenim metalurgijom praška, koji je načinjen sa istim dimenzijama kao u primerul.
Izvori isparavanja prema primerima 1 i 3 ugrađivani su jedan za drugim u jedno ACR postrojenje za isparavanje i pod istim, inače uobičajenim, uslovima nanošenja sloja bili su aktivirani sa ACR jačinom struje od 60 A, što odgovara toplotnoj struji od 0,7 MW/m<2>, i pri tome je određivana površinska toplota pojedinačnih metalizacionih blokova.
Pri tome su posle vremena metalizovanja od oko 2 minuta dobijene sledeće površinske temperature: Prema pronalasku izrađen izvor isparavanja iz primera 1 imao je površinsku temperaturu od 315°C.
Metalizacioni blok bez zadnje ploče izrađen prema primeru 2 imao je najvišu površinsku temperaturu od 420°C.
Prema primeru 3 izrađen izvor napajanja sa nalepljenom zadnjom pločom imao je površinsku temperaturu od 395°C.
U odnosu na primer 1, izrazito viša površinska temperatura, uprkos kori-šćenja jedne zadnje ploče istih dimenzija, jasno ukazuje na krajnje nepovoljno delovanje međusloja od indijuma potrebnog za lepljenje sa smanjenom toplotnom provodljivošću.
Kako za nekoliko stepena snižena površinska temperatura metalizacionog bloka donosi poboljšanje svojstava raspršivanja, dokazane su enormne prednosti izvora isparavanja u odnosu na izvore isparavanja koji odgovaraju postojećem stanju tehnike.
Claims (6)
1. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare, koji se sastoji od jednog bloka, koji pored jedne ili više komponenata sadrži jednu aluminijumsku komponentu i takodje jednu zadnju ploču povezanu sa blokom, koja je izradjena od materijala bolje toplotne provodljivosti od bloka, pri čemu se blok izradjuje hladnim presovanjem mešavine pojedinačnih komponenata u obliku praha, a potom se uz tečenje obradjuje oblikovanjem na temperaturi ispod tačke topljenja pojedinačnih komponenata do dostizanja gustine od najmanje 98% teoretske gustine, n a z n a č e n t i m e, što se zadnja ploča, koja se takodje sastoji od praškastog polaznog materijala spaja zajedno sa komponentama blokla i to slaganjem slojeva jedne praškaste frakcije preko druge, a zatim presuje i dalje obradjuje.
2. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare prema zahtevu 1, n a z n a č e n t i m e, što se blok sastoji od najmanje 15% atoma aluminijuma.
3. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare prema zahtevu 2, n a z n a č e n t i m e, što blok kao drugu komponentu obuhvata 85% atoma titana.
4. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare prema jednom od zahteva 1 do 3, n a z n a č e n t i m e, što se kao materijal za zadnju ploču koristi aluminijum.
5. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare prema jednom od zahteva 1 do 4, n a z n a č e n t i m e, što se oblikovanje vrši kovanjem u kovačkoj presi ili pomoću prese za istiskivanje.
6. Postupak za izradu jednog izvora isparavanja za fizičko razdvajanje pare prema zahtevu 5, n a z n a č e n t i m e, što se oblikovanje kovanjem u kovačkoj presi kao i oblikovanje u presi za istiskivanje vrši na temperaturi izmedju 400° i 450°C.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0085100U AT4240U1 (de) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| YU44502A YU44502A (sh) | 2005-03-15 |
| RS49852B true RS49852B (sr) | 2008-08-07 |
Family
ID=3501235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| YUP-445/02A RS49852B (sr) | 2000-11-20 | 2001-11-07 | Postupak za izradu jednog izvora isparavanja |
Country Status (21)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6908588B2 (sr) |
| EP (1) | EP1335995B1 (sr) |
| JP (1) | JP4226900B2 (sr) |
| KR (1) | KR100775140B1 (sr) |
| CN (1) | CN1268780C (sr) |
| AT (2) | AT4240U1 (sr) |
| AU (1) | AU775031B2 (sr) |
| BG (1) | BG64450B1 (sr) |
| CA (1) | CA2375783C (sr) |
| CZ (1) | CZ298911B6 (sr) |
| DE (1) | DE50103914D1 (sr) |
| DK (1) | DK1335995T3 (sr) |
| ES (1) | ES2227293T3 (sr) |
| HR (1) | HRP20020100B1 (sr) |
| HU (1) | HU225577B1 (sr) |
| MX (1) | MXPA02001478A (sr) |
| MY (1) | MY128636A (sr) |
| PL (1) | PL199272B1 (sr) |
| RS (1) | RS49852B (sr) |
| SI (1) | SI1335995T1 (sr) |
| WO (1) | WO2002040735A1 (sr) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100441733C (zh) * | 2004-03-30 | 2008-12-10 | 株式会社延原表 | 蒸镀工序用喷嘴蒸发源 |
| WO2006055513A2 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-26 | Honeywell International Inc. | Methods of forming three-dimensional pvd targets |
| DE102004060423B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
| DE102006003279B4 (de) * | 2006-01-23 | 2010-03-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit hochschmelzender Phase |
| US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
| US8778987B2 (en) * | 2007-03-13 | 2014-07-15 | Symrise Ag | Use of 4-hydroxychalcone derivatives for masking an unpleasant taste |
| US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
| US20100140084A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Chi-Fung Lo | Method for production of aluminum containing targets |
| AT12021U1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-09-15 | Plansee Se | Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung |
| US10138544B2 (en) | 2011-06-27 | 2018-11-27 | Soleras, LTd. | Sputtering target |
| US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
| CN106471151B (zh) | 2014-06-27 | 2019-06-18 | 攀时复合材料有限公司 | 溅镀靶 |
| AT14497U1 (de) * | 2015-01-26 | 2015-12-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Beschichtungsquelle |
| JP6728839B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-07-22 | 大同特殊鋼株式会社 | プレス成形品の製造方法およびスパッタリングターゲット材 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
| JPS60194070A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | スパツタリングタ−ゲツト |
| AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
| JPS63169307A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Tokyo Tungsten Co Ltd | W又はW合金/Mo又はMo合金張り合わせ材料の製造方法 |
| JPH0196068A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH0741304B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1995-05-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 高A1含有Ti合金の熱間押出方法 |
| US5342571A (en) * | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
| JPH06128738A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US5397050A (en) * | 1993-10-27 | 1995-03-14 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby |
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
| FR2756572B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-01-08 | Pechiney Aluminium | Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques |
| US5963778A (en) | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
| JP3946298B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2007-07-18 | 本田技研工業株式会社 | セラミックス−金属傾斜機能材およびその製造方法 |
| US6010583A (en) | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
| JPH11106904A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-20 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US6579431B1 (en) * | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
| JPH11200030A (ja) | 1998-01-20 | 1999-07-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリングターゲット用バッキングプレート |
| US6183686B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
| US6328927B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-12-11 | Praxair Technology, Inc. | Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets |
| JP2000273623A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Japan Energy Corp | Ti−Al合金スパッタリングターゲット |
| US6042777A (en) * | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
-
2000
- 2000-11-20 AT AT0085100U patent/AT4240U1/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-06 MY MYPI20015103A patent/MY128636A/en unknown
- 2001-11-07 AU AU11982/02A patent/AU775031B2/en not_active Ceased
- 2001-11-07 WO PCT/AT2001/000349 patent/WO2002040735A1/de not_active Ceased
- 2001-11-07 JP JP2002543043A patent/JP4226900B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 PL PL355115A patent/PL199272B1/pl unknown
- 2001-11-07 HR HR20020100A patent/HRP20020100B1/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 EP EP01980044A patent/EP1335995B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 DK DK01980044T patent/DK1335995T3/da active
- 2001-11-07 KR KR1020027004639A patent/KR100775140B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 MX MXPA02001478A patent/MXPA02001478A/es active IP Right Grant
- 2001-11-07 CN CNB018030033A patent/CN1268780C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 CZ CZ20020669A patent/CZ298911B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 CA CA002375783A patent/CA2375783C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-07 SI SI200130263T patent/SI1335995T1/xx unknown
- 2001-11-07 RS YUP-445/02A patent/RS49852B/sr unknown
- 2001-11-07 DE DE50103914T patent/DE50103914D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 HU HU0301848A patent/HU225577B1/hu not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 ES ES01980044T patent/ES2227293T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 AT AT01980044T patent/ATE278050T1/de active
-
2002
- 2002-01-31 BG BG106371A patent/BG64450B1/bg unknown
- 2002-06-12 US US10/167,787 patent/US6908588B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL199272B1 (pl) | 2008-09-30 |
| CN1268780C (zh) | 2006-08-09 |
| JP2004513244A (ja) | 2004-04-30 |
| HRP20020100A2 (en) | 2003-12-31 |
| BG64450B1 (en) | 2005-02-28 |
| DE50103914D1 (de) | 2004-11-04 |
| EP1335995A1 (de) | 2003-08-20 |
| CN1392904A (zh) | 2003-01-22 |
| AU1198202A (en) | 2002-05-27 |
| HRP20020100B1 (hr) | 2010-11-30 |
| US6908588B2 (en) | 2005-06-21 |
| CZ2002669A3 (cs) | 2002-08-14 |
| EP1335995B1 (de) | 2004-09-29 |
| AT4240U1 (de) | 2001-04-25 |
| CA2375783C (en) | 2007-05-08 |
| CA2375783A1 (en) | 2002-05-20 |
| MXPA02001478A (es) | 2002-09-23 |
| BG106371A (en) | 2002-08-30 |
| DK1335995T3 (da) | 2005-01-31 |
| KR100775140B1 (ko) | 2007-11-12 |
| CZ298911B6 (cs) | 2008-03-12 |
| ES2227293T3 (es) | 2005-04-01 |
| AU775031B2 (en) | 2004-07-15 |
| ATE278050T1 (de) | 2004-10-15 |
| PL355115A1 (en) | 2004-04-05 |
| SI1335995T1 (en) | 2005-06-30 |
| WO2002040735A1 (de) | 2002-05-23 |
| HU225577B1 (en) | 2007-03-28 |
| YU44502A (sh) | 2005-03-15 |
| US20020155016A1 (en) | 2002-10-24 |
| JP4226900B2 (ja) | 2009-02-18 |
| HUP0301848A2 (en) | 2003-09-29 |
| MY128636A (en) | 2007-02-28 |
| KR20020074145A (ko) | 2002-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103182507B (zh) | 一种铬铝合金靶材的生产方法 | |
| RS49852B (sr) | Postupak za izradu jednog izvora isparavanja | |
| JPH0830269B2 (ja) | 陰極スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 | |
| CN108441827A (zh) | 铝钪合金靶材制备方法 | |
| CN1180907C (zh) | 一种钨铜梯度热沉材料及其制备方法 | |
| CN102041421A (zh) | 一种高钨含量的高致密细晶钨铜材料及其制备方法 | |
| CN104968828B (zh) | Cu-Ga-In-Na靶 | |
| Chen et al. | Functionally graded W-Cu materials prepared from Cu-coated W powders by microwave sintering | |
| KR100726103B1 (ko) | 저산소 및 고밀도의 구리/크롬 스퍼터 타깃 제조방법 | |
| CN111334762A (zh) | 一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法 | |
| JP2004520481A (ja) | 物理蒸着用ターゲット及び形成法 | |
| CN1081242C (zh) | 由元素粉末直接制备TiNi基形状记忆合金的方法 | |
| CN108796297A (zh) | 一种直接用于3d打印的高强度高韧性铜镍锡合金原料及其制备方法和应用 | |
| JPH11307701A (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
| JP4177467B2 (ja) | 高靱性硬質合金とその製造方法 | |
| JP6793730B2 (ja) | 金属性粉末を圧縮し高密度化して得られる材料 | |
| CN106111984A (zh) | 制备粉末冶金材料的工艺 | |
| CN106077654A (zh) | 一种制备粉末冶金材料的方法 | |
| CN104928539A (zh) | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 | |
| JPH0633104A (ja) | 傾斜組成を有する無歪合金体及びその製造法 | |
| CN109261974A (zh) | 一种多元假合金复合材料及其制备方法和应用 | |
| EP4310905A1 (de) | Sinterpreform mit einem massiven kern und sinterschichten auf beiden seiten des kerns, verfahren zur herstellung einer drucksinterverbindung von zwei fügepartnern damit und entsprechende anordnung umfassend eine drucksinterverbindung von zwei fügepartnern | |
| CN120888881A (zh) | 一种铜锆钛复合靶材及其制备方法 | |
| DE10047525B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Formkörpers unter Verwendung eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer enthält und so hergestellte Formkörper | |
| JP2000063974A (ja) | Cu−W系焼結合金およびその製造方法 |