PL199272B1 - Sposób wytwarzania źródła pary - Google Patents
Sposób wytwarzania źródła paryInfo
- Publication number
- PL199272B1 PL199272B1 PL355115A PL35511501A PL199272B1 PL 199272 B1 PL199272 B1 PL 199272B1 PL 355115 A PL355115 A PL 355115A PL 35511501 A PL35511501 A PL 35511501A PL 199272 B1 PL199272 B1 PL 199272B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- target
- backplate
- aluminum
- spraying
- components
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 4
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Wynalazek dotyczy sposobu wytwarzania zród la do fizycznego osadzania pary. Zród lo pary sk lada si e z w la sciwej tarczy rozpylaj acej zawieraj acej sk ladnik w postaci aluminium oraz jeden lub wiele dodatkowych sk ladników, a tak ze z p lyty tylnej wykonanej z materia lu o lepszym przewodnictwie cieplnym ni z tarcza. Wed lug wynalazku p lyt e tylna z proszkowego materia lu wyj sciowego, prasuje si e razem z pro- szkowymi sk ladnikami tarczy rozpylaj acej, w po- staci frakcji umieszczonych w warstwach, jedna nad drug a, a nast epnie kszta ltuje si e j a. PL PL PL PL
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania źródła pary do fizycznego osadzania pary, które składa się z tarczy, która oprócz jednego lub wielu dodatkowych składników zawiera składnik w postaci aluminium oraz z pł yty tylnej połączonej z tarczą , a wykonanej z materiał u o lepszym przewodnictwie cieplnym niż tarcza, przy czym tarcza wytwarzana jest przez prasowanie na zimno mieszanki złożonej z proszkowych poszczególnych składników i następnie przez kształtowanie przy temperaturach poniżej temperatury topnienia poszczególnych składników przy płynięciu aż do uzyskania gęstości wynoszącej przynajmniej 98% gęstości teoretycznej.
Tarcze rozpylające do fizycznego osadzania pary, stosuje się obecnie w znacznym zakresie do wytwarzania różnych warstw. Zastosowanie sięga od wytwarzania powłok odpornych na ścieranie i korozję dla róż nych materiał ów podł o ż a, aż do wytwarzania warstwowych materiał ów zespolonych, zwłaszcza dla przemysłu półprzewodnikowego i elektronicznego. Ze względu na ten szeroki zakres zastosowania osadzane muszą być najróżniejsze materiały powłokowe.
Problemy powstają wówczas, gdy różne materiały mają zostać napylone jednocześnie, a które przy utworzeniu stopu w sposób konwencjonalny tworzyłyby kruche, międzymetaliczne fazy tak, że tego rodzaju stopy nie dają się już praktycznie dalej przekształcać na zimno lub na gorąco, a skrawać można je tylko z dużą trudnością. Wytwarzanie tarcz rozpylających z tych stopów jest więc bardzo trudne lub w ogóle niemożliwe.
Przykładowo, do tych materiałów stwarzających trudności należą stopy aluminium z tytanem i w korzystny sposób mogą być przetwarzane w tarcze rozpylają ce tylko za pomocą wspomnianego sposobu. Sposób ten jest szczegółowo przedstawiony w opisie AT PS 388 752.
Tarcze rozpylające w urządzeniu rozpylającym mocuje się zwykle mechanicznie na warstwach miedzianych chłodzonych wodą w celu obniżenia temperatury powierzchniowej. Najczęściej tarcza rozpylająca wykonana całkowicie z materiału przeznaczonego do rozpylenia, przylega bezpośrednio do warstwy z miedzi.
Ponieważ za pomocą tarczy rozpylającej powinno być napylone możliwie dużo materiału, więc tarcze rozpylające wytwarza się w możliwie dużej wysokości konstrukcyjnej. Należy jednak przy tym zwrócić uwagę, aby przy zwiększaniu wysokości konstrukcyjnej tarcz rozpylających wzrastający ich opór termiczny nie był zbyt duży tak, aby temperatura powierzchniowa tarcz rozpylających mogła być utrzymywana w dopuszczalnych wielkościach.
Ponieważ większość rozpylanych materiałów posiada stosunkowo dobre przewodnictwo cieplne i/lub ma stosunkowo dużą temperaturę powierzchniową bez powodowania powstawania trudności, więc znane urządzenia rozpylające są dostosowane do stosunkowo dużych wysokości konstrukcyjnych tarcz rozpylających, przy czym w takich urządzeniach tarcze rozpylające o mniejszych wysokościach konstrukcyjnych można stosować licząc się z występowaniem znacznych wad.
Zwłaszcza aluminium przy swym bardzo dobrym przewodnictwie cieplnym jest bardzo często stosowane do powlekania przy użyciu techniki rozpylania tak, że wiele urządzeń rozpylających, zwłaszcza również pod względem wysokości konstrukcyjnej tarcz rozpylających dostosowanych jest do dobrego przewodnictwa cieplnego aluminium.
W takich urządzeniach powlekających problemy powstają wtedy, gdy razem z aluminium rozpylane mają być materiały wykazujące stosunkowo złe przewodnictwo cieplne a jednocześnie podczas procesu rozpylania nie mogą posiadać zbyt dużych temperatur powierzchniowych, w celu uniknięcia na przykład niepożądanych reakcji pomiędzy wieloma składnikami tarcz rozpylających. Zatem aluminium razem z tytanem i ewentualnie dodatkowymi składnikami stosuje się często do powlekania przede wszystkim dla celów ochrony przed ścieraniem.
W tarczach rozpylają cych z tych materiał ów, już niewielkie iloś ci tytanu pogarszają znacznie dobre przewodnictwo cieplne aluminium. Wskutek tego, przy takich tarczach rozpylających, jeżeli są one wytworzone o wysokości konstrukcyjnej stosowanej zwykle w urządzeniach rozpylających, w przypadku dużych dawek powlekających może dochodzić do powstawania tak wysokich temperatur powierzchniowych, że zachodzi reakcja egzotermiczna prowadząca do zniszczenia tarczy.
Odpylane za pomocą tarcz rozpylających razem z aluminium także inne materiały mogą stwarzać problemy przy przebiegu powlekania. W zastosowaniach elektronicznych mogą być używane na przykład kombinacje materiałów złożone z aluminium z Ta, Nd lub Y, natomiast dla optycznych i magnetycznych nośników danych używane są kombinacje materiałów złożone z aluminium z Ni i Cr.
PL 199 272 B1
Również w zastosowaniach mających na celu ochronę przed ścieraniem, gdzie składnik materiałowy działa jako suchy smar, stosowane są na przykład kombinacje materiałów złożone z aluminium z Sn, Zn, Ag, W, Mo, często w połączeniu z dodatkiem Ti.
Ażeby przy tych wszystkich krytycznych kombinacjach materiałowych można było uniknąć problemów występujących przy powlekaniu, konieczne było dotychczas ograniczenie prędkości naparowywania tak, aby temperatura powierzchniowa nie wzrastała zbyt wysoko.
Możliwość obniżenia temperatury powierzchniowej takich krytycznych tarcz rozpylających nawet przy wysokich dawkach powlekających, bez potrzeby zmniejszania wysokości konstrukcyjnej, istnieje wtedy, gdy część tarcz rozpylających w obszarze strefy kontaktowania się z warstwą miedzianą chłodzoną wodą, wyposaży się w tylną płytę z materiału dobrze przewodzącego ciepło i połączy tę tylną płytę mechanicznie z warstwą miedzianą.
Sposób wytwarzania tego rodzaju źródeł pary, w których płyta tylna połączona jest z tarczą rozpylającą za pomocą lutowania lub dyfuzyjnego połączenia kontaktowego jest opisany na przykład w opisie WO 00/22185 lub w US 5 397 050.
Wadą przy wytwarzaniu takich źródeł pary jest to, że pomiędzy tarczą i płytą tylną może powstać strefa przejściowa złego przewodnictwa cieplnego, która nie zapewnia optymalnego odprowadzania ciepła z powierzchni tarczy rozpylającej do płyty tylnej i dalej do chłodzonej warstwy miedzianej.
Ponieważ temperatura wyższa już o kilka stopni występująca na powierzchni tarczy rozpylającej, powoduje wady we własnościach rozpylania, więc tego rodzaju strefy przejściowe o złym termicznym przewodnictwie cieplnym powinny zostać wyeliminowane.
Z opisu US 5 863 398 znana jest tarcza rozpylająca oraz sposób jej wytwarzania, w którym w jednym wariancie wytwarzania materiał na tarczę rozpryskową i materiał na płytę tylną, np. aluminium, łączy się w jednym etapie roboczym przez prasowanie na gorąco i spiekanie warstwowanych mieszanek proszkowych.
Zadaniem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarzania źródła pary dla celów fizycznego osadzania pary, w którym tarcza rozpylająca zawierająca aluminium, połączona jest z płytą tylną bez tworzenia się strefy przejściowej o złym przewodnictwie cieplnym.
Sposób wytwarzania źródła pary do fizycznego osadzania pary, składającego się z tarczy, która oprócz jednego lub wielu dodatkowych składników zawiera składnik w postaci aluminium oraz z płyty tylnej połączonej z tarczą wykonanej z materiału o lepszym przewodnictwie cieplnym niż tarcza, przy czym tarczę wytwarza się przez prasowanie na zimno mieszanki złożonej z poszczególnych proszkowych składników i następnie kształtuje się ją przy temperaturach poniżej temperatury topnienia poszczególnych składników przy płynięciu, aż do uzyskania gęstości wynoszącej przynajmniej 98% gęstości teoretycznej, według wynalazku charakteryzuje się tym, że płytę tylną, również z proszkowego materiału wyjściowego, prasuje się razem ze składnikami tarczy, w postaci proszkowych frakcji umieszczonych w warstwach jedna nad drugą, a następnie kształtuje się ją.
Korzystnie, w sposobie wytwarzania według wynalazku wytwarza się tarczę składającą się z co najmniej 15% atom. aluminium.
Wytwarza się tarczę zawierającą jako drugi składnik 85% atom. tytanu.
Korzystnie, jako materiał na płytę tylną stosuje się aluminium.
Płytę tylną kształtuje się poprzez kucie w prasach kuźniczych.
Korzystnie, kształtowanie poprzez kucie w prasach kuźniczych prowadzi się w temperaturze między 400°C a 450°C.
Płytę tylną kształtuje się poprzez wyciskanie.
Kształtowanie poprzez wyciskanie prowadzi się przy temperaturze między 400°C a 450°C.
Dzięki sposobowi według wynalazku uzyskuje się bardzo dobre zespolenie pomiędzy materiałem tarczy i płytą tylną, bez powodowania tworzenia się strefy przejściowej o złym przewodnictwie cieplnym tak, że uzyskuje się tym samym bardzo dobre odprowadzanie temperatury z powierzchni tarczy rozpylającej do płyty tylnej i następnie do chłodzonej wodą warstwy miedzianej. Ponieważ tarcze rozpylające łączy się z warstwą chłodzoną wodą z reguły przez połączenie śrubami lub zaciśnięcie, więc celowe jest, aby odcinek tarczy, który wskutek tego nie może już być rozpylany, wykonać jako płytę tylną tak, że przy tej samej wysokości w porównaniu do tarcz rozpylających bez płyty tylnej istnieje do dyspozycji tyle samo materiału do naparowania.
Aby uzyskać szczególnie dobre połączenie materiału tarczy z płytą tylną, tarcza powinna korzystnie składać się z co najmniej 15% atom. aluminium.
PL 199 272 B1
Tarcze rozpylające, w których wynalazek realizuje się w szczególnie korzystny sposób, stanowią tarcze z 15% atom. aluminium i 85% atom. tytanu.
Jako szczególnie korzystny materiał na płytę tylną źródła pary nadaje się czyste aluminium, które posiada bardzo dobre przewodnictwo cieplne. Ponieważ aluminium jest stosunkowo miękkie, więc za pomocą mechanicznego połączenia z warstwą chłodzoną wodą uzyskuje się dobrą strefę przejściową o małym oporze termicznym. Poza tym, szkoda dla napylanej warstwy jest niezbyt wielka, gdy niechcący rozpylanie przeniknie poprzez materiał tarczy, wskutek czego współnapylona zostanie jako napylana warstwa również pewna część płyty tylnej. Oprócz aluminium na płytę tylną nadają się także inne materiały o dobrym przewodnictwie cieplnym, takie jak na przykład miedź.
Sprawdzoną metodą uzyskania płynięcia materiału przy kształtowaniu wypraski jest zastosowanie kształtowania kuźniczego w prasie kuźniczej.
Jeżeli tarcza wykonywana jest jako aluminiowo-tytanowa, na przykład z 15% atom. aluminium i 85% atom. tytanu, to korzystne jest przeprowadzanie kucia w prasie kuź niczej przy temperaturze między 400°C a 450°C.
Inną korzystną metodą kształtowania wypraski przy płynącym materiale jest wyciskanie.
Zaletą tej odmiany sposobu wytwarzania według wynalazku jest to, że z wyciskanego pasma oddzielane mogą być tarcze rozpylające o różnej wysokości konstrukcyjnej.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, który przedstawia fotomikrografię strefy przejściowej pomiędzy materiałem tarczy rozpylającej i materiałem płyty tylnej.
Strefa przejściowa przedstawiona jest w 100-krotnym powiększeniu. Widoczne jest wyraźnie całkowicie jednorodne przejście pomiędzy materiałem tarczy rozpylającej i materiałem płyty tylnej, bez tworzenia się zakłócającej warstwy pośredniej o zmniejszonym przewodnictwie cieplnym.
Wynalazek zostanie wyjaśniony bliżej na podstawie przykładów wykonania.
P r z y k ł a d 1
Źródło pary w kształcie tarczy o średnicy 63 mm i całkowitej wysokości 32 mm, składające się z tarczy rozpylającej o wysokości 20 mm, wykonanej z 50% atom. aluminium i z 50% atom. tytanu oraz z płyty tylnej wykonanej z aluminium i mającej 12 mm wysokości, połączonej trwale z tarczą rozpylającą, wykonane zostało zgodnie ze sposobem według wynalazku.
Proszek z aluminium i proszek z tytanu przeznaczone na tarczę rozpylającą, o przeciętnej wielkości ziarna 30 μm, zostały zmieszane w mieszaczu o skośnej osi obrotów.
W dwuczęściowej matrycy do prasy hydraulicznej, która to matryca pod względem końcowych rozmiarów źródła pary miała wystarczający nadmiar, najpierw dolną część matrycy wypełniono wyłącznie proszkiem aluminiowym o średniej wielkości ziarna wynoszącej 30 μm, a wypełnienie proszkiem zostało gładko wyrównane. Następnie nasadzono górną część matrycy i napełniono ją mieszanką proszku aluminium i tytanu, przy czym mieszankę proszku również gładko wyrównano i wypełnienie matrycy sprasowano na zimno do 94% jej teoretycznej gęstości tworząc półwyrób.
Wypraska została wtórnie zagęszczona w prasie kuźniczej przy półotwartej matrycy, przy temperaturze matrycy wynoszącej około 200°C, przy czym wykonano w sumie pięć operacji przejść, przy płynięciu względnie zgniataniu poszczególnych składników. Przed zagęszczaniem wtórnym oraz pomiędzy poszczególnymi operacjami wypraskę podgrzewano w piecu podgrzewczym do temperatury między 400°C a 450°C. Wskutek krótkich czasów formowania i niskich temperatur formowania nie było potrzeby stosowania ochrony przed utlenianiem tak, że wtórne zagęszczanie mogło następować w stanie nieznanym.
Na zakończenie, źródło pary doprowadzono do rozmiarów końcowych przy zastosowaniu obróbki mechanicznej.
Dla strefy przejściowej pomiędzy materiałem tarczy rozpylającej i materiałem płyty tylnej wykonano fotomikrografię wykazującą brak zakłócającej warstwy pośredniej.
P r z y k ł a d 2
Dla celów porównawczych wytworzono źródło pary w kształcie tarczy, o takich samych rozmiarach jak w przykładzie 1. W odróżnieniu od przykładu 1, źródło pary składa się wyłącznie z tarczy rozpylającej o 50% atom. aluminium i 50% atom. tytanu i nie zawiera żadnej płyty tylnej z aluminium. Wytwarzanie tarczy rozpylającej wykonane zostało przy tych samych parametrach wytwarzania co w przykładzie 1.
P r z y k ł a d 3
Dla celów porównawczych wytworzono źródło pary składające się z tarczy rozpylającej i płyty tylnej o tych samych rozmiarach i tych samych kombinacjach materiałowych co w przykładzie 1. W odróżnieniu od przykładu l, źródło pary nie zostało wytworzone przez jednoczesne przetwarzanie proszkoPL 199 272 B1 wych materiałów wyjściowych. Płyta tylna o tych samych rozmiarach niezależnie od tarczy rozpylającej została wykonana z półwyrobu miedzianego wytworzonego metodą pirometalurgiczną, a następnie, przy zastosowaniu warstwy pośredniej z indu, została połączona z gotową tarczą rozpylającą wytworzoną metodą metalurgii proszkowej i wytworzoną przy tych samych parametrach co w przykładzie 1.
Źródła pary odpowiadające przykładom 1 i 3 zostały wbudowane kolejno do urządzenia wytwarzającego parę typu ARC i przy tych samych stosowanych zwykle warunkach powlekania, przy natężeniu prądu w urządzeniu ARC o wielkości 60A, odpowiadającym strumieniowi ciepła 0,7 MW/m2, zostało rozpylone, przy czym określone zostały temperatury powierzchniowe poszczególnych tarcz rozpylających.
Po czasie rozpylania wynoszącym około 2 min stwierdzono następujące temperatury powierzchniowe:
Źródło pary według wynalazku, wytworzone według przykładu 1, posiadało temperaturę powierzchniową 315°C.
Tarcza rozpylająca wytworzona według przykładu 2 bez płyty tylnej miała najwyższą temperaturę powierzchniową 420°C.
Źródło pary wytworzone według przykładu 3, z przyłączoną płytą tylną, wykazało temperaturę powierzchniową 395°C.
W stosunku do przykł adu 1 znacznie wyż sza temperatura powierzchniowa pomimo zastosowania płyty tylnej o takich samych rozmiarach, wskazuje wyraźnie na szkodliwe działanie pośredniej warstwy indu o mniejszym przewodnictwie cieplnym, a koniecznej do uzyskania przyłączenia kontaktowego.
Ponieważ zmniejszenie temperatury powierzchniowej już o kilka stopni stwarza korzystne własności rozpylania dla tarczy rozpylającej, więc potwierdza to ogromną zaletę źródła pary według wynalazku w porównaniu ze źródłami pary znanymi z dotychczasowego stanu techniki.
Claims (8)
1. Sposób wytwarzania źródła pary do fizycznego osadzania pary, składającego się z tarczy, która oprócz jednego lub wielu dodatkowych składników zawiera składnik w postaci aluminium oraz z pł yty tylnej połączonej z tarczą wykonanej z materiał u o lepszym przewodnictwie cieplnym niż tarcza, przy czym tarczę wytwarza się przez prasowanie na zimno mieszanki złożonej z poszczególnych proszkowych składników i następnie kształtuje się ją przy temperaturach poniżej temperatury topnienia poszczególnych składników przy płynięciu, aż do uzyskania gęstości wynoszącej przynajmniej 98% gęstości teoretycznej, znamienny tym, że płytę tylną, również z proszkowego materiału wyjściowego, prasuje się razem ze składnikami tarczy, w postaci proszkowych frakcji umieszczonych w warstwach jedna nad drugą, a następnie kształtuje się ją.
2. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że wytwarza się tarczę składającą się z co najmniej 15% atom. aluminium.
3. Sposób wytwarzania według zastrz. 2, znamienny tym, że wytwarza się tarczę zawierającą jako drugi składnik 85% atom. tytanu.
4. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że jako materiał na płytę tylną stosuje się aluminium.
5. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że płytę tylną kształtuje się poprzez kucie w prasach kuźniczych.
6. Sposób wytwarzania według zastrz. 1 albo 5, znamienny tym, że kształtowanie poprzez kucie w prasach kuźniczych prowadzi się w temperaturze między 400°C a 450°C.
7. Sposób wytwarzania według zastrz. 1, znamienny tym, że płytę tylną kształtuje się poprzez wyciskanie.
8. Sposób wytwarzania według zastrz. 1 albo 7, znamienny tym, że kształtowanie poprzez wyciskanie prowadzi się w temperaturze między 400°C a 450°C.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0085100U AT4240U1 (de) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
| PCT/AT2001/000349 WO2002040735A1 (de) | 2000-11-20 | 2001-11-07 | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL355115A1 PL355115A1 (pl) | 2004-04-05 |
| PL199272B1 true PL199272B1 (pl) | 2008-09-30 |
Family
ID=3501235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL355115A PL199272B1 (pl) | 2000-11-20 | 2001-11-07 | Sposób wytwarzania źródła pary |
Country Status (21)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6908588B2 (pl) |
| EP (1) | EP1335995B1 (pl) |
| JP (1) | JP4226900B2 (pl) |
| KR (1) | KR100775140B1 (pl) |
| CN (1) | CN1268780C (pl) |
| AT (2) | AT4240U1 (pl) |
| AU (1) | AU775031B2 (pl) |
| BG (1) | BG64450B1 (pl) |
| CA (1) | CA2375783C (pl) |
| CZ (1) | CZ298911B6 (pl) |
| DE (1) | DE50103914D1 (pl) |
| DK (1) | DK1335995T3 (pl) |
| ES (1) | ES2227293T3 (pl) |
| HR (1) | HRP20020100B1 (pl) |
| HU (1) | HU225577B1 (pl) |
| MX (1) | MXPA02001478A (pl) |
| MY (1) | MY128636A (pl) |
| PL (1) | PL199272B1 (pl) |
| RS (1) | RS49852B (pl) |
| SI (1) | SI1335995T1 (pl) |
| WO (1) | WO2002040735A1 (pl) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100441733C (zh) * | 2004-03-30 | 2008-12-10 | 株式会社延原表 | 蒸镀工序用喷嘴蒸发源 |
| WO2006055513A2 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-26 | Honeywell International Inc. | Methods of forming three-dimensional pvd targets |
| DE102004060423B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
| DE102006003279B4 (de) * | 2006-01-23 | 2010-03-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit hochschmelzender Phase |
| US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
| US8778987B2 (en) * | 2007-03-13 | 2014-07-15 | Symrise Ag | Use of 4-hydroxychalcone derivatives for masking an unpleasant taste |
| US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
| US20100140084A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Chi-Fung Lo | Method for production of aluminum containing targets |
| AT12021U1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-09-15 | Plansee Se | Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung |
| US10138544B2 (en) | 2011-06-27 | 2018-11-27 | Soleras, LTd. | Sputtering target |
| US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
| CN106471151B (zh) | 2014-06-27 | 2019-06-18 | 攀时复合材料有限公司 | 溅镀靶 |
| AT14497U1 (de) * | 2015-01-26 | 2015-12-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Beschichtungsquelle |
| JP6728839B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-07-22 | 大同特殊鋼株式会社 | プレス成形品の製造方法およびスパッタリングターゲット材 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
| JPS60194070A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | スパツタリングタ−ゲツト |
| AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
| JPS63169307A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Tokyo Tungsten Co Ltd | W又はW合金/Mo又はMo合金張り合わせ材料の製造方法 |
| JPH0196068A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH0741304B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1995-05-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 高A1含有Ti合金の熱間押出方法 |
| US5342571A (en) * | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
| JPH06128738A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US5397050A (en) * | 1993-10-27 | 1995-03-14 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby |
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
| FR2756572B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-01-08 | Pechiney Aluminium | Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques |
| US5963778A (en) | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
| JP3946298B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2007-07-18 | 本田技研工業株式会社 | セラミックス−金属傾斜機能材およびその製造方法 |
| US6010583A (en) | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
| JPH11106904A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-20 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US6579431B1 (en) * | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
| JPH11200030A (ja) | 1998-01-20 | 1999-07-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリングターゲット用バッキングプレート |
| US6183686B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
| US6328927B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-12-11 | Praxair Technology, Inc. | Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets |
| JP2000273623A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Japan Energy Corp | Ti−Al合金スパッタリングターゲット |
| US6042777A (en) * | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
-
2000
- 2000-11-20 AT AT0085100U patent/AT4240U1/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-06 MY MYPI20015103A patent/MY128636A/en unknown
- 2001-11-07 AU AU11982/02A patent/AU775031B2/en not_active Ceased
- 2001-11-07 WO PCT/AT2001/000349 patent/WO2002040735A1/de not_active Ceased
- 2001-11-07 JP JP2002543043A patent/JP4226900B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 PL PL355115A patent/PL199272B1/pl unknown
- 2001-11-07 HR HR20020100A patent/HRP20020100B1/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 EP EP01980044A patent/EP1335995B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 DK DK01980044T patent/DK1335995T3/da active
- 2001-11-07 KR KR1020027004639A patent/KR100775140B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 MX MXPA02001478A patent/MXPA02001478A/es active IP Right Grant
- 2001-11-07 CN CNB018030033A patent/CN1268780C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 CZ CZ20020669A patent/CZ298911B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 CA CA002375783A patent/CA2375783C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-07 SI SI200130263T patent/SI1335995T1/xx unknown
- 2001-11-07 RS YUP-445/02A patent/RS49852B/sr unknown
- 2001-11-07 DE DE50103914T patent/DE50103914D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 HU HU0301848A patent/HU225577B1/hu not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 ES ES01980044T patent/ES2227293T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 AT AT01980044T patent/ATE278050T1/de active
-
2002
- 2002-01-31 BG BG106371A patent/BG64450B1/bg unknown
- 2002-06-12 US US10/167,787 patent/US6908588B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1268780C (zh) | 2006-08-09 |
| JP2004513244A (ja) | 2004-04-30 |
| HRP20020100A2 (en) | 2003-12-31 |
| BG64450B1 (en) | 2005-02-28 |
| DE50103914D1 (de) | 2004-11-04 |
| EP1335995A1 (de) | 2003-08-20 |
| RS49852B (sr) | 2008-08-07 |
| CN1392904A (zh) | 2003-01-22 |
| AU1198202A (en) | 2002-05-27 |
| HRP20020100B1 (hr) | 2010-11-30 |
| US6908588B2 (en) | 2005-06-21 |
| CZ2002669A3 (cs) | 2002-08-14 |
| EP1335995B1 (de) | 2004-09-29 |
| AT4240U1 (de) | 2001-04-25 |
| CA2375783C (en) | 2007-05-08 |
| CA2375783A1 (en) | 2002-05-20 |
| MXPA02001478A (es) | 2002-09-23 |
| BG106371A (en) | 2002-08-30 |
| DK1335995T3 (da) | 2005-01-31 |
| KR100775140B1 (ko) | 2007-11-12 |
| CZ298911B6 (cs) | 2008-03-12 |
| ES2227293T3 (es) | 2005-04-01 |
| AU775031B2 (en) | 2004-07-15 |
| ATE278050T1 (de) | 2004-10-15 |
| PL355115A1 (pl) | 2004-04-05 |
| SI1335995T1 (en) | 2005-06-30 |
| WO2002040735A1 (de) | 2002-05-23 |
| HU225577B1 (en) | 2007-03-28 |
| YU44502A (sh) | 2005-03-15 |
| US20020155016A1 (en) | 2002-10-24 |
| JP4226900B2 (ja) | 2009-02-18 |
| HUP0301848A2 (en) | 2003-09-29 |
| MY128636A (en) | 2007-02-28 |
| KR20020074145A (ko) | 2002-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL199272B1 (pl) | Sposób wytwarzania źródła pary | |
| TWI296013B (pl) | ||
| CN103182507B (zh) | 一种铬铝合金靶材的生产方法 | |
| JPH0830269B2 (ja) | 陰極スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 | |
| JP4851672B2 (ja) | 改良されたスパッタリングターゲット及びその製法並びに使用 | |
| JP2009538984A (ja) | 冷間圧縮されたスパッタターゲット | |
| WO2001056736A2 (en) | Laser assisted direct material deposition with modified absorption | |
| KR20140054419A (ko) | 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법 | |
| KR20190109863A (ko) | 고내식-고광택 알루미늄계 스퍼터링 타겟 합금 조성, 미세구조 및 그 제조 방법 | |
| JP5872844B2 (ja) | 複合材料の製造方法及び複合材料 | |
| JP2004520481A (ja) | 物理蒸着用ターゲット及び形成法 | |
| JP2008038249A (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
| JPH10280082A (ja) | 複合合金部材及びその製造方法 | |
| JP2003303787A (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JPH0254760A (ja) | ターゲットの製造方法 | |
| JPH0455086A (ja) | ロウ材の製造方法 | |
| CN104928539A (zh) | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 | |
| JP2001295034A (ja) | 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット | |
| JPH0455087A (ja) | ロウ材の製造方法 | |
| JPH02155595A (ja) | ロウ材の製造方法 | |
| JP2005213557A (ja) | 放電表面処理方法及び放電表面処理用電極並びにその製造方法 | |
| JPH01198402A (ja) | チタン合金粒子の製造方法およびチタン合金粒子 | |
| JPH03264608A (ja) | ターゲットの製造方法 |