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經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 ___B7__ 五、發明説明（1 ) (發明所屬之技術領域） 本發明係有關於一種藉由電漿中的活性種來處理被處 理體的電漿處理裝置以及其方法。本發明特別是有關於一 種在朝向處理體被供給之氣髖的供給路徑途中的多個位置 產生電漿，藉由在最下流之位置的形成之電漿中的活性種 來處理被處理體的電漿處理裝置及其方法。更者，本發明 係有關於一種在朝被處理體供給氣體之供給通路中的上流 側使氣體預備激發，藉由在其下流位置所形成之電漿中的 活性種來處理被處理體的電漿處理裝置以及其方法。 (習知技術） 該種電漿處理裝置已知有真空電漿處理裝置以及大氣 壓電漿處理裝置。大氣壓電漿處理裝置乃被揭露在特開平 1 — 125829號，特開平6 -190269號。該大 氣壓電漿處理裝置則是在大氣壓下讓氣體放電而產生亀漿 。將在該電漿中被活性化的氣體供給到被處理體，而進行 除去處理或是蝕刻處理。 亦即，該方法係對所供給的氣體外加高頻電壓而產生 電漿，使被活性化的氣體與被處理體本身或是形成在其表 面上的被膜產生反應，而使反應物氣化加以除去。 該大氣壓電漿處理裝置，由於該處理可以在大氣壓下 進行，因此具有可以簡化裝置構造，而容易操作，且能夠 低成本地迅速處理的優點》 但是，在習知之大氣壓電漿處理裝置中，由於是在大 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ] 4 - -----------^------ΐτ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 _____. B7_ _ 五、發明説明（2 ) 氣壓下產生電漿，因此電漿之均均性或是安定性並不一定 足夠。而由此會產生處理不均或是產生未處理部分的問題 。又，該大氣壓電漿處理裝置，一般乃被指出有除去處 理速率或是蝕刻速度率低的問題。 該些問題對於大氣壓電漿處理裝置而言極爲顯著，而 對於真空電漿處理裝置而言，也要求能夠更加提高處理的 速率。， V 在此·，本發明之目的則在於提供一藉著安定地產生電 漿而提升處理之良品率的電漿處理裝置以及其方法。 本發明之其他目的則在於提供一種藉著提髙電漿密度 的均勻性，而能夠提高被處理體之處理的面內均一性的電 漿處理裝置及其方法》 本發明之又一其他目的則於提供一種藉著提高電漿密 度可以提高除去處理或是蝕刻等之處理速率的電漿處理裝 置及其方法。 本發明之另一目的則在於提供一種藉著減低被處理體 受到電漿之損傷而可提高處理之良品率的電漿處理裝置及 其方法。 本發明之電漿處理裝置，其主要係一對被處理體之被 處理面進行處理的電漿處理裝置，其主要特徵備有： 被連結在上述處理室，且朝上述被處理體供給氣體的 氣體供給裝置及： 設在自上流側朝下流側之上述氣體之供給方向的不同 的多個位置，且可激發上述氣體產生電漿之多個電漿產生 本紙張尺度遄用中國國家標準（CNS > A4规格（210X 297公釐） J.----------^------、tT------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印袈 2^δβ〇_^_ 五、發明説明（3 ) 裝置，· 上述下流側之上述電漿產生裝置，則是在藉由上述上 流側之上述電漿產生裝置被活性化之上述氣體的活性化狀 態未消失的位置處使上述氣體再度激發而產生電漿。 又，本發明之電漿處理方法，其主要係一對被處理體 之被處理面進行處理的電漿處理方法，其特徵在於包括： (a )朝著被配置在處理室內的上述被處理體，藉由 氣體供給裝置來供給氣體的工程； (b) 係一在自上流側朝下流側之上述氣體之供給方 向之不同的多個位置使上述氣體激發而分別產生電漿的工 程，而在上述下流側的位置所產生的上述電漿，則在上述 上流側之位置所產生之上述電漿中，會在上述氣體之活性 化狀態未消失之上述下流側的位置，使上述氣體再度激發 而產生電漿的工程及； (c) 藉由位在最下流側之上述電漿中的活性種來處 理上述被處理體的工程。 根據本發明之裝置以及方法，趁著在上流側之電漿領 域被活性化之氣體的活性化狀態未消失之期間，藉著位在 下流側的電漿領域可以使該氣體再度被活性化•換言之* 到達下流側之電漿領域的氣體，藉由上流側之電漿所獲得 之氣體的電離狀態或是氣體的預備電離狀態（雖然仍未到 達電離狀態，但是已到達氣體之激發準位提髙的狀態）仍 未消失。藉此|除了容易形成位在下流側的電漿外，也能 夠安定地產生電漿•又，藉著該電漿中的活性種來處理被 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4规格（210X297公釐) ~ —-PI ^-1 I I I I —^I I IiTI I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（4 ) 處理體，可以提高處理的良品率•又，由於位在下流側之 電漿密度的均勻性可以提升，因此，被處理體之處理的面 內均勻性也會提高•更者，由於位在下流側之電漿中的活 性種的密度以及激發準位也會提高，因此，除去處理（指 在氣相中除去位在基板上之光抗蝕層的處理）或是蝕刻處 理等之處理速率也會被提高。 本發明之電漿處理裝置，其主要係一對被處理體之被 處理面進行處理的電漿處理裝置，其主要特徵備有： 配置有上述被處理體的處理室； 將氣體供給到上述處理室的氣體供給裝置： 被配置在上述氣體之供給方向的上流側，使上述氣體 激發而產生電漿的第1電漿產生裝置及； 在較上述第1電漿產生裝置更位在上述供給方向之下 流側的位置，在藉由上述第1電漿產生裝置被活性化之上 述氣體的活性化狀態未消失的位置使上述氣體再度被激發 而產生電漿的第2電漿產生裝置。 藉著由上述第2電漿產生裝置所產生之活性種來處理 上述被處理體。 在此，上述第1電漿產生裝置備有：第1之一對的電 極以及將第1交流電力供給到上述第1之一對的電極間的 第1電源，而上述第2電漿產生裝置備有：第2之一對的 電極以及將第2交流電力供給到上述第2之一對的電極間 的第2電源。 此時，最好是將第1交流電力的頻率設定成較第2交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） J,---.------^------、訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 經濟部中央裸準局貝工消费合作杜印製 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 五、發明説明（5 ) 流電力的頻率爲低》 其原因即在於當在被處理體的附近，用於產生電漿之 第2交流電力的頻率愈高，則愈能夠減少電漿帶給被處理 體的損傷。其理由是根據以下而推測。電漿帶給被處理體 的損傷乃是與給予電漿中之電子，離子之能置的大小，到 達被處理體之電子，離子的數目，換言之，即爲電子，離 子之移動度有關。亦即，給予電子，離子之能量愈大，且 電子，離子之移動度愈高，則電漿所造成的損傷會變大· 在此，當頻率變高時，則由電極與氣體間之靜電電容所造 .成的阻抗（Wc = l/ 2;r f c)會變小，而能夠供給足 夠大的電流給氣體，光是此點，就會有電漿所造成的損傷 變大的傾向。然而，當頻率變高時，則電子，離子會變得 難以追隨其頻率，特別是較電子爲重的離子的追蹤性會顯 著地變差。因此，電子，離子到達被處理體的數目會變少 。由於後者的理由的作用，結果會導致在被處理體所產生 之充電電壓會降低，而使得被處理體的損傷降低》因此能 夠提高被處理體之處理的良品率。 另一方面，藉著將用於產生遠離被處理體而位在上流 側的電漿之第1交流電力的頻率設定成較低，可以使該交 流電壓之peak to peak電壓變高，能夠使氣體充分地活 性化。結果，容易在其下流側產生電漿，而使得位在下流 側之電漿中之活性種的密度以及激發位準提髙。 在此爲了要減低電漿所帶來的損傷，則最好是將第2 交流爾；力之頻率設定成較一般的商用頻率的13. 5 6 -8 _ JI.-->------1------ΐτ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) MHz爲高。在實驗中則確認出使用40. 68MHz的 頻率較使用13. 56MHz的頻率更能夠降低電漿所帶 來的損傷。另一方面，第1交流電力的頻率最好是設定在 400KHZ-13. 56MHz的範圍內。該頻率之上 限的13. 5 6MHz則已經被確認爲用於產生電漿的頻 率，而當低於下限值的4 0 0 Κ Η z時，則容易產生異常 放電。 第1交流電力的大小最好是設定成較第2交流電力爲 大。藉此，在上流側的電漿領域，可以使氣體充分地活化 ，即使是在供給電力小之下流側的電漿領域，也能夠安定 地維持電漿。又，爲了要處理被處理體而用於產生下流側 之電漿的電力小，因此能夠減低電漿帶給被處理體的損傷 ρ 氣體供給裝置，當具有橫斷面積較處理室之橫斷面積 爲小的氣體流路時，則第1之一對的電極會挾著該氣體流 路而呈對向配置。. 於是可以減小位在第1之一對電極間的間隙，使得在 上流側之電漿領域中的電漿密度變高，而使氣體充分地活 其他，則也可以將配置在上流側之第1之一對的電極 設在處理室內•此時，第1之一對的電極可以與被處理體 之被處理面呈平行地配置。當如此地配置時，則第1之一 對的電極分別必須要有可供氣體通過的通過孔，例如可以 藉由多孔狀的金靥板來形成。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐> I ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 __B7 五、發明説明（7 ) 在被配置在上流側之第1之一對的電極中，最好是將 接近被處理體之其中之一個電極予以接地。於是，藉由被 接地的電極可以捕捉在電漿中之離子，電子等的帶電粒子 。因此，由於只有中性的活性種會朝向被處理體，因而能 夠防止因爲照射離子使得被處理體帶電或是遭受損傷。 被配置在下流側之第2之一對的電極，可以由用於載 置被處理體的載置電極以及面向該載置電極而配置的對向 電極所構成。此時，對向電極必須具有可供氣體通過的通 過孔，而例如由多孔狀的金屬所形成。 第2之一對電極的其他的配置例，則是在氣體的供給 方向，在較被處理體爲上流側的位置，可以與被處理體之 被處理面呈平行地配置•此時，第2之一對的電極則分別 具有可供氣體通過的通過孔。 在被配置在較被處理體爲上流側之第2之一對的電極 中，最好將接近於被處理體之其中一個電極予以接地。於 是，藉由被接地的電極來捕捉電漿中的離子，電子等的帶 電粒子，而只有使中性的活性種朝向被處理體。藉此，可 以防止因爲照射離子而使得被處理體帶電或是遭受損傷。 被配置在被處理體之上流側之第2之一對的電極的其他的 配置例，則是將該一對之電極之面對面的電極面配置成相 對於被處理面呈垂直相交狀。此時，則不需要在第2之一 對的電極設置氣體通過孔· 第1 ，第2電漿產生裝置係由3個電極的構成。此時 ，在處理室內則設置有用於載置被處理體的第1電極，在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A*»規格（210X 297公釐） ------------^------ix------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（8 ) 氣體的供給方向，在較上述被處理體爲上流側的位置’相 對於上述被處理體之上述被處理面呈平行地配置的第2電 極，以及在上述第1 ，第2電極間，與上述被處理體呈平 行配置的第3電極。此外，則藉由上述第2 ’第3電極構 成上述第1電漿產生裝置，藉由上述第1 ，第2電極構成 上述第2電漿產生裝置。 此時，上述第3電極被接地，在上述第2電極連接有 第1交流電源，而在上述第1電極連接有第2交流電源。 或者是在第3電極連接交流電源，而將上述第1，第2電 極接地。 在較產生最上流之電漿的位置位在氣體之供給方向之 更上流側的位置，則最好是設置有可以提髙氣體之激發位 準的預備激發裝置。 於是，在最上流之電漿領域中容易產生電漿，且能夠 更加提高位在該電漿中之氣體的激發準位》更者，即使是 減少氣體流置，則也可以在最上流側的電漿領域中確實地 產生電漿。 預備激發裝置可爲對氣體照射紫外線或是照射微波的 構造。 本發明之電漿處理裝置，其主要係一對被處理體之被 處理面進行處理的電漿處理裝置，其特徵在於備有： 配置有上述被處理體的處理室； 將氣體供給到上述處理室的氣體供給裝置： 被配置在上述氣體之供給方向的上流側，而用於提髙 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----------^------、tr------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 經濟部中央樣準局另工消费合作社印製 A7 __B7_ 五、發明説明（9 ) 上述氣體之激發準位的預備激發裝置及； 位在較上述預備激發裝置爲上述供給方向之下流側的 位置，在藉由上述預備激發裝置被提高激發準位之上述氣 體的能量未消失的位置，使上述氣體激發而產生電漿之電 漿產生裝置， 藉由由上述電漿產生裝置被活性化的活性種來處理上 述被處理體。 又，本發明之電漿處理方法，其主要係一對被處理體 之被處理面進行處理的電漿處理方法*其特徴在於包括： (a )朝著被配置在處理室內的上述被處理體，藉由 氣體供給裝置供給氣體的工程； (b )在上述氣體之供給方向之上流側的位置，提高 上述氣體之激發準位的預備激發工程及； (c )在較實施上述預備激發工程之位置位在上述供 給方向更下流側的位置，則在由上述預備激發工程被提高 激發準位之上述氣體的能量未消失的位置，使上述氣體激 發而產生電漿的工程； 而藉由位在上述電漿中的活性種來處理上述被處理體 〇 根據本發明之裝置以及方法，趁著由預備激發而被提 髙激發準位之氣體的能量未消失之期間，可以在其下流側 的電漿領域中確實地激發氣體，而能夠安定地產生電漿， 且可以提髙被處理體之處理的良品率。 更者，由於可以提高在下流側之電漿領域中之電漿密 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ------------^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 A7 __B7_ 五、發明説明（ίο ) 度的均勻性，因此能夠提高被處理體之處理的面內均勻性 。又，由於在下流側之電漿領域中之活性種的密度以及激 發位準會提高，因此能夠提髙處理速率。 上述本發明之電漿處理裝置以及電漿處理方法，最好 是應用在處理之均勻性以電漿之安定性不一定充分之大氣 壓電漿處理。 發明之最佳實施例的說明。 以下請參照圖面來具體地說明本發明的實施例。 (第1實施例） 請參照圖1來說明本發明的第1實施例。圖1係表大 氣壓電漿裝置的斷面圚。在該圖中，具有配置有被處理體 之例如半導體晶圖1的處理室1〇以及被連結到該處理室 1〇而朝半導體晶圓1供給氣體而作爲氣體供給裝置的氣 體導入管2 0。在本實施例中，該氣體導入管2 0被連結 到處理室1 0的上面。 氣體導入管2 0之一部分的同壁係由透明窗2 2所形 成，而在其周圍則配置有作爲預備激發裝置的紫外線燈 2 4。在該透明窗2 2之下方，則面向氣體導入管2 0的 同壁固定有第1之一對的電漿產生用電極2 6。該第1之 一對的電漿產生用電極2 6之其中一個電極2 6 a則被連 接到第1高頻電源2 8，而另一個電極26b則被接地。 在此，形成透明窗2 2之部分的第1氣體導入管 2 0 a可以由金靥來形成，而配置有第1之一對的電漿產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -装· -13 - 經濟部中央橾隼局貝工消费合作杜印製 A7 __B7 五、發明説明（11 ) 生用電極2 6之領域的第2氣體導入管2 0b ，則是由絕 緣性構件，例如石英所形成。 被連結到該氣體導入管2 0的處理室1 〇，其橫斷面 稹則較氣體導入管2 0的橫斷面積爲大。處理室1 〇例如 由石英所形成，在其側壁則連結有排氣管1 2。 在該處理室10的內部則配置有第2之一對的電漿產 生用電極3 0。該第2之一對的電漿產生用電極3 0係由 上部電極3 0 a與下部電極3 0 b所構成。該下部電極 3 0 b則可以將半導體晶圓1之被處理面1 a設成上側， 而作爲用於載置半導體晶圓1的載置電極來使用。上部電 極3 0 a爲了要讓氣體通過，則例如由多孔質的金靥來形 成。在該上部電極3 0 a的下面則形成由多孔質例如陶瓷 等所形成之介電體3 2 a。同樣地，在下部電極3 0 b的 上面則形成由陶瓷等所形成之介電體3 2 b。此外，該介 電體32a ，32b則是用於防止在電極30a，30b 之間發生異常放電者。此外，上部電極3 0 a被連接到第 2高頻電源3 4，而下部電極3 Ob則被接地。 以下說明該大氣壓電漿處理裝置的動作•首先*經由 氣體導入管2 0導入惰性氣體，例如H e氣體或是A r氣 體，而處理室1 0內部則自大氣被置換成惰性氣體環境· 此時，處理室1 0內部則成爲大氣壓或是其附近的壓力。 之後，紫外線燈2 4，第1髙頻電源2 8以及第2高頻電 源3 4則分別同時或是自上方依序被驅動成ON狀態· 被設在氣體之供給通路之上流側的紫外線燈2 4，則 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------------^------IT------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 14 經濟部中央橾隼局負工消費合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明（l2 ) 經由透明窗2 2將紫外線照射到H e等之惰性氣體。於是 ，藉由紫外線的能置產生光電離作用，而氣體成爲預備電 離狀態。但是在該階段則未能觀察到由惰性氣體所造成的 電漿。 被提高激發位準之惰性氣體，則會在第1之一對電榮 產生用電極2 6之間的電漿領域A中被活性化，而產生電 漿。該電漿髙爲H e氣體時，則可觀察到薄的藍色的放電 象，而被推測爲輝光（glow)放電。 被活性化的H e氣體，接著，則會在處理室1 〇的內 部通過交孔質的上部電極3 0 a以及介電體3 2 a ，而朝 著被支撐在下部電極3 0 b上之半導體晶圔1的被處理面 1 a被供給。 此外，在第2之一對的電漿產生用漿3 0 a之間的電 漿領域B中，處於活性狀態的H e氣體會被再度激發而產 生電漿。該電漿當爲H e氣體時，則可觀察到薄的藍色的 放電現象，而被推測爲電暈放電。 如此般*在電漿領域A，B中，可以邊維持電漿狀態 ，而除了供給到氣體導入管2 0之H e氣體外，也導入處 理氣體。在添加了處理氣體後，處理室1 0的內部會被維 持在大氣壓或是其附近的壓力。該處理氣體，當藉由除去 處理來除去附著在半導體晶圖1之被處理面1 a上的有機 物時，則使用氧氣（〇2)。當添加氧氣時，則在電漿A ，B*的放電會成爲白色。 此外，存在於電漿領域B中的氧離子，氧自由基等之 本紙浪尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4規格（2〖0X297公釐） ----------¾------IT------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 _ 經濟部中央橾隼局員工消費合作杜印裝 A7 B7 五、發明説明（l3 ) 活性種Μ會與附著在半導體晶圓1上被處理面1 a上的有 機物產生反應。藉由該反應，有機物會被分解成C0， C 0 2，水蒸氣，而經由排氣管1 2被排氣v 處理氣體可以使其他的氣體。當目的是在藉由蝕刻來 除去形成在例如半導體晶圓1之被處理面1 a上的氧化矽 膜，則可以使用C F4。如此般，處理氣體可以對應於除 去處理，蝕刻等之處理目的來使用各種的氣體。/ 根據該第1實施例，在氣體之供給方向的上流側，事 先照射紫外線，而提高該氣體的激發位準，藉此，在下流 側的電漿領域中，可以容易產生電漿，而能夠安定地在電 漿領域A產生電漿。更者，在電漿領域A中被活性化的氣 體，由於會在位在其下流側之電漿領域B中再度被活性化 ，而使得能夠在電漿領域B中安定地產生電漿，而可以提 高半導體晶圓1之處理的良品率。又，在電漿領域B中， 由於可以提高H e自由基，氧自由基等之活性種的密度以 及其激發準位，因此可以提高半導體晶圓1之處理的面內 均勻性，且能夠提高處理速率。 因此，下流側的電漿領域B必須要設定在由上流側之 電漿領域A被活性化之氣體的活性化狀態未消失的位置。 但是*在電漿領域A中所產生之活性種的壽命則是與在電 漿領域A中用於產生電漿之外加電Μ以及頻率有關。因此 必須要對應於在電漿領域Α中的電漿產生條件來適當地設 定電漿領域A，B之間的距離。 其以說明用於產生在電漿領域A，B中之電漿的條件 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ ----------^------ΐτ------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局員工消費合作杜印袈 A7 ______B7 五、發明説明（14 ) 。第1，第2高頻電源28，34則可以使用相同的電源 ，例如13，56MHz的電源。但是不限於此，也可以 將第1 ，第2高頻電源28，3 4設定在不同的電壓，功 率或是頻率。 又，最好是將第1高頻電源2 8的頻率設定成較第2 高頻電源3 4的頻率爲低。當使在上流側之電槳領域a用 於產生電漿之高頻電力的頻率變低時，則該高頻電壓的 peak to peak的電壓會變大，而能夠在電漿領域A中使 氣體充分地活性化。另一方面，當使在下流側之電漿領域 B中用於產生電漿之高頻電力的頻率變高時，則可以防止 半導體晶圓1的充電（charge up)，而減低所謂的電漿 損傷。當設定在上述之頻率關係時，則在上流側之電漿領 域A中賦予氣體充分的能量而使之成爲活性化狀態，而在 半導體晶圓1附近之下流側的電漿領域B中，則使用在上 流側被活性化的氣體，而即使是供給少的能量，也能夠提 高活性種的密度與其激發準位。因此，最好是將第2高頻 電源34的頻率設定成較13. 56MHz爲髙，而將第 1高頻電源28的頻率設定在400KHZ〜13. 56 Μ Η z的範圍內。 其次則針對第1 ，第2高頻電源2 8，34之功率加 以說明。最好是將第1髙頻電源2 8的功率設定成較第2 髙頻電源3 4的功率爲高。於是，可以在上流側的電漿領 域Α中，對氣體提供充分的能量，而在電漿領域Α中，可 以使氣體充分地活性化。另一方面，在半導體晶_ 1之附 本紙張尺度適用t國國家梂準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —---------^------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 A7 __B7___—— 五、發明説明（15 ) 近的電漿領域B中，則利用在上流側被充分地活性化的氣 體，而即使是只提供較少的功率，也能夠提高活性種的密 度以及共激發準位，而不會對晶圓造成損傷，能夠有效率 地進行處理。 此外，如圖1所示，形成有電漿領域A之氣體導入管 2 0的橫斷面積則遠較處理室1 0的橫斷面積爲大，由於 可以縮短位在第1之一對電漿產生用電極2 6之間的間隙 ，因此由該點來看，可以在電漿領域A中對氣體供給充分 的能量。 (第2實施例） 其次請參照圖2來說明本發明之第2實施例。該第2 實施例與第1實施例之不同點即在於不設置作爲預備激發 裝置之圖1的紫外線燈2 4，而改設可向氣體照射微波的 磁控管（magnetron) 4 0。該磁控管4 0乃被設在氣體 導入管2 0的上端，而設成沿著氣體導入管2 0的流路送 出微波的構造。該磁控管4 0係一可在氣體的供給方向產 生例如2. 4 5 GHz的微波，而藉由熱提髙氣體的激發 準位者。根據該第2實施例，預備激發乃利用微波，而與 紫外線燈2 4相比較，可以更加提高氣體的激發準位。除 了該預備激發方法不同外，第2實施例可以獲得與第1實 施例同等的效果》/ 此外，由磁控管4 0所照射的微波，並不限於要沿著 氣體的供給方向來照射，但是由於微波易於反射，因此最 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） ----------^------ΐτ------.^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 2^9560 a7 _B7_ 五、發明説明（16 ) 好是沿著氣體導入管2 0之流路方向來照射。/ (第3實施例） 請參照圖3來說明本發明的第3實施例。該第3實施 例裝置與第2實施例裝置之不同點即是不設置圖2所示之 第2之一對的電漿產生用電極3 0 ’而改採如圖3所示之 被配置之第2的一對電漿產生用電極5 0。該第2之一對 的電漿產生用電極5 0 ’則是在氣體的供給方向’在較半 導體晶圓1爲定在處SI室1 0 @兩彻ί 壁而被對向配置。構成該第2之一對的電漿產生用電極 50的各電極50a ’ 50b ’其中電極面則與半導體晶 圓1之被處理面1 a呈垂直相交》於是’在各電極5 0 a ，50b之間的間隙會變大，而不必在電極50a ， 5 0 b上設置氣體通過孔’而能夠將來自氣體導入管2 0 之氣體直接朝半導體晶圓1的被處理面1 a導入· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在該第3實施例裝置中，乃設置可朝電漿領域B照射 光，例如紫外線的紫外線燈6 0 ’在圖1 ，圖2所示之構 造中，上部電極3 0 a以及介電體3 2 a的存在，而很難 向電槳領域A照射光，但是在圚3所示之構造中’可以自 處理室1 0的上方輕易照射紫外線。藉著紫外線的照射， 被導入到電漿領域A之活性種之氣體的激發準位會更被提 髙，而能夠提高在電漿領域A中之活性種的密度以及其激 發準位。又，藉著自紫外線燈6 0朝電漿領域A照射紫外 線，可以很容易在電漿領域A中產生電漿。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 B7 五、發明説明（ 17 ) 1 1 該 紫 外 線 燈 6 0 的 配 置 > 如 圖 4 所 示 * 係 在 處 理 室 1 I 1 0 的 上 方 > 與 透 明 之 石 英 製 的 上 部 壁 1 0 a 及 / 或 底 壁 1 I 1 0 b 成 對 向 的 位 置 配 設 有 多 個 〇 此 時 * 當 將 上 下 之 紫 外 請 1 r 1 線 燈 6 0 如 圖 4 所 示 般 將 長 軸 配 置 在 垂 直 相 交 之 方 向 上 先 閱 I L 讀 Γ 1 時 9 則 可 實 現 將 紫 外 線 均 匀 地 照 射 在 被 處 理 體 上 〇 背 面 1 I 之 1 I 或 是 在 具 有 如 圖 1 » 圖 2 所 示 之 — 對 的 電 漿 產 生 用 電 注 意 1 I 事 1 極 3 0 的 構 造 中 如 圖 5 所 示 可 以 在 處 理 室 1 0 的 周 圍 項 再 1 4 1 裝 I > 透 明 之 石 英 製 的 側 壁 1 0 b 的 外 側 呈 環 狀 地 配 設 紫 外 線 寫 本 燈 6 0 0 Ά 1 1 1 ( 第 4 實 施 例 ) 1 1 1 其 次 請 參 照 圖 6 來 說 明 本 發 明 之 第 4 實 施 例 0 訂 1 該 第 4 實 施 例 如 rai 圖 6 所 示 係 — 不 將 第 1 之 一 對 的 1 I 電 漿 產 生 用 電 極 7 0 設 在 氣 體 導 入 管 2 0 的 途 中 而 改 設 1 1 1 在 處 理 室 1 0 之 內 部 者 〇 構 成 該 第 1 之 一 對 電 漿 產 生 用 電 1 1 極 7 0 的 上 部 電 極 7 0 a 與 下 部 電 極 7 0 b 爲 了 要 供 氣 線 1 體 通 過 因 此 是 由 多 孔 質 的 金 羼 所 形 成 0 在 各 電 極 7 0 a 1 1 7 0 b 的 對 向 面 則 分 別 形 成 介 電 體 7 2 a 7 2 b 〇 該 1 1 介 電 體 IUZ. 7 2 a 7 2 b 係 用 於 防 止 在 電 極 7 0 a 7 0 b | 之 間 的 異 常 放 電 者 0 該 介 電 體 7 2 a t 7 2 b 爲 了 要 讓 1 氣 體 通 路 > 則 例 如 由 多 孔 質 的 陶 瓷 來 形 成 〇 1 1 1 此 時 ί 當 被 接 地 的 下 部 電 極 7 0 b 與 被 連 接 有 高 頻 電 1 1 源 3 4 之 上 部 電 極 3 0 a 之 間 的 距 離 L i較圖6所示之其 1 1 他 之 電 極 間 距 離 L 2 L 3 爲 大 時 則 會 在 圖 6 所 示 之 電 漿 1 1 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4規格（21 OX 29*7公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、· 發明説明（18 ) 1 I 領 域 A 1 B 中 產 生 電 漿 9 I 1 1 或 是 可 以 將 上 述 電 極 間 距 離 L i設成較構成第 2電漿 1 1 產 生 裝 置 之 上 部 電 極 3 0 a 1 下 部 電 極 3 0 b 之 間 的 距 離 1 請 Γ I L 3爲狹窄 »於是 ，在電漿領域B中則變得難以產生電漿 先 閱 1 | L I > 而 反 而 會 在 下 部 電 極 0 b 與 上 部 電 極 3 0 a 之 間 產 生 背 £r 1 1 之 1 電 漿 0 於 是 ♦ 由 於 被 處 理 體 1 不 會 直 接 地 暴 露 在 電 漿 9 因 * 1 1 此 具 有 減 低 電 漿 損 害 的 效 果 〇 項 1 填 1 第 1 9 第 2 之 對 的 電 漿 產 生 用 電 極 3 0 7 0 ♦ 也 窝 本 裝 I 可 以 如 圖 7 圖 8 所 示 地 構 成 〇 根 據 各 圖 1 圖 6 所 示 之 頁 1 2 個 電 極 3 0 a 3 0 b 則 是 由 1 個 中 間 電 極 7 6 所 兼 用 1 1 0 此 外 在 該 中 間 電 極 7 6 的 表 背 面 則 形 成 有 介 電 體 1 1 3 2 a 7 2 b 〇 此 時 第 1 之 一 對 的 電 漿 產 生 用 電 極 訂 I 7 0 係 由 上 部 電 極 7 0 a 與 中 間 電 極 7 6 所 構 成 0 另 一 方 1 I 面 9 第 2 之 — 對 的 電 漿 產 生 用 電 極 3 0 係 由 下 部 電 極 3 0 1 1 I b 與 中 間 電 極 7 6 所 構 成 0 1 1 在 圖 7 中 在 中 間 電 極 7 6 連 接 有 共 同 的 高 頻 電 源 線 1 7 8 而 將 上 部 電 極 7 0 a 下 部 電 極 3 0 b 接 地 0 在 圖 1 1 8 中 則 將 中 間 電 極 7 6 接 地 在 上 部 電 極 7 0 a 連 接 有 1 1 第 1 高 頻 電 源 2 8 在 下 部 電 極 3 0 b 連 接 有 第 2 高 頻 電 I 源 3 4 0 1 I 在 圖 7 * 圖 8 所 示 之 實 施 例 中 1 也 與 第 1 至 第 3 實 施 1 1 | 例 同 樣 地 可 以 產 生 電 漿 領 域 A B 〇 特 別 是 在 圖 7 中 電 1 1 源 7 8 係 共 同 使 用 在 產 生 上 流 下 流 側 的 電 漿 領 域 A B 1 1 上 0 又 9 由 於 將 作 爲 載 置 電 極 使 用 之 下 部 電 極 3 0 b 予 以 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、‘ 發明説明（19 ) 1 接 地 9 .因 此 其 電 漿 處 理 模 式 則 與 圖 1 圖 6 相 同 〇 但 是 由 1 1 於 可 以 使 用 共 同 電 源 7 8 > 因 此 » 在 上 流 下 流 之 電 漿 領 1 1 域 A > B 中 用 於 產 生 電 漿 之 頻 率 > 功 率 以 及 電 壓 乃 變 得 相 1 Y 請 1 | 同 0 但 是 藉 著 使 中 間 電 極 7 6 與 上 部 電 極 7 0 a 之 間 的 閲 1 I 讀 ► 間 隙 設 定 成 較 中 間 電 極 7 6 與 下 部 電 極 3 0 b 之 間 的 間 隙 背 1 之 1 爲 狹 窄 9 可 以 使 在 電 漿 領 域 A » B 中 之 電 漿 產 生 條 件 不 同 意 1 事 1 〇 項 I 再 1 填 1 另 — 方 面 在 圖 8 中 由 於 作 爲 載 置 電 極 使 用 之 下 部 寫 本 裝 1 電 極 3 0 b 未 被 接 地 因 此 電 漿 處 理 模 式 乃 與 圖 1 — 圖 頁 1 1 6 不 同 0 但 是 由 於 使 用 獨 立 的 電 源 2 8 3 4 因 此 可 以 1 1 將 在 上 流 、 下 流 之 電 漿 領 域 A B 中 用 於 產 生 電 漿 之 頻 率 1 > 功 率 電 壓 等 設 成 與 圖 1 — 圖 6 不 同 〇 訂 1 | ( 第 5 實 施 例 ) 1 1 I 其 次 請 參 照 圖 9 來 說 明 本 發 明 之 第 5 實 施 例 〇 該 第 5 1 1 線 實 施 例 裝 置 與 圖 6 所 示 之 第 4 實 施 例 裝 置 的 不 同 點 則 如 下 1 所 述 0 1 1 首 先 就 是 將 圖 6 所 示 之 第 1 之 —· 對 電 漿 產 生 用 電 極 1 1 7 0 的 下 部 電 極 7 0 b 變 更 成 圖 9 之 第 1 離 子 捕 捉 電 極 1 8 0 0 該 第 1 離 子 捕 捉 電 極 8 0 係 由 金 鋼 或 是 具 有 多 數 細 1 · I 孔 之 金 靥 板 所 形 成 9 藉 著 與 地 面 電 位 連 接 可 以 捕 捉 離 子 1 I i 電 子 等 的 帶 電 粒 子 〇 1 1 I 同 樣 地 則 可 不 設 置 在 圖 6 所 示 之 第 2 之 一 對 電 漿 產 生 1 1 用 電 極 3 0 中 的 載 置 電 極 3 0 b 而在 氣 體 的 供 給 方 向 • 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS >A4規格（2丨OX 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 設置位在半導體晶圓1之上流側的第2離子捕捉電極8 2 。該第2離子捕捉電極8 2具有與第1離子捕捉電極8 0 同樣的形狀而捕捉被連接到地面電位的離子。該第2離子 捕捉電極8 2藉著捕捉離子，可以防止半導體晶圓1帶電 或是遭受損傷。 當只有1組電槳產生用電極時，當設置該捕捉電極時 ，會使反應速度降低，然而在本實施例中，藉由形成2段 的電漿領域A，B，由於可以提高在下流側之電漿領域B 中之中性活性種的密度以及激發準位，因此能夠將反應速 度的降低情形抑制在最小限度。 此外，本發明不限於上述實施例，只要是在本發明之 要旨的範圍內，可以進行各種的變形。在上述各實施例中 ，雖然是設置2段的電漿領域A，B來提高在下流側之電 漿領域B中之活性種的密度以及激發準位，但是也可以設 置3段以上的電漿領域。於是可以更加提高反應速度。又 ，在上述各實施例中，電漿產生裝置雖然是使用平行平板 型電極，但是上流側之第1電漿產生用電極，則不限於使 用平行平板型電極，也可以藉由其他的手段，例如照射微 波來產生電漿。 更者，本發明並不限於大氣壓電漿處理裝置，也同樣 地適用於真空電漿處理裝置，當爲真空電漿處理裝置時， 則藉由耐壓容器來形成處理室1 0，而在排氣管1 2連接 真空泵。 又，本發明所適用的處理，並不限於上述之除去處理 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----.--------- (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 A7 ___ B7_ 五、發明説明（21 ) ，蝕刻瀘理，其可適用在利用電漿之各種處理。 圖面之簡單說明： 圖1係表本發明之第1實施例裝置的概略斷面圖。 圖2係表本發明之第2實施例裝置的概略斷面圖。 圖3係表本發明之第3實施例裝置的概略斷面圖。 圖4係用於說明變更圚3所示之紫外線燈之配置之變 形例的概略斷面圖。 圖5係用於說明在圖1以及圖2所示之裝置中增設紫 外線燈之變形例的概略斷面圖。 圖6係表本發明之第4實施例裝置的概略斷面圖。 圖7係表利用兼作爲圖6所示之2個電極之中間電極 之變形例的概略斷面圖》 圖8係表利用兼作爲圖6所示之2個電極之中間電極 之其他變形例的概略斷面'圖。 圖9係表本發明之第5實施例裝置的概略斷面圖。 ：----：-------^------，玎------# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消费合作社印褽 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） -24 -

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裂 六、申請專利範圍 1 / —種電漿處理裝置，其主要係一對被處理體之被 處理面進行處理的電漿處理裝置，其主要特徵備有： 被連結在上述處理室，且朝上述被處理體供給氣體的 氣體供給裝置及； 設在自上流側朝下流側之上述氣體之供給方向的不同 的多個位置，且可激發上述氣體產生電漿之多個電漿產生 裝置， 上述下流側之上述電漿產生裝置，則是在藉由上述上 流側之上述電漿產生裝置被活性化之上述氣體的活性化狀 態未消失的位置處使上述氣體再度激發而產生電漿。 2 .—種電漿處理裝置，其主要係一對被處理體之被 處理面進行處理的電漿處理裝置，其主要特徵備有： 配置有上述被處理體的處理室； 將氣體供給到上述處理室的氣體產生裝置； 被配置在上述氣體之供給方向的上流側，使上述氣體 激發而產生電漿的第1電漿產生裝置及： 在較上述第1電漿產生裝置更位在上述供給方向之下 流側的位置，在藉由上述第1電漿產生裝置被活性化之上 述氣體的活性化狀態未消失的位置使上述氣體再度被激發 而產生電漿的第2電漿產生裝置。 3.如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，上述第 1電漿產生裝置備有：第1之一對的電極以及將第1交流 電力供給到上述第1之一對的電極之間的第1電極，第2 之一對的電漿產生裝置備有：第2之一對的電極以及將第 本^浪尺度逍用中國困家揉準（CNS )八4洗格（210X297公釐）~ " —.------餐------tr------终 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央橾準局真工消费合作杜印裝 六、申請專利範圍 2交流電力供給到上述第2之一對的電極間的第2電源。 4. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，將上述 第1交流電力的頻率設定成較上述第2交流電力之頻率爲 低。 5. 如申請專利範圍第4項之電漿處理裝置，將上述 第2交流電力的頻率設定成較13. 56MHz爲高。 6. 如申請專利範圍第5項之電漿處理裝置，將上述 第1交流電力的頻率設定在400KHZ-13. 56 Μ Η z的範圍內。 7. 如申請專利範圍第3至6項之任一項之電漿處理 裝置，將上述第1交流電力的大/_]、設成較上述第2交流電 力爲大》 8. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，上述氣 體供給裝置具有橫斷面稹較上述處理室之橫斷面積爲小的 氣體流路·上述第1之一對的電極係挾著上述氣體流路被 配向配置， 9. 如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，上述第 1之一對的電極係在上述處理室內被面向配置。 1 0 .如申請專利範圔第9項之電漿處理裝置，上述 第1之一對的電極乃與上述被處理體之上述被處理面呈平 行被配置*上述第1之一對的電極分別具有可讓上述氣體 通過的通過孔》 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之電漿處理裝置，在 上述第1之一對的電極中，接近上述被處理體之其中一個 本紙張尺度遑用中國國家橾率（CNS)A4规格（ 210X297公釐>_ _ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 BS C8 D8 經濟部中央梯準局負工消费合作社印製 六、申請專利範圍 電極被接地，藉由被接地之上述電極來捕捉位在電漿中之 離子等的帶電粒子。 1 2 .如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，上述 第2之一對的電極係由用於載置上述被處理體的載置電極 以及面向上述載置電極被配置之對向電極所構成，上述對 向電極則具有可讓上述氣體通過的通過孔。 1 3 .如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，上述 第2之一對的電極，係在上述氣體的供給方向，在較上述 被處理體爲上流側的位置處，與上述被處理體之上述被處 理面呈平行被配置，上述第2之一對的電極分別具有可讓 上述氣體通過之通過孔》 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之電漿處理裝置，在 上述第2之一對的電極中，接近上述被處理體之其中一個 電極乃被接地，藉由被接地的上述電極來捕捉位在電漿中 之離子等的帶電粒子。 1 5 .如申請專利範圍第3項之電漿處理裝置，上述 第2之一對的電極，係在上述氣體的供給方向，在較上述 被處理體爲上流側的位置，相對於上述被處理體之上述被 處理面呈垂直相交而配置。 16.如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，在上 述處理室內具有：用於載置上述被處理體的第1電極，在 上述氣體之供給方向，在較上述被處理體爲上流側的位置 ，相對於上述被處理面呈平行配置的第2電極’以及在 上述第1 ，第2電極間，與上述被處理體呈平行配置的第 ----------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) % 本紙張尺度逋用中國國家糅率（CNS ) A4洗格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央棣準局属工消费合作社印装 六、 申請專利範圍 1 1 3 電 極 » 而 藉 由上 述 第 2 » 第 3 電 極 構成 上 述 第 1 電 漿 產 1 1 生 裝 置 9 藉 由 上 述第 1 第 2 電 極構 成 上 述 第 2 電 漿 產 生 1 1 裝 置 〇 1 I 請 1 1 1 7 . 如 串 請 專 利 範 圔 第 1 6 項之 電 漿 處 理 裝 置 9 上 先 閲 1 I 述 第 讀 1 3 電 極 被 接 地 在 上 述 第 2 電 極 連 接 有 第 1 交 流 電 源 背 面 1 而 之 1 > 在 上 述 第 1 電 極 則 連 接 有 第 2 交 流 電 源 〇 注 意 1 I 1 8 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 6 項 之 電 漿處 理 裝 置 在 Ψ 項 再 1 1 I 上 述 第 3 電 極 連 接 有 交 流 電 源 而 上 述 第 1 第 2 電 極 則 填 寫 本 I 裝 被 接 地 9 頁 1 1 1 9 、 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 項 之 電 漿 處 理 裝 置 在 上 1 1 述. 被 處 理 體 之 上 述 被 處 理 面 所 面 臨 的 領 域 更 設 有 可 以 提 高 1 1 上 述 氣 am 體 之 激 發 準 位 的 預 備 激 發 裝 置 〇 訂 | 2 0 如 串 請 專 利 範 圍 第 2 項 之 電 漿 處 理 裝 置 相 對 1 I 於 上 述 第 1 電 漿 產 生 裝 置 在 上 述 氣 體 之 供 給 方 向 的 上 流 1 1 1 側 則 更 設 有 可 以 提 高 上 述 氣 體 之 激 發 準 位 的 預 備 激 發 裝 置 1 1 0 線 I 2 1 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 9 項 或 第 2 0 項 之 電 漿 處 • 1 1 理 裝 置 上 述 預 備 激 發 裝 置 係 將 紫 外 線 照 射 在 上 述 氣 體 〇 1 1 2 2 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 9 項 或 第 2 0 項 之 電 漿 處 | 理 裝 置 上 述 預 備 激 發 裝 置 係 將 微 波 照 射 在 上 述 氣 體 0 1 Λ | 2 3 — 種 電 漿 處 理 裝 置 其 主 要 係 1 > 對 被 處 理 體 之 1 1 I 被 處 理 面 進 行 處 理 的 電 漿 處 理 裝 置 其 特 徽 在 於 備 有 ： 1 1 配 置 有 上 述 被 處 理 體 的 處 理室 1 1 將 氣 體 供 給 到 上 述 處 理 室 的 氣 髏 供 給 裝 置 1 1 本纸張尺度逋用中國國家檬準（CNS ) A4規格（210X297公釐）_ 經濟部中央梂準局属工消费合作社印装 A8 B8 C8 D8「、申請專利範圍 被配置在上述氣體之供給方向的上流側，而用於提高 上述氣體之激發準位的預備激發裝置及； 位在較上述預備激發裝置爲上述供給方向之下流側的 位置，在藉由上述預備激發裝置被提高激發準位之上述氣 體的能量未消失的位置，使上述氣體激發而產生電漿之電 漿產生裝置， 藉由由上述電漿產生裝置被活性化的活性種來處理上 述被處理體。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之電漿處理裝置，上 述預備激發裝置係將紫外線照射在上述氣體。 25. 如申請專利範圍第23項之電漿處理裝置，上 述預備激發裝置係將微波照射在上述氣體。 26. 如申請專利範圍第2項之電漿處理裝置，上述 電漿係在大氣壓或是其附近的壓力下被產生。 2 7 . —種電漿處理方法，其主要係一對被處理體之 被處理面進行處理的電漿處理方法，其特徵在於包括： (a )朝著被配置在處理室內的上述被處理體，藉由 氣體供給裝置來供給氣體的工程； (b )係一在自上流側朝下流側之上述氣體之供給方 向之不同的多個位置使上述氣體激發而分別產生電漿的工 程，而在上述下流側的位置所產生的上述電漿，則在上述 上流側之位置所產生之上述電漿中，會在上述氣體之活性 化狀態未消失之上述下流側的位置，使上述氣體再度激發 而產生電漿的工程及； 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4规格（210X297公釐> _ _ I I II I 裝 I I 訂—— I 線 (請先聞讀背面之注f項再填寫本頁) ^9560 B8 C8 D8 經濟部中央棣準局Λ工消費合作社印褽 六、申請專利範圍 (C )藉由位在最下流側之上述霉漿中的活性種來處 理上述被處理體的工程。 2 8 .如申請專利範圍第2 7項之電漿處理方法，上 述（b )工程包含有將第1交流電力供給到第1之一對電 極間，而產生位在較上述最下流側之電漿更上流側之上述 電漿的工程及； 將第2交流電力供給到第2之一對的電極間而產生位 在上述最下流側之上述電漿的工程， 將上述第1交流電力的頻率設定成較上述第2交流電 力的頻率爲低。 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之電槳處理方法，將 上述第2交流電力的頻率設定成較13. 56MHz爲高 〇 30.如申請專利範圍第29項之電漿處理方法，將 上述第1交流電力的頻率設定在4 0 0 KH z — 13. 56MHz的範圍內》 3 1 .如申請專利範圍第2 7至3 0項之任一項之電 漿處理方法，將上述第1交流電力的大小設定成較上述第 2電源的上述交流電力爲大。 3 2.如申請專利範圍第2 7至3 0項之任一項之電 漿處理方法，在較產生最上流之電漿的位置位在上述氣體 之供給方向更上流側的位置更具有用於提高上述氣體之激 發準位的預備激發工程。 3 3 .如申請專利範圍第3 2項之電漿處理方法，上 本紙張又度適用中國國家搮丰（CNS>A4洗格（ 210X297公釐）_ 3〇 _ I--------^------tr------♦ (诗先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範囷 述預備激發工程係將紫外線照射到上述氣體， 34.如申請專利範圍第32項之電漿處理方法，上 述預備激發工程係將微波照射到上述氣體。 35·—種電漿處理方法，其主要係一對被處理體之 被處理面進行處理的電漿處理方法，其特徵在於包括： (a )朝著被配置在處理室內的上述被處理體，藉由 氣體供給裝置供給氣體的工程； (b )在上述氣體.之供給方向之上流側的位置，提高 上述氣體之激發準位的預備激發工程及； (c )在較實施上述預備激發工程之位置位在上述供 給方向更下流側的位置，則在由上述預備激發工程被提高 激發準位之上述氣體的能量未消失的位置，使上述氣體激 發而產生電漿的工程； 而藉由位在上述電漿中的活性種來處理上述被處理體 〇 3 6 .如申請專利範圍第2 7項之電漿處理方法，上 述電漿係在大氣壓或是其附近的壓力下被產生。 — I I I 裝 I 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部t夬橾準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度遠用中國國家揲準（CNS > A4规格（210x297公釐）-31 -