TW400567B - The polishing device and its polishing method for the substrate - Google Patents
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Description
經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1 ) 〔發明之背景〕 本發明係關於一種實行將矽所成之半導體基板或液晶 基板等所成基板‘表面予以平坦化處理所用的化學機械研磨 (CMP )的基板之研磨方法,基板之研磨裝置,及使用 於上述基板之研磨方法的被研磨基板之保持裝置者。 1 9 9 0年以後,在對於上述半導體基板或液晶基板 之化學機械研磨技術,基板之直徑大型化至1 0 cm以上 ,而研磨有枚葉處理化之趨勢》尤其是,在研磨半導體基 板時,因形成於半導體基板之線模型之規定爲0. 5#m 以下之極微細化,因此在半導體基板之所有全面被要求均 勻之研磨β 以下,一面參照圖式,一面說明第1以往例的基板之 研磨方法及其裝置。 第13圖係表示第1以往例的基板之研磨裝置的概略 構成,在第1 3圚中,5 1係定盤,該定盤5 1係具有: 具有平坦之表面且由剛體所成的襯墊載置部5 1 a,及從 該襯墊載置部5 1 a下面向垂直下方延伸的旋轉軸5 1 b ,及旋轉該旋轉軸5 1 b的未予圖示之旋轉手段等,在該 定盤5 1之襯墊載置部5 1 a之上面黏接彈性的研磨襯墊 5 2。在研磨劑5 2之上方,設有保持基板5 3並旋轉的 基板保持頭5 4,而基板5 3係一面藉基板保持頭5 4 — 面旋轉一面壓接研磨襯墊5 2。又,5 5係研磨劑’該研 磨劑5 5係從研磨劑供應管5 6每次所定量滴下至研磨襯 墊5 2上》 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) r-----' ------ιτ--------味 zi.· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(2 ) 在如上所構成的基板之研磨裝置,係旋轉定盤5 1 — 面旋轉供應有研磨劑5 5之硏磨襯墊5 2,一面將保持於 基板保持頭5 4之基板53推向研磨襯墊5 2時,則基板 53之研磨面係受到壓力及相對連'度而被研磨。 此時,若在基板5 3之研磨有凹凸部,則在凸部因與 研磨襯墊5 3之接觸壓力較大,故相對研磨速度變高而被 研磨,一方面,在凹部因與研磨襯墊5 3之接觸壓力較小 ,故幾乎不被研磨。因此,有緩和基板5 3之研磨面凹凸 而使基板5 3之硏磨面成爲平坦者。 然而,在上述之第1以往例,具有一面參照第1 4圖 及第15 (a)〜(c)圖一面說明的以下之問題。 第14圖係表示由第1以往例的基板之研磨裝置所實 行之研磨方法的概略剖面圖,第15 (a)〜(c)圖係 表示說明第1以往例之問題點的概略剖面圖,在此,將形 成於矽所成之基板5 3上的表面具有凹凸之氧化膜5 7加 以研磨時的問題點作爲例子說明。 如第1 4圖所示,將保持於基板保持頭5 1之基板 5 3推向研磨襯墊5 2時,如上所述,在氧化膜5 7之凸 部,因與硏磨襯墊5 2之接觸壓力較大,因此被研磨,一 方面,在氧化膜5 7之凹部,因與研磨襯墊5 2之接觸壓 力較小,因此幾乎不被研磨,氧化膜5 7表面之凹凸被緩 和而使氧化膜5 7之表面成爲平坦者。 此時,將保持於基板保持頭5 1的基板5 3以均勻地 推壓力推向研磨襯墊5 2,惟如表示於第1 5 ( a )圖之 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4%格(210X297公釐〉 IK---------------訂丨_Μί----線 /4. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中失樣準局貝工消费合作社印裝 A7 _B7 五、發明説明(3 ) 左圖。雖定盤5 1之襯墊載置部5 1 a之表面會彎曲,.或 研磨襯墊5 2會彈性變形時,或是如表示於第15 (b) 圖之左圖,基板’5 3之厚度有參差時,雖將基板5 3以均 勻之推應力推向研磨襯墊5 2,也無法使氧化膜5 7與研 磨襯墊5 2之間的接壓成爲均勻,而在接壓會產生高低》 因此,在接壓之較高部分(接觸於氧化膜5 7之襯墊載置 部5 1 a或研磨襯墊5 2之凸部的場所及氧化膜5 7之基 板5 3的厚度較厚場所)係研磨比率會較高,又在接壓之 較低部分(接觸於氧化膜5 7之基板載置部5 1 a或研磨 襯墊5 2之凹部的場所及氧化膜5 7之基板5 3的厚度較 薄場所)係研磨比率會較低,故如表示於第15 (a), (b )之右圖,氧化膜5 7之研磨量具有不均勻之問題。 對此,若將研磨襯墊5 2形成柔軟,由於研磨襯墊 5 2隨著定盤5 1之襯墊載置部5 1 a或研磨襯墊5 2之 凹凸或基板5 3之厚度的參差而容易彈性變形,雖可耰和 起因於襯墊載置部5 1 a或研磨襯墊5 2之凹凸或基板 5 3之厚度的參差的接壓相差而可提髙接壓之均勻性,惟 若將研磨襯墊5 2變成柔軟時,則因研磨襯墊5 2之彈性 變形追隨氧化膜5 7之凹凸,甚至於氧化膜5 7之凹部接 觸於研磨襯墊5 2俾進行研磨,故如表示於第1 5 ( C ) 圖之右圚*有無法緩和氧化膜5 7表面之段差的問題。 如此,如第1 6所示,提案一種對研磨襯墊6 2之彈 性變形使用基板6 3之變形的加法。 表示於第16圖之第2以往例的基板之研磨方法及其 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----^------,·水------訂——^-----^1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 裝置係如下所述。亦即,在定盤6 1上黏接具有彈性的研 磨襯墊6 2。在保持基板6 3之基板保持頭6 4下部形成 有凹部6 5,雨基板6 3係固持於設在凹部6 5內的可彈 性變形之板狀彈性體66。由基板保持頭64,彈性體 6 6及基板6 3形成有密封空間6 7,而在該密封空間 6 7從氣體供應路6 8導入有壓力被控制的加壓氣體。構 成如上述,由於導入於密封空間6 7之加壓氣體將固持於 彈性體6 6之基板6 3推向研磨襯墊6 2,則從背面加壓 基板63而可得到均勻之研磨者。 _ 然而在第2以往例中,由於依板狀彈性體6 6固持基 板6 3之構造,因此具有裝卸基板6 3之機構成爲複雜而 且基板6 3之裝卸作業成爲煩雜的第1問題。 又,在上述之第1之以往例,研磨襯墊5 2係藉由研 磨時之壓力被壓壞而彈性變形而依部位有不相同之厚度, 或因研磨砥粒凹進研磨襯墊5 2之表面,產生網目阻塞, 導致研磨襯墊5 2之表面狀態變化,而研磨速度也變化。 又》因基板5 3與研磨襯墊5 2之間的摩擦導致研磨襯墊 5 2會部分地磨耗,或因在研磨時由於壓力所產生的研磨 襯墊5 2之彈性變形不能恢復,因此研磨襯墊5 2會變薄 〇 因此,因研磨襯墊5 2之厚度之參差而在研磨襯墊 5 2之表面產生凹凸,因此即使將基板5 3以均勻之力量 推向研磨襯墊5 2,也在基板5 3之面內產生壓力之相差 ,由此,研磨量之基板面內的均勻性會成爲較差。 本紙張尺度適用中國固家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I ------訂--„-----嗥 /1%· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(5 ) 以往,爲了避免依研磨襯墊5 2的表面狀態之變化.( 疲勞)的研磨量之不均勻,對於研磨襯墊5 2施以修整處 理,亦即,施以'切削研磨襯墊5 2表面之凸部,或解決網 目阻塞之處理,將硏磨襯墊5 2之狀態保持在一定狀態, 由此,在基板5 3之面內可得到均勻之研磨。 然而,在研磨襯墊施以修整處理,有如下述之問題。 第1,擬平坦地保持藉研磨時之磨耗等而變心的研磨 襯墊之表面,隨著依研磨所產生之研磨襯墊表面的凹凸童 須調整研磨襯墊的切削量,惟因研磨襯墊表面之凹凸量係 極小至約數〜數十,須把握凹凸量,或控制切削 量p 。尤其是,在近幾年之裝置的製造過程所要求 之程度上很難以優異精度硏磨基板之表面。 第2,依修整裝置來切削研磨襯墊時,因硏磨襯墊會 變薄*因此研磨襯墊之彈性力有所變化,由此,產生在基 板之面內的壓力差之吸收力,係每一次修整處理有所不同 ,故有研磨特性(面內均勻性及段差緩和性能)不穩定的 問題。 第3,在可容許研磨性能之研磨襯墊的厚度之範圍內 須更換研磨襯墊。惟該研磨襯墊之更換作業係具有須依賴 人工之問題。 第4,由於使用容易彈性變形之研磨襯墊來吸收產生 於基板之面內的壓力差,上述第1問題係可避免至某一程 度,惟若使用容易變形之研磨襯墊時,則對於基板之段差 .吸收性能產生降低之問題· 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I ~ -----^-------竑------.訂——^-----線1 yf. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(6 ) 第5,張貼於定盤的研磨襯墊之厚度係藉機械式測定 法來實行,惟很難測定因研磨劑或洗淨水濕潤的研磨襯整 之厚度,而且在連續地實行研磨處理時無法測定研磨襯墊 之厚度。又,在機械式測定方法,若在多數部位未實行測 定時,則無法把握研磨襯墊之面內的厚度分布,而對於研 磨襯墊之表面具有約數// m之凹凸者因一般所使用之測微 計的測定精度爲約1 0 ,因此無法得到精度優異之測 定等之理由,具有研磨襯墊之厚度係只依照研磨之處理量 及研磨襯墊之磨耗量的經驗加以推測之問題。 〔發明之概要〕 鑑於上述事項,本發明之第1項目的係在於即使在定 盤或研磨襯墊有凹凸或在基板厚度上有參差也可對於基板 施以均勻之研磨,而且可將基板之裝卸機構及作業成爲簡 易者。又本發明之第2項目的係在於不必實行修整處理也 可將研磨襯墊之表面成爲平坦者,又本發明之第3項目的 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 係在於可正確地把握設於定盤之上面的研磨襯墊之厚度者 〇 本發明之第1基板之研磨裝置,其特徵爲具備:可旋 轉的剛性之定盤,及設於該定盤之表面的半透明之研磨襯 墊,及保持被研磨基板而且將保持之被研磨基板推向上述 研磨襯墊的基板保持手段,及檢測在上述定盤表面被反射 而通過上述半透明之研磨襯墊的光之強度的光強度檢出手 段。 本紙張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 9 A7 _B7_ 五、發明説明(7 ) 依照第1基板之研磨裝置,若檢測在定盤表面被反射 而通過半透明之研磨襯墊的光之強度時,因在研磨襯墊磨 耗而全面地減低1厚度則光之強度變大,或在局部地磨耗研 磨襯墊而在研磨襯墊之表面形成有凹凸則光之強度依部位 有所不同。因此,被檢測的光之強度變大,或光之強度依 部位有所不同時,而可知研磨襯墊已.到壽命,故可正確地 判斷研磨襯墊之更換時期· 本發明之第2基板之研磨裝置,其特徵爲具備:可旋 轉的剛性之定盤,及設於該定盤且具有有色之下層與半透 明之上層的多層構造之研磨襯墊,及保持被研磨基板而且 將保持之被研磨基板推向上述研磨襯墊的基板保持手段, 及檢測在上述研磨襯墊的上述下層之表面被反射而通過上 述半透明之上層的光之強度的光強度檢出手段。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -嗥 依照第2基板之研磨裝置,若檢測在研磨襯墊之下層 表面被反射而通過半透明之上層的光之強度時,因在研磨' 襯墊磨耗而全面地減低厚度則光之強度變大,或在局部地 磨耗研磨襯墊而在研磨襯墊之表面形成有凹凸則光之強度 依部位有所不同•因此,被檢測的光之強度變大,或光之 強度依部位有所不同時,而可知研磨襯墊已到壽命,故可 正確地判斷研磨襯墊之更換時期。 本發明之第1基板之研磨方法,其特徵爲具備:旋轉 在表面設有半透明之研磨襯墊的剛性之定盤的工程,及將 被研磨基板推向上述研磨襯墊俾研磨上述被硏磨基板之表 面的工程,及檢測在上述定盤表面被反射而通過上述半透 本紙張尺度適用中國囷家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ -10 - A7 _B7_ 五、發明説明(8 ) 明之研磨襯墊的光之強度,而依據被檢出的光之強度來推 定上述研磨襯墊之膜厚的工程。 依照第1基‘板之研磨方法,若檢測在定盤表面被反射 而通過半透明之研磨襯墊的光之強度時,因在研磨襯墊磨 耗而全面地減低厚度則光之強度變大,或在局部地磨耗研 磨襯墊而在研磨襯墊之表面形成有凹凸則光之強度依部位 有所不同。因此,被檢測的光之強度變大,或光之強度依 部位有所不同時,而可知硏磨襯墊已到壽命,故可正確地 判斷研磨襯墊之更換時期。 本發明之第2基板之研磨方法,其特徴爲具備:旋轉 在表面設置具有有色之下層與半透明之上層的多層構造之 研磨襯墊的剛性之定盤的工程,及將被研磨基板推向上述 研磨襯墊俾研磨上述被研磨基板之表面的工程,及檢測在 上述研磨襯墊之上述下層表面被反射而通過上述半透明之 上層的光之強度,而依據被檢出的光之強度來推定上述研 磨襯墊之膜厚的工程。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照第2基板之研磨方法,若檢測在研磨襯墊之下層 表面被反射而通過半透明之上層的光之強度時,因在研磨 襯墊磨耗而全面地減低厚度則光之強度變大,或在局部地 磨耗研磨襯墊而在研磨襯墊之表面形成有凹凸則光之強度 依部位有所不同。因此,被檢測的光之強度變大,或光之 強度依部位有所不同時,而可知研磨襯墊已到壽命,故可 正確地判斷研磨襯墊之更換時期。 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(9 ) 〔發明之實施形態〕 以下,一面參照圖式一面說明本發明之各實施形態的 被研磨基板之無持裝置,基板之研磨裝置及研磨方法。 (第1實施形態) 第1圖係表示本發明之第1實施形態的被研磨基板之 保持裝置的概略剖面圖,在第1圖中,1 1係具有平坦之 表面的剛體所成的可旋轉之定盤,在該定盤1 1之上面密 貼具有彈性的研磨襯墊1 2。 在定盤1 1之上方,配置有保持基板1 3的基板保持 裝置1 5A,該基板保持裝置1 5A係具備:藉未予圖示 之旋轉驅動手段旋轉的旋轉軸1 6 A,及一體地設於旋轉 軸1 6 A之下端的圖盤狀之基板保持頭1 7A,及固定於 基板保持頭17A之下面的周緣部之矽酮橡膠等彈性體所 成的環狀封閉構件1 8A,及固定於基板保持頭1 7A之 下面的封閉構件1 8 A之外側的環狀引導構件1 9 A,及 作爲將從一端(在第1圇之上方)所導入之加壓流體從另 —端(在第1圖之下方)流出之流體供應路的流體流通路 2 Ο A。 以下,一面參照第2(a) , (b)圖一面說明使用 第1實施形態的被研磨基板之保持裝置所實行的基板之硏 磨方法。 首先,說明搬送時之動作•將基板1 3或基板保持裝 置1 5 A向水平方向移動•並將基板1 3位於基板保持頭 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) :------,^------IT--;-----Ψ ζί> (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -12 - 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 __B7___ 五、發明説明(10 ) 1 7A之下方之後,下降基板保持頭1 7 A而接近基板保 持頭1 7A與基板1 3,然後,從氣髖流體流通路2 OA 吸引基板保持ΐΐ 7A下方的大氣,則如第2 ( a )圔所 示,基板1 3係經由封閉構件1 8A吸引並保持在基板保 持頭1 7A。在該狀態下,將基板保持頭1 7A向水平方 向搬送而移動至定盤11上之研磨襯墊12之上方。由此 ,可簡易且確實地實行基板13之保持及搬送· 然後,一面說明研磨時之動作,一面說明第1實施形 態的被研磨基板之保持裝置的詳細之構造。 如第2 (b)圖所示,將流體流通路20A之內部成 爲大氣壓並解放基板13而將基板13載置於研磨襯墊 12上之後,對旋轉軸16A施加向下方之推壓力。擬將 直徑8英吋之矽酮所成的基板1 3以5 0 0 g/cm 2之 加壓力推向研磨襯墊1 2施行研磨時,則施加於旋轉軸 1 6A之推壓力成爲1 5 7kg。此時,將例如800g/ c m 2之加壓空氣或加壓氮所成的加壓流體從流體供應路 2 OA供應於由基板保持頭1 7A。封閉構件1 8A及基 板1 3所形成的空間部2 1 A。在該狀態下,一面將包括 砥粒之研磨劑2 3滴下至研磨襯墊12上,一面相對旋轉 定盤1 1與基板保持頭1 7A。構成如此,因基板1 3之 研磨面係與研磨襯墊1 2滑接,因此基板1 3之研磨面之 凹凸被緩和而形成平坦化。引導構件1 9 A係將基板1 3 保持在所定位置俾防止藉隨著旋轉所產生之離心力而使基 板13向外方跳出之情形· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ~ ~ -13 - -----:------/— {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 ______B7_ 五、發明説明(11 ) 在此,檢討空間部2 1 A之髙度tA(參照第1圖) 〇 從流體流通路2 Ο A供應於空間部2 1 A的加壓流體 係將基板1 3從背面推向研磨襯墊1 2,惟基板1 3係未 黏接於封閉構件1 8A,因此,藉由研磨時之基板1 3的 旋轉狀態或基板1 3之背面的凹凸狀態等,如第3圖所示 ,加壓流體係從基板1 3與封閉構件1 8 A之間向空間部 2 1A之外部漏出。空間部2 1A之高度t a較小時,則 在空間部2 1 A內的加壓流體之流通產生阻力,而在空間 部21A之內部會產生壓力差因而無法均勻地推壓基板 1 3。因此,須將空間部2 1 A之高度t A設成在流通該 空間部21A之加壓流體幾乎不會產生壓損的數值•空間 部2 1 A之高度tA係由封閉構件1 8A之厚度所決定, 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 若作爲加壓流體使用水或空氣(氮)等低粘性者時,則將 空間部2 1 A之高度丨4設成基板1 3之徑(圓板時之直 徑或方形板時之對角線)的長度的1/1 0 0 0以上之數 值,較理想是設成2/1 0 0 0以上之數值時,則在空間 部2 1 A之內部幾乎不會產生壓力差。具體而言,使用厚 度0. 5mm之封閉構件18A,並將空間部2 1A之髙 度形成0. 5mm較理想。 如上所述,因從流體流通路2 0 A供應於空間部 2 1 A的加壓流體之壓力者,比施加於旋轉軸1 6A之推 壓力大,因此,將基板1 3與引導構件1 9 A之間的間隙 設成約0.1mm時,則加壓流體之壓力係作用作爲向上 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14 - 經濟部中央樣率局負工消費合作社印装 A7 __B7_ 五、發明説明(12 ) 方推高基基板保持頭1 7A之力量,而在封閉構件1 8 A 與基板1 3之間產生間隙,在第3圖中以箭號所示,因加 壓流體係通過基‘板1 3與封閉構件1 8 A之間的間隙而從 引導構件1 9A之凹狀溝1 9 a向外部流出,因此,空間 部2 1 A之壓力係會降低。如此,空間部2 1 A的加壓流 髖之壓力係與自整合地施加於旋轉軸1 6 A之推壓力相一 致,基板13係藉由安定之加壓力推向研磨襯墊1 2 · 將基板13之厚度與封閉構件18A之厚度的合計厚 度設成比引導構件19A之厚度大約0. 01〜〇. 1 mm,而將基板1 3之研磨面(下面)比引導構件1 9 A_ 之下面向下方突出約0. 01〜0.1mm,則因引導構 件1 9 A與研磨襯墊1 2未接觸,因此,從基板1 3與封 閉構件18A之間漏出的加壓流體係會從引導構件19A 下方向外部流出。然而,研磨襯墊1 2彈性變形或在引導 構件1 9 A與研磨襯墊1 2之間有研磨劑流入時,則漏出 之加壓流體係無法順利地從引導構件1 9 A下方向外部流 出而被關在引導構件19A之內側。從基板13與封閉構 件18A之間向空間部21A之外部漏出的加壓流體關在 引導構件1 9 A之內側時,該加壓流體係浸入在基板1 3 與研磨襯墊1 2之間而成爲將基板1 3向上方推高之力量 ,並降低將基板1 3推向硏磨襯墊1 2之力量*爲了避免 這種情形,在引導構件1 9 A之下面,以適當間隔設有相 連通引導構件19A之內側與外側,從空間部21A漏出 之加壓流體向外部逸出所用的複數部位之凹狀溝1 9 a 〔 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐〉 1^---r-----------訂——„-----嗥Ϊ ys\ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(13 ) 參照第4(a), (b)圓〕。 又,在研磨時,因基板1 3係未與封閉構件1 8A及 引導構件1 9 A'接觸,因此即使旋轉基板保持頭1 7 A ’ 基板13也不會追隨基板保持頭17A旋轉。雖基板13 未旋轉,但定盤1 1旋轉時,因定盤1 1與基板1 3相對 旋轉,因此,基板1 3之研磨面係被研磨。又,須將基板 1 3與基板保持頭1 7A連動而旋轉時,如第4 ( a )圖 所示,將與引導構件1 9 A之內面的基板1 3之定向平坦 面相對應之部位成爲直線狀,或是如第4 ( b )圖所示’ 在基板1 3設置凹部而且在引導構件1 9 A設置凸部’而 使基板1 3與引導構件1 9 A不會相對旋轉也可以。構成 如此,則與基板1 3背面的引導構件1 9A相接觸之部分 被研磨而可避免損傷之情形。 如上所述,依照第1實施形態的研磨基板之保持裝置 或基板之研磨方法,因藉由供應於空間部2 1A的加壓流 體之壓力將基板1 3推向研磨襯墊1 2,因此,若在研磨 襯墊1 2之研磨面有凹凸而基板1 3變形,也以均勻之加 壓力可將基板1 3推向研磨襯墊1 2,故可均勻地研磨基 板1 3。 又,如第1以往例,因藉基板保持頭未直接推壓基板 之背面,即使在基板背面附著有微粒等異物時,也可用均 勻之加壓力將基板1 3推向研磨襯墊1 2。 又,因僅從流體流通路2 Ο A吸引大氣即可將基板 1 3保持在基板保持頭1 7A,因此基板1 3之保持及搬 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
-16 - A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明( 14 ) 1 送較 容易。 1 1 因此, 依 照 第 1實 施形態 的 被 研 磨 基板 之 保 持 裝置或 1 1 基板 之研磨 方 » 則即 使在定 盤 1 1 或 研磨 襯 墊 1 2有凹 1 I 請 1 凸或在基板 1 3 之厚度 有參差 對 於 基 板1 3 也 可 實行均 先 閱 I 勻之 研磨, 而 且 基 板1 3之裝 卸 及 搬 送 成爲 容 易 0 讀 背 面 > 1 1 注 意 重 1 I (第 2實施 形 態 ) ψ 項 再 1 1 第5圖 係 表 示 本發 明之第 2 實 施 形 態的 被 研 磨 基板之 % 本 保持 裝置的 概 略剖 面圖 ,在第 5 圖 中 10 係 具 有 平坦表 頁 1 1 面之 剛體所 成 而 可 旋轉 的定盤 t 在 該 定 盤1 0 上 面 黏接有 1 1 彈性 的研磨 襯 墊 1 1 β 1 1 在定盤 1 0 之 上方 ,配設 有保 持 基 板1 3 的 基 板保持 訂 | 裝置 1 5 B 該 基 板保 持裝置 1 5 B 係 具備 旋 轉 軸 I 16 B,及 一 體 設 於旋 轉軸1 6 B 之 下 端的 下 面 具 有凹部 1 1 I 17 a的圓 盤 狀 之 基板 保持頭 1 7 B 1 及固 定 於 基 板保持 1 1 嗥 1 頭1 7 B之 下 面 周 緣部 的環狀 之 引 導 構 件1 9 B 及流體 : 流通 路2 0 B 0 .I 第2實 施 形 態 Cta Αήτ 興果 1實施 形 態 不 相 同處 乃 在 於未設 I 置在 第1實 施 形 態 所設 置的封 閉 構 件 1 8 A 及 在 基板保 I I 持頭 1 7 B 之 凹 部 17 a *藉 分 散 孔 2 4 a 分 散 流 通體流 I 1 通路 2 0 B 之 加 壓 流體 而供應 於 空 間 部 2 1 B 的 流 體分散 1 1 | 板2 4 B與 基 板保持頭 1 7 B 一 體 地 設 置之 點 0 1 1 1 又,在第 1 實 施形 態中, 具 有 將 供 應於 空 間 部 2 1 A 1 1 的加 壓流體 之 壓 力 自整 合地一 致 於 施 加 在旋 轉 軸 1 6 A之 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 五、發明説明(15 ) 推壓力的機構,惟在第2實施形態中,具有將供應於空間 部2 1 B之加壓流體經常向外部流出,而且將流通空間部 21B的加壓流‘體之壓力自整合地一致於施加在旋轉軸 1 6 B的推壓力,而藉與施加於旋轉軸1 6 A之推壓力一 致之流通的加壓流體之磨力而將基板13推向研磨襯墊 1 2的機構。 以下,一面參照第6(a) , (b)圖一面說明使用 第2實施形態的基板之研磨裝置所實行之研磨方法。 首先,說明搬送時之動'作·將基板1 3或基板保持裝 置1 5 B向水平方向移動,並將基板1 3位於基板保持頭 1 7 B之下方之後,下降基板保持頭1 7 B而接近基板保 持頭17B與基板13,然後,從流體流通路20B吸引 基板保持頭1 7 B之凹部1 7 a之空氣,則因流體分散板 24B之下側空間部減壓,如第6圓(a)圖所示,基板 1 3係吸附於流體分散板2 4 B而確實地被保持在基板保 持頭1 7B。在該狀態下,將基板保持頭1 7B向水平方 向移動而將基板1 3搬送至定盤1 1上的研磨襯墊1 2之 上方。由於構成如此,可簡易且確實地實行基板1 3之保 持及搬送* 然後,一面說明研磨時之動作,一面說明第2實施形 態的被研磨基板之保持裝置的詳細之構造。 將流體流通路2 Ο B之內部,甚至於將基板保持頭 1 7B之凹部1 7 a解放成大氣懕,並將基板1 3載置於 研磨襯墊1 2上之後,對旋轉軸1 6 B施加向下方之推壓 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ ' -18 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1Q· -訂 -Y— · A7 B7 五、發明説明(16 ) 力。擬將直徑8英吋之矽酮所成的基板1 3以5 0 0 g / cm 2之加壓力推向研磨襯墊1 2施行研磨時,則施加於 旋轉軸1 6 B之推壓力成爲1 5 7 kg。此時,將例如 6 0 0 g/cm2之加壓流體供應於由基板保持頭1 7B ,引導構件1 9 B及基板1 3所形成的空間部2 1 B。在 該狀態下,一面將包括砥粒之研磨劑滴下至研磨襯墊1 2 上,一面相對旋轉定盤1 1與基板保持頭1 7B。構成如 此,因基板1 3之研磨面係與研磨襯墊1 2滑接,因此, 研磨面之凹凸故緩和而形成平坦化。引導構件1 9 B係與 第1實施形態同樣,具有防止藉隨著旋轉所產生之離心力 而使基板1 3向外方跳出之情形,而且與第1實施形態不 相同,與基板保持頭17B,流體分散板24B及基板 1 3 —起形成空間部2 1 B。 在此,檢討空間部2 1 B之髙度tB。 從流體流通路2 Ο B供應於空間部2 1 B的加壓流體 係通過基板1 3與引導構件1 9 B之間的間隙及引導構件 經濟部中央榡準局員工消費合作衽印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 9 B之凹狀溝1 9 a向外部流出而將基板1 3從背面推 向研磨襯墊1 2,惟空間部2 1 B之高度t B較小時,貝if 在空間部21Β內的流體之流通產生阻力而在空間部 2 1 Β之內部會產生壓力差,故無法均勻地推壓基板1 3 。因此,須將空間部2 1 Β之髙度tB設成在流通該空間 部2 1 B之加壓流體幾乎不會產生壓損的數值。空間部 2 1B之高度tB係由引導構件1 9B之厚度與基板1 3 之厚度的相差所決定,若作爲加壓流體使用水或空氣(氮 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -19 - A7 B7 五、發明説明(17 ) )等低粘性者時,則設成基板13之徑的長度的1/ 1 0 0 0以上之數值,較理想是設成2/1 0 0 0以上之 數值時,則在空'間部2 1B之內部幾乎不會產生壓力差。 具體而言,將空間部2 1 B之髙度tB形成0. 5mm較 理想β 對於形成在流體分散板2 4 Β的分散孔2 4 a之徑, 數量及配置,係適當地設置藉由從分散孔2 4 a供應於空 間部2 1 B之加壓流體可均勻地加壓基板1 3較理想,對 於分散孔2 4 a之配置係同心圓狀且放射狀較理想。又, 作爲流體分散板2 4 B使用多孔質板較理想。 如上所述,因從流體流通路2 0 B供應於空間部 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 嗥:. 2 1 B的加壓流體之壓力者,比施加於旋轉軸1 6 B之推 壓力大,因此,將基板1 3與引導構件1 9 B之間的間隙 設成約0. 1mm時,則如第6(b)圖以箭號所示,因 加壓流體係通過基板1 3與引導構件1 9 B之間的間隙而 從引導構件1 9 B之凹狀溝1 9 a向外部流出,由此,空 間部2 1 B之壓力係會降低,因此,流通空間部2 1 B的 加壓流體之壓力係與自整合地施加於旋轉軸1 6 B之推壓 力相——致,基板1 3係藉由安定之加壓力推向研磨襯墊 12° 又,因從流體流通路2 0 B供應於空間部2 1 B的加 壓流體之壓力者,比施加於旋轉軸1 6 B之推壓力大,因 此*加壓流體之壓力係作用作爲向上方推高基板保持頭 17B之力量,而在基板保持頭17B與研磨襯墊12之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) A7 ___B7__ 五、發明説明(is) 間產生間隙,加壓流體係通過該間隙向外部流出。然而’ 研磨襯墊1 2彈性變形或在引導構件1 9 B與研磨襯墊 1 2之間有研磨劑流入時,則加壓流體係無法順利地從引 導構件1 9 B之下方向外部流出而被關在引導構件1 9 B 之內側。構成如此,則如上所述,加壓流體浸入在基板 13與研磨襯墊12之間而成將基板13向上方推高,並 降低將基板13推向研磨襯墊12之力量。爲了避免這種 情形,在引導構件1 9 B之下面以適當之間隔設置與第1 實施形態同樣之複數部位的凹狀溝1 9 a。 如上所述,依照第2實施形態之被研磨基板之保持裝 置或基板之研磨方法時,則因從流體分散板2 4 B之分散 孔2 4 a供應於空間部2 1 B而藉由從引導構件1 9之凹 狀溝1 9 a流出的加壓流體之壓力將基板1 3推向研磨襯 墊1 2,故,即使在研磨襯墊1 2之研磨面有凹凸而基板 1 3變形,也可將基板1 3以均勻之加壓力推向研磨襯墊 1 2,故可均勻地研磨基板1 3 » 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,即使在基板背面附著有微粒等異物時,也可用均 勻之加壓力將基板1 3推向研磨襯墊1 2。 又,因僅從流體分散板2 4 B之分散孔2 4 a吸引基 板1 3即可將基板1 3吸附在基板保持頭1 7 B,因此基 板13之保持及扳搬送較容易。 因此,依照第2實施形態的被研磨板之保持裝置或基 板之研磨方法,則即使在定盤1 1或研磨襯墊1 2有凹凸 或在基板1 3之厚度有參差,對於基板1 3也可實行均勻 本复適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2ΗΓΧ297公:tT" -21 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(19 ) 之研磨,而且基板1 3之裝卸及搬送成爲容易。 (第3實施形態‘) 第7圆係表示本發明之第3實施形態的被研磨基板之 保持裝置的概略剖面圖;在第7圖中,1 1係有平坦表面 之剛體所成而可旋轉的定盤,在該定盤1 1上面黏接有彈 性的研磨襯墊1 2。 在定盤1 1之上方,配設有保持基板1 3的基板保持 裝置1 5 c,該基板保持裝置1 5 c係具備:旋轉軸
1 6 c,及在一體地設於旋轉軸1 6 c之下端的下面具有 凹有凹部1 7 a的圓盤狀之基板保持頭1 7 c,及在基板 保持頭1 7 c之凹部1 7 a具有與該基板保持頭1 7 c-體地設置之分散孔2 4 a的流體分散板2 4 c,及固定於 基板保持頭1 7 c之下面周緣部的環狀之引導構件1 9 C ,及可上下移動地設於引導構件1 9 C之內側之彈性材所 成的環狀之封閉構件1 8 C,及流體流通路2 0 C。 第3實施形態與第2實施形態不相同處/乃在於在引 導構件1 9 C之內側設有可上下移動之封閉構件1 8 C。 此時,基板保持頭1 7 c的凹部1 7 a之高度係設成比封 閉構件1 8 C之高度較大。 又,在第1及第2声施形態中,將供應於空間部 2 1 A,2 1 B的加壓流體之壓力與自整合地施加於基板 保持頭1 7A,1 7B的推壓力一致,而藉與施加於基板 保持頭1 7A,1 7B之推壓力一致的加壓流體之壓力而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ----------1 ,i------訂—^-----嗥 f ( 1/ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -22 - A7 B7 五、發明説明(20 ) 將基板1 3推向研磨襯墊1 2的機構,惟在第3實施形態 中,將供應於空間部2 1 C的加壓流體之壓力與施加於基 板保持頭1 7匕之推壓力相等,而藉供應於空間部2 1 C 的加壓流體之壓力將基板13推向研磨襯墊12的機構。 以下,一面說明研磨時之動作,一面說明第3實施形 態的被研磨基板之保持裝置的詳細構造。 解放來自流體流通路2 0 C之吸引而將基板保持頭 17C之凹部17a,甚至於空間部21c之壓力成爲大 氣壓之後,對於旋轉軸1 6 C施加向下方之推壓力。擬將 直徑8英吋之矽酮所成的基板1 3以5 0 0 g/cm 2之 加壓力推向研磨襯墊1 2施行研磨時,則施加於旋轉軸 1 6 c之推壓力係成爲1 5 7 kg而在旋轉軸1 6 c施加 1 6 0 kg之力量。此時,將例如5 0 0 g / c m 2之加壓 流體供應於空間的2 1 c。在該狀態下,一面將包括砥粒 之研磨劑滴下至研磨襯墊1 2上,一面相對旋轉定盤1 1 與基板保持頭17C。構成如此,如第8 (b)圖所示, 因基板1 3係與研磨襯墊1 2滑接,因此,基板1 3之研 磨面的凹凸被緩和而形成平坦化。封閉構件1 8 c係與流 體分散板2 4 c及基板1 3 —起形成空間部2 1 c,引導 構件1 9 c係具有防止藉隨著旋轉所產生之離心力而使基 板13向外方跳出的情形。 在此,檢討施加於旋轉軸1 6 c之推壓力與供應於空 間部2 1 c的加壓流體之壓力之關係。施加於旋轉軸8之 推壓力比(供應於空間部2 1 c的加壓流體之壓力:Tx'( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ -23 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 缘. 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(21 ) 基板1 3之面稹)大,由於引導構件1 9 c推壓研磨襯墊 1 2,可將研磨襯墊1 2事先彈性變形,具有可抑制在基 板1 3之周邊故的研磨比率之上昇的效果,故供應於空間 部2 1 c的加壓流體之應力係(施加於旋轉軸1 6 c的推 壓力)+(基板13之面稹)之未滿1. 0倍較理想,而 施加於引導構件1 9 c之推壓力係與加壓流體之壓力相同 程度較理想。 以下,檢討空間部2 1 c之高度tc。 因基板保持頭1 7 c之凹部1 7 a與空間部2 1 c係 藉流體分散板2 1 c之分散孔2 4 a相連通,因此,凹部 1 7 a之壓力與空間部2 1 c之壓力係相等,惟因封閉構 件1 8 c係未固定於基板保持頭1 7 c,因此藉研磨時的 基板1 3之旋轉狀態或基板1 3之背面的凹凸狀態等,供 應於空間部2 1 c的加壓流體,係從封閉構件1 8 c與基 板1 3之間隙向外部漏出。在空間部2 1 c之高度tc較 小時,則在空間部2 1 c內之流體的流通產生阻力,而在 空間部21c之內部產生壓力差因而無法均勻地推壓基板 經濟部中央橾隼局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 13。因此,須將空間部21c之高度tc設成在流通該 .....-------- ... — 空間部2 1 c之加壓流體幾乎不會產生壓損之數值。空間 ... - 部2 1 c之高度tc係由引導構件1 9 c之厚度與基板 1 3之厚度的相差來決定,作爲加壓流體使用水或空氣( 氮)等之低粘性者時,設成基板1 3之徑的長度之1/ 1 0 0 0以上之數值,較理想是設成2/ 10 0 0以上之 數值時,在空間部2 1 c之內部幾乎不會產生壓力差。具 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24 - A 7 B7 五、發明説明(22) 體而言,將空間部21c之高度tc設成5mm較琿 想。 對於形成在‘流體分散板2 4 C的分散孔2 4 a之徑, 數量及配置,係適當地設置藉由從分散孔2 4 a供應於空 間部2 1 B之加壓流體可均勻地加壓基板1 3較理想,對 於分散孔2 4 a之配置係同心圓狀且放射狀較理想。又, 作爲流體分散板2 4 C使用多孔質板較理想。 如上所述,因引導構件1 9 C之下面與基板1 3之背 面係相同高度位置,又,封閉構件1 8 C係藉供應於空間 部2 1 C之加壓流體向下方加壓,故封閉構件1 8 C之下 面係與基板1 3之研磨面相接觸。因此,若忽略封閉構件 1 8 C之重量時,則封閉構件1 8 C之上面的面積與下面 的面稹相等時,基板1 3之周緣部係成爲藉與基板1 3之 中央部同等之加壓力推向研磨襯墊1 2。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因封閉構件1 8 C係藉供應於空間部2 1 C的加壓流 體向上方加壓,加壓流體容易從封閉構件1 8 C與基板 1 3之接觸面漏出,因此,將封閉構件1 8 C上面的面稹 設成比下面的面積大較理想》尤其是,實際上,因基板 1 3之周緣部係比中央部以僅比封閉構件1 8 c之重量分 量較大的力置推壓,因此,將封閉構件1 8 c上面之面積 比下面之面積稍大即可以。 因基板1 3與封閉構件1 8 c係僅接觸,故空間部 2 1 c之加壓流體係從基板1 3與封閉構件1 8 c之間漏 出。此時,與第1及第2實施形態不相同,因施加於旋轉 本紙張尺度適用中關家標準(CNS ) A4規格(210X 297公董)" 7 B7 五、發明説明(23 ) 軸1 6 c之推壓力比供應於空間部2 1 c的加壓流體之.應 稍大,因此,藉從空間部2 1 c所漏出之加壓流體不會向 上方推高基板保'持頭1 7 c及引導構件1 9 c,而所漏出 之加壓流髖不會從引導構件1 9 c與研磨襯墊1 2之間的 間隙流出。所漏出之加壓流體藉引導構件1 9 c關住時, 則因加壓流體浸入基板13與研磨襯墊12之間而向上方 推高基板1 3,而降低將基板1 3推向研磨襯墊1 2之力 量,因而爲了避免該情形。因此將基板1 3與封閉構件 18c之間隙設成約0.1mm,而且在引導構件19c 下面以適當間隔設置與第1實形態同樣之複數部位的凹狀 溝1 9 a較理想。 如上所述,依照第3實施形態之被研磨基板之保持裝 置或基板之研磨方法時,則因藉從流體分散板2 4 c之分 散孔2 4 a供應於空間部2 1 c的加壓流體之壓力將基板 推向研磨襯墊1 2,故即使在研磨襯墊1 2之研磨面凹凸 而基板樊形,也可將基板1 3以均勻之加壓力推向研磨襯 墊1 2,故可均勻地研磨基板1 3。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,即使在基板1 3背面附著有微粒等異物時,也可 用均勻之加壓力將半導體基板1 3推向研磨襯墊1 2。 又,因僅從流體分散板2 4 C之分散孔2 4 a吸引基 板1 3即可將基板1 3吸附在基板保持頭1 7 C,因此基 板13之保持及扳搬送較容易。 因此,依照第3實施形態的被研磨板之保持裝置或基 板之研磨方法,則即使在定盤1 1或研磨襯墊1 2有凹凸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X25>7公釐) -26 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 _____B7_ 五、發明説明(24 ) 或在基板1 3之厚度有參差,對於基板1 3也可實行均句 之研磨,而且基板1 3之裝卸及搬送成爲容易。 (第4實施形態) 以下,說明第4實施形態的基板之研磨裝置及基板之 研磨方法。 第9圖係表示本發明之第4實施形態的基板之硏磨裝 置的概略構造,在第9圖,3 1係具有平坦表面而由剛體 所成的可旋轉之定盤。在定盤3 1之上方,設有供應具有 熱硬化性的液狀樹脂的第1配管3 2,由該第1配管3 2 將液狀之樹脂供應於定盤3 1之所有全面,以熱硬化藉表 面張力擴展的樹脂,俾在定盤31之表面形成研磨用樹脂 膜3 3。此時,藉一面旋轉定盤3 1—面從第1配管3 2 滴下樹脂,藉表面張力擴展樹脂而可在定盤3 1上形成具 有均勻之膜厚的研磨用樹脂膜3 3。又,第1配管3 2係 在定盤3 1之上方從定盤3 1之中心附近一面向徑方向往 復移動一面藉將所定量之樹脂滴下於定盤31上而在定盤 3 1上均勻地供應樹脂,在未供應樹脂時則從定盤3 1上 方向外方移動。在定盤3 1之斜上方設有加熱並硬化供應 於定盤3 1表面之樹脂的加熱燈3 4。 研磨用樹脂膜3 3之厚度係約_Q. 0 1mm.,爲對於 以往之研磨襯墊之厚度約0. 1mm的約10分之1厚摩 。作爲形成研磨用樹脂膜3 3之樹脂,係可使用聚胺基甲 酸乙酯,聚乙烯,聚醯胺等,硬質或軟質均可以。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 ____B7_ 五、發明説明(25 ) 如第9圖所示*在定盤3 1之上方配置有保持基板 3 5所用的基板保持裝置3 6,該基板保持裝置3 6係具 備:藉未予圖示‘之旋轉驅動手段施行旋轉軸3 6 A,及一 體地設於旋轉軸3 6 A之下端且保持基板3 5的圓盤狀之 基板保持頭3 6 B。 又,在定盤3 1之上方設有在基板3 5之研磨時形成 於定盤3 1上的研磨用樹脂膜3 3上供應研磨劑所用的第 2配管3 7,藉由該第2配管3 7滴下於研磨用樹脂膜 3 3上的研磨劑,基板3 5係被研磨。第2配管3 7係在 滴下研磨劑時移動至定盤3 1之中央部附近的上方,而在 未滴下研磨劑時則從定盤31上方向外方移動9 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 又,在定盤3 1之上方設有供應溶解形成在定盤3 1 表面的研磨用樹脂膜3 3之溶劑的第3配管3 8 *藉由從 該第3配管3 8所供應之溶劑,被磨耗之研磨用樹脂膜 3 3係被溶解而除去•第3配管3 8係在定盤3 i上之上 方一面從中心部近旁向徑方向移動,一面將所定量之溶劑 滴下於定盤3 1上而溶解磨耗之研磨用樹脂膜3 3並予以 除去,而在未溶解研磨用樹脂膜3 3時則從定盤3 1之上 方向外方移動。 如上所述,依照第4實施形態的基板之研磨裝置時, 因在旋轉之定盤31上滴下液狀之樹脂’而硬化藉表面張 力擴展之樹脂,因此,可形成在定盤3 1之表面具有平坦 且均勻之厚度的研磨用樹脂膜3 3。 又,定盤3 1及基板保持裝置3 6係由不會被從第3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明(26 ) 配管3 8所供應之溶劑的材質例如由鋁等所形成。此時, 將保護定盤31之表面所用的例如丙烯系樹脂所成的保護 襯墊密貼於定盤‘3 1之表面,藉適當地更換因基板3 5之 破損等而受傷的保護襯墊,俾保護定盤3 1也可以。 又,將第1配管3 2與第3配管3 8作爲共通之配管 ,由切換閥來切換樹脂之供應與溶劑之供應也可以。 又,在第4實施例中,從第1配管3 2供應熱硬化性 之樹脂,並藉加熱該樹脂予以硬化,惟代替此,從第1配 管3 2供應光硬化性之樹脂,藉紫外線來硬化該樹脂也可 以。 以下,依照第1 0圖之流程圖說明使用第4實施形態 的基板之研磨裝置予以研磨之方法· _ 首先,作爲第1工程,一面以例如30 r. p. m旋 轉定盤3 1 ,一面從第1配管3 2將例如以溶媒溶解之聚 胺基甲酸乙酯樹脂藉滴下於定盤3 1上,將樹脂塗布在定 盤31之上所有全面。 然後,作爲第2工程,停止定盤3 1之旋轉,藉定盤 31上之樹脂的表面張力將該樹脂之表面成爲平坦之後, 一面緩慢地旋轉定盤3 1 ,一面藉加熱燈3 4加熱定盤 3 1上之樹脂,俾硬化樹脂來形成研磨用樹脂膜3 3 (在 第10圖中爲了方便圖示,表現爲襯墊)。此時,例如一 面以例如5r. p. m旋轉定盤31 ,一面將以溶媒溶解 之聚胺基甲酸乙酯樹脂加熱成6 0°C俾蒸發溶媒,來形成 研磨用樹脂3 3 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T Ψ 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明(27 ) 然後,作爲第3工程*將基板3 5保持在基板保持裝 置3 6並移動至定盤3 1之上方》然後,一面旋轉定盤 3 1,一面從第2配管37將包括研磨砥粒之硏磨劑滴下 至定盤3 1上,而且將基板保持裝置3 6 —面向與定盤 3 1相同方向旋轉一面下降,藉將保持在基板保持裝置 3 6之基板3 5壓接於研磨用樹脂膜3 3,俾硏磨基板 3 5之表面。當完成基板3 5之研磨後,將基板保持裝置 3 6從定盤3 1之上方移動至所定位置俾卸下基板3 5。 作爲研磨例如直徑2 0 Omm之晶圖所成的基板3 5時之 研磨條件,係一面以100r. p. m.旋轉定盤31 ’ 一面將由含有1 0〜1 5wt%之矽的pHl 0〜1 1的 鹼性溶液所成的研磨劑以2 0 0 c c/m i η之比率滴下 ,而且藉一面以20r. ρ· ρ旋轉基板保持裝置36— 面將基板3 5推向研磨用樹脂膜3 3 ,使基板3 5表面之 壓力設成3 0 0 g/cm2。 然後,作爲第4工程,一面旋轉定盤3 1,一面從第 3配管3 8將溶解研磨用樹脂膜3 3之溶劑。例如丙酮等 有機溶媒或濃硫酸等滴下至定盤3 1上,俾溶解定盤3 1 上之研磨用樹脂膜3 3並予以除去。 藉重複以上之第1工程至第4工程,將藉研磨而厚度 或凹凸量之變化,亦即將疲勞之研磨用樹脂膜3 3,不經 過修整處理即可再生•亦即*因除去疲勞之研磨用樹脂膜 3 3,表面重新形成平坦之研磨用樹脂膜3 3,並以厚度 均勻且表面無凹凸的研磨用樹脂膜3 3而可將基板3 5安 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
C 訂 -30 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 _B7 五、發明説明(28 ) 定地研磨· 又•在第4實施形態中,一面旋轉定盤3 1 —面滴下 液狀之樹脂,惟1依所用之樹脂之粘性及溶媒之種類或量來 調整定盤31之轉速及滴下之樹脂量較理想。 又,作爲第4實形態中,藉加熱燈3 4來加熱硬化性 之樹脂並予以硬化來形成研磨用樹脂膜3 3,惟代替此, 上昇定盤31之溫度而藉定盤31之熱來硬化樹脂也可以 〇 又,在第4資施形態中*供應包括硏磨砥粒之研磨劑 ,惟代替此,硬化包括研磨砥粒之樹脂來形成研磨用樹脂 膜33|而將不包括研磨砥粒硏磨的調節pH之液體供應 在研磨用樹脂膜3 3之上也可以。 又,在上述第4工程中,在研磨所定數之基板3 5之 後才更新研磨用樹脂膜3 3也可以,或在研磨用樹脂膜 3 3超過壽命之時點,亦即研磨用樹脂膜3 3之面內均勻 性或段差吸收性能超過可容許之範圍的時點,更新研磨用 樹脂膜3 3也可以。 又,在研磨用樹脂膜3 3超過壽命之時點,不必除去 研磨用樹脂膜3 3,從第2配管3 2將樹脂供應於疲勞之 研磨用樹脂膜33上而平坦化研磨用樹脂膜33,來恢復 研磨用樹脂膜3 3之面內均勻性及段差吸收性能也可以。 此時,因研磨用樹脂膜3 3之厚度比以往之研磨襯墊之厚 度相比較極薄,因此,藉樹脂之供應可將研磨用樹脂膜 33之表面成爲平坦化。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' ' -31 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -J-Λ. 訂 線 A7 B7 五、發明説明(29 ) (第5實施形態) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 1圖係‘表示本發明之第5實施形態的基板之研磨 裝置的概略構造,在第11圔中,31係具有平坦之表面 的剛體所成的可旋轉的例如紅色之定盤,3 9係密貼於定 盤3 1上的白色半透明之研磨襯墊* 4 0係在研磨襯墊 3 9上供應硏磨劑的第1配管,4 1係在研磨襯墊3 9上 供應洗淨用之水的第2配管,4 2係測定研磨襯墊3 9的 顔色之強度(R . G . B )的攝影機。在定盤3 1之上方 ,與第1實形態同樣,配置具有由未予圖示的旋轉驅動手 段施以旋轉的旋轉軸3 6 A,及一體地設於旋轉軸3 6 A 之下端而保持基板3 5的圓盤狀之基板保持頭3 6 B的基 板保持裝置3 6。 .在第5實施形態的基板之研磨裝置中,係從第2配管 經濟部中央標準局貝工消費合作社印51 4 1供應水來洗淨研磨襯墊3 9之表面而且除去研磨劑之 後,藉攝影機4 2測定通過研磨襯墊3 9的定盤3 1之紅 色的色強度。在研磨襯墊3 9之厚度十分J時,則因定盤 3 1之紅色係不诱過研磨襯墊39’因此攝影機42係捕 捉研磨襯墊39之白色,R. G· B之信號強度係大約相 同。研磨襯墊3 9係半透明,隨著研磨襯墊3 9變薄,則 增加透過研磨襯墊3 9的定盤3 1之紅色,而增加R之信 號》 第12圖係表示硏磨襯墊39之厚度與R· G. B之信 號強度的關係,橫軸係表示研磨襯墊3 9之厚度’縱軸係 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0><297公釐) -32 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3〇 ) 表示將沒有研磨襯墊3 9時的色之信號強度作爲1時的色 之信號強度。如第1 2圖所示,鼸著研磨襯墊3 9之厚度 變薄,R之信號~強度會變大,一方面,因C,B之信號強 度會變小,因此,可判斷研磨襯墊3 9之厚度•又,因測 定定盤31全面的R. G. B之信號強度,可判斷研磨襯 墊3 9之凹凸狀態,亦即可判斷依部位所產生的厚度變化 〇 作爲坐明之墊3 9之製作方法,係由包括約 數w t %之透阻趟脂形成不通過光的微粒子也可以。或是 由在透明樹脂形成微細之而1反_射戈的構造也可以。 又,在第5實施形態中,使用紅色之定盤3 1與白色 半透明之研磨襯墊3 9,惟代替此,組合白色之定盤3 1 與紅色半透明之研磨襯墊3 0也可以。在此時,由於降低 R之信號強度及增加C. B之信號強度,因而可判斷研磨 襯墊3 9之厚度。又,對於組合此以外之色也可作各種採 用。 又,在使用多層構造之研磨襯墊3 9 ,代替在定盤 3 1上著色,而將襯墊之表面層作爲半透明,並將表面層 以外之層作爲有色也可以。 又,在第2實施形態中,以水洗淨研磨襯墊3 9之表 面後來測定色之信號強度,惟代替此,以高壓空氣等局部 地除去研磨襯墊3 9上之研磨劑後,測定研磨劑被除g之 領域的色之信號強度也可以。 又,使用上述之第4實施例的基板之研磨裝置,例如 木紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·?! kvl. -33 - A7 _B7 五、發明説明(31 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從第1配管3 2供應白色半透明之樹脂於著色成紅色的定 盤3 1上,而形成白色半透明之樹脂之研磨用樹脂膜3 3 ,並測定通過該·研磨用樹脂膜3 3的定盤3 1之紅色的信 號強度也可以。在此時,例如紅色之信號強度超過所定值 時,則從第3配管3 8將溶劑供應於定盤3 1上而在除去 研磨用樹脂膜3 3後,從第1配管3 2供應樹脂俾形成新 之研磨用樹脂膜3 3,或是不必除去研磨用樹脂膜3 3, 從第1配管3 2供應樹脂可將研磨用樹脂膜3 3之表面成 爲平坦化者。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示本發明之第1實施形態的被研磨基板之 保持裝置的概略剖面圖。 第2 (a) ,(b)圖係表示使用上述第1實施形態 的被研磨基板之保持裝置的研磨方法之各工程的概略剖面 圖。 第3圖係表示說明使用上述第1實施形態的被研磨基 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 板之保持裝置的研磨方法之研磨工程之動作的概略剖面圖 〇 第4(a) ,(D)圖係表示上述第1實施形態的被 硏磨基板之保持裝置之引導構件的底面圖。 第5圖係表示本發明之第2實施形態的被研磨基板之 保持裝置的概略剖面圖。 第6 (a)(b)圖係表示使用上述第2實施形態的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ~ -34 - ·* A7 __B7____ 五、發明説明(32 ) 被研磨基板之保持裝置的研磨方法之各工程的概略剖面圖 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7圖係表'示本發明之第3實施形態的被研磨基板之 保持裝置的概略剖面圖。 第8 (a) ,(b)圓係表示使用上述第3實施形態 的被研磨基板之保持裝置的研磨方法之各工程的概略剖面 圖。 第9圖係表示本發明之第4實施形態的基板之研磨裝 置的概略構成圖· 第10圖係表示本發明之第4實施形態的基板之研磨 方法之工程的流程圖。 第11圖係表示本發明之第5實施形態的基板之研磨 裝置的概略構成。 第12圖係表示使用本發明的第5實施形態的基板之 研磨之厚度與顔色的色之信號強度之間的關係圖》 第13圖係表示第1以往例的基板之研磨裝置的概略 斜視圖。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 第14圖係表示由上述第1以往的基板之研磨裝置所 實行之研磨方法的概略剖面圖。 第1 5 (a)〜(c)圖係表示說明上述第1以往例 的基板之研磨裝置所實行之研磨方法之問題點的概略剖面 圈。 第16圖係表示第2以往例的基板之研磨裝置的概略 斜視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -35 -
Claims (1)
- I B8 C8 _____ D8 六、申請專利範圍 1 ·—種棊板之研磨荖置,其特徵爲具備:可旋轉的 剛性之定盤,及設於該定氍之表JS的半透明之研磨襯墊, 及保持披班嘈棊板而且將.保持之被研磨基板推向上述研磨 襯墊的基板保持手段,及檢测在上述定盤.表面被反射而_通 過上述半透a月之硏磨银骛的光之強_度的光強度檢:出手段等 〇 2 種基板之研磨裝置,其特徵爲具備:可旋轉的 蒯-性之-定i,及設於該..I魅且具有有色之下層與尜透之 上屈的造之册磨器墊,及保持被研磨基板而且將保 持之被研磨基板推向上述硏磨襯墊的基恭保持手段,及檢 測主上.述.逝廑潘_楚_的上述下慝之良面_^砭射而i過上ϋ半 透JI文上屬„的光1強度股光強其檢出手段等。 3種基板之研磨方造,其特徵爲具備:旋轉在表 面設有歩透朋之砑璿想_垄的剛性之定盤的工程,及將被硏 磨基板推向上述研磨襯墊俾研磨上述被研磨基板之表面的 工程,及捸JIL在上述穿盤羞面被反鮏而-通ϋϋ半袭乳之 研·慶I墊的光.之強度,而依檢_出.._的_光.之強度來推定, 上述研磨襯墊、之膜厚的:Γ.程等。 4 . 一種基板之研磨方法,其特徵爲具備:旋轉在表 面設置具有有色之下置與半透阻之上層的多凰構_造之班JI. 襯举的剛性之定盤的工程,及將被研磨基板.推向上述研磨 襯墊俾研磨上述被研磨基板之表面的工程,及檢測_在上述 研磨襯墊之上述下層表面麗反射服JUt上述半透:.嗯之上層 光.之強.度,而依_级盖1^1^1光―之強度來推皇上述研毒篇 本紙^尺度逍用中國國家棣率(CNS)A4規格( 210X297公釐)-36 - n » ' ; I 1 n n I 1 I (請先聞讀背面之注意事項再# 寫本頁 -訂 線 經濟部中央梯準局負工消費合作社印氧 AS B8 C.8 D8 六、申請專利範圍漦之膜厚的工程等。 --TV------^------tr------^---I - - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局属工消费合作社印氧 本紙張尺度逍用中國國家標隼(CNS ) A4规格(210X297公釐)-37 -
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5695392A (en) * | 1995-08-09 | 1997-12-09 | Speedfam Corporation | Polishing device with improved handling of fluid polishing media |
| JPH1086056A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Speedfam Co Ltd | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
| JP2965536B2 (ja) * | 1996-12-17 | 1999-10-18 | 松下電器産業株式会社 | 被研磨基板の保持装置 |
| US6203414B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-03-20 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Polishing apparatus |
| US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
| US6398621B1 (en) | 1997-05-23 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate sensor |
| MY120754A (en) * | 1997-08-11 | 2005-11-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| TW434095B (en) * | 1997-08-11 | 2001-05-16 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Wafer polishing apparatus |
| GB2345257B (en) * | 1997-09-01 | 2002-11-06 | United Microelectronics Corp | Chemical-mechanical polishing method and fabricating method |
| JPH11226865A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-08-24 | Speedfam Co Ltd | キャリア及びcmp装置 |
| US6142857A (en) * | 1998-01-06 | 2000-11-07 | Speedfam-Ipec Corporation | Wafer polishing with improved backing arrangement |
| US5989104A (en) * | 1998-01-12 | 1999-11-23 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with monopiece pressure plate and low gimbal point |
| JPH11285966A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Speedfam-Ipec Co Ltd | キャリア及びcmp装置 |
| JPH11300608A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-02 | Nec Corp | 化学機械研磨装置 |
| US6106379A (en) * | 1998-05-12 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension |
| US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
| US6436228B1 (en) | 1998-05-15 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc. | Substrate retainer |
| JP2907209B1 (ja) * | 1998-05-29 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | ウェハ研磨装置用裏面パッド |
| US6217425B1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-04-17 | Tdk Corporation | Apparatus and method for lapping magnetic heads |
| US5925576A (en) * | 1998-08-19 | 1999-07-20 | Promos Technologies, Inc. | Method and apparatus for controlling backside pressure during chemical mechanical polishing |
| JP3502550B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2004-03-02 | 株式会社東芝 | 研磨装置 |
| US6132298A (en) * | 1998-11-25 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing |
| JP2000228391A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-08-15 | Canon Inc | 半導体基板の精密研磨方法および装置 |
| US6290589B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with a partial adhesive coating |
| US6422927B1 (en) * | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
| EP1052060A3 (en) * | 1999-05-03 | 2001-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method for chemical mechanical planarization |
| US6722963B1 (en) * | 1999-08-03 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane |
| US6217412B1 (en) * | 1999-08-11 | 2001-04-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for characterizing polish pad lots to eliminate or reduce tool requalification after changing a polishing pad |
| KR100342845B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2002-07-10 | 박철호 | 최소형 피. 씨. 비 기판의 접속부 연마방법 및 그 장치 |
| US6264532B1 (en) | 2000-03-28 | 2001-07-24 | Speedfam-Ipec Corporation | Ultrasonic methods and apparatus for the in-situ detection of workpiece loss |
| US6616801B1 (en) | 2000-03-31 | 2003-09-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for fixed-abrasive substrate manufacturing and wafer polishing in a single process path |
| US6773337B1 (en) * | 2000-11-07 | 2004-08-10 | Planar Labs Corporation | Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad |
| DE10059345A1 (de) * | 2000-11-29 | 2002-06-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersubstrathalter für chemisch-mechanisches Polieren |
| US6517426B2 (en) | 2001-04-05 | 2003-02-11 | Lam Research Corporation | Composite polishing pad for chemical-mechanical polishing |
| US6910949B1 (en) * | 2001-04-25 | 2005-06-28 | Lam Research Corporation | Spherical cap-shaped polishing head in a chemical mechanical polishing apparatus for semiconductor wafers |
| US6966816B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
| EP1260315B1 (en) | 2001-05-25 | 2003-12-10 | Infineon Technologies AG | Semiconductor substrate holder for chemical-mechanical polishing comprising a movable plate |
| JP4102081B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-06-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨面の異物検出方法 |
| KR100848556B1 (ko) * | 2002-03-25 | 2008-07-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 패널의 회전 버퍼 및 이를 이용한 러빙장치 |
| US20060166610A1 (en) * | 2002-09-02 | 2006-07-27 | Takakazu Miyahara | Optical disk polishing device |
| US7288465B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-10-30 | International Business Machines Corpoartion | Semiconductor wafer front side protection |
| US7178235B2 (en) * | 2003-12-03 | 2007-02-20 | Reflex Photonics Inc. | Method of manufacturing an optoelectronic package |
| KR100558196B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 투과전자현미경 검사용 시편을 고정시키기 위한 마운트 및이를사용하는 시편 제조 방법 |
| DE102005011107A1 (de) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten von Wafern auf Montageträgern |
| US20060211349A1 (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Seh America, Inc. | Wafer polishing template for polishing semiconductor wafers in a wax free polishing process |
| CN100453269C (zh) * | 2006-12-12 | 2009-01-21 | 友达光电股份有限公司 | 基板支架及其固定构件 |
| JP5191312B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2013-05-08 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブの研磨方法、プローブ研磨用プログラム及びプローブ装置 |
| JP5516051B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2014-06-11 | 旭硝子株式会社 | 研磨パッドを用いた研磨装置及びガラス板の製造方法 |
| CN103252715B (zh) | 2010-08-06 | 2016-06-22 | 应用材料公司 | 内扣环和外扣环 |
| US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
| JP5807580B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
| JP6113960B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2017-04-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN102717324B (zh) * | 2012-05-29 | 2016-05-11 | 深圳莱宝高科技股份有限公司 | 基板处理装置 |
| JP6049183B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-12-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP5870960B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2016-03-01 | 信越半導体株式会社 | ワークの研磨装置 |
| CN103465182A (zh) * | 2013-09-03 | 2013-12-25 | 宇环数控机床股份有限公司 | 一种带分液装置的抛光轮 |
| US9240042B2 (en) * | 2013-10-24 | 2016-01-19 | Globalfoundries Inc. | Wafer slip detection during CMP processing |
| CN103639886A (zh) * | 2013-11-29 | 2014-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 用于w-cmp的化学机械研磨装置及研磨方法 |
| CN104070466B (zh) * | 2014-06-25 | 2016-10-05 | 江苏吉星新材料有限公司 | 一种树脂抛光盘 |
| TWI548107B (zh) * | 2014-08-25 | 2016-09-01 | 財團法人工業技術研究院 | 氣密組件、具有其之裝置及其測漏方法 |
| US9744640B2 (en) * | 2015-10-16 | 2017-08-29 | Applied Materials, Inc. | Corrosion resistant retaining rings |
| JP6380333B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2018-08-29 | 株式会社Sumco | ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド |
| JP6394569B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2018-09-26 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
| US10160091B2 (en) * | 2015-11-16 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | CMP polishing head design for improving removal rate uniformity |
| US10556317B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-02-11 | P.R. Hoffman Machine Products Inc. | Polishing machine wafer holder |
| US20170252893A1 (en) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | P.R. Hoffman Machine Products Inc. | Polishing machine work piece holder |
| CN106402916A (zh) * | 2016-11-29 | 2017-02-15 | 郑州中拓知识产权代理有限公司 | 一种能分层抛洒的锅炉煤粉进料装置 |
| JP6360586B1 (ja) * | 2017-04-13 | 2018-07-18 | 三菱電線工業株式会社 | Cmp装置のウエハ保持用の弾性膜 |
| KR102012786B1 (ko) | 2017-05-17 | 2019-08-21 | 모던세라믹스(주) | 드레싱 블록의 교체가 가능한 포지셔너 및 그 제조방법 |
| JP6506797B2 (ja) * | 2017-06-09 | 2019-04-24 | Towa株式会社 | 研削装置および研削方法 |
| JP6312229B1 (ja) * | 2017-06-12 | 2018-04-18 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法及び研磨装置 |
| KR102570853B1 (ko) * | 2017-08-10 | 2023-08-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 이면 연마 부재의 드레싱 장치 및 드레싱 방법 |
| CN107617971B (zh) * | 2017-10-24 | 2019-11-29 | 德淮半导体有限公司 | 研磨垫及研磨设备和方法 |
| CN107984374A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-05-04 | 上海华力微电子有限公司 | 一种化学机械抛光研磨速率的实时侦测装置及其侦测方法 |
| JP6891847B2 (ja) * | 2018-04-05 | 2021-06-18 | 信越半導体株式会社 | 研磨ヘッド及びウェーハの研磨方法 |
| CN108381376B (zh) * | 2018-04-10 | 2020-01-24 | 中北大学 | 一种超声研磨蓝宝石镜片的加工装置 |
| JP7075814B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2022-05-26 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置、基板研磨装置、弾性部材および基板保持装置の製造方法 |
| KR102712571B1 (ko) | 2018-08-06 | 2024-10-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 보유 지지 장치 및 기판 연마 장치 |
| CN110695849B (zh) * | 2019-10-23 | 2020-09-15 | 清华大学 | 一种晶圆厚度测量装置和磨削机台 |
| CN111922883A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-13 | 涂凯飞 | 一种抛光时自动添加抛光液的抛光装置 |
| CN111922882A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-11-13 | 严满生 | 模具抛光研磨用边角保护条 |
| CN113400176A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-09-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片边缘抛光装置以及方法 |
| CN116079534B (zh) * | 2022-11-21 | 2025-08-05 | 浙江海博门业有限公司 | 一种用于生产拼装门的打磨设备及使用方法 |
| CN115805520A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-03-17 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 抛光装置及抛光垫去除方法 |
| CN115816267B (zh) * | 2022-12-29 | 2025-03-21 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 硅片双面抛光装置的承载件及硅片双面抛光装置 |
| CN116442019A (zh) * | 2023-06-07 | 2023-07-18 | 深圳腾睿微电子科技有限公司 | 研磨装置 |
| US20250205848A1 (en) * | 2023-12-21 | 2025-06-26 | Applied Materials, Inc. | Polishing head for substrate polishing |
Family Cites Families (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2998680A (en) * | 1958-07-21 | 1961-09-05 | Morton S Lipkins | Lapping machines |
| US3731435A (en) * | 1971-02-09 | 1973-05-08 | Speedfam Corp | Polishing machine load plate |
| US3982358A (en) * | 1973-10-09 | 1976-09-28 | Heijiro Fukuda | Laminated resinoid wheels, method for continuously producing same and apparatus for use in the method |
| US3863395A (en) * | 1974-02-19 | 1975-02-04 | Shugart Associates Inc | Apparatus for polishing a spherical surface on a magnetic recording transducer |
| JPS5944190B2 (ja) * | 1977-04-20 | 1984-10-27 | 関西ペイント株式会社 | 研摩材の製造方法 |
| FR2551382B1 (fr) * | 1983-09-02 | 1986-05-16 | Essilor Int | Procede et dispositif pour le surfacage d'une lentille optique |
| EP0185767B1 (en) * | 1984-05-29 | 1991-01-23 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Film for machining wafers |
| JPS614661A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-10 | Nec Corp | 平面研摩装置の被加工物保持機構 |
| JPS6138857A (ja) * | 1984-07-28 | 1986-02-24 | Hoya Corp | 平面加工装置 |
| JPS6224962A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-02-02 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体ウエハの保持具 |
| NL8503217A (nl) * | 1985-11-22 | 1987-06-16 | Hoogovens Groep Bv | Preparaathouder. |
| JPH0741534B2 (ja) * | 1986-11-10 | 1995-05-10 | 不二越機械工業株式会社 | ウエーハの研摩方法及び研摩装置 |
| JPH0767665B2 (ja) * | 1986-12-08 | 1995-07-26 | スピ−ドフアム株式会社 | 平面研磨装置 |
| JPS63188265A (ja) * | 1987-01-31 | 1988-08-03 | Tokyo Electric Co Ltd | 無線注文システム |
| JPH01188265A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-27 | Hitachi Ltd | ラツプ加工装置 |
| JPH01193166A (ja) * | 1988-01-28 | 1989-08-03 | Showa Denko Kk | 半導体ウェハ鏡面研磨用パッド |
| US4954142A (en) * | 1989-03-07 | 1990-09-04 | International Business Machines Corporation | Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor |
| JP2527232B2 (ja) * | 1989-03-16 | 1996-08-21 | 株式会社日立製作所 | 研磨装置 |
| JPH03173129A (ja) * | 1989-12-01 | 1991-07-26 | Hitachi Ltd | 研磨装置 |
| US5104828A (en) * | 1990-03-01 | 1992-04-14 | Intel Corporation | Method of planarizing a dielectric formed over a semiconductor substrate |
| JPH0761609B2 (ja) * | 1990-03-23 | 1995-07-05 | 株式会社フジミインコーポレーテツド | 研磨方法及びこれに用いる研磨パッド |
| DE69123749T2 (de) * | 1990-10-09 | 1997-06-05 | Minnesota Mining & Mfg | Erodierbare agglomerate enthaltendes beschichtetes schleifmittel |
| US5172448A (en) * | 1991-03-26 | 1992-12-22 | Waxing Corporation Of America | Molded buffer pad |
| JPH04310365A (ja) * | 1991-04-08 | 1992-11-02 | Toshiba Corp | 研磨皿 |
| JP2770087B2 (ja) * | 1991-09-17 | 1998-06-25 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨方法及びその研磨用トップリング |
| JPH0783709B2 (ja) * | 1992-03-02 | 1995-09-13 | 国税庁長官 | 酵母による異種タンパク質の発現及び生産量増大培養法 |
| JPH06763A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウェハの研磨方法 |
| US5310455A (en) * | 1992-07-10 | 1994-05-10 | Lsi Logic Corporation | Techniques for assembling polishing pads for chemi-mechanical polishing of silicon wafers |
| US5499733A (en) * | 1992-09-17 | 1996-03-19 | Luxtron Corporation | Optical techniques of measuring endpoint during the processing of material layers in an optically hostile environment |
| US5476414A (en) * | 1992-09-24 | 1995-12-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| JP3370112B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
| US5433650A (en) * | 1993-05-03 | 1995-07-18 | Motorola, Inc. | Method for polishing a substrate |
| JP3311116B2 (ja) * | 1993-10-28 | 2002-08-05 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
| US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
| JP3251419B2 (ja) * | 1994-03-18 | 2002-01-28 | 三菱マテリアルシリコン株式会社 | 半導体ウェーハの研磨用定盤 |
| JP2616736B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | ウエーハ研磨装置 |
| JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
| JPH08323615A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-10 | Kyocera Corp | 研磨装置 |
-
1996
- 1996-03-07 TW TW086100157A patent/TW348279B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-03-07 TW TW085102803A patent/TW353203B/zh active
- 1996-03-07 TW TW086100159A patent/TW400567B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-03-26 KR KR1019960008408A patent/KR100209383B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-08 CN CNB961046112A patent/CN1141202C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-08 CN CNA2003101014893A patent/CN1494982A/zh active Pending
- 1996-04-09 CA CA002173639A patent/CA2173639A1/en not_active Abandoned
- 1996-04-09 US US08/629,691 patent/US5791973A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 EP EP96105657A patent/EP0737546B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-04-10 DE DE69611851T patent/DE69611851T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-03-04 US US08/811,355 patent/US5921853A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100209383B1 (ko) | 1999-07-15 |
| US5791973A (en) | 1998-08-11 |
| CA2173639A1 (en) | 1996-10-11 |
| EP0737546A3 (en) | 1997-01-29 |
| EP0737546A2 (en) | 1996-10-16 |
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