TW567403B

TW567403B - Negative-acting chemically amplified photoresist composition

Info

Publication number: TW567403B
Application number: TW090109439A
Authority: TW
Inventors: Pingyong Xu; Ping-Hung Lu; Ralph R Dammel
Original assignee: Clariant Int Ltd
Priority date: 2000-06-16
Filing date: 2001-04-19
Publication date: 2003-12-21
Also published as: CN1436324A; JP4799800B2; EP1297386A1; CN1220915C; ATE349725T1; EP1297386B1; KR20030076229A; DE60125539T2; US6576394B1; DE60125539D1; WO2001096960A1; JP2004503830A; KR100790412B1

Description

367403 、發明說明" —----— 發明背景合物及J關於一種負功型化學放大、_輻射敏感的光阻組阻包含：ί利用此光阻製造微電子裝置之方法。本發明光種化風;;有壤鍵結羥基之酚的薄膜形成黏合樹脂、至少兩產生二夕相似之交聯劑的組合物及在顯像輻射的照射下可、_ 1之化合物（光駿產生劑）。及積L ^ t物可用於製造小型化電子元件如製造電腦晶圓阻?且：：路之微石印程序。-般而言，在這些程序中，光二物的薄膜先被塗覆在基質材料上，士。用於製造積體的、、”:,丨矽晶圓。然t，烘烤敷料基材以蒸掉光阻組合物中料=1，將塗層固定在基材上。接下來令基材之烘烤過敷料表面在顯像輻射下進行成像曝光。妙幸曰射曝光使敷料表面照光處產生化學變形。可見光， ^ )光黾子束及X -射線輪射能是現今微石印程序中 1遍使用的顯像輻射類型。在此成像曝光之後，以顯影劑 /合液處理敷料基材以溶解並除去基材上敷料表面中已輻射知光或未照光處。光阻組合物有兩類，負光型及正功型。當負功型光阻組合物在輕射照射下成像曝光時，光阻组合物中經輻射照射過的區域變得較不溶於顯影劑溶液（如交聯反應發生），然而光阻塗層中未照光處相對維持可溶於此種溶液。因此了以顯影劑處理已照光負功型光阻將除去此光阻麥層中未照光處並在該塗層中產生負影像，因此不覆蓋下面塗有光阻組合物之基材表面上所需部份。

第6頁 567403 五、發明說明（2) 負功型、對酸敏感的光阻組合物之使用在先前技術上係、· 為人所熟知的。大部份此先前技術光阻組合物係使用可與聚合體黏合樹脂反應已形成不溶性薄膜之交聯劑，其包含較高分子量的聚合物。發明概述本發明係關於一種可在鹼性媒介中顯像之負功型化學放大、對輻射敏感的光阻組合物，此光阻包含： a) 具有環鍵結羥基之酚的薄膜形成聚合體黏合樹脂； b) 於輻射的照射下可形成酸之光酸產生劑，其量足以▲ 引發薄膜形成黏合樹脂交聯； c )曝露於步驟b)藉輻射照光所產生之酸時，可形成碳鍚離子的交聯劑，其包括醚化胺基塑料聚合物或寡聚物； d) 第二種曝露於步驟b)藉輻射照光所產生之酸時，可> 形成碳鍚離子的交聯劑，其包括1 )經羥基取代-或：-2)經羥基C厂C4烷基取代之C12烷基酚，其中步驟· c )及d)的交聯劑總量為有效的交聯量；及 e) 光阻溶劑，本發明也關於一種製造微電子裝置，如半導體之方法，此方法包括： a)提供一種負功型光阻組合物，其包含： 1)具有％鍵結技基之盼的薄膜形成聚合體黏合樹脂；

567403 五、發明說明（3) 2)於輻射的照射下可形成酸之光酸產生劑，其量足〜以引發步驟1)之薄祺形成黏合樹脂交聯； 3 )曝露於步驟2 )藉輻射照光所產生之酸時，可形成碳鑷離子的交聯劑，其包括醚化胺基塑料聚合物或寡聚物； 4) 第二種曝露於步驟2)藉輻射照光所產生之酸時，可形成碳鑷離子的交聯劑，其包括：經羥基取代一或經經基C广C4烧基取代之q -C1Z院基盼，其中步驟 3 )及4 )的交聯劑總量為有效的交聯量；及 π 5) 光阻溶劑。 b )將取自步驟a)光阻組合物塗覆在適合的基材表面上； c)熱處理取自步驟b)敷料基材直到實質上所有光阻溶劑皆從光阻組合物中被去除；谷 d )取自步驟c )之敷料光阻組合物在顯像輻射下進行像曝光 6)在步驟d)中曝光後，加熱此基材及 f)以顯影劑除去取自步驟d)之敷料光阻組合物中未照光處。 …、之描述以化學方紫外光或χ_射線敏感的光阻。這些組合物係式错具有一個被酸產生劑吸收之光子或激發粒子

第8頁束本合物包含負功型化學放大且對顯像輕射如電子 567403

而被放大，其提供一個接著可催化子。從對輻射敏感之光酸產生劑產輻射的照射下就足夠了。許多：交聯反應之酸分生酸不需要熱，在影像本發明光阻組合物中所使用之酚的薄樹脂最好是可溶於驗性媒介如水性驗性顯影;黏合之羥基芳族聚合物。這些黏合樹脂可在交聯劑的存：；二打交聯二此黏合樹脂係經過選擇使本發明光阻組合物^ 交聯之w溶於鹼性環境，如水性鹼性顯影劑中。但是 $ 後這些組合物在交聯後變得不溶於此鹼性媒介。一疋’然較好的黏合樹脂可包括酚醛清漆，較佳係衍生自經取的酚如鄰-曱酚；間-甲盼；對-甲酚；2, 4 -二甲苯酚· 2, 5-二甲苯酚；3, 4-二甲苯酚；3, 5-二甲苯酚；百里酚及其混合物，其已與醛如甲醛縮合。黏合樹脂也可包含聚 (乙烯基酚）如聚（對-羥基苯乙烯）；聚（對—羥基—α—甲基苯乙烯）；對-羥基苯乙烯或對-羥基-α —甲基苯乙烯與苯乙烯、醋酸基苯乙烯或丙烯酸及/或甲基丙烯酸的共聚物，羥基苯基烷基甲醇均聚物；或酚醛清漆/聚（乙烯基_ 盼）共聚物。醚化胺基塑料交聯劑包括在酸的存在下可提供碳鍚離子並用於交聯薄膜形成黏合樹脂之有機募聚物或聚合物，其中該酸係藉輻射，較佳係顯像輻射所產生的。此使黏合樹脂已照光處不溶於鹼性媒介。此交聯劑可由多種胺基塑料結合含有許多經基、羧基、醯胺或亞胺基之化合物或低分子量聚合物製得。較好的胺基寡聚物或聚合物是由胺如

第9頁 567403 五、發明說明（5) 脲、蜜胺或乙内醯脲與醛如甲醛反應所獲得的胺基塑料。此類適合的胺基塑料包括脲—甲醛、蜜胺-甲醛、苯并瓜胺 -甲醛及格來克爾（gy lcoluri 1)-甲醛樹脂及任何這些聚合物的組合。特別好的胺基塑料是六（甲氧基甲基）蜜胺寡聚物。經羥基取代之烷基酚交聯劑包括在藉由輻射所產生之酸的存在下可提供碳鐯離子並也可用於交聯薄獏形成黏合樹脂之有機聚合物。此使黏合樹脂已照光處不溶於驗性媒介。此交聯劑包括經單-及經二-羥基取代之酚如二如二經坑基曱盼如二沒烧基-（如二經曱基-）對—甲盼。較好的二經烧基甲紛包括經單—或二經基—q - C4烧基取代（單一、二-、三-或四-Ci-c12烷基）酚，如二羥基烷基—（四—烷基）一驗。特別好的交聯劑是2, 6-二羥基烷基-4-(四-烷基）^ , 如2, 6-二經基曱基一4_(1，13, 3一四甲基丁基）酚。

光產中聚合膜之已生劑是 4, 540, 輻射，發生在處變得於本發式：生劑在輻射體黏合樹脂照光和未照一種對輻射 598 及5, 627 特別是光化照光後烘烤不溶於慣用明光阻組合如UV光交聯所光處間敏感的，011 中射線下程序過的驗性物中之的照射下可產生催化光阻組合物需的酸量。這提供基材上光阻薄溶解度上的差異。較好的光酸產肟磺酸酯，如美國專利所揭示的。當光阻組合物曝露在時’防石黃酸自旨產生酸，因此交聯程中，其中光阻組合物中已照光媒介如水性驗性顯影劑中。可用較好的肟磺酸酯具有下列結構

567403 五、發明說明（6)

NC 、C=N—〇一S〇2 其中κ及1?2為匕-匕烷基或鹵化烷基；苯基；或萘基；或經硝基-、氣-、溴-、羥基、CfQ烷基、氟烷基或口-匕烷氧基取代之適合此光阻烷基（如甲基）醇、醋酸丁基醇單乙基醚醋二乙二醇單乙甲基醋酸酯、甲氧基醋酸酯基醋酸酯、乙乙氧基醋酸酯甲基3-氧基丙酸酯、乙基3 - 苯基或萘組合物之醚醋酸酯酯、茴香酸酯、乙基醚、二曱基乙基、乙氧基基甲氧基、乙基乙酸S旨、乙甲氧基丙乙基2 -經基2 -氧基基2-甲氧基丙酸S旨或一氧基丙酸酯、基丙酸S旨、丙劑可以組合物合物中。當然著乾燥之後被中高至95 ，溶劑實除去。基。溶劑包括丙二醇單烷基醚、丙二醇、2-庚酮、3-甲氧基-3-甲基丁醚、二甲苯、二甘醇二曱醚、乙二二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單乙基醚醋酸酯、乙二醇單酮、2 -庚酮或單氧基單羧酸酯，如醋酸酯、丁氧基醋酸酯、甲基甲氧醋酸酯、丁基甲氧基醋酸酯、曱基氧基醋酸酯、乙氧基乙基丙酸酯、基3-氧基丙酸酯、甲基3_甲氧基丙酸酯、甲基2 -氧基丙酸酯、乙基2-基丙酸酯（乙基乳酸酯）、乙基3 _羥丙酸酯、甲基2-乙氧基丙酸酯或丙或多種這些溶劑之組合物。光阻溶重量％固體之量存在於整個光阻組質上在塗覆光阻溶液於基材上，接

第11頁 567403 五、發明說明（7) ^=的光阻溶液可藉任何光阻技術上所用包括浸潰.、棘涂费2渦及旋轉塗覆等慣用方法塗覆在基材i。例如旋既；二：’可调整光阻溶液之相關固體含量百分比以提供 ^私序所使用之旋轉裝置種類及許可時間量所需厚二、：層。適合的基材包括矽、鋁、聚合樹脂、二氧化每/有雜質之二氧化矽、氮化矽、鈕、銅、聚矽、陶、、呂/鋼混合物；砷化鎵及其他如111/¥族化合物。 ^上述程序所製得的光阻塗層是特別適合應用於熱力甘矽/ 一氧化矽塗層的晶圓，如用於製造微處理器及 ^小型化積體電路元件。也可使用鋁/氧化鋁晶圓。此 ^也可包含各種聚合樹脂，特別是透明的聚合物如聚 =、。此基材可具有適合組合物之黏合促進層，如一種含有二烷基一矽氨烷，較佳微六甲基二矽氨烷（HMDS)之組合物。然後將此光阻組合物溶液塗覆在基材上並熱處理此基 ^此/服度處理係經過選擇以降低光阻中殘留溶劑的濃又，同時不會造成光敏元件實質上熱降解。一般而言，希 ^溶劑濃度減至最低，且此第一次溫度處理係進行直到二負上所有溶刎白已蒸發，而且一微米大小厚的光阻組合勿塗層仍保留在基材上。此熱處理係進行直到溶劑去除變 :速率變得相當不明顯。溫度及時間的選擇係視使用者所要的光阻性質以及所用裝置及商業希望的塗覆時間而定。然後將敷料基材藉適合的面具、底板、模繪板、樣板等之使用產生任何想要的圖案在光化輻射下照光。然後此光阻

第12頁 567403

第13頁 567403 五、發明說明（9) 明範圍，而且不應被解釋成為了實行本發明必須限定他用，的準備條件、〜參數或值。對.照實例1 藉提供一種 2.1 827 克 VPN 1 1 0 9 ( 1 8.5 9 0 9%)、0·1 2 6 7 克 DM-Ρ〇ρ(ΐ·〇792%) 、0·0396 克ΡΑΙ-101(0·3371%) 、0·1718 克2°/。卩0 43 0於？0%£人（1.46 3 2%)形成之溶液及9.2199克 PGMEA( 78. 5 29 6%)之摻混物製備光阻組合物。 1) VPN 1109是獲自Clariant公司之間-甲紛/甲酸驗盤清漆。 2) DM- POP是獲自Honshu化學公司之2，6 -二經基甲基-4-（1,1,3,3-四甲基丁基）盼。 3) PAI - 101是獲自Midori Kagaku公司之4-曱氧基- α (((4-曱基苯基）磺醯基）氧基）亞胺基苯乙腈。 4) FC 43 0獲自3Μ公司的氟化界面活性劑。 5) PGMEA是丙二醇甲基醚醋酸酯對照實例2 藉提供一種 6.0 0 70 克 VPN 1 1 0 9 ( 2 0.0234%)、2.1100 克 Cymel 30 3 ( 7·0 33 5%)、0.028 3 1 克ΡΑΙ-1 0 1 ( 0.943 6%)、 0.4 50 0 克 2% FC 430 於 PGMEA( 1.5 0 0 0°/。）形成之溶液及 21· 1 49 9克PGMEA( 70. 49 96%)之摻混物製備光阻組合物。

Cymel 303係購自Cytec工業公司之六甲基醇蜜胺六甲基鍵〇

第14頁 567403 五、發明說明（ίο) ' 實例3 藉提供一種 2.342 6 克 VPN 1 1 0 9 ( 1 9.2 0 1 6%)、0·0 75 5 克 DM-ΡΟΡ(0·6189%) 、0.3657 克Cymel 303(2.9975%)、 0·0727 克PAI-101(0.5959%) 、0·1804 克 2% FC 430於 PGMEA( 1. 478 7%)形成之溶液及9. 1631 克PGMEA( 75. 1 0 74%) 之換混物製備光阻組合物。實例4

各別將對照實例1、對照實例2及實例3之光阻組合物塗覆在6英吋矽晶圓上以各別提供1 · 1 7微米厚之光阻薄膜。然後將敷料晶圓各別在加熱板上9 〇。〇下軟烘烤6 〇秒。然後將晶圓分別置於Nik on® 0· 54 ΝΑ I -線步進器上以下列照射劑量照射之。然後將各已照光晶圓置於加熱板上於丨i 〇 °C下進行照光後烘烤6〇秒。然後晶圓在23 t下利用AZ®

3 0 0 Μ IF顯影劑（2 · 3 8 %四甲基銨氫氧化物溶液）各別搜煉顯影60秒。對照實例}及2的光阻組合物獲得無法令人接受的圖案輪廓，因為該輪廓壁沒有一處近乎垂直。實例3的"*光阻組合物獲得具有實質上垂直壁之極令人滿意的輪庵'。實例1、2及3的光阻在I -線步進器上的照射劑量分別為以毫貝焦耳/平方厘米、26毫焦耳/平方厘米及3〇毫焦耳/平方Z 實例5

第15頁 567403 五、發明說明（11) 藉提供一種19.2016 克 VPN 1109、0.6189 克 DM-P0P、 2·29975 克Cymel 303 、0·5959 克PAI-101 、1·4787 克 2% FC 43 0於PGMEA形成之溶液及75· 1 0 74克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。實例6 藉提供一種 19.2016 克 VPN 1109、0·6189 克 DM-POP、 2.2 99 75 克€71116 1 30 3、0.59 5 9 克001131肟磺酸_(獲自 Ciba公司）、1·4787克2% FC 430於PGMEA形成之溶液及 75· 1 0 74克PGMEA之掺混物製備光阻組合物。實例7 藉提供一種19,2016克¥?^1109、0.6189克01^?0?、 2.2 9 9 7 5 克 Cymel 3 0 3、0·5 9 5 9 克 0P9141E 卜磺醯基氧基 -2-吡啶酮、1· 4787克2% FC 430於PGMEA形成之溶液及 7 5· 1 0 7 4克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。 - 實例8 藉提供一種 19.2016 克 VPN 1109、0.6189 克 DM-P0P、 2.2 9 9 7 5 克 Cymel 303、0·5 9 5 9 克 ΡΑΙ-101、0·19515 克 9-蒽甲醇、1.4787克2% FC 430於PGMEA形成之溶液及75.1074 克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。實例9 藉提供一種 24.6 0 33 克 VPN 1109、0.7929 克 DM-POP、

第16頁 567403 五、發明說明（12) 3.8408 克Cymel 303、0·7635 克ΡΑΙ-101、1·8947 克 2% H 43 0於PGMEA形成之溶液及68· 1 048克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。實例1 0 藉提供一種26.0477克聚（經基苯乙烯）/苯乙烯 10013-77-FDP 共聚物（獲自 Triquest)、0· 8395 克DM-POP、 2.7798 克Cymel 303 、0·3336 克PAI-101 、2·0059 克 2% FC 43 0於PGMEA形成之溶液及67. 993 6克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。 ▲ 實例11 藉提供一種26.7295克聚（羥基苯乙烯）/苯乙烯FK-0 70共聚物（獲自 Maruzen)、0 · 4 8 0 5 克DM-POP、2 · 3 2 74 克Cyme 1 303 、0·4627 克PAI-101 、1·1481 克 2% FC 430於PGMEA 形成之溶液及68.8 5 1 9克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。實例1 2 藉提供一種24· 60 33克聚（羥基苯乙烯）/酚醛清漆 1 0 0 04- 1 5 3-2B 共聚物（獲自 Triquest)、0· 48 0 5 克DM-POP、 2.3274 克Cymel 303 、〇·4627 克PAI-101 、1·1481 克 2% FC 430於PGMEA形成之溶液及68. 85 1 9克PGMEA之摻混物製備光阻組合物。

第17頁 567403 五、發明說明（13) 實例1 3 各別將實例5至12之光阻組合物塗覆在6英时砂 ’、別提供1 · 00微米厚之光阻薄膜。然後將敷料晶 ^ 於加埶板L q (1。厂τ ^ 圓各別置 • …、伋上yu匕下軟烘烤60秒。然後將晶圓分別置於

Nikon ® 〇· W ΝΑ I -線步進器上以下列照射劑量照射之。然後將各已照光晶圓置於加熱板上於丨丨〇 t下進行照光後、烘烤6 0秒。然後晶圓在2 3 °C下利用AZ⑧3 0 0 Μ I F顯影劑 (2· 38%四曱基銨氫氧化物溶液）各別攪煉顯影6〇秒。實"例5 至1 2的光阻組合物分別獲得具有實質上垂直壁之極令人滿意的輪廓。實例5至實例1 2之光阻的照射劑量各別如下：照射劑量（毫焦耳/平方^ 5 30 6 68 7 10 8 22 9 - 18 10 26 11 32 12 26 烧除非另外陳述’所有份數及百分比皆以重量為基準；基為q至(：4烷基；炫氧基為Cl至匕烧氧基；所有溫度皆為 °c ;所有4分子量皆為重量平均分子量。

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Claims

丨567, 口六、申請專利範圍 1. 一種可在鹼性媒介中顯像之負功型化學放大、對輻射敏感的光阻組合物，此光阻包含： a) 具有環鍵結羥基之酚的薄膜形成聚合體黏合樹

b) 於輻射的照射下可形成酸之光酸產生劑，其量足以引發薄膜形成黏合樹脂交聯； c ) 曝露於步驟b)藉輻射照光所產生之酸時，可形成碳鐯離子的交聯劑，其包括醚化胺基塑料聚合物或寡聚物； d)第二種曝露於步驟b)藉輻射照光所產生之酸時，▲ @ 可形成碳鍚離子的交聯劑，其包括1 )經羥基取代 -或2 )經羥基Q- C4烷基取代之q-C12烷基酚，其中步驟c)及d)的交聯劑總量為有效的交聯量；及 e) 光阻溶劑。 2. 根據申請專利範圍第1項之光阻組合物，其中該聚合體黏合樹脂包括酚醛清漆，其係衍生自選自鄰-甲酚；間-甲酚；對-曱酚；2,4 -二曱苯酚；2 ,5 -二甲苯酚；3,4 -二甲苯酚；3，5 _二甲苯酚；百里酚及其混合物之經取代的

酚，其已與醛如甲醛縮合；聚（乙烯基酚）或聚（乙烯基酚）共聚物。 3. 根據申請專利範圍第2項之光阻組合物，其中該醛是曱盤。 4.根據申請專利範圍第1項之光阻組合物，其中該步驟 b)之交聯劑為胺與醛反應所獲得之醚化胺基塑料寡聚物或

第20頁 567403 六、申請專利範圍聚合物。 - 5. 根據申讀專利範圍第1項之光阻組合物，其中該步驟 b) 之醚化胺基塑料寡聚物或聚合物是六（曱氧基甲基）蜜胺。 6. 根據申請專利範圍第1項之光阻組合物，其中該步驟 c) 之第二種交聯劑為二羥烷基甲酚。 7. 根據申請專利範圍第6項之光阻組合物，其中該二羥烷基甲酚是二羥烷基對-甲酚。 8. 根據申請專利範圍第7項之光阻組合物，其中該二羥烷基對-曱酚是二羥基烷基-(四-烷基）酚。 9. 根據申請專利範圍第1項之光阻組合物，其中該步驟 d) 之光酸產生劑是假續酸酯。 10. 根據申請專利範圍第9項之光阻組合物，其中該肟石黃酸S旨具有結構式· r2 -NC\ I C=N —0 一S〇2 _ R〆其中Ri及R2為q - C4烧基或鹵化烧基；苯基；蔡基；或經石肖基-、氯-、溴-、經基、q - C4烧基、Ci - C4氟院基或q _ C4烧氧基取代之苯基或萘基。 11. 一種製造微電子裝置之方法，包括： a) 提供一種負功型光阻組合物，其包含： 1) 具有環鍵結羥基之酚的薄膜形成聚合體黏合樹

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月旨; 2) 於無射的照射下可形成酸之光酸產生劑，其量足以引發步驟1)之薄膜形成黏合樹脂交聯； 3) 曝露於步驟2 )藉輻射照光所產生之酸時，可形成碳鐵離子的交聯劑，其包括醚化胺基塑料聚合物或寡聚物； 4) 第二種曝露於步驟2 )藉輻射照光所產生之酸牯’可形成碳鍚離子的交聯劑，其包括：經羥基取代-或經羥基(^ -C4烷基取代之q -C12烷基

鉍/、中步‘ 3)及4)的交聯劑總量為有效的交聯量；及 5) 光阻溶劑， b) 將取自步驟a)光阻組合物塗覆在適合的基材表面 c) 熱處理取自步驟b)敷料基材直到實質上溶劑皆從光阻組合物令被去除； d) 取自步驟c)之敷料光阻組合物在顯像輻射成像曝光；

e) 在步驟d)中曝光後，加熱此基材及 f) 以顯影劑除去取自步驟d)之敷料光阻組合物中未照光處。 12·根據申請專利範圍第1 1項之方法，其中該聚入合樹脂包括酚醛清漆，其係衍生自選自鄰—甲酚；Λ 1 / 齡；對-曱驗；2, 4 -二甲笨酚；2, 5 一二甲苯酚一

第22頁 567403 六、申請專利範圍其已與醛如聚物。 13. 根據醒·。 14. 根據之交聯劑為合物。 15. 根據之鍵化胺基 16. 根據之第二種交 17. 根據甲酚是二羥 18. 根據對-甲酚是二 19. 根據之光酸產生 20. 根據具有結構式苯酚；3，5 -二甲苯酚；百里酚及其混合物之經取代的酚1 甲醛縮合；聚（乙烯基酚）；或聚（乙烯基酚）共申請專利範圍第1 2項之方法，其中該醛是甲申請專利範圍第1 1項之方法，其中該步驟a) 胺與醛反應所獲得之醚化胺基塑料寡聚物或聚申請專利範圍第1 1項之方法，其中該步驟a) 塑料寡聚物或聚合物是六（曱氧基甲基）蜜胺。申請專利範圍第11項之方法，其中該步驟a) 聯劑為二羥烷基甲酚。申請專利範圍第1 6項之方法，其中該二羥烷基烧基對-甲紛。羥烷基申請專利範圍第1 7項之方法，其中二輕基烧基-(四-烧基）驗。其中該步驟a)_ 其中該后石黃酸酉旨申請專利範圍第11項之方法劑是后續酸酯。申請專利範圍第1 9項之方法 NC

第23頁 567403 六、申請專利範圍苯基；萘基；或經硝-G -C4氟烧基或Ci -C4院其中&及見2為匕-匕烷基或鹵化烷基基-、氣-、溴-、經基、q - C4烧基氧基取代之苯基或萘基。

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