WO2003019678A1 - Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element - Google Patents

Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element Download PDF

Info

Publication number
WO2003019678A1
WO2003019678A1 PCT/JP2002/008431 JP0208431W WO03019678A1 WO 2003019678 A1 WO2003019678 A1 WO 2003019678A1 JP 0208431 W JP0208431 W JP 0208431W WO 03019678 A1 WO03019678 A1 WO 03019678A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
semiconductor element
nitride semiconductor
upper layer
layer
production method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2002/008431
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Goshi Biwa
Hiroyuki Okuyama
Masato Doi
Toyoharu Oohata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to KR10-2003-7005557A priority Critical patent/KR20040029301A/ko
Priority to EP02762818A priority patent/EP1420463A4/en
Priority to US10/415,010 priority patent/US6818465B2/en
Publication of WO2003019678A1 publication Critical patent/WO2003019678A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
    • H01S2304/12—Pendeo epitaxial lateral overgrowth [ELOG], e.g. for growing GaN based blue laser diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2272—Buried mesa structure ; Striped active layer grown by a mask induced selective growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/3202—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth
    • H01S5/3203—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures grown on specifically orientated substrates, or using orientation dependent growth on non-planar substrates to create thickness or compositional variations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)
PCT/JP2002/008431 2001-08-22 2002-08-21 Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element Ceased WO2003019678A1 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-7005557A KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2002-08-21 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
EP02762818A EP1420463A4 (en) 2001-08-22 2002-08-21 NITRID SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US10/415,010 US6818465B2 (en) 2001-08-22 2002-08-21 Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-252101 2001-08-22
JP2001252101 2001-08-22
JP2002010529 2002-01-18
JP2002-10529 2002-01-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003019678A1 true WO2003019678A1 (en) 2003-03-06

Family

ID=26620826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/008431 Ceased WO2003019678A1 (en) 2001-08-22 2002-08-21 Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6818465B2 (ja)
EP (1) EP1420463A4 (ja)
KR (1) KR20040029301A (ja)
CN (1) CN1241272C (ja)
TW (1) TW560119B (ja)
WO (1) WO2003019678A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004023569A1 (ja) * 2002-09-06 2004-03-18 Sony Corporation 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法

Families Citing this family (463)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218395A (ja) * 2002-01-18 2003-07-31 Sony Corp 半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP3864222B2 (ja) * 2002-09-26 2006-12-27 国立大学法人名古屋大学 半導体素子構造、電子エミッタ及び半導体素子構造の製造方法
KR101034055B1 (ko) * 2003-07-18 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP4588638B2 (ja) * 2003-11-04 2010-12-01 パイオニア株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US7791061B2 (en) * 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
US7217947B2 (en) * 2004-08-06 2007-05-15 Northrop Grumman Corporation Semiconductor light source and method of making
KR100587020B1 (ko) 2004-09-01 2006-06-08 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지
KR100728533B1 (ko) * 2004-11-23 2007-06-15 삼성코닝 주식회사 질화갈륨 단결정 후막 및 이의 제조방법
JP2006156837A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
KR100763402B1 (ko) * 2005-01-07 2007-10-05 엘지전자 주식회사 조명 장치
EP2410582B1 (en) * 2005-05-24 2019-09-04 LG Electronics Inc. Nano rod type light emitting diode and method for fabricating a nano rod type light emitting diode
US7580440B2 (en) * 2005-10-14 2009-08-25 Ge Homeland Protection, Inc. System for emission of electromagnetic radiation, and method for making
KR100649769B1 (ko) * 2005-12-28 2006-11-27 삼성전기주식회사 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법
JP2007220865A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sumitomo Chemical Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US8013320B2 (en) * 2006-03-03 2011-09-06 Panasonic Corporation Nitride semiconductor device and method for fabricating the same
KR100764386B1 (ko) 2006-03-20 2007-10-08 삼성전기주식회사 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법
JP4228012B2 (ja) 2006-12-20 2009-02-25 Ｎｅｃライティング株式会社 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
US8049203B2 (en) 2006-12-22 2011-11-01 Qunano Ab Nanoelectronic structure and method of producing such
EP2095426A4 (en) * 2006-12-22 2012-10-10 Qunano Ab NANOELECTRIC STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
US20080149946A1 (en) 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light
US9508890B2 (en) * 2007-04-09 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photovoltaics on silicon
US8237151B2 (en) * 2009-01-09 2012-08-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Diode-based devices and methods for making the same
US7905618B2 (en) 2007-07-19 2011-03-15 Samsung Led Co., Ltd. Backlight unit
US20090085055A1 (en) * 2007-09-27 2009-04-02 Hui Peng Method for Growing an Epitaxial Layer
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101491139B1 (ko) * 2007-12-20 2015-02-06 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8030108B1 (en) * 2008-06-30 2011-10-04 Stc.Unm Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices
EP2312658B1 (en) 2008-07-03 2018-06-27 Samsung Electronics Co., Ltd. A wavelength-converting light emitting diode (led) chip and method for fabrication of an led device equipped with this chip
WO2010002226A2 (ko) 2008-07-03 2010-01-07 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
CN102187479B (zh) * 2008-09-01 2014-06-18 学校法人上智学院 半导体光学元件阵列及其制造方法
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
WO2010056083A2 (ko) 2008-11-14 2010-05-20 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자
US8232566B2 (en) * 2009-05-04 2012-07-31 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device, package, and system
KR20120036816A (ko) * 2009-06-01 2012-04-18 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 질화물 반도체 결정 및 그 제조 방법
AU2010281317A1 (en) 2009-08-04 2012-02-23 Gan Systems Inc. Island matrixed gallium nitride microwave and power switching transistors
US9029866B2 (en) 2009-08-04 2015-05-12 Gan Systems Inc. Gallium nitride power devices using island topography
US9818857B2 (en) 2009-08-04 2017-11-14 Gan Systems Inc. Fault tolerant design for large area nitride semiconductor devices
KR101650840B1 (ko) 2009-08-26 2016-08-24 삼성전자주식회사 발광소자 및 이의 제조방법
KR20110041401A (ko) * 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
KR101593693B1 (ko) * 2009-10-16 2016-02-15 한양대학교 산학협력단 비접촉 타입의 발광 다이오드
KR101178468B1 (ko) * 2009-10-19 2012-09-06 샤프 가부시키가이샤 봉형상 구조 발광 소자, 봉형상 구조 발광 소자의 제조 방법, 백라이트, 조명 장치 및 표시 장치
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
KR101134731B1 (ko) * 2009-10-22 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8716049B2 (en) * 2010-02-23 2014-05-06 Applied Materials, Inc. Growth of group III-V material layers by spatially confined epitaxy
AU2011241423A1 (en) 2010-04-13 2012-11-08 Gan Systems Inc. High density gallium nitride devices using island topology
KR101643757B1 (ko) 2010-06-01 2016-07-29 삼성전자주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR101313262B1 (ko) 2010-07-12 2013-09-30 삼성전자주식회사 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법
KR101692410B1 (ko) 2010-07-26 2017-01-03 삼성전자 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8795817B2 (en) 2010-08-25 2014-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor film, method of manufacturing the same, coating method of phosphor layer, method of manufacturing LED package, and LED package manufactured thereby
KR20150098246A (ko) * 2010-09-01 2015-08-27 샤프 가부시키가이샤 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드
KR101710159B1 (ko) 2010-09-14 2017-03-08 삼성전자주식회사 Ⅲ족 질화물 나노로드 발광소자 및 그 제조 방법
KR20120027987A (ko) 2010-09-14 2012-03-22 삼성엘이디 주식회사 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법
KR20120032329A (ko) 2010-09-28 2012-04-05 삼성전자주식회사 반도체 소자
KR20120042500A (ko) 2010-10-25 2012-05-03 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조방법
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101182584B1 (ko) * 2010-11-16 2012-09-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
US8785953B2 (en) 2011-03-25 2014-07-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode, manufacturing method thereof, light emitting diode module, and manufacturing method thereof
US20120261686A1 (en) * 2011-04-12 2012-10-18 Lu Chi Wei Light-emitting element and the manufacturing method thereof
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
KR101893919B1 (ko) * 2011-10-21 2018-09-03 서울바이오시스 주식회사 발광소자와 발광 어레이, 및 각각의 제조방법
KR101405011B1 (ko) 2011-12-16 2014-06-10 삼성전자주식회사 조명장치
US8748847B2 (en) 2011-12-23 2014-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
KR101903361B1 (ko) 2012-03-07 2018-10-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20130109319A (ko) 2012-03-27 2013-10-08 삼성전자주식회사 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치
KR101891257B1 (ko) 2012-04-02 2018-08-24 삼성전자주식회사 반도체 발광장치 및 그 제조방법
KR101907390B1 (ko) 2012-04-23 2018-10-12 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR101891777B1 (ko) 2012-06-25 2018-08-24 삼성전자주식회사 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법
KR20140006485A (ko) * 2012-07-05 2014-01-16 삼성전자주식회사 멀티셀 어레이를 갖는 반도체 발광장치 및 그 제조 방법
TWI476953B (zh) 2012-08-10 2015-03-11 Univ Nat Taiwan 半導體發光元件及其製作方法
KR101978968B1 (ko) 2012-08-14 2019-05-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 발광장치
JP6048896B2 (ja) 2012-08-23 2016-12-27 国立大学法人大阪大学 窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法
JP2015532014A (ja) * 2012-09-18 2015-11-05 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノピラミッドサイズ光電構造及びそれを製造するための方法
TWI482311B (zh) * 2012-10-19 2015-04-21 國立中山大學 三族氮化物量子井結構及其製造方法
KR101898680B1 (ko) 2012-11-05 2018-09-13 삼성전자주식회사 나노구조 발광 소자
KR101967836B1 (ko) 2012-12-14 2019-04-10 삼성전자주식회사 3차원 발광 소자 및 그 제조방법
KR101898679B1 (ko) 2012-12-14 2018-10-04 삼성전자주식회사 나노구조 발광소자
KR102011101B1 (ko) 2012-12-26 2019-08-14 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102018615B1 (ko) 2013-01-18 2019-09-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101554032B1 (ko) 2013-01-29 2015-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR101603207B1 (ko) 2013-01-29 2016-03-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102022266B1 (ko) 2013-01-29 2019-09-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
KR102036347B1 (ko) 2013-02-12 2019-10-24 삼성전자 주식회사 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈
KR101958418B1 (ko) 2013-02-22 2019-03-14 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
US9312344B2 (en) 2013-03-13 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for forming semiconductor materials in STI trenches
US11502219B2 (en) * 2013-03-14 2022-11-15 The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University Methods and devices for solid state nanowire devices
KR102037863B1 (ko) 2013-03-15 2019-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 포함하는 조명 장치
EP2973756B1 (en) * 2013-03-15 2018-06-27 Glo Ab Nanowire led structure with decreased leakage and method of making same
US9676047B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same
KR102038885B1 (ko) 2013-05-27 2019-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US9190270B2 (en) 2013-06-04 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same
KR102122366B1 (ko) 2013-06-14 2020-06-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 박막 제조방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 소자 제조방법
KR102070088B1 (ko) 2013-06-17 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075983B1 (ko) 2013-06-18 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20150002361A (ko) 2013-06-28 2015-01-07 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
KR102061563B1 (ko) 2013-08-06 2020-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102074950B1 (ko) 2013-08-13 2020-03-02 삼성전자 주식회사 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법.
KR20150021814A (ko) 2013-08-21 2015-03-03 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20150025264A (ko) 2013-08-28 2015-03-10 삼성전자주식회사 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102094471B1 (ko) 2013-10-07 2020-03-27 삼성전자주식회사 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체
KR102075985B1 (ko) 2013-10-14 2020-02-11 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102122360B1 (ko) 2013-10-16 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광모듈 테스트 장치
KR102075992B1 (ko) 2013-10-17 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098250B1 (ko) 2013-10-21 2020-04-08 삼성전자 주식회사 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20150046554A (ko) 2013-10-22 2015-04-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로
KR102070089B1 (ko) 2013-10-23 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR101544772B1 (ko) 2013-10-31 2015-08-17 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 및 제조방법
US9099573B2 (en) 2013-10-31 2015-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano-structure semiconductor light emitting device
KR102099877B1 (ko) 2013-11-05 2020-04-10 삼성전자 주식회사 질화물 반도체 디바이스의 제조 방법
KR102061696B1 (ko) 2013-11-05 2020-01-03 삼성전자주식회사 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법
KR102086360B1 (ko) 2013-11-07 2020-03-09 삼성전자주식회사 n형 질화물 반도체의 전극형성방법, 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법
KR102223034B1 (ko) 2013-11-14 2021-03-04 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치
US9190563B2 (en) 2013-11-25 2015-11-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Nanostructure semiconductor light emitting device
KR102132651B1 (ko) 2013-12-03 2020-07-10 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075984B1 (ko) 2013-12-06 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
US9725648B2 (en) 2013-12-10 2017-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Phosphor and light-emitting device including the same
KR102122359B1 (ko) 2013-12-10 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 제조방법
US9196812B2 (en) 2013-12-17 2015-11-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same
FR3016081B1 (fr) * 2013-12-27 2017-03-24 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a courant de fuite reduit
KR102122363B1 (ko) 2014-01-08 2020-06-12 삼성전자주식회사 발광장치 및 광원 구동장치
KR102070092B1 (ko) 2014-01-09 2020-01-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20150084311A (ko) 2014-01-13 2015-07-22 삼성전자주식회사 발광모듈
KR102070093B1 (ko) 2014-01-14 2020-01-29 삼성전자주식회사 차량용 조명 시스템
KR102198693B1 (ko) 2014-01-15 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102098591B1 (ko) 2014-01-16 2020-04-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102285786B1 (ko) 2014-01-20 2021-08-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자
KR102122358B1 (ko) 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102188495B1 (ko) 2014-01-21 2020-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조 방법
KR102075986B1 (ko) * 2014-02-03 2020-02-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102075987B1 (ko) 2014-02-04 2020-02-12 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102098245B1 (ko) 2014-02-11 2020-04-07 삼성전자 주식회사 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치
KR102145209B1 (ko) 2014-02-12 2020-08-18 삼성전자주식회사 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법
KR102116986B1 (ko) 2014-02-17 2020-05-29 삼성전자 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102140789B1 (ko) 2014-02-17 2020-08-03 삼성전자주식회사 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR102122362B1 (ko) 2014-02-18 2020-06-12 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102075981B1 (ko) 2014-02-21 2020-02-11 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR102175723B1 (ko) 2014-02-25 2020-11-09 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR102204392B1 (ko) 2014-03-06 2021-01-18 삼성전자주식회사 Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법.
KR102075994B1 (ko) 2014-03-25 2020-02-12 삼성전자주식회사 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템
KR102188497B1 (ko) 2014-03-27 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102145207B1 (ko) 2014-04-17 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102145205B1 (ko) 2014-04-25 2020-08-19 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법
KR102188493B1 (ko) 2014-04-25 2020-12-09 삼성전자주식회사 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법
KR20150138479A (ko) 2014-05-29 2015-12-10 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지의 제조 방법
KR102277125B1 (ko) 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102192572B1 (ko) 2014-06-09 2020-12-18 삼성전자주식회사 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치
KR102145208B1 (ko) 2014-06-10 2020-08-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102171024B1 (ko) 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102203461B1 (ko) 2014-07-10 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노 구조 반도체 발광 소자
KR102188499B1 (ko) 2014-07-11 2020-12-09 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102203460B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-18 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법
KR102198694B1 (ko) 2014-07-11 2021-01-06 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법
KR102188494B1 (ko) 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법
KR102188500B1 (ko) 2014-07-28 2020-12-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치
KR102379164B1 (ko) 2014-07-29 2022-03-25 삼성전자주식회사 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법
KR20160015447A (ko) 2014-07-30 2016-02-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템
KR102212561B1 (ko) 2014-08-11 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지
KR102223036B1 (ko) 2014-08-18 2021-03-05 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227772B1 (ko) 2014-08-19 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102212559B1 (ko) 2014-08-20 2021-02-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20160024170A (ko) 2014-08-25 2016-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102164796B1 (ko) 2014-08-28 2020-10-14 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102227770B1 (ko) 2014-08-29 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102282141B1 (ko) 2014-09-02 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160028014A (ko) 2014-09-02 2016-03-11 삼성전자주식회사 반도체 소자 패키지 제조방법
KR102198695B1 (ko) 2014-09-03 2021-01-06 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR20160033815A (ko) 2014-09-18 2016-03-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20160034534A (ko) 2014-09-19 2016-03-30 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102223037B1 (ko) 2014-10-01 2021-03-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102244218B1 (ko) 2014-10-01 2021-04-27 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자 제조방법
US9601571B2 (en) 2014-10-02 2017-03-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Nanowire fabrication method and structure thereof
KR102224848B1 (ko) 2014-10-06 2021-03-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 제조 방법
KR102244220B1 (ko) 2014-10-15 2021-04-27 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102277127B1 (ko) 2014-10-17 2021-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102227773B1 (ko) 2014-10-21 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광장치
KR102227774B1 (ko) 2014-10-23 2021-03-16 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
KR102252993B1 (ko) 2014-11-03 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법
KR102212557B1 (ko) 2014-11-03 2021-02-08 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102240023B1 (ko) 2014-11-03 2021-04-15 삼성전자주식회사 자외선 발광장치
KR20160054073A (ko) 2014-11-05 2016-05-16 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널
KR102227769B1 (ko) 2014-11-06 2021-03-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR102369932B1 (ko) 2014-11-10 2022-03-04 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법
KR102307062B1 (ko) 2014-11-10 2021-10-05 삼성전자주식회사 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치
KR20160056167A (ko) 2014-11-11 2016-05-19 삼성전자주식회사 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102282137B1 (ko) 2014-11-25 2021-07-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102240022B1 (ko) 2014-11-26 2021-04-15 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102372893B1 (ko) 2014-12-04 2022-03-10 삼성전자주식회사 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치
KR102337406B1 (ko) 2014-12-09 2021-12-13 삼성전자주식회사 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252992B1 (ko) 2014-12-12 2021-05-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102357584B1 (ko) 2014-12-17 2022-02-04 삼성전자주식회사 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102252994B1 (ko) 2014-12-18 2021-05-20 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름
KR20160074861A (ko) 2014-12-18 2016-06-29 삼성전자주식회사 광 측정 시스템
KR102353443B1 (ko) 2014-12-22 2022-01-21 삼성전자주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR102355081B1 (ko) 2014-12-26 2022-01-26 삼성전자주식회사 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR102300558B1 (ko) 2014-12-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 광원 모듈
KR20160083408A (ko) 2014-12-31 2016-07-12 삼성전자주식회사 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈
KR102345751B1 (ko) 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
CN104795324A (zh) * 2015-02-06 2015-07-22 中山大学 一种三族氮化物肖特基势垒二极管的生长及制备方法
KR102346798B1 (ko) 2015-02-13 2022-01-05 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102292640B1 (ko) 2015-03-06 2021-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치
US9520466B2 (en) 2015-03-16 2016-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Vertical gate-all-around field effect transistors and methods of forming same
KR102378822B1 (ko) 2015-04-30 2022-03-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치
US9666754B2 (en) 2015-05-27 2017-05-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth
KR102323250B1 (ko) 2015-05-27 2021-11-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
US10217914B2 (en) 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102380825B1 (ko) 2015-05-29 2022-04-01 삼성전자주식회사 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치
KR20160141301A (ko) 2015-05-29 2016-12-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 패키지
KR102356457B1 (ko) * 2015-05-29 2022-01-27 삼성전자주식회사 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법
KR102471271B1 (ko) 2015-06-05 2022-11-29 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102409965B1 (ko) 2015-06-08 2022-06-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법
KR102306671B1 (ko) 2015-06-16 2021-09-29 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR20160149363A (ko) 2015-06-17 2016-12-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102335106B1 (ko) 2015-06-19 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102382440B1 (ko) * 2015-06-22 2022-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102374267B1 (ko) 2015-06-26 2022-03-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102300560B1 (ko) 2015-06-26 2021-09-14 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102397910B1 (ko) 2015-07-06 2022-05-16 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR102432859B1 (ko) 2015-07-10 2022-08-16 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈
KR102414187B1 (ko) 2015-07-24 2022-06-28 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈
KR102422246B1 (ko) 2015-07-30 2022-07-19 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102369933B1 (ko) 2015-08-03 2022-03-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102477353B1 (ko) 2015-08-06 2022-12-16 삼성전자주식회사 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102342546B1 (ko) 2015-08-12 2021-12-30 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로
KR102397907B1 (ko) 2015-08-12 2022-05-16 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102357585B1 (ko) 2015-08-18 2022-02-04 삼성전자주식회사 반도체 자외선 발광소자
KR102476138B1 (ko) 2015-08-19 2022-12-14 삼성전자주식회사 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102397909B1 (ko) 2015-08-27 2022-05-16 삼성전자주식회사 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
KR102443035B1 (ko) 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
KR102374268B1 (ko) 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102378823B1 (ko) 2015-09-07 2022-03-28 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법
KR101666844B1 (ko) 2015-09-10 2016-10-19 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102427641B1 (ko) 2015-09-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20170033947A (ko) 2015-09-17 2017-03-28 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102409966B1 (ko) 2015-09-17 2022-06-16 삼성전자주식회사 광원 모듈의 제조방법
KR102430499B1 (ko) 2015-09-22 2022-08-11 삼성전자주식회사 Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법
US10230021B2 (en) 2015-09-30 2019-03-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102374266B1 (ko) 2015-10-02 2022-03-18 삼성전자주식회사 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치
KR102391513B1 (ko) 2015-10-05 2022-04-27 삼성전자주식회사 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법
KR102443033B1 (ko) 2015-10-12 2022-09-16 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102419890B1 (ko) 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102417181B1 (ko) 2015-11-09 2022-07-05 삼성전자주식회사 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법
KR102481646B1 (ko) 2015-11-12 2022-12-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102427644B1 (ko) 2015-11-16 2022-08-02 삼성전자주식회사 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20170058515A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 삼성전자주식회사 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102450574B1 (ko) 2015-11-19 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US9793450B2 (en) 2015-11-24 2017-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102546654B1 (ko) 2015-12-11 2023-06-23 삼성전자주식회사 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법
KR102601579B1 (ko) 2015-12-16 2023-11-13 삼성전자주식회사 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20170075897A (ko) 2015-12-23 2017-07-04 삼성전자주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102550413B1 (ko) 2016-01-13 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102530756B1 (ko) 2016-01-13 2023-05-10 삼성전자주식회사 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치
KR20170089053A (ko) 2016-01-25 2017-08-03 삼성전자주식회사 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법
KR102408721B1 (ko) 2016-01-27 2022-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
EP3414773A1 (en) * 2016-02-12 2018-12-19 Hexagem AB Iii-nitride semiconductor devices
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
KR102527387B1 (ko) 2016-02-24 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR102476137B1 (ko) 2016-02-25 2022-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 제조 방법
KR102263041B1 (ko) 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
US10106666B2 (en) 2016-03-02 2018-10-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same
KR20170104031A (ko) 2016-03-03 2017-09-14 삼성전자주식회사 패키지 기판 및 발광소자 패키지
KR102435523B1 (ko) 2016-03-10 2022-08-23 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20170106575A (ko) 2016-03-11 2017-09-21 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102553628B1 (ko) 2016-03-11 2023-07-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102443694B1 (ko) 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR102365686B1 (ko) 2016-03-16 2022-02-21 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치
KR102503215B1 (ko) 2016-03-28 2023-02-24 삼성전자 주식회사 발광 소자 패키지
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
KR102513080B1 (ko) 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
KR102518368B1 (ko) 2016-04-06 2023-04-13 삼성전자주식회사 조명 장치
KR102480220B1 (ko) 2016-04-08 2022-12-26 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널
KR20170121777A (ko) 2016-04-25 2017-11-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
CN105762264B (zh) * 2016-04-28 2018-01-26 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管
KR102534245B1 (ko) 2016-05-04 2023-05-18 삼성전자주식회사 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102530759B1 (ko) 2016-06-14 2023-05-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR102608902B1 (ko) 2016-06-14 2023-12-04 삼성전자주식회사 질화물 반도체 기판 제조방법
KR102519668B1 (ko) 2016-06-21 2023-04-07 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR102530758B1 (ko) 2016-06-21 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR102530760B1 (ko) 2016-07-18 2023-05-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102528559B1 (ko) 2016-07-26 2023-05-04 삼성전자주식회사 대면적 기판 제조 장치
KR102746079B1 (ko) 2016-08-03 2024-12-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치
KR102476139B1 (ko) 2016-08-03 2022-12-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102605585B1 (ko) 2016-08-11 2023-11-24 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102116988B1 (ko) 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102553630B1 (ko) 2016-08-11 2023-07-10 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR20180021348A (ko) 2016-08-19 2018-03-02 삼성전자주식회사 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치
KR102543179B1 (ko) 2016-08-22 2023-06-14 삼성전자주식회사 발광다이오드 모듈 제조방법
KR102551353B1 (ko) 2016-08-22 2023-07-04 삼성전자 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR102623546B1 (ko) 2016-09-23 2024-01-10 삼성전자주식회사 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치
WO2018062252A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102724660B1 (ko) 2016-12-08 2024-10-31 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102611980B1 (ko) 2016-12-14 2023-12-08 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
KR102680862B1 (ko) 2016-12-16 2024-07-03 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR102652087B1 (ko) 2016-12-16 2024-03-28 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10164159B2 (en) 2016-12-20 2018-12-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode package and method of manufacturing the same
KR102737500B1 (ko) 2016-12-27 2024-12-04 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102604739B1 (ko) 2017-01-05 2023-11-22 삼성전자주식회사 반도체 발광 장치
KR102600002B1 (ko) 2017-01-11 2023-11-08 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102598043B1 (ko) 2017-01-12 2023-11-06 삼성전자주식회사 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자
KR102737501B1 (ko) 2017-01-31 2024-12-04 삼성전자주식회사 Led장치 및 이를 이용한 led램프
KR102729552B1 (ko) 2017-02-17 2024-11-12 삼성전자주식회사 Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법
KR102814792B1 (ko) 2017-02-27 2025-05-29 삼성전자주식회사 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법
KR102385571B1 (ko) 2017-03-31 2022-04-12 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102373817B1 (ko) 2017-05-02 2022-03-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102450579B1 (ko) 2017-06-05 2022-10-07 삼성전자주식회사 Led램프
KR102389815B1 (ko) 2017-06-05 2022-04-22 삼성전자주식회사 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR102369934B1 (ko) 2017-06-23 2022-03-03 삼성전자주식회사 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법
US10256218B2 (en) 2017-07-11 2019-04-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device package
KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2023-06-30 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102302593B1 (ko) 2017-07-13 2021-09-15 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법
KR102302592B1 (ko) 2017-07-18 2021-09-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102539962B1 (ko) 2017-09-05 2023-06-05 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
US10362654B2 (en) 2017-09-08 2019-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
KR102609560B1 (ko) 2017-09-08 2023-12-04 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US10123386B1 (en) 2017-09-08 2018-11-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting apparatus
US10446722B2 (en) 2017-09-29 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device
KR102427637B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20190038976A (ko) 2017-10-02 2019-04-10 삼성전자주식회사 임프린트 장치
KR102611981B1 (ko) 2017-10-19 2023-12-11 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102460074B1 (ko) 2017-10-30 2022-10-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 분리 장치
KR102476140B1 (ko) 2017-11-20 2022-12-09 삼성전자주식회사 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102430497B1 (ko) 2017-12-07 2022-08-08 삼성전자주식회사 발광소자의 제조 방법
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
KR102666539B1 (ko) 2017-12-13 2024-05-17 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102477357B1 (ko) 2017-12-14 2022-12-15 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102421729B1 (ko) 2017-12-14 2022-07-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102582424B1 (ko) 2017-12-14 2023-09-25 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102524809B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-24 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102518369B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102513082B1 (ko) 2017-12-19 2023-03-23 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102427640B1 (ko) 2017-12-19 2022-08-01 삼성전자주식회사 자외선 반도체 발광소자
KR102601580B1 (ko) 2017-12-20 2023-11-13 삼성전자주식회사 Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법
KR102542426B1 (ko) 2017-12-20 2023-06-12 삼성전자주식회사 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치
KR102427642B1 (ko) 2018-01-25 2022-08-01 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102543183B1 (ko) 2018-01-26 2023-06-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102481647B1 (ko) 2018-01-31 2022-12-28 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR102450150B1 (ko) 2018-03-02 2022-10-04 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102443027B1 (ko) 2018-03-02 2022-09-14 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
US10862015B2 (en) 2018-03-08 2020-12-08 Samsung Electronics., Ltd. Semiconductor light emitting device package
KR102527384B1 (ko) 2018-03-09 2023-04-28 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
US10499471B2 (en) 2018-04-13 2019-12-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same
KR102551354B1 (ko) 2018-04-20 2023-07-04 삼성전자 주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
US10964852B2 (en) 2018-04-24 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. LED module and LED lamp including the same
KR102573271B1 (ko) 2018-04-27 2023-08-31 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102550415B1 (ko) 2018-05-09 2023-07-05 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 이용한 led 램프
KR102607596B1 (ko) 2018-05-11 2023-11-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지
KR20190137458A (ko) 2018-06-01 2019-12-11 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법
KR102613239B1 (ko) 2018-06-04 2023-12-14 삼성전자주식회사 백색 led 모듈 및 조명 장치
KR102551746B1 (ko) 2018-06-05 2023-07-07 삼성전자주식회사 광원모듈
KR102530068B1 (ko) 2018-06-26 2023-05-08 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법
KR102619665B1 (ko) 2018-06-29 2023-12-29 삼성전자주식회사 발광 장치
KR102553265B1 (ko) 2018-07-09 2023-07-07 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
KR102534248B1 (ko) 2018-07-17 2023-05-18 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102653015B1 (ko) 2018-07-18 2024-03-29 삼성전자주식회사 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단
KR102593264B1 (ko) 2018-08-14 2023-10-26 삼성전자주식회사 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR102617962B1 (ko) 2018-10-02 2023-12-27 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR102620159B1 (ko) * 2018-10-08 2024-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102617089B1 (ko) 2018-11-05 2023-12-27 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치
US12390553B2 (en) 2018-12-28 2025-08-19 National Cheng Kung University Biological scaffold and method for fabricating the same
KR102737506B1 (ko) 2019-03-18 2024-12-05 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR102746562B1 (ko) 2019-03-22 2024-12-24 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지
KR102825810B1 (ko) 2019-04-05 2025-06-30 삼성전자주식회사 조명 시스템 및 조명 장치
KR102737505B1 (ko) 2019-06-03 2024-12-05 삼성전자주식회사 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
KR102746085B1 (ko) 2019-06-24 2024-12-26 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102780352B1 (ko) 2019-07-05 2025-03-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법 및 이를 이용한 디스플레이 패널 제조방법
KR102684977B1 (ko) 2019-07-08 2024-07-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR102746084B1 (ko) 2019-07-08 2024-12-26 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR102883704B1 (ko) 2019-08-12 2025-11-10 삼성전자주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조방법
KR102721978B1 (ko) 2019-09-11 2024-10-25 삼성전자주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
KR102849285B1 (ko) 2019-09-20 2025-08-25 삼성전자주식회사 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템
KR102746089B1 (ko) 2019-10-23 2024-12-26 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR102737511B1 (ko) 2019-10-29 2024-12-05 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 제조방법
KR102825814B1 (ko) 2019-11-22 2025-06-27 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지
KR102848957B1 (ko) 2019-11-26 2025-08-20 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20210078200A (ko) 2019-12-18 2021-06-28 삼성전자주식회사 색온도 가변 조명 장치
KR102762977B1 (ko) 2020-01-30 2025-02-10 삼성전자주식회사 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈
KR102866518B1 (ko) 2020-02-03 2025-09-30 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102902635B1 (ko) 2020-02-04 2025-12-23 삼성전자주식회사 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치
KR102797522B1 (ko) 2020-02-12 2025-04-18 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102801220B1 (ko) 2020-03-17 2025-04-30 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널
KR102883705B1 (ko) 2020-05-15 2025-11-11 삼성전자주식회사 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR102840032B1 (ko) 2020-05-18 2025-07-28 삼성전자주식회사 발광 소자 기판 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR102866521B1 (ko) 2020-05-20 2025-09-30 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR102866519B1 (ko) 2020-05-21 2025-10-01 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 장치
KR102822349B1 (ko) 2020-05-22 2025-06-18 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20210144483A (ko) 2020-05-22 2021-11-30 삼성전자주식회사 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프
KR102871447B1 (ko) 2020-05-25 2025-10-14 삼성전자주식회사 발광 소자를 포함하는 광원 모듈
KR102929690B1 (ko) 2020-05-25 2026-02-20 삼성전자주식회사 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법
KR102858233B1 (ko) 2020-05-25 2025-09-09 삼성전자주식회사 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자
KR102858234B1 (ko) 2020-05-26 2025-09-09 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈
US11362487B2 (en) * 2020-05-27 2022-06-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Laser emitter including nanowires
KR102845462B1 (ko) 2020-06-23 2025-08-11 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR102870852B1 (ko) 2020-06-24 2025-10-13 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102921315B1 (ko) 2020-09-11 2026-02-04 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102849292B1 (ko) 2020-09-15 2025-08-22 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지
KR102918537B1 (ko) 2020-10-06 2026-01-26 삼성전자 주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102788883B1 (ko) 2020-10-29 2025-04-01 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 장치
KR102867340B1 (ko) 2020-10-30 2025-09-30 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 이를 이용한 디스플레이 장치
KR102514025B1 (ko) * 2020-11-06 2023-03-24 고려대학교 산학협력단 마이크로 발광소자 구조 및 마이크로 발광소자 전사 방법
KR20220065153A (ko) 2020-11-12 2022-05-20 삼성전자주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기
KR102883712B1 (ko) 2020-11-19 2025-11-11 삼성전자주식회사 Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법
KR20220070757A (ko) 2020-11-23 2022-05-31 삼성전자주식회사 Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220073301A (ko) 2020-11-26 2022-06-03 삼성전자주식회사 Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치
KR20220087298A (ko) 2020-12-17 2022-06-24 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20220094290A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 조명 장치
KR20220094291A (ko) 2020-12-28 2022-07-06 삼성전자주식회사 Led 모듈 및 조명 장치
KR20220095289A (ko) 2020-12-29 2022-07-07 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102873064B1 (ko) 2020-12-29 2025-10-16 삼성전자주식회사 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프
KR20220097816A (ko) 2020-12-31 2022-07-08 삼성전자주식회사 Led 조명 장치
KR20220102508A (ko) 2021-01-13 2022-07-20 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치
KR102883714B1 (ko) 2021-01-25 2025-11-11 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20220112908A (ko) 2021-02-04 2022-08-12 삼성전자주식회사 반도체 발광장치
KR20220112375A (ko) 2021-02-04 2022-08-11 삼성전자주식회사 플래시 led 모듈
JP7320794B2 (ja) 2021-03-15 2023-08-04 セイコーエプソン株式会社 発光装置、プロジェクター、およびディスプレイ
KR20220133634A (ko) 2021-03-25 2022-10-05 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20220136565A (ko) 2021-03-31 2022-10-11 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR20220151076A (ko) 2021-05-04 2022-11-14 삼성전자주식회사 발광장치 및 식물생장용 조명장치
KR102897591B1 (ko) 2021-05-06 2025-12-09 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
KR102845460B1 (ko) 2021-06-18 2025-08-11 삼성전자주식회사 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치
KR20230000009A (ko) 2021-06-23 2023-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 어레이
KR20230010139A (ko) 2021-07-09 2023-01-18 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지
KR20230009758A (ko) 2021-07-09 2023-01-17 삼성전자주식회사 표시 장치
KR102883717B1 (ko) 2021-08-03 2025-11-11 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR20230024121A (ko) 2021-08-11 2023-02-20 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
KR20230068198A (ko) 2021-11-10 2023-05-17 삼성전자주식회사 UV(Ultra violet) 광원 및 그 제조 방법
KR20230071628A (ko) 2021-11-16 2023-05-23 삼성전자주식회사 LED(Light Emitting Diode) 패키지
KR102882373B1 (ko) 2021-11-29 2025-11-06 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230094843A (ko) 2021-12-21 2023-06-28 삼성전자주식회사 광 센서 일체형 플래시 led 패키지
KR20230099316A (ko) 2021-12-27 2023-07-04 삼성전자주식회사 Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
KR20230102696A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 삼성전자주식회사 멀티 서비스를 지원하는 서버, 그것을 갖는 무선 통신 시스템 및 그것의 동작 방법
KR20230120921A (ko) 2022-02-10 2023-08-17 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자, 및 그 발광 소자를 포함한 발광 소자 어셈블리
KR20230134363A (ko) 2022-03-14 2023-09-21 삼성전자주식회사 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템
KR20240000286A (ko) 2022-06-23 2024-01-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
FR3137498B1 (fr) * 2022-06-30 2025-03-28 Aledia Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication d’un tel dispositif
US12027107B2 (en) 2022-07-15 2024-07-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus
US12527127B2 (en) 2022-07-15 2026-01-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Nitride semiconductor light emitting device
KR20240031788A (ko) 2022-09-01 2024-03-08 삼성전자주식회사 디스플레이용 발광 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR20240112600A (ko) 2023-01-12 2024-07-19 삼성전자주식회사 Led 제어 장치, 그것을 포함하는 조명 장치. 및 그것의 동작 방법
US12322338B2 (en) 2023-03-24 2025-06-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel and display device
KR20250001329A (ko) 2023-06-28 2025-01-06 삼성전자주식회사 디스플레이 구동 회로 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20250007305A (ko) 2023-07-05 2025-01-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129974A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
US5981977A (en) * 1997-07-04 1999-11-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
JP2001085738A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sony Corp 自発光素子およびその製造方法、照明装置、並びに２次元表示装置
JP2001217503A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP2002313742A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp 窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63188938A (ja) 1987-01-31 1988-08-04 Toyoda Gosei Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法
US5385866A (en) 1994-06-22 1995-01-31 International Business Machines Corporation Polish planarizing using oxidized boron nitride as a polish stop
EP0852416B1 (en) * 1995-09-18 2002-07-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor material, method of producing the semiconductor material, and semiconductor device
JP3139445B2 (ja) 1997-03-13 2001-02-26 日本電気株式会社 ＧａＮ系半導体の成長方法およびＧａＮ系半導体膜
JP3863962B2 (ja) 1997-03-25 2006-12-27 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法
JP3876518B2 (ja) 1998-03-05 2007-01-31 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
JP4083866B2 (ja) 1998-04-28 2008-04-30 シャープ株式会社 半導体レーザ素子
US6319742B1 (en) * 1998-07-29 2001-11-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of forming nitride based semiconductor layer
JP3316479B2 (ja) * 1998-07-29 2002-08-19 三洋電機株式会社 半導体素子、半導体発光素子および半導体素子の製造方法
JP2000068593A (ja) 1998-08-25 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP3201475B2 (ja) * 1998-09-14 2001-08-20 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3796060B2 (ja) 1998-12-15 2006-07-12 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2000223417A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Sony Corp 半導体の成長方法、半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
JP4465745B2 (ja) * 1999-07-23 2010-05-19 ソニー株式会社 半導体積層基板，半導体結晶基板および半導体素子ならびにそれらの製造方法
US6821805B1 (en) * 1999-10-06 2004-11-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, semiconductor substrate, and manufacture method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09129974A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Hitachi Ltd 半導体レーザ素子
US5981977A (en) * 1997-07-04 1999-11-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method
JP2001085738A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Sony Corp 自発光素子およびその製造方法、照明装置、並びに２次元表示装置
JP2001217503A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd ＧａＮ系半導体発光素子およびその製造方法
JP2002313742A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Sony Corp 窒化物半導体の気相成長方法及び窒化物半導体素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004023569A1 (ja) * 2002-09-06 2004-03-18 Sony Corporation 半導体発光素子およびその製造方法、集積型半導体発光装置およびその製造方法、画像表示装置およびその製造方法ならびに照明装置およびその製造方法
US7205168B2 (en) 2002-09-06 2007-04-17 Sony Corporation Semiconductor light emitting device, its manufacturing method, integrated semiconductor light emitting apparatus, its manufacturing method, illuminating apparatus, and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
EP1420463A1 (en) 2004-05-19
CN1476642A (zh) 2004-02-18
KR20040029301A (ko) 2004-04-06
TW560119B (en) 2003-11-01
US20040048409A1 (en) 2004-03-11
CN1241272C (zh) 2006-02-08
EP1420463A4 (en) 2008-11-26
US6818465B2 (en) 2004-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003019678A1 (en) Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element
US8227322B2 (en) Methods of growing nitride-based film using varying pulses
WO2004042432A3 (en) Photovoltaic devices fabricated by growth from porous template
EP0797258A3 (en) Method for making thin film semiconductor, solar cell, and light emitting diode
WO2002031890A3 (en) OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC DEVICES INCLUDING CUBIC ZnMgO AND/OR CdMgO ALLOYS AND METHODS OF FABRICATING SAME
BRPI0506541A (pt) célula solar com material de ponto quántico epitaxialmente crescido
ATE412253T1 (de) Halbleiterbauelement auf basis einer nitridverbindung der gruppe iii mit multiquantentopf
EP1760767A3 (en) Method of producing a nitride semiconductor device and nitride semiconductor device
EP1351284A3 (en) SiGe heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same
CA2412999A1 (en) Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same, and nitride semiconductor device using nitride semiconductor substrate
ATE458268T1 (de) Einstufige pendeo- oder laterale epitaxie von gruppe iii-nitridschichten
WO2006110163A3 (en) Epitaxial growth of aligned algainn nanowires by metal-organic chemical vapor deposition
DE602004029486D1 (de) Grossfläches gan-substrat mit einheitlich geringer versetzungsdichte und herstellungsverfahren dafür
CA2205918A1 (en) Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures
EP1492158A3 (en) GaN substrate and method of fabricating the same, nitride semiconductor device and method of fabricating the same
WO2004105097A3 (en) Fabrication of p-type group ii-vi semiconductors
EP1521310A3 (en) Nitride semiconductor substrate and method of producing same
WO2004105108A3 (en) Manufacturing gallium nitride substrates by lateral overgrowth through masks and devices fabricated thereof
ATE386340T1 (de) Halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung einer quantentopfstruktur und halbleiterbauelement eine solche quantentopfstruktur beinhaltend
JP2000082671A5 (ja)
TW200603445A (en) Gallium nitride-based semiconductor stacked structure, production method thereof, and compound semiconductor and light-emitting device each using the stacked structure
KR910003781A (ko) 선택적으로 도핑된 헤테로 구조를 갖는 반도체 장치
Lee et al. A study on the conduction path in undoped polycrystalline diamond films
Kawasaki et al. Formation of GaN nanopillars by selective area growth using ammonia gas source molecular beam epitaxy
WO2005047574A3 (de) Heteroepitaxieschicht und verfahren zu ihrer herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DK EE ES FI FR GB GR IE IT LU MC PT SE SK TR BF BJ CF CG CI GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020037005557

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002762818

Country of ref document: EP

Ref document number: 10415010

Country of ref document: US

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 02803189X

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020037005557

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2002762818

Country of ref document: EP