WO2003067657A3 - Halbleiterbauteil mit sensor- bzw. aktoroberfläche und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Halbleiterbauteil mit sensor- bzw. aktoroberfläche und verfahren zu seiner herstellung Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein elektronisches Halbleiterbauteil mit einem Halbleiterchip (4), der eine aktive Chipfläche (47) aufweist, die von einem erhabenen Metallrahmen (45) eingefasst ist. Ein Kunststoffgehäuse (10) weist eine Aussparung (63; 102) für die aktive Chipfläche (47) innerhalb des Metallrahmens (45) auf und lässt diese frei. Die Erfindung betrifft zudem ein Verfahren zur Herstellung des elektronischen Halbleiterbauteils.
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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002507234A (ja) * 1997-06-27 2002-03-05 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 非水性の漂白剤含有洗剤組成物
DE10327694A1 (de) * 2003-06-20 2005-01-05 Robert Bosch Gmbh Optische Sensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren
DE102004003880B3 (de) * 2004-01-26 2005-07-21 Ingo Maurer Gmbh Fassadenverkleidung
DE102004041595A1 (de) 2004-04-30 2005-12-01 Markus Gruber Messzelle sowie Verfahren zum Herstellen einer Messzelle und Messvorrichtung zur Aufnahme einer derartigen Messzelle
DE102004027094A1 (de) * 2004-06-02 2005-12-29 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit einem Halbleiter-Sensorchip und einem Kunststoffgehäuse sowie Verfahren zu dessen Herstellung
TWI251886B (en) * 2004-11-03 2006-03-21 Advanced Semiconductor Eng Sensor chip for defining molding exposed region and method for manufacturing the same
DE102005025754B4 (de) 2005-06-02 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Halbleitersensorbauteil mit einem Sensorchip und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen
DE102005034011B4 (de) 2005-07-18 2009-05-20 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil für Hochfrequenzen über 10 GHz und Verfahren zur Herstellung desselben
DE102005048396A1 (de) * 2005-10-10 2007-04-19 Siemens Ag Sensorbaugruppe
TWI289916B (en) * 2006-03-24 2007-11-11 Advanced Semiconductor Eng Chip package and package process thereof
DE102006038302A1 (de) * 2006-08-16 2008-02-21 Atmel Germany Gmbh Sensoreinheit und optischer Aufnehmer für eine Abtasteinrichtung
US7445959B2 (en) * 2006-08-25 2008-11-04 Infineon Technologies Ag Sensor module and method of manufacturing same
ITMI20070099A1 (it) * 2007-01-24 2008-07-25 St Microelectronics Srl Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati
DE102007005630B4 (de) * 2007-02-05 2019-08-08 Infineon Technologies Ag Sensorchip-Modul und Verfahren zur Herstellung eines Sensorchip-Moduls
US7696013B2 (en) * 2007-04-19 2010-04-13 Eastman Kodak Company Connecting microsized devices using ablative films
US8559139B2 (en) 2007-12-14 2013-10-15 Intel Mobile Communications GmbH Sensor module and method for manufacturing a sensor module
US8080993B2 (en) * 2008-03-27 2011-12-20 Infineon Technologies Ag Sensor module with mold encapsulation for applying a bias magnetic field
DE112009000050A5 (de) * 2008-04-03 2011-05-05 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Bauelementanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Bauelementanordnung
DE102009000058A1 (de) 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung und Verfahren zur Herstellung einer Sensoranordnung
US8287094B2 (en) 2009-07-27 2012-10-16 Zamtec Limited Printhead integrated circuit configured for backside electrical connection
US8101438B2 (en) * 2009-07-27 2012-01-24 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating printhead integrated circuit with backside electrical connections
US8323993B2 (en) * 2009-07-27 2012-12-04 Zamtec Limited Method of fabricating inkjet printhead assembly having backside electrical connections
DE102009055718A1 (de) * 2009-11-26 2011-06-01 Continental Automotive Gmbh Sensormodul, Herstellungsverfahren eines Sensormoduls sowie Spritzgießwerkzeug zum Umgießen eines Sensormoduls
DE102009060002A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 Micro-Epsilon Messtechnik GmbH & Co. KG, 94496 Sensor
US8574960B2 (en) * 2010-02-03 2013-11-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming cavity adjacent to sensitive region of semiconductor die using wafer-level underfill material
US9324586B2 (en) 2011-08-17 2016-04-26 Infineon Technologies Ag Chip-packaging module for a chip and a method for forming a chip-packaging module
DE102012102021A1 (de) * 2012-03-09 2013-09-12 Epcos Ag Mikromechanisches Messelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Messelements
DE102014008839B4 (de) 2014-06-20 2021-09-30 Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh Dehnungskompensierendes Verbindungselement für ein Mikroelektroniksystem
DE102014008838B4 (de) 2014-06-20 2021-09-30 Kunststoff-Zentrum In Leipzig Gemeinnützige Gmbh Spannungsreduzierendes flexibles Verbindungselement für ein Mikroelektroniksystem
DE102016106122B4 (de) * 2016-04-04 2019-09-05 Infineon Technologies Ag Wandlerpackage mit integrierter Dichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102016124270A1 (de) * 2016-12-13 2018-06-14 Infineon Technologies Ag Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
EP3456682B1 (de) * 2017-09-15 2023-09-13 TE Connectivity Solutions GmbH Sensorsystem, sensoranordnung und montageverfahren mittels lötmittel zum abdichten
DE102018208916A1 (de) * 2018-06-06 2019-12-12 Kardion Gmbh Sensorikeinheit für ein Implantationssystem zur medizinischen Unterstützung eines Patienten und Verfahren zum Herstellen einer Sensorikeinheit
US20220270960A1 (en) * 2021-02-23 2022-08-25 Texas Instruments Incorporated Open-Cavity Package for Chip Sensor
US12319563B2 (en) 2021-06-11 2025-06-03 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with metal column mold barrier
US20220415762A1 (en) * 2021-06-27 2022-12-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor package with drilled mold cavity
US20230129699A1 (en) * 2021-10-22 2023-04-27 Texas Instruments Incorporated Ic package with interface region
US20230183880A1 (en) * 2021-12-15 2023-06-15 Texas Instruments Incorporated Fluid sensor package
DE102022213484A1 (de) 2022-12-12 2024-06-13 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Integrierter Schaltkreis für eine Leiterplatte und Kontaktsystem

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894707A (en) * 1987-02-12 1990-01-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a light transparent window and a method of producing same
EP0789334A2 (de) * 1996-01-26 1997-08-13 Harris Corporation Integrierte Schaltungsanordnung mit einer den integrierten Schaltbaustein offenlegenden Öffnung und entsprechende Verfahren
DE19826426A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-30 Elbau Elektronik Bauelemente G Verfahren zur Herstellung von miniaturisierten Aktuatorsystemen, Sensorelementen und/oder Sensorsystemen sowie dadurch hergestelltes System
EP1041628A2 (de) * 1999-03-29 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw BGA-Bildsensor-Verpackung und deren Herstellungsmethode
EP1246235A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-02 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Verfahren zum Einkapseln eines Chips mit empfindlicher Oberfläche
JP2002340849A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体イオンセンサ及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19626082C2 (de) * 1996-06-28 2000-10-26 Siemens Ag Bauelementgehäuse für eine Oberflächenmontage eines Halbleiter-Bauelementes
FR2767389B1 (fr) * 1997-08-18 1999-10-29 St Microelectronics Sa Dispositif semi-conducteur a moyen optoelectronique d'echanges a distance de signaux
US6015239A (en) * 1998-04-20 2000-01-18 Cielo Communications, Inc. Passively aligned opto-electronic coupling assembly
DE19854396C2 (de) * 1998-11-25 2002-02-07 Freudenberg Carl Kg Sensormodul
US6229190B1 (en) * 1998-12-18 2001-05-08 Maxim Integrated Products, Inc. Compensated semiconductor pressure sensor
US6227724B1 (en) * 1999-01-11 2001-05-08 Lightlogic, Inc. Method for constructing an optoelectronic assembly
US6255728B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-03 Maxim Integrated Products, Inc. Rigid encapsulation package for semiconductor devices
JP2000214034A (ja) * 1999-01-28 2000-08-04 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP2000249611A (ja) * 1999-02-26 2000-09-14 Matsushita Electric Works Ltd 半導体圧力センサ
JP3562390B2 (ja) * 1999-06-25 2004-09-08 松下電工株式会社 半導体圧力センサ及びその製造方法
JP2001033666A (ja) * 1999-07-15 2001-02-09 Canon Inc 一体型光モジュール、一体型光モジュールユニットおよび光通信システム
JP3502305B2 (ja) * 1999-08-13 2004-03-02 Nec化合物デバイス株式会社 光半導体装置
JP2001083370A (ja) * 1999-09-13 2001-03-30 Mitsubishi Electric Corp 表面実装型光デバイス
JP2001227902A (ja) 2000-02-16 2001-08-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6784409B2 (en) 2000-03-28 2004-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Electronic device with encapsulant of photo-set resin and production process of same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4894707A (en) * 1987-02-12 1990-01-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device having a light transparent window and a method of producing same
EP0789334A2 (de) * 1996-01-26 1997-08-13 Harris Corporation Integrierte Schaltungsanordnung mit einer den integrierten Schaltbaustein offenlegenden Öffnung und entsprechende Verfahren
DE19826426A1 (de) * 1998-06-16 1999-12-30 Elbau Elektronik Bauelemente G Verfahren zur Herstellung von miniaturisierten Aktuatorsystemen, Sensorelementen und/oder Sensorsystemen sowie dadurch hergestelltes System
EP1041628A2 (de) * 1999-03-29 2000-10-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw BGA-Bildsensor-Verpackung und deren Herstellungsmethode
EP1246235A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-02 European Semiconductor Assembly (Eurasem) B.V. Verfahren zum Einkapseln eines Chips mit empfindlicher Oberfläche
JP2002340849A (ja) * 2001-05-15 2002-11-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体イオンセンサ及びその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2003, no. 03 5 May 2003 (2003-05-05) *

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Publication number Publication date
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