WO2010143544A1 - 気相成長装置 - Google Patents

気相成長装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010143544A1
WO2010143544A1 PCT/JP2010/059114 JP2010059114W WO2010143544A1 WO 2010143544 A1 WO2010143544 A1 WO 2010143544A1 JP 2010059114 W JP2010059114 W JP 2010059114W WO 2010143544 A1 WO2010143544 A1 WO 2010143544A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
chamber
arm
suction nozzle
vapor phase
phase growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/059114
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正明 児玉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of WO2010143544A1 publication Critical patent/WO2010143544A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7618—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating carrousel
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H10P72/7621—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting two or more semiconductor substrates

Definitions

  • the present invention relates to a vapor phase growth apparatus including a chamber composed of a main body and a lid.
  • Patent Document 1 A vapor phase growth apparatus of a type that employs such a cleaning method is described in Patent Document 1, for example.
  • the vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1 includes a dispersion head, and is configured to continuously feed a substrate, which is a film formation target, into the apparatus using a transport belt or the like. When the substrate passes under the dispersion head, a raw material gas is blown to form a thin film.
  • an in-process dust removing mechanism is configured by connecting a vacuum cleaner and an exhaust pipe of a dispersion head with a branch pipe with a control valve. With this configuration, dust adhering to the dispersion head during non-film formation is removed by suction.
  • Patent Document 2 discloses a magnetic disk cleaning device.
  • Japanese public utility model publication Japanese Utility Model Publication No. 63-9214 (published January 21, 1988)
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2-42696 (published on February 13, 1990)”
  • Patent Document 1 has a problem that it cannot be applied as a reaction furnace to a vapor phase growth apparatus including a chamber composed of a main body and a lid.
  • the type of the vapor phase growth apparatus described in Patent Document 1 is mainly intended to remove dust adhering to a dispersion head that is a raw material gas injection port. For this reason, the dispersion head and the vacuum cleaner are connected by a branch pipe to form an integral structure.
  • a vapor phase growth apparatus (hereinafter referred to as a vapor phase growth apparatus with a lid) that includes a chamber composed of a main body and a lid and performs film formation in the chamber, a substrate and a substrate tray (film formation object)
  • a vapor phase growth apparatus with a lid that includes a chamber composed of a main body and a lid and performs film formation in the chamber, a substrate and a substrate tray (film formation object)
  • the following operations must be performed. That is, it is necessary to move the worker's hand or the hand of the automatic transfer robot into the chamber. And for this operation, the lid of the chamber is greatly raised.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and the object of the present invention is to mount a film-forming object without being affected by the vertical movement of the chamber lid accompanying opening and closing of the chamber in the vapor phase growth apparatus with lid.
  • a vapor phase growth apparatus capable of removing dust on a mounting table and performing maintenance of a removing means for removing dust on a deposition object mounting table without interrupting film forming work in a chamber. It is to provide.
  • a vapor phase growth apparatus includes a chamber composed of a main body and a lid, a film mounting table placed in the chamber, and the film mounting board.
  • a vapor phase growth apparatus provided with a removing means for removing dust on the mounting table, wherein the removing means is provided at an arm extending to the film mounting table and at one end of the arm
  • the removing means is provided at an arm extending to the film mounting table and at one end of the arm
  • the vapor phase growth apparatus of the present invention is a vapor phase growth apparatus with a lid provided with a chamber composed of a main body and a lid.
  • the removal means which removes the dust on a to-be-film-formed object mounting base has the arm extended to the said to-be-film-formed object mounting base, and the suction nozzle provided in one edge part of the said arm.
  • the suction nozzle has a first shaft portion extending in a first direction parallel to the central axis of the chamber outside the chamber, and the arm is rotated using the first shaft portion as a rotation axis.
  • a moving mechanism that moves the chamber from the outside to the inside of the chamber and from the outside to the inside, and is a separate unit from the chamber.
  • the present invention it is possible to remove dust on the deposition object mounting table without being affected by the vertical movement of the lid accompanying opening and closing of the chamber. Furthermore, since it is not necessary to interrupt the film forming operation performed in the chamber for the maintenance of the removing means, it is possible to prevent the apparatus operating rate from being lowered due to the maintenance.
  • FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of a vapor phase growth apparatus according to an embodiment of the present invention. It is a top view which shows schematic structure of the vapor phase growth apparatus of one Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a side view showing a schematic configuration of the vapor phase growth apparatus of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the vapor phase growth apparatus of the present embodiment.
  • the vapor phase growth apparatus of the present embodiment (hereinafter referred to as the present vapor phase growth apparatus) includes a chamber 1 as a reaction furnace, a cleaning means (removing means) 2 and a glove box 3. Inside the glove box 3, a chamber 1 and a cleaning means 2 are arranged. Moreover, the inside of the glove box 3 is kept airtight.
  • the chamber 1 is composed of a cylindrical chamber body 4 and a cylindrical chamber lid 6 that closes the chamber body 4.
  • the chamber lid 6 is raised or lowered by the vertical movement mechanism 5 so that the chamber 1 can be opened and closed freely.
  • the vapor phase growth apparatus includes a susceptor 10 accommodated in the chamber body 4 and a rotation mechanism 11 that rotates the susceptor 10.
  • the rotation mechanism 11 rotates the susceptor 10 about the central axis O of the chamber 1 as a rotation axis.
  • a plurality of substrate tray mounting tables (film formation substrate mounting tables) 9 are provided on the surface of the susceptor 10 facing the chamber lid 6. As shown in FIG. 2, the substrate tray mounting table 9 is arranged so as to avoid the central axis O in a plan view, and is rotated together with the susceptor 10 by the rotation mechanism 11.
  • a substrate (film formation target) 7 that is a film formation target of the vapor phase growth apparatus is formed inside the chamber 1 while being placed on a substrate tray 8. Therefore, in order to perform the film forming process on the substrate 7 using this vapor phase growth apparatus, first, the chamber lid 6 is raised by the vertical movement mechanism 5 to open the chamber body 4. Then, after placing the substrate 7 and the substrate tray 8 on the substrate tray mounting table 9, the chamber lid 6 is lowered by the vertical movement mechanism 5 to close the chamber body 4.
  • the inside of the chamber 1 is completely blocked from the outside.
  • the inside of the chamber 1 becomes a high temperature environment by a heater (not shown).
  • a thin film is formed on the substrate 7 by injecting a raw material gas onto the substrate 7 in this high temperature environment.
  • the substrate 7 and the substrate tray 8 are mounted on the substrate tray mounting table 9 and rotated around the central axis O by the rotation mechanism 11.
  • the chamber lid 6 is raised by the vertical movement mechanism 5 and the chamber body 4 is opened. Then, the substrate 7 together with the substrate tray 8 is collected outside the chamber 1 by an automatic transfer robot (not shown) and replaced with a new one.
  • the cleaning means 2 removes dust on the substrate tray mounting table 9 in parallel with the operation of the automatic transfer robot collecting and replacing the substrate 7 and the substrate tray 8.
  • the cleaning means 2 can suck and remove dust on the substrate tray mounting table 9 by using the replacement time of the substrate 7 and the substrate tray 8, it affects the production tact of the substrate 7.
  • the cleaning unit 2 removes dust on the substrate tray mounting table 9 by a mechanism different from the vertical movement mechanism 5 that controls the opening and closing of the chamber 1. Therefore, in this vapor phase growth apparatus, dust on the substrate tray mounting table 9 can be removed without being affected by the vertical movement of the chamber lid 6 that accompanies opening and closing of the chamber 1.
  • it is not necessary to interrupt the film forming operation performed in the chamber 1 for the maintenance of the cleaning means 2 it is possible to prevent a reduction in the apparatus operating rate due to the maintenance.
  • the configuration of the cleaning means 2 will be described in detail.
  • the cleaning means 2 includes a suction nozzle 21 for removing dust on the substrate tray mounting table 9, an arm 22 having the suction nozzle 21 connected to one end, and suction through the arm 22.
  • the nozzle 21 is provided with a moving mechanism 23 that moves the inside of the chamber 1 to the outside and from the outside to the inside (reciprocates between the outside and the inside of the chamber 1).
  • the moving mechanism 23 is provided outside the chamber 1, and moves the suction nozzle 21 by a mechanism independent of the vertical movement mechanism 5.
  • the suction nozzle 21 is moved directly above the substrate tray mounting table 9 inside the chamber 1 by the moving mechanism 23.
  • the suction nozzle 21 is arranged in a non-contact manner with respect to the substrate tray mounting table 9 with respect to the substrate tray mounting table 9.
  • a piping tube 24 for discharging the sucked dust to the outside of the glove box 3 is connected to the suction nozzle 21.
  • the piping tube 24 is connected to a dust filter and a vacuum pump (not shown).
  • the arm 22 has a suction nozzle 21 connected to one end and a moving mechanism 23 connected to the other end.
  • the direction (longitudinal direction) in which the axis of the arm 22 extends is the x-axis direction.
  • the height direction of the chamber 1 is defined as the z-axis direction (first direction).
  • a direction perpendicular to both the x-axis and the z-axis is defined as a y-axis direction (second direction).
  • the z-axis direction can be said to be the normal direction of the substrate 7 as the deposition target or the direction of the central axis O.
  • the moving mechanism 23 moves the suction nozzle 21 by causing the arm 22 to perform two rotational operations, ie, a y-axis rotation and a z-axis rotation.
  • the moving mechanism 23 will be described in detail.
  • the moving mechanism 23 includes a first rotation shaft shaft portion (first shaft portion) 25 extending in the z-axis direction and a second rotation shaft extending in the y-axis direction.
  • a shaft portion (second shaft portion) 26 and a cam mechanism 27 are provided.
  • the first rotating shaft shaft portion 25 is connected to the end portion of the arm 22 opposite to the suction nozzle 21.
  • the arm 22 can rotate in the z-axis with the first rotation shaft shaft portion 25 as the rotation axis, and can be rotated in the y-axis with the second rotation shaft shaft portion 26 as the rotation axis. Then, when the arm 22 rotates in the z-axis, the suction nozzle 21 moves. Further, as the arm 22 rotates in the y-axis, the suction nozzle 21 moves up and down in the z-axis direction.
  • an operation of moving the suction nozzle 21 by the z-axis rotation of the arm 22 is referred to as an operation A
  • an operation of moving the suction nozzle 21 up and down in the z-axis direction by the y-axis rotation of the arm 22 is referred to as an operation B.
  • the operation A and the operation B performed by the moving mechanism 23 will be described in detail below.
  • the first rotating shaft portion 25 includes a shaft body (first shaft body) 25a, a stepping motor (power source) 25b, and a magnetic fluid seal 25c.
  • the stepping motor 25b is installed outside the glove box 3, and is a power source that rotates the shaft body 25a in the z axis.
  • the shaft body 25a connected to the arm 22 is supported by a magnetic fluid seal 25c.
  • the magnetic fluid seal 25c transmits only the rotational force to the shaft body 25a while maintaining airtightness with the shaft body 25a.
  • the moving mechanism 23 rotates the shaft body 25a by the z-axis using the stepping motor 25b as a power source. Then, the operation A is performed by rotating the arm 22 in the z-axis by the rotation of the shaft body 25a.
  • the second rotating shaft shaft portion 26 includes a shaft main body (second shaft main body) 26a and two bearings 26b as bearings of the shaft main body 26a.
  • the shaft body 26 a is integrally formed at the end of the arm 22 on the side opposite to the suction nozzle 21. Further, the two bearings 26b are fixed to the upper portion (the end portion on the arm 22 side) of the first rotating shaft shaft portion 25 in the z-axis direction.
  • the connecting portion between the first rotary shaft 25 and the arm 22 is configured by inserting the shaft body 26a into the two bearings 26a.
  • the cam mechanism 27 is a mechanism that determines the displacement of the suction nozzle 21 in the z-axis direction when the arm 22 rotates in the z-axis.
  • the cam mechanism 27 includes a cam follower 27a and a cam portion having a cam surface 27b that contacts the cam follower 27a. I have.
  • the cam follower 27a is provided on the lower surface of the arm 22 and is displaced in accordance with the z-axis rotation of the arm 22 described above. As shown in FIG. 2, the cam portion having the cam surface 27b is installed on a track drawn by the displacement of the cam follower 27a. As a result, the cam follower 27a always contacts the cam surface 27b and rotates while the arm 22 rotates in the z-axis direction.
  • the cam surface 27b includes an inclined surface inclined with respect to the xy plane and a flat surface parallel to the xy plane. Therefore, when the arm 22 rotates in the z-axis, the cam follower 27a continuously rotates and moves on the flat surface and the inclined surface of the cam surface 27b. The arm 22 rotates in the y axis in accordance with the rotational movement of the cam follower 27a. Then, by the y-axis rotation of the arm 22, an operation B in which the suction nozzle 21 moves up and down in the z-axis direction is performed.
  • the operation B by the moving mechanism 23 is an operation of moving the suction nozzle 21 up and down to displace the bottom surface 21 a of the suction nozzle 21 to a position higher than the top surface 4 a of the chamber body 4.
  • the suction nozzle 21 moves from the inside of the chamber 1 to the outside or from the outside to the inside by the operation B (that is, movement by the operation A)
  • the accommodation space of the susceptor 10 is accommodated. Over the stepped portion (upper surface 4a) forming the.
  • the vertical displacement of the suction nozzle 21 in the z-axis direction is determined by the positions of the inclined surface and the flat surface of the cam surface 27b. That is, when the cam follower 27a rotates on the flat surface when the arm 22 rotates in the z-axis, the suction nozzle 21 does not move up and down and there is no displacement in the z-axis direction. On the other hand, when the cam follower 27a rotates and moves, for example, a raised surface raised from the flat surface as an inclined surface, the suction nozzle 21 is displaced upward (in the chamber lid 6 side) in the z-axis direction.
  • the distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 is the distance between the cam follower 27a and the cam surface 27b. It is not determined by relationships.
  • a stopper 28 is fixed vertically (z-axis direction) downward at the end of the arm 22 on the suction nozzle 21 side. The distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 is always constant because the stopper 28 finally comes into contact with the upper surface 4a of the chamber body 4 when the suction nozzle 21 moves onto the substrate tray mounting table 9. Kept.
  • the chamber 1 provided in the vapor phase growth apparatus includes a seal part for bringing the chamber body 4 and the chamber lid 6 into close contact, a substrate rotating part for supplying reaction gas to all the substrates 7 with equal distribution, a seal part, It is comprised from fixed parts other than a board
  • the substrate rotating unit includes a substrate tray mounting table 9 and a susceptor 10.
  • the fixed portion includes a step portion (upper surface 4 a) that forms a housing space for the susceptor 10.
  • the reaction gas flow hits the fixed part. For this reason, a structure that is not directly related to film formation cannot be arranged in the fixed portion of the chamber 1.
  • the substrate tray mounting table 9 to be cleaned rotates around the central axis O as a rotation axis. For this reason, when the size of the chamber 1 is large and the arm 22 is designed to be long, the arm 22 may resonate and vibrate due to the suction force generated at the end of the arm 22 (end on the suction nozzle 21 side). .
  • the stopper 28 extending vertically downward is provided in the vicinity of the suction nozzle 21 in the arm 22. Therefore, when the stopper 28 comes into contact with the upper surface 4a, the installation point of the stopper 28 in the arm 22 becomes a fulcrum, and the rotational moment of the arm 22 due to the suction force can be reduced. As a result, the resonance vibration of the arm 22 can be suppressed.
  • the distance between the substrate tray mounting table 9 and the suction nozzle 21 can be kept constant without being affected by the deflection of the arm 22 due to the weight of the suction nozzle 21 and the arm 22 or the suction force.
  • the substrate 7 and the substrate tray 8 mounted on the substrate tray mounting table 9 are transported and collected out of the chamber 1 (transported or recovered) by an automatic transport robot (not shown). Then, immediately after the last substrate 7 and substrate tray 8 are transported and collected out of the chamber 1, the stepping motor 25b is operated. As a result, the arm 22 is rotated in the z-axis direction, and the suction nozzle 21 is moved up and down to get over the upper surface 4a of the chamber body 4. Then, when the suction nozzle 21 is moved onto the substrate tray mounting table 9, the operation of the stepping motor 25b is stopped.
  • a vacuum pump (not shown) is operated while the suction nozzle 21 is stationary, and dust removal on the substrate tray mounting table 9 is started.
  • the substrate tray mounting table 9 is rotated around the central axis O of the chamber 1 at a constant angular velocity by the rotating mechanism 11 together with the susceptor 10.
  • the width of the suction nozzle 21 is preferably equal to or larger than the width of the substrate tray mounting table 9.
  • suction by a vacuum pump (not shown) is finished. Then, the stepping motor 25b is operated to rotate the arm 22 in the z axis. When the arm 22 moves to the outside of the chamber 1, the stepping motor 25b is stopped.
  • the cleaning means 2 is operated so that the above-described series of operations are completed before an automatic transfer robot (not shown) installs the new substrate 7 and the substrate tray 8 on the substrate tray mounting table 9.
  • the present invention can also be expressed as follows.
  • a chamber composed of a main body and a lid; a deposition object placing table; a mechanism for rotating the deposition object placing table around a central axis of the chamber; and the film deposition object placing table on the deposition object placing table.
  • the dust removing means includes an arm having a rotating shaft outside the chamber, and is not in contact with the deposition object mounting table at the end of the arm.
  • a vapor phase growth apparatus having a suction nozzle and capable of moving the suction nozzle from the inside to the outside and from the outside to the inside by the rotation of the arm.
  • the removing unit includes an arm extending to the film mounting table, a suction nozzle provided at one end of the arm, and the central axis.
  • a first shaft portion extending in a parallel first direction is provided outside the chamber, and the arm is rotated about the first shaft portion as a rotation axis, whereby the suction nozzle is moved from the outside of the chamber. It is the structure provided with the moving mechanism to which it moves to the inside and the inside from the exterior.
  • the vapor deposition apparatus includes a rotation mechanism that rotates the deposition object mounting table with the central axis of the chamber as a rotation axis.
  • the removing means sequentially removes dust from the rotating film mounting table. become. Therefore, according to the above configuration, it is possible to more efficiently remove dust on the film formation object mounting table.
  • the width of the suction nozzle is preferably equal to or larger than the width of the film mounting table in the longitudinal direction of the arm.
  • the moving mechanism includes a second shaft portion extending in the first direction and a second direction perpendicular to the longitudinal direction of the arm, and the first shaft portion. And a cam mechanism for moving the suction nozzle up and down in the first direction when the arm rotates about the rotation axis.
  • the moving mechanism includes the second shaft portion extending in the first direction and the second direction perpendicular to the longitudinal direction of the arm.
  • the arm can be rotated with the shaft portion as the rotation axis.
  • the suction nozzle provided at one end of the arm can be moved in the first direction perpendicular to the second shaft portion.
  • the moving mechanism further includes a cam mechanism that moves the suction nozzle up and down in the first direction when the arm rotates with the first shaft portion as a rotation axis. The cam mechanism determines the movement of the suction nozzle in the first direction.
  • step-difference part erected in the 1st direction (the direction of the said central axis) between the 1st axial part and the to-be-film-formed object mounting stand so that it may become higher than a to-be-film-formed object mounting base.
  • the moving mechanism moves the suction nozzle up and down in the first direction, climbs over the stepped portion, and appropriately moves on the deposition object mounting table.
  • the suction nozzle can be moved to a position.
  • the second shaft portion includes a second shaft body provided at a connection portion between the first shaft portion and the arm, and a bearing of the second shaft body.
  • the center of the arm rotation with the second shaft portion as the rotation axis and the center of the arm rotation with the first shaft portion as the rotation axis are both connected to the first shaft portion and the arm. This makes it possible to rotate the arm more efficiently.
  • the arm includes a stopper extending vertically downward in the first direction.
  • the arm since the arm includes a stopper extending vertically downward in the first direction, when the suction nozzle moves to the deposition object mounting table, the stopper is the above-mentioned of the chamber. It will contact the upper surface of the main body. That is, according to said structure, the said stopper extended perpendicularly downward plays the role which maintains the distance of the to-be-film-formed object mounting base and suction nozzle. Therefore, according to the above-described configuration, the distance between the deposition object mounting table and the suction nozzle is always kept constant regardless of the weight of the arm and the suction nozzle and the deflection of the arm due to the suction force of the suction nozzle. And dust removal can be performed efficiently.
  • the first shaft portion includes a first shaft body connected to an end portion of the arm opposite to the suction nozzle, and a power source for rotating the first shaft body. It is preferable to have provided. Thereby, an arm can be rotated efficiently.
  • the vapor phase growth apparatus of the present invention can remove dust on the deposition object mounting table without being affected by the vertical movement of the lid accompanying opening and closing of the chamber. Can be used in the field of semiconductor substrate manufacturing that requires
  • Chamber 2 Cleaning means (removal means) 3 Glove box 4 Chamber body 5 Vertical movement mechanism 6 Chamber lid 7 Substrate (film formation) 8 Substrate tray 9 Substrate tray mounting table (film deposition table) 10 Susceptor 11 Rotating Mechanism 21 Suction Nozzle 22 Arm 23 Moving Mechanism 24 Piping Tube 25 First Rotating Shaft Shaft (First Shaft) 25a Shaft body (first shaft body) 25b Stepping motor (power source) 25c Magnetic fluid seal 26 Second shaft shaft portion (second shaft portion) 26a Shaft body (second shaft body) 26b Bearing 27 Cam mechanism 27a Cam follower 27b Cam surface 28 Stopper

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

　蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることがない、被成膜物載置台上の塵埃除去を実現することを目的として、本発明の気相成長装置は、チャンバー本体（４）とチャンバー蓋（６）とから構成されたチャンバー（１）と、チャンバー（１）内に配置された基板トレイ載置台（９）と、チャンバー（１）の中心軸（Ｏ）を回転軸として、基板トレイ載置台（９）を回転させる回転機構（１１）と、基板トレイ載置台（９）上の塵埃を除去する掃除手段（２）とを備え、掃除手段（２）は、基板トレイ載置台（９）へ延びたアーム（２２）と、アーム（２２）の一方の端部に設けられた吸引ノズル（２１）と、中心軸（Ｏ）と平行な第１の方向に延びた第１の回転軸シャフト部（２５）をチャンバー（１）外部に有し、第１の回転軸シャフト部（２５）を回転軸としてアーム（２２）を回転させることにより、吸引ノズル（２１）をチャンバー（１）の外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構（２３）とを備えている。

Description

気相成長装置
　本発明は、本体と蓋とから構成されたチャンバーを備えた気相成長装置に関する。
　気相成長装置内の塵埃を除去する掃除方法として、生産ロットの切り替え時の空き時間等を利用して、装置に付着した塵埃を除去する掃除方法がある。このような掃除方法を採用したタイプの気相成長装置は、例えば特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の気相成長装置は、デイスパーションヘッドを備え、被成膜対象である基板を搬送ベルトなどにより装置内へ連続送りする仕様になっている。そして、基板がデイスパーションヘッド下を通過したときに原料ガスを吹きつけて薄膜形成を行うようになっている。特許文献１に記載の気相成長装置は、掃除機とデイスパージョンヘッドの排気管とを、コントロールバルブ付きの分岐管で接続し、イン・プロセス方式のダスト除去機構を構成している。そして、この構成により、非成膜時にデイスパーションヘッドに付着した塵埃を吸引除去するようになっている。
　また、特許文献２には、磁気ディスククリーニング装置が開示されている。
日本国公開実用新案公報「実開昭６３－９２１４号公報（１９８８年　１月２１日公開）」 日本国公開特許公報「特開平２－４２６９６号公報（１９９０年　２月１３日公開）」
　しかしながら、上述の特許文献１に開示された従来技術は、反応炉として、本体と蓋とから構成されるチャンバーを備えた気相成長装置に適用することができないという問題がある。
　すなわち、特許文献１に記載の気相成長装置のタイプは、原料ガス噴射口であるデイスパーションヘッドに付着した塵埃除去を主目的としている。このため、デイスパーションヘッドと掃除機とが分岐管で接続され、一体構造になっている。
　一方、本体と蓋とから構成されるチャンバーを備え、該チャンバー内で成膜を行う気相成長装置（以下、蓋付気相成長装置と記す）では、基板および基板トレイ（被成膜物）を交換するときに、以下の動作を行う必要がある。すなわち、作業員の手または自動搬送ロボットのハンドを、チャンバー内部に入れる動作が必要になる。そして、この動作のために、チャンバーの蓋を大きく上昇させる。
　それゆえ、蓋付気相成長装置のチャンバー内における被成膜物載置台上の塵埃除去に、特許文献１に開示された技術を適用した場合、掃除機は、チャンバーの蓋とともに上昇する構成になる。このような構成では、チャンバー内の基板トレイ載置台上の塵埃を除去することができない。
　また、特許文献１に記載の気相成長装置は、上述のように、掃除機とチャンバーとが一体構造になっている。このため、掃除機をメンテナンスするに際し、チャンバーを分解しなければならず、装置稼働率が著しく低下する。
　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、蓋付気相成長装置においてチャンバーの開閉に伴うチャンバー蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することができるとともに、チャンバー内の成膜作業を中断させることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段のメンテナンスを行うことができる気相成長装置を提供することにある。
　本発明の気相成長装置は、上記の課題を解決するために、本体と蓋とから構成されたチャンバーと、上記チャンバー内に配置された被成膜物載置台と、上記被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段とを備えた気相成長装置であって、上記除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びたアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えたことを特徴としている。
　本発明の気相成長装置は、本体と蓋とから構成されたチャンバーを備えた蓋付気相成長装置である。上記の構成によれば、被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びたアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えた構成になっており、上記チャンバーと別ユニットになっている。
　したがって、上記の構成によれば、チャンバーの開閉に伴う上記蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。さらに、除去手段のメンテナンスに際し、このメンテナンス作業が成膜物の生産タクトに影響を与えることがない。すなわち、除去手段のメンテナンスのために、チャンバー内で行われる成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。
　本発明によれば、チャンバーの開閉に伴う蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。さらに、除去手段のメンテナンスのために、チャンバー内で行われる成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。
　本発明のさらに他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって充分判るであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明で明白になるであろう。
本発明の実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す側面図である。 本発明の実施の一形態の気相成長装置の概略構成を示す平面図である。
　以下、本発明の実施の一形態について、図１及び図２を参照して、詳細に説明する。図１は、本実施形態の気相成長装置の概略構成を示す側面図である。図２は、本実施形態の気相成長装置の概略構成を示す平面図である。
　本実施形態の気相成長装置（以下、本気相成長装置と記す）は、反応炉としてのチャンバー１と、掃除手段（除去手段）２と、グローブボックス３とを備えている。グローブボックス３の内部には、チャンバー１及び掃除手段２が配されている。また、グローブボックス３の内部は、気密性が保たれている。
　チャンバー１は、円筒形状のチャンバー本体４と、チャンバー本体４を閉塞する円筒形状のチャンバー蓋６とから構成されている。また、チャンバー蓋６は、上下動機構５によって上昇または下降され、チャンバー１の開閉が自在になっている。
　また、本気相成長装置は、チャンバー本体４の内部に収容されたサセプタ１０と、サセプタ１０を回転させる回転機構１１とを備えている。回転機構１１は、チャンバー１の中心軸Ｏを回転軸として、サセプタ１０を回転させている。また、サセプタ１０におけるチャンバー蓋６との対向面には、基板トレイ載置台（被成膜物載置台）９が複数設けられている。図２に示されるように、基板トレイ載置台９は、平面視において中心軸Ｏを避けて配置されており、回転機構１１によりサセプタ１０とともに回転するようになっている。
　本気相成長装置の成膜対象である基板（被成膜物）７は、基板トレイ８に載せられた状態で、チャンバー１内部で成膜される。それゆえ、本気相成長装置を用いて基板７に成膜処理を施すためには、まず、上下動機構５によりチャンバー蓋６を上昇させてチャンバー本体４を開放させる。そして、基板７及び基板トレイ８を基板トレイ載置台９に載置した後、上下動機構５によりチャンバー蓋６を下降させて、チャンバー本体４を閉塞する。
　基板７に成膜処理を施しているとき、チャンバー１内部は、外部と完全に遮断されている。成膜処理中、チャンバー１内部は、図示しないヒータにより、高温環境になる。そして、この高温環境下で、基板７に対し原料ガスを噴射することにより、基板７への薄膜形成が行われる。また、成膜処理中、基板７及び基板トレイ８は、基板トレイ載置台９に載置されており、回転機構１１により中心軸Ｏの回りを回転している。
　基板７に成膜処理を施さないとき（または基板７の成膜処理が完了したとき）、上下動機構５により、チャンバー蓋６を上昇させ、チャンバー本体４を開放する。そして、基板７は、基板トレイ８とともに、図示しない自動搬送ロボットにより、チャンバー１外部へ回収され、新しいものと交換される。
　掃除手段２は、上記自動搬送ロボットが基板７及び基板トレイ８を回収及び交換する動作と並行して、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する。このように、掃除手段２は、基板７及び基板トレイ８の交換時間を利用して、基板トレイ載置台９上の塵埃を吸引除去することができるので、基板７の生産タクトに影響を与えることがない。また、掃除手段２は、チャンバー１の開閉を制御する上下動機構５と別の機構で、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去する。そのため、本気相成長装置においては、チャンバー１の開閉に伴うチャンバー蓋６の上下動に影響されることなく基板トレイ載置台９上の塵埃を除去することが可能になる。また、掃除手段２のメンテナンスのために、チャンバー１内で行われている成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。以下、掃除手段２の構成について、詳述する。
　図１に示されるように、掃除手段２は、基板トレイ載置台９上の塵埃を除去するための吸引ノズル２１と、一端に吸引ノズル２１が連結されたアーム２２と、アーム２２を介して吸引ノズル２１を、チャンバー１の内部から外部へ、及び外部から内部へ移動させる（チャンバー１における外部と内部との間を往復させる）移動機構２３とを備えている。移動機構２３は、チャンバー１の外部に設けられており、かつ、上下動機構５と独立した機構で、吸引ノズル２１を移動するようになっている。
　吸引ノズル２１は、移動機構２３により、チャンバー１内部の基板トレイ載置台９の真上に移動される。そして、吸引ノズル２１は、基板トレイ載置台９に対し、基板トレイ載置台９に対し非接触に配置される。また、吸引ノズル２１には、吸引した塵埃をグローブボックス３外部へ排出するための配管チューブ２４が接続している。この配管チューブ２４は、図示していないダストフィルタおよび真空ポンプへと繋がれている。
　また、アーム２２は、一方の端部に吸引ノズル２１が接続され、他方の端部に移動機構２３が接続されている。以下、説明の便宜上、チャンバー１の中心軸Ｏの方向から見て（すなわち、図２において）、アーム２２の軸が延びる方向（長手方向）をｘ軸方向する。また、チャンバー１の高さ方向をｚ軸方向（第１の方向）とする。そして、ｘ軸及びｚ軸の両軸に対し垂直な方向をｙ軸方向（第２の方向）とする。なお、ｚ軸方向は、被成膜対象としての基板７の法線方向、あるいは中心軸Ｏの方向であるともいえる。
　移動機構２３は、アーム２２に、ｙ軸回転、及びｚ軸回転という２つの回転動作をさせることにより、吸引ノズル２１を移動させている。以下、移動機構２３について、さらに詳述する。
　図１及び図２に示されるように、移動機構２３は、ｚ軸方向に延びた第１の回転軸シャフト部（第１の軸部）２５と、ｙ軸方向に延びた第２の回転軸シャフト部（第２の軸部）２６と、カム機構２７とを備えている。第１の回転軸シャフト部２５は、アーム２２における吸引ノズル２１と反対側の端部に接続されている。
　アーム２２は、第１の回転軸シャフト部２５を回転軸としてｚ軸回転可能になっているとともに、第２の回転軸シャフト部２６を回転軸としてｙ軸回転可能になっている。そして、アーム２２がｚ軸回転することにより、吸引ノズル２１が移動する。また、アーム２２がｙ軸回転することにより、吸引ノズル２１がｚ軸方向において上下動する。以下、アーム２２のｚ軸回転により、吸引ノズル２１を移動させる動作を動作Ａとし、アーム２２のｙ軸回転により、吸引ノズル２１を、ｚ軸方向において上下動させる動作を動作Ｂとする。以下、移動機構２３による動作Ａ及び動作Ｂについて、以下に詳述する。
　まず、第１の回転軸シャフト部２５は、シャフト本体（第１の軸本体）２５ａと、ステッピングモータ（動力源）２５ｂと、磁性流体シール２５ｃとを備えている。ステッピングモータ２５ｂは、グローブボックス３の外部に設置されており、シャフト本体２５ａをｚ軸回転させる動力源である。また、アーム２２に接続しているシャフト本体２５ａは、磁性流体シール２５ｃにより支持されている。磁性流体シール２５ｃは、シャフト本体２５ａと気密性を保持したまま、シャフト本体２５ａに回転力のみを伝達するようになっている。移動機構２３は、ステッピングモータ２５ｂを動力源として、シャフト本体２５ａをｚ軸回転させている。そして、シャフト本体２５ａの回転によりアーム２２をｚ軸回転させることで、動作Ａが行われる。
　第２の回転軸シャフト部２６は、シャフト本体（第２の軸本体）２６ａと、シャフト本体２６ａの軸受としての２つのベアリング２６ｂとから構成されている。シャフト本体２６ａは、アーム２２における吸引ノズル２１と反対側の端部に一体的に形成されている。また、２つのベアリング２６ｂは、第１の回転軸シャフト部２５におけるｚ軸方向の上部（アーム２２側の端部）に固定されている。第１の回転軸シャフト２５とアーム２２との接続部は、シャフト本体２６ａが２つのベアリング２６ａに挿入されることで構成される。
　また、カム機構２７は、アーム２２のｚ軸回転時の、吸引ノズル２１のｚ軸方向の変位を決定する機構であり、カムフォロア２７ａと、カムフォロア２７ａと接触するカム面２７ｂを有するカム部とを備えている。カムフォロア２７ａは、アーム２２の下面に設けられており、上述のアーム２２のｚ軸回転に合わせて変位するようになっている。上記カム面２７ｂを有するカム部は、図２に示されるように、カムフォロア２７ａの変位によって描かれる軌道上に設置されている。これにより、カムフォロア２７ａは、アーム２２がｚ軸回転している間、常にカム面２７ｂに接触し回転するようになる。このカム面２７ｂは、ｘｙ平面に対し傾斜した傾斜面と、ｘｙ平面に平行な平坦面とから構成されている。それゆえ、アーム２２がｚ軸回転しているとき、カムフォロア２７ａは、カム面２７ｂにおける平坦面及び傾斜面を連続的に回転移動する。そして、このカムフォロア２７ａの回転移動に合わせて、アーム２２はｙ軸回転する。そして、アーム２２のｙ軸回転により、吸引ノズル２１がｚ軸方向において上下動する動作Ｂが行われる。
　本気相成長装置においては、移動機構２３により吸引ノズル２１が基板トレイ載置台９上に移動したとき、吸引ノズル２１のｚ軸方向の底面２１ｂが、チャンバー本体４のｚ軸方向の上面４ａよりも低い位置に配される。このような構成において、移動機構２３が吸引ノズル２１に対し動作Ａのみを行う場合、吸引ノズル２１がチャンバー本体４の側面に当接してしまう。このため、吸引ノズル２１を、チャンバー１の内部から外部へ、及び外部から内部へ移動させることができなくなる。移動機構２３による動作Ｂは、吸引ノズル２１を上下動させることで、吸引ノズル２１の底面２１ａを、チャンバー本体４の上面４ａよりも高い位置に変位させる動作である。言い換えれば、本気相成長装置によれば、動作Ｂにより、吸引ノズル２１は、チャンバー１の内部から外部へ、もしくは外部から内部へ移動する（すなわち、動作Ａによる移動）に際し、サセプタ１０の収容空間を形成する段差部（上面４ａ）を乗り越えるようになる。
　動作Ｂにおいて、吸引ノズル２１のｚ軸方向の上下動変位は、カム面２７ｂにおける傾斜面及び平坦面の位置により決定される。すなわち、アーム２２のｚ軸回転時にカムフォロア２７ａが平坦面を回転移動する場合、吸引ノズル２１は上下動することなく、ｚ軸方向の変位はない。一方、カムフォロア２７ａが、傾斜面として例えば上記平坦面から隆起した隆起面を回転移動する場合、吸引ノズル２１は、ｚ軸方向において、上側（チャンバー蓋６側）に変位する。
　なお、本気相成長装置において、吸引ノズル２１が、掃除対象である基板トレイ載置台９上に移動したとき、基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離は、カムフォロア２７ａとカム面２７ｂとの関係により決定されるのではない。アーム２２における吸引ノズル２１側の端部には、鉛直（ｚ軸方向）下向きにストッパー２８が固定されている。基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離は、吸引ノズル２１が基板トレイ載置台９上に移動したとき、最終的にストッパー２８がチャンバー本体４の上面４ａに接触することにより、常に一定に保たれる。
　本気相成長装置が備えるチャンバー１は、チャンバー本体４とチャンバー蓋６とを密着させるためのシール部と、全ての基板７に等分布で反応ガスを供給するための基板回転部と、シール部及び基板回転部以外の固定部とから構成されている。基板回転部は、基板トレイ載置台９と、サセプタ１０とを備えている。また、固定部は、サセプタ１０の収容空間を形成する段差部（上面４ａ）を備えている。一般的に、基板回転部に反応ガスを供給したとき、反応ガス流は、固定部に当たる。このため、チャンバー１における固定部には、成膜に直接関係しない構造物を配置することができない。また、掃除対象である基板トレイ載置台９は、中心軸Ｏを回転軸として回転している。このため、チャンバー１のサイズが大きく、アーム２２が長く設計されている場合、アーム２２の端部（吸引ノズル２１側の端部）で発生する吸引力により、アーム２２が共振振動するおそれがある。
　本気相成長装置では、上述のように、アーム２２における吸引ノズル２１近傍に鉛直下向きに延びたストッパー２８が設けられている。それゆえ、ストッパー２８が上面４ａに当接したとき、アーム２２におけるストッパー２８設置点が支点となって、吸引力によるアーム２２の回転モーメントを小さくすることができる。その結果、アーム２２の共振振動を抑制することができる。
　また、吸引ノズル２１及びアーム２２の自重や吸引力によるアーム２２のたわみに影響されず、基板トレイ載置台９と吸引ノズル２１との距離を一定に保つことができる。
　次に、本気相成長装置における掃除手段２の運用方法について、図２を用いて、詳述する。
　まず、図示していない自動搬送ロボットにより、基板トレイ載置台９に載置された基板７及び基板トレイ８をチャンバー１外へ搬送・回収する（搬送する、あるいは回収する）。そして、最後の基板７及び基板トレイ８をチャンバー１外へ搬送・回収した直後に、ステッピングモータ２５ｂを作動させる。これにより、アーム２２をｚ軸回転させるとともに、吸引ノズル２１を上下動させ、チャンバー本体４の上面４ａを乗り越えるようにする。そして、吸引ノズル２１を基板トレイ載置台９上まで移動したとき、ステッピングモータ２５ｂの作動を停止する。
　次に、吸引ノズル２１を静止させたまま、図示しない真空ポンプを作動させ、基板トレイ載置台９上の塵埃除去を開始する。このとき、基板トレイ載置台９は、サセプタ１０とともに、回転機構１１により、一定の角速度でチャンバー１の中心軸Ｏ回りを回転している。ここで、ｘ軸方向において、吸引ノズル２１の幅が、基板トレイ載置台９の幅以上であることが好ましい。これにより、基板トレイ載置台９及びサセプタ１０がチャンバー１の中心軸Ｏ回りを一周回転したときに、全ての基板トレイ載置台９上の塵埃を除去することができ、効率的な塵埃除去を実現することができる。
　全ての基板トレイ載置台９上の塵埃を除去した後、図示していない真空ポンプによる吸引を終了する。そして、ステッピングモータ２５ｂを作動させて、アーム２２をｚ軸回転させる。そして、アーム２２がチャンバー１外部へ移動したら、ステッピングモータ２５ｂを停止させる。
　本気相成長装置においては、図示しない自動搬送ロボットが新しい基板７および基板トレイ８を基板トレイ載置台９に設置するまでに、上述の一連の動作が完了するように掃除手段２を運用する。
　本発明を以下のように表現することもできる。
　（第１の構成）
　本体と蓋から構成されたチャンバーと、前記チャンバー内に、被成膜物載置台と、前記被成膜物載置台をチャンバー中心軸回りに回転させる機構と、前記被成膜物載置台上の塵埃を除去する手段とを備えた気相成長装置において、前記塵埃除去手段は、前記チャンバー外に回転軸を有するアームを備え、前記アーム端に前記被成膜物載置台に対して非接触な吸引ノズルを有し、前記アーム回転によって前記吸引ノズルを前記チャンバーの内から外、および外から内へ移動できることを特徴とする気相成長装置。
　（第２の構成）
　前記吸引ノズル幅が被成膜物載置台幅と同じ、またはそれ以上であることを特徴とする第１の構成の気相成長装置。
　（第３の構成）
　前記アーム回転軸は、回転時にアームを上下動させるカム機構を備えていることを特徴とする第１または第２の構成の気相成長装置。
　（第４の構成）
　前記アームは、鉛直下向きに延びているストッパーを備えていることを特徴とする第１～第３の何れかの構成の気相成長装置。
　本発明の気相成長装置は、以上のように、上記除去手段は、上記被成膜物載置台へ延びるアームと、上記アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルと、上記中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えた構成である。
　それゆえ、チャンバーの開閉に伴う蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。さらに、除去手段のメンテナンスのために、チャンバー内で行われる成膜作業を中断させる必要がないので、メンテナンスによる装置稼働率の低下を防止することができる。
　本発明の気相成長装置では、上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させる回転機構を備えたことが好ましい。このように、上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させることにより、上記除去手段は、回転してくる被成膜物載置台について、順次塵埃を除去することになる。それゆえ、上記の構成によれば、より効率的に、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になる。
　本発明の気相成長装置では、上記アームの長手方向において、上記吸引ノズルの幅は、上記被成膜物載置台の幅以上になっていることが好ましい。
　これにより、上記被成膜物載置台がチャンバーの中心軸を回転軸として一周回転したときに、全ての被成膜物載置台上の塵埃を除去することができ、塵埃除去を効率的に行うことができる。
　本発明の気相成長装置では、上記移動機構は、上記第１の方向、および上記アームの長手方向に対し垂直な第２の方向に延びた第２の軸部と、上記第１の軸部を回転軸として上記アームが回転したときに、第１の方向において、上記吸引ノズルを上下動させるカム機構とを備えたことが好ましい。
　上記の構成によれば、上記移動機構は、上記第１の方向、および上記アームの長手方向に対し垂直な第２の方向に延びた第２の軸部を備えているので、上記第２の軸部を回転軸としてアームが回転可能になる。そして、これにより、アームの一方の端部に設けられた吸引ノズルが、第２の軸部に垂直な第１の方向に移動可能になる。上記の構成によれば、移動機構は、さらに、上記第１の軸部を回転軸として上記アームが回転したときに、第１の方向において、上記吸引ノズルを上下動させるカム機構を備えており、このカム機構が吸引ノズルの第１の方向の移動を決定している。
　このため、第１の軸部と被成膜物載置台との間に、被成膜物載置台よりも高くなるように、第１の方向（上記中心軸の方向）に立設した段差部が配された場合であっても、上記の構成によれば、移動機構が、上記吸引ノズルを第１の方向に上下動させ、段差部を乗り越えて、被成膜物載置台上の適切な位置に吸引ノズルを移動させることができる。
　なお、上記第２の軸部は、上記第１の軸部と上記アームとの接続部分に設けられた第２の軸本体と、上記第２の軸本体の軸受とを備えたことが好ましい。これにより、上記第２の軸部を回転軸としたアーム回転の中心と、上記第１の軸部を回転軸としたアーム回転の中心が、ともに上記第１の軸部と上記アームとの接続部分になり、より効率的にアームを回転させることができる。
　本発明の気相成長装置では、上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えたことが好ましい。
　上記の構成によれば、上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えているので、吸引ノズルが被成膜物載置台へ移動したとき、上記ストッパーがチャンバーの上記本体の上面に接触することになる。すなわち、上記の構成によれば、鉛直下向きに延びた上記ストッパーは、被成膜物載置台と吸引ノズルとの距離を保つ役割を果たす。したがって、上記の構成によれば、アームや吸引ノズルの自重、および吸引ノズルによる吸引力によるアームのたわみに影響されず、被成膜物載置台と吸引ノズルとのとの距離を常に一定に保つことができ、塵埃除去を効率的に行うことができる。
　本発明の気相成長装置では、上記第１の軸部は、上記アームにおける吸引ノズルと反対側の端部に接続した第１の軸本体と、上記第１の軸本体を回転させる動力源とを備えたことが好ましい。これにより、効率的にアームを回転させることができる。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
　本発明の気相成長装置は、チャンバーの開閉に伴う蓋の上下動に影響されることなく、被成膜物載置台上の塵埃を除去することが可能になるので、気相成長による成膜が必要な半導体基板製造分野などに利用することができる。
　１　　チャンバー
　２　　掃除手段（除去手段）
　３　　グローブボックス
　４　　チャンバー本体
　５　　上下動機構
　６　　チャンバー蓋
　７　　基板（被成膜物）
　８　　基板トレイ
　９　　基板トレイ載置台（被成膜物載置台）
１０　　サセプタ
１１　　回転機構
２１　　吸引ノズル
２２　　アーム
２３　　移動機構
２４　　配管チューブ
２５　　第１の回転軸シャフト部（第１の軸部）
２５ａ　シャフト本体（第１の軸本体）
２５ｂ　ステッピングモータ（動力源）
２５ｃ　磁性流体シール
２６　　第２の回転軸シャフト部（第２の軸部）
２６ａ　シャフト本体（第２の軸本体）
２６ｂ　ベアリング（軸受）
２７　　カム機構
２７ａ　カムフォロア
２７ｂ　カム面
２８　　ストッパー

Claims (7)

  1. 　本体と蓋とから構成されたチャンバーと、
    　上記チャンバー内に配置された被成膜物載置台と、
    　上記被成膜物載置台上の塵埃を除去する除去手段とを備えた気相成長装置であって、
    　上記除去手段は、
    　上記被成膜物載置台へ延びたアームと、
    　上記アームの端部に設けられた吸引ノズルと、
    　上記チャンバーの中心軸と平行な第１の方向に延びた第１の軸部を上記チャンバー外部に有し、該第１の軸部を回転軸として上記アームを回転させることにより、上記吸引ノズルを、上記チャンバーの外部から内部へ、及び外部から内部へ移動させる移動機構とを備えたことを特徴とする気相成長装置。
  2. 　上記チャンバーの中心軸を回転軸として、上記被成膜物載置台を回転させる回転機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
  3. 　上記アームの長手方向において、上記吸引ノズルの幅は、上記被成膜物載置台の幅以上になっていることを特徴とする請求項１または２に記載の気相成長装置。
  4. 　上記移動機構は、
    　上記第１の方向、および上記アームの長手方向に対し垂直な第２の方向に延びた第２の軸部と、
    　上記第１の軸部を回転軸として上記アームが回転したときに、第１の方向において、上記吸引ノズルを上下動させるカム機構とを備えたことを特徴とする請求項１～３の何れか１項に記載の気相成長装置。
  5. 　上記第２の軸部は、上記第１の軸部と上記アームとの接続部分に設けられた第２の軸本体と、上記第２の軸本体の軸受とを備えたことを特徴とする請求項４に記載の気相成長装置。
  6. 　上記アームは、上記第１の方向において、鉛直下向きに延びたストッパーを備えたことを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の気相成長装置。
  7. 　上記第１の軸部は、
    　上記アームにおける吸引ノズルと反対側の端部に接続した第１の軸本体と、
    　上記第１の軸本体を回転させる動力源とを備えたことを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の気相成長装置。
PCT/JP2010/059114 2009-06-09 2010-05-28 気相成長装置 Ceased WO2010143544A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009138563A JP4694637B2 (ja) 2009-06-09 2009-06-09 気相成長装置
JP2009-138563 2009-06-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010143544A1 true WO2010143544A1 (ja) 2010-12-16

Family

ID=43308799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/059114 Ceased WO2010143544A1 (ja) 2009-06-09 2010-05-28 気相成長装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4694637B2 (ja)
TW (1) TWI422695B (ja)
WO (1) WO2010143544A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4528788A1 (en) * 2022-05-19 2025-03-26 NuFlare Technology, Inc. Maintenance method for semiconductor manufacturing apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766108A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液塗布装置
JPH1022204A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001341054A (ja) * 2000-06-02 2001-12-11 Mitsubishi Motors Corp 平面ラップ盤のワーク着脱装置
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58210162A (ja) * 1982-06-02 1983-12-07 Toshiba Corp 蒸着装置の浄化方法及びその装置
JPH04176867A (ja) * 1990-11-13 1992-06-24 Kawasaki Steel Corp 多段式真空差圧室の防塵装置
JP2002080122A (ja) * 2000-09-04 2002-03-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 移載装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0766108A (ja) * 1993-08-31 1995-03-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液塗布装置
JPH1022204A (ja) * 1996-07-05 1998-01-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2001341054A (ja) * 2000-06-02 2001-12-11 Mitsubishi Motors Corp 平面ラップ盤のワーク着脱装置
WO2007132609A1 (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Tokyo Electron Limited 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010287631A (ja) 2010-12-24
JP4694637B2 (ja) 2011-06-08
TWI422695B (zh) 2014-01-11
TW201103993A (en) 2011-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI895705B (zh) 維護裝置
JP7297664B2 (ja) プロセスチャンバ中でマイクロエレクトロニクス基板を処理するための磁気的な浮上および回転するチャック
TWI508152B (zh) Liquid treatment device
US7275553B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
US7523769B2 (en) Enclosed container lid opening/closing system and enclosed container lid opening/closing method
KR102024386B1 (ko) 기판 유지 장치 및 기판 유지 방법
JP6067035B2 (ja) 基板処理モジュール及びそれを含む基板処理装置
JPWO2017090505A1 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
TWI402373B (zh) A CVD reactor that can replace the reaction chamber roof
JP2013165241A (ja) 搬送装置
JP4694637B2 (ja) 気相成長装置
WO2012002125A1 (ja) 金属膜形成装置
KR20120075430A (ko) 액처리 장치
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
JP2011159834A (ja) ガス置換装置を備えた基板搬送装置、基板搬送システム、置換方法
CN104253067A (zh) 基板处理装置、沉积装置、基板处理方法及沉积方法
JP5676362B2 (ja) 液処理装置および液処理装置の洗浄方法
JP7316102B2 (ja) ウエハ搬送装置
KR20060131912A (ko) 단일제품 공정챔버
JP5238331B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
CN118315314A (zh) 一种驱动装置及其晶圆传送装置、炉管设备和方法
JP2026500712A (ja) 基板を洗浄するための一体型の洗浄および乾燥モジュール
KR20100059336A (ko) 팬 필터 유닛과, 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102096948B1 (ko) 기판 처리 설비
CN103765557A (zh) 气相沉积设备

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10786075

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10786075

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1