WO2019098043A1

WO2019098043A1 - パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体

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Publication number: WO2019098043A1
Application number: PCT/JP2018/040688
Authority: WO
Inventors: 平野　俊介; 禎啓加藤; 尊明小柏; 和晃川下; 村上　誠
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 2017-11-16
Filing date: 2018-11-01
Publication date: 2019-05-23
Anticipated expiration: 2020-05-16
Also published as: EP3713380A1; CN111373849A; TWI796378B; EP3713380A4; US11664240B2; TW201923839A; KR20200087137A; JPWO2019098043A1; US20200388506A1

Abstract

本発明のパターニングされた金属箔付き積層体の製造方法は、第１の金属箔と、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、第２の金属箔と、がこの順で積層された積層体における前記第１の金属箔の全面をマスキングする工程と、前記第２の金属箔をパターニングする工程と、を含む。

Description

パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体

　本発明は、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法及びパターニングされた金属箔付き積層体に関する。

　電子機器、通信機器及びパーソナルコンピューター等に広く用いられる半導体パッケージの高機能化及び小型化は、近年、益々加速している。それに伴い、半導体パッケージにおけるプリント配線板及び半導体素子搭載用基板の薄型化が要求されている。通常、プリント配線板及び半導体素子搭載用基板は、支持基板上に回路パターンとなる層（回路パターン層）と絶縁材料（絶縁性樹脂層）とを積層させて作製される。

　例えば、特許文献１は、ステンレス鋼等剛性が高く、厚い支持基板（キャリア基板）上に、後の工程において剥離可能な銅の層を形成した積層体上に、パターンめっきにより回路パターンを形成し、エポキシ樹脂被覆ファイバーグラスのような絶縁層を積層して加熱及び加圧処理し、最後に支持基板を剥離、除去して薄型のプリント配線板を製造する方法を開示している。このように、剛性が高く、厚い支持基板上に回路パターンと絶縁材料とを積層させ、最後に支持基板を剥離、除去することで、既存の製造装置でも、薄型のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板を製造できる。

特表昭５９－５００３４１号公報

　しかしながら、薄型化を目的に、支持基板を用いることなくプリント配線板及び半導体素子搭載用基板を製造しようとする場合、既存の製造装置を用いると、プリント配線板及び半導体素子搭載用基板が折れること、あるいはプリント配線板及び半導体素子搭載用基板がコンベアに巻き付くこと等の問題を生じる。そのため、既存の製造装置を用いて、薄型化を目的としたプリント配線板及び半導体素子搭載用基板を製造することは困難である。

　また、特許文献１に記載の方法を利用した薄型のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板の製造では、使用済みの支持基板を廃棄しなければならないため、昨今の材料廃棄量削減の要請（環境負荷低減の観点）から問題がある。

　さらに、特許文献１に記載の製造方法では、まず、剛性が高く、厚い支持基板の両面に、銅層、絶縁層及び銅層をこの順で積層させた積層体を製造しなければならず、この積層体を製造できない製造プロセスは成立しないため、製造プロセスへの汎用性が乏しい。また、この積層体から回路パターンを作成するには、絶縁層を厚くする必要があり、薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板を製造する場合には、積層体中の銅層と絶縁材料の層とが剥離する又はプリント配線板及び半導体素子搭載用基板が折れること等の問題を有する。

　本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、支持基板を用いて積層体を製造しないため材料廃棄量を削減することが可能であり、支持基板を含む積層体を製造する工程及び支持基板を剥離及び除去する工程を削減できるため製造プロセスへの汎用性が高く、さらに薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができるパターニングされた金属箔付き積層体を製造できる方法の提供を目的とする。

　また、本発明は、薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができるパターニングされた金属箔付き積層体の提供を目的とする。

　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、薄い絶縁性樹脂層の両面に金属箔が積層されている積層体において、片面の金属箔をマスキングして、もう片面の金属箔のみをパターニングする工程を含む製法を用いることにより、片面に剛性が高い金属箔を有するため、薄い絶縁性樹脂層が破壊されずに加工できることを見出し、本発明を完成するに至った。

　すなわち、本発明は以下のとおりである。
　〔１〕
　第１の金属箔と、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、第２の金属箔と、がこの順で積層された積層体における前記第１の金属箔の全面をマスキングする工程と、前記第２の金属箔をパターニングする工程と、含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。

　〔２〕
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、〔１〕に記載の製造方法。

　〔３〕
　前記マスキング工程が、前記第１の金属箔の全面にレジストを積層貼着させて、マスキングする工程である、〔１〕又は〔２〕に記載の製造方法。

　〔４〕
　〔１〕～〔３〕のいずれかに記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第２の金属箔が第２の絶縁性樹脂層により被覆されるように、前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に前記第２の絶縁性樹脂層を積層する工程と、前記第２の絶縁性樹脂層に、第３の金属箔を積層する工程と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。

　〔５〕
　〔４〕に記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第３の金属箔の全面をマスキングする工程と、前記第１の金属箔をパターニングする工程と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。

　〔６〕
　前記マスキング工程が、前記第３の金属箔の全面にレジストを積層貼着させて、マスキングする工程である、〔５〕に記載の製造方法。

　〔７〕
　〔５〕又は〔６〕に記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第１の金属箔が第３の絶縁性樹脂層により被覆されるように、前記第１の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に前記第３の絶縁性樹脂層を積層する工程と、前記第３の絶縁性樹脂層に、第４の金属箔を積層する工程と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。

　〔８〕
　前記第３の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔又は前記第１の金属箔まで至る第１のバイアホールを設ける工程を更に含む、〔４〕に記載の製造方法。

　〔９〕
　前記第１のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、〔８〕に記載の製造方法。

　〔１０〕
　前記第３の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔、前記第１の金属箔又は前記第４の金属箔のいずれかまで至る第２のバイアホールを設ける工程を更に含む、〔７〕に記載の製造方法。

　〔１１〕
　前記第４の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第４の金属箔の表面から、反対面の前記第１の金属箔、前記第２の金属箔又は前記第３の金属箔のいずれかまで至る第３のバイアホールを設ける工程を更に含む、〔７〕又は〔１０〕に記載の製造方法。

　〔１２〕
　前記第２のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、〔１０〕に記載の製造方法。

　〔１３〕
　前記第３のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、〔１１〕に記載の製造方法。

　〔１４〕
　厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、前記第１の絶縁性樹脂層の片面に積層された第１の金属箔と、前記第１の金属箔が積層された面と反対の前記第１の絶縁性樹脂層の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔と、前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第２の金属箔を被覆した第２の絶縁性樹脂層と、前記第２の絶縁性樹脂層に積層された第３の金属箔と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体。

　〔１５〕
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、〔１４〕に記載の積層体。

　〔１６〕
　前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔又は前記第１の金属箔まで至る第１のバイアホールを含む、〔１４〕又は〔１５〕に記載の積層体。

　〔１７〕
　厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、前記第１の絶縁性樹脂層の片面に積層され、パターニングされた第１の金属箔と、前記第１の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第１の金属箔を被覆した第３の絶縁性樹脂層と、前記第３の絶縁性樹脂層に積層された第４の金属箔と、前記第１の金属箔が積層された面と反対の前記第１の絶縁性樹脂層の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔と、前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第２の金属箔を被覆した第２の絶縁性樹脂層と、前記第２の絶縁性樹脂層に積層された第３の金属箔と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体。

　〔１８〕
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、〔１７〕に記載の積層体。

　〔１９〕
　前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔、前記第１の金属箔又は前記第４の金属箔のいずれかまで至る第２のバイアホールを含む、〔１７〕又は〔１８〕に記載の積層体。

　〔２０〕
　前記第４の金属箔の表面から、反対面の前記第１の金属箔、前記第２の金属箔又は前記第３の金属箔のいずれかまで至る第３のバイアホールを含む、〔１７〕～〔１９〕のいずれかに記載の積層体。

　本発明によれば、支持基板を用いて積層体を製造しないため、材料廃棄量を削減することが可能である。また、支持基板を含む積層体を製造する工程及び支持基板を剥離及び除去する工程を削減できるため、既存の製造プロセスに適用でき、汎用性が高い。更に、本発明によれば、薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができる積層体の製造方法を提供することができる。

　本発明によれば、薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができる積層体を提供することができる。

本実施形態におけるパターニングされた金属箔付き積層体の製造方法を示す概略図である。比較例１の製造方法によって得られた積層体の写真である。

　以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための形態（以下、単に「本実施形態」と称す）について詳細に説明するが、本発明は下記本実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。本明細書において、積層体は、各層が互いに接着したものであるが、その各層は、必要に応じて、互いに剥離可能なものであってもよい。

　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体及びそれらの製造方法について、図１に基づいて説明する。本実施形態において、「パターニングされた金属箔付き積層体」とは、少なくとも、第１の絶縁性樹脂層の片面又は両面にパターニングされた（回路パターンを有する）金属箔を有する積層体のことを称す。

　〔第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体及び製造方法〕
　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３は、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層１０と、第１の絶縁性樹脂層１０の片面に積層された第１の金属箔１１と、第１の金属箔１１が積層された面と反対の第１の絶縁性樹脂層１０の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔１２と、第２の金属箔１２が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に積層され、第２の金属箔１２を被覆した第２の絶縁性樹脂層１３と、第２の絶縁性樹脂層１３に積層された第３の金属箔１４とを含む。

　また、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３の製造方法は、第１の金属箔１１と、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層１０と、第２の金属箔１２と、がこの順で積層された積層体２１における第１の金属箔１１の全面をマスキングする工程と、第２の金属箔１２をパターニングする工程と、第２の金属箔１２が第２の絶縁性樹脂層１３により被覆されるように、第２の金属箔１２が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に第２の絶縁性樹脂層１３を積層する工程と、第２の絶縁性樹脂層１３に、第３の金属箔１４を積層する工程と、を含む。

　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３の製造方法では、薄い第１の絶縁性樹脂層１０の両面に第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２が積層されている積層体２１を用いて、積層体２１における第１の金属箔１１の全面をマスキングして、もう片面の第２の金属箔１２のみをパターニングする工程を含むことにより、片面に剛性が高い第１の金属箔１１を有しながら、第２の金属箔１２をパターニングできる。そのため、薄い第１の絶縁性樹脂層１０が破壊されずに積層体２３を好適に製造することができる。

　また、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３の製造方法によれば、剛性が高く、厚い支持基板（キャリア基板）を用いず、薄い第１の絶縁性樹脂層１０を用いて積層体２３を製造できる。そのため、材料廃棄量を大幅に削減することが可能であり、支持基板を含む積層体を製造する工程及び支持基板を剥離及び除去する工程を削減できるため、製造プロセスへの汎用性が高い。

　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３では、薄い第１の絶縁性樹脂層１０を有するため、薄型化を目的としたプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができる。

　第１の絶縁性樹脂層１０は、特に限定されないが、通常、熱硬化性樹脂と、無機充填材と、必要に応じて、ガラスクロスとを含む。第１の絶縁性樹脂層１０の厚さは、通常１～２００μｍであり、好ましくは基材の取り扱いやすさの点から、１～１００μｍであり、より好ましくは１～４０μｍである。本実施形態では、片面の金属箔をマスキングして、もう片面の金属箔のみをパターニングする工程を含む製法を用いることにより、第１の絶縁性樹脂層１０の厚さを薄くしても、プリント配線板及び半導体素子搭載用基板が折れること、あるいはプリント配線板及び半導体素子搭載用基板がコンベアに巻き付くこと等の問題が生じない。

　熱硬化性樹脂としては、プリント配線板材料に使用される熱硬化性樹脂であれば、特に限定されない。具体例としては、シアン酸エステル化合物、エポキシ樹脂、マレイミド化合物、ポリイミド樹脂及び２重結合付加ポリフェニレンエーテル樹脂等の化合物が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましい熱硬化性樹脂としては、シアン酸エステル化合物、エポキシ樹脂及びマレイミド化合物が挙げられる。

　シアン酸エステル化合物は、１分子中に２個以上のシアネート基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビスフェノールＡ型シアン酸エステル化合物、フェノールノボラック型シアン酸エステル化合物、ビスフェノールＥ型シアン酸エステル化合物、ナフタレン骨格含有シアン酸エステル化合物及びビフェニル骨格含有シアン酸エステル化合物等が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいシアン酸エステル化合物としては、２，２－ビス（４－シアナトフェニル）プロパン、ビス(３，５－ジメチル－４－シアナトフェニル)メタン、フェノールノボラック型のシアン酸エステル化合物及びナフトールアラルキル型のシアン酸エステル化合物が挙げられる。

　エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官能フェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有エポキシ樹脂及びリン含有エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂及び３官能フェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。

　マレイミド化合物は、１分子中に２個以上のマレイミド基を有する化合物であれば、特に限定されない。具体例としては、ビス（４－マレイミドフェニル）メタン、２，２－ビス｛４－（４－マレイミドフェノキシ）－フェニル｝プロパン、ビス（３，５－ジメチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ビス（３，５－ジエチル－４－マレイミドフェニル）メタン、ポリフェニルメタンマレイミドが挙げられる。なお、これらマレイミド化合物のプレポリマー、もしくはマレイミド化合物とアミン化合物のプレポリマー等の形で配合することもできる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。好ましいマレイミド化合物としては、ビス（３－エチル－５－メチル－４－マレイミドフェニル）メタンが挙げられる。

　無機充填材としては、シリカ、窒化ホウ素、ワラストナイト、タルク、カオリン、クレー、マイカ、アルミナ、ジルコニア、チタニア、チタン酸バリウム及び酸化マグネシウム等の金属酸化物、窒化物、珪化物及び硼化物等を用いることができる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。無機充填材を含むことで、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層板２３及び後述する第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層板２５における熱膨張係数の低減及び剛性を向上させることができる。特に、シリカ、窒化ホウ素及びチタン酸バリウムのような低誘電率の無機充填材を添加することで、本実施形態に係る絶縁性樹脂層を低誘電率化させることができる。

　第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２としては、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、アルミニウム及びこれらのうちの２種以上の金属からなる合金が挙げられる。好ましくは、電気伝導度の点から、銅である。第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２は、同じであっても異なってもよいが、同じであることが好ましい。第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２の厚さは、特に限定されないが、それぞれ通常１～１８μｍ、好ましくは、レーザー穴あけ加工性が容易な点から、１～１５μｍであり、より好ましくは１～１２μｍである。厚さは、両面で同じであっても異なってもよいが、同じであることが好ましい。

　第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２としては、例えば、ＪＸ日鉱日石金属（株）製のＧＨＹ５（商品名、１２μｍ厚銅箔）、三井金属鉱業（株）製の３ＥＣ－ＶＬＰ（商品名、１２μｍ厚銅箔）及び３ＥＣ－ＩＩＩ（商品名、１８μｍ厚銅箔）等の市販品を使用することもできる。また、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２と、第１の絶縁性樹脂層１０との間にそれらを接着するための接着層をそれぞれ設けてもよく、接着層付きの金属箔を使用してもよい。接着層の材質は、特に限定されず、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂及びポリエステル系樹脂が使用できる。

　積層体２１としては、例えば、３Ｍ社製Ｃ－２００６（商品名）及び三井金属社製ファラドフレックス（登録商標）の市販品を使用することもできる。
　また、第１の実施形態において、金属箔と、絶縁性樹脂層とがこの順で積層された金属箔付き樹脂シートを用いて、この樹脂シートの絶縁性樹脂層の表面に金属箔を張り合わせて、第１の絶縁性樹脂層１０の両面に第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２が積層されている積層体２１を得ることもできる。金属箔付き樹脂シートとしては、例えば、三菱ガス化学（株）製ＣＲＳ－３８１ＮＳ１（商品名、銅箔付き樹脂シート）の市販品を使用することもできる。

　積層体２１の厚さは、特に限定されないが、通常３～２３６μｍであり、好ましくは４～２２４μｍであり、より好ましくは４～１３６μｍであり、更に好ましくは５～１２４μｍであり、更により好ましくは５～１００μｍである。

　第１の実施形態では、積層体２１における第１の金属箔１１の全面をマスキングして、第２の金属箔１２をパターニングすることで第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２を得る。マスキング及びパターニングは、プリント配線板の製造において行われる公知のマスキング及びパターニングを用いることができ、特に限定されないが、例えば、サブトラクティブ法によって、第１の金属箔１１の全面をマスキングして、第２の金属箔１２をパターニングする（回路パターンを形成する）ことが好ましい。

　サブトラクティブ法によるマスキング及びパターニングは、例えば、次のようにして行うことができる。第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２の全面に、温度１１０±１０℃、圧力０．５０±０．０２ＭＰａでドライフィルムレジスト（例えば、日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））を積層貼着（ラミネート）する。次いで、第１の金属箔１１の全面及び第２の金属箔１２の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行う。その後、１％炭酸ナトリウム水溶液にて両面のドライフィルムレジストを現像処理し、第２の金属箔１２において、エッチングレジストに覆われていない部分の第２の金属箔１２を塩化第二銅水溶液で除去し、最終的にアミン系のレジスト剥離液にてドライフィルムレジストを剥離する。これにより、第２の金属箔１２がパターニングされた金属箔付き積層体２２を形成することができる。

　第１の実施形態では、パターニングされた第２の金属箔１２が第２の絶縁性樹脂層１３により被覆されるように、第１の絶縁性樹脂層１０に第２の絶縁性樹脂層１３を積層し、第２の絶縁性樹脂層１３に、第３の金属箔１４を積層する。

　第２の絶縁性樹脂層１３としては、特に限定されず、例えば、第１の絶縁性樹脂層１０と同じ材料又はプリプレグを用いることができるが、熱膨張性及び耐熱性の点から、プリプレグを用いることが好ましい。

　プリプレグとは、ガラス繊維及び有機繊維等の繊維状補強材に樹脂組成物を添着させた材料である。プリプレグは、特に限定されず、例えば、以下の樹脂組成物及び繊維状補強材からなるものが挙げられる。樹脂組成物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ポリウレタン樹脂及びポリエステル樹脂からなる群より選ばれる１種以上の樹脂を含む組成物が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。繊維状補強材としては、例えば、ガラス繊維（例えば、Ｅガラス、Ｄガラス、Ｓガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス及びＱガラス）及び石英（クオーツ）等からなる無機繊維、ポリイミド、ポリアミド及びポリエステル等からなる有機繊維、炭素繊維並びにセルロース繊維が挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。繊維補強材の形状としては、例えば、織布、不織布、ロービング、チョップドストランドマット及びサーフェシングマットの形状が挙げられる。また、樹脂組成物には、無機充填材を含んでいてもよい。無機充填材としては、例えば、天然シリカ、溶融シリカ、アモルファスシリカ及び中空シリカ等のシリカ、ベーマイト、水酸化アルミニウム及びアルミナ等のアルミニウム化合物、酸化マグネシウム及び水酸化マグネシウム等のマグネシウム化合物、炭酸カルシウム等のカルシウム化合物、酸化モリブデン及びモリブデン酸亜鉛等のモリブデン化合物、天然タルク及び焼成タルク等のタルク、マイカ（雲母）並びに短繊維状ガラス、球状ガラス及び微粉末ガラス（Ｅガラス、Ｔガラス、Ｄガラス等）等のガラスが挙げられる。これらは、目的とする用途や性能により適宜選択でき、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。

　プリプレグの厚さとしては、特に限定されないが、１５～１００μｍであることが好ましく、１５～８０μｍであることがより好ましい。

　プリプレグとしては、例えば、三菱ガス化学（株）製Ａ－ＩＮ７４（商品名）、ＦＦ７０（商品名）及びＳＨ６５（商品名）等の市販品を使用することもできる。

　第３の金属箔１４としては、特に限定されないが、例えば、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２を用いることができる。第３の金属箔１４は、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２と同じであっても異なってもよい。また、第３の金属箔１４としては、キャリア金属箔付き金属箔を用いてもよい。

　キャリア金属箔付き金属箔とは、キャリア金属箔とそのキャリア金属箔よりも薄い金属箔（以下、「薄金属箔」と称す）を備える積層体シートである。詳細には、キャリア金属箔付き金属箔は、キャリア金属箔に、必要に応じて別のフィルムを介して、薄金属箔が剥離可能な状態で積層された積層シートであり、市販のものであってもよい。

　キャリア金属箔及びそれよりも薄い金属箔の金属の種類は、特に限定されない。それらの金属箔の種類としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、クロム、マンガン、モリブデン及びこれらのうちの２種以上の金属からなる合金から選択される少なくとも１種を合計で９０％以上含む合金が挙げられる。特に、熱膨張率、導電性及び経済性の点から、銅が好ましい。

　キャリア金属箔付き金属箔におけるキャリア金属箔の厚さは、特に限定されないが、９～７０μｍであることが好ましく、１２～３５μｍであることがより好ましい。薄金属箔の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以下であることが好ましく、１～５μｍであることがより好ましい。

　積層シートに必要に応じて積層される別のフィルムの材質は、特に限定されず、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、シリコーン樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、アラミド樹脂、ユリア樹脂、セロハン、ポリスルホン、エチレンプロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ナイロン、ポリカーボネート、フェノール樹脂、ＢＴ樹脂、トリアセテート、エポキシ樹脂、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリエチレンナフタレート及びポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）が挙げられる。また、別のフィルム層の厚さは、特に限定されないが、０．０１～１００μｍであることが好ましく、１～１０μｍであることがより好ましい。

　市販品としては、例えば、三井金属鉱業（株）製ＭＴ１８Ｅｘ（商品名、キャリア銅箔の厚さ：１８μｍ、極薄銅箔：２μｍ）及びＭＴＦＬ（商品名、キャリア銅箔の厚さ：１８μｍ、極薄銅箔：３μｍ）等が挙げられる。

　第１の実施形態において、絶縁性樹脂層１０に第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４を積層する方法は、特に限定されないが、パターニングされた第２の金属箔１２が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に、第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４をこの順で積層し、その後、加熱しながら積層方向に加圧して積層することが好ましい。また、第２の絶縁性樹脂層１３を積層する前に、第２の金属箔１２と第２の絶縁層樹脂層１３との接着強度を上げるため、例えば、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商品名）又はメック（株）製ＣＺ－８１００（商品名）を用いて、第２の金属箔１２の金属箔表面を１～２μｍエッチング（粗化処理）することが好ましい。

　第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２では、第１の絶縁性樹脂層１０の片面に剛性が高い第１の金属箔１１を有しているため、第１の絶縁性樹脂層１０が破壊されずに絶縁性樹脂層１０に第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４を好適に積層することができる。

　積層体２３の厚さは、特に限定されないが、通常３０～２００μｍであり、好ましくは４０～２００μｍであり、より好ましくは４５～２００μｍである。

　加熱及び加圧の方法は、特に限定されず、例えば、真空（減圧）ホットプレス及び真空（減圧）ラミネートを挙げることができる。第２の絶縁性樹脂層１３としてプリプレグを用いた場合、真空（減圧）ホットプレスが、接着強度をより高くすることができるので好ましい。

　加熱温度は、特に限定されないが、１８０～２３０℃であることが好ましく、１９０～２２０℃であることがより好ましい。加熱温度が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２、第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４との接着をより十分に行うことができる。

　加圧圧力は、特に限定されないが、１～４ＭＰａであることが好ましく、２．５～３．５ＭＰａであることがより好ましい。加圧圧力が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２、第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４との接着をより十分に行うことができる。

　加熱及び加圧の時間は、特に限定されないが、３０～３００分間が好ましく、４０～１２０分間がより好ましい。加熱及び加圧の時間が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２、第２の絶縁性樹脂層１３及び第３の金属箔１４との接着をより十分に行うことができる。

　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３では、第３の金属箔１４と、第２の金属箔１２及び／又は第１の金属箔１１との電気的接続を行うために、第３の金属箔１４の表面から、反対面の第２の金属箔１２又は前記第１の金属箔１１まで至る第１のバイアホールを含むことが好ましい。第１のバイアホールは、第２の金属箔１２を貫通してもよいが、第１の金属箔１１を貫通していない。第１のバイアホールは、目的とする用途により適宜形成することができる。

　第１のバイアホールは、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３を用いて、次の（１）～（３）のいずれか１つ以上の工程を含むことで得られる。

　（１）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４及び第２の絶縁性樹脂層１３を貫通して、反対面の第２の金属箔１２まで至る第１のバイアホールを設ける工程。

　（２）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第１の金属箔１１まで至る第１のバイアホールを設ける工程。

　（３）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３、第２の金属箔１２及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第１の金属箔１１まで至る第１のバイアホールを設ける工程。

　第１のバイアホールは、第１の金属箔１１を貫通しないように穴あけ加工を行うことで得られる。また、所定の位置とは、回路パターンに沿った適当な位置をいう。

　レーザー加工の方法は、特に限定されず、炭酸ガスレーザーによる加工方法及びＵＶレーザーによる加工方法等、通常の多層プリント配線板の製造において行われている加工方法を適宜用いることができる。また、第１のバイアホールは、メカニカルドリルを用いて加工してもよい。

　第１のバイアホールの形状は、特に限定されず、例えば、第３の金属箔１４の表面から見て、円形、略円形、楕円形及び略楕円形等、通常の多層プリント配線板の製造において形成される形状であればよい。第１のバイアホールの積層方向に平行な断面の形状も、特に限定されず、正方形、略正方形、長方形、略長方形、台形及び略台形等、通常の多層プリント配線板の製造において形成される形状であればよい。

　第１のバイアホールの大きさは、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造において形成される大きさであればよい。通常、第３の金属箔１４の表面から見た穴の断面積（すなわち、第３の金属箔１４の積層方向に直交する任意の断面の面積）は、０．０００３～３ｍｍ²である。第１のバイアホールの深さも、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造において形成される深さであればよい。通常、第１のバイアホールの深さは、５～２００μｍである。

　第１の実施形態では、適宜、第３の金属箔１４から第１の金属箔１１まで貫通したスルーホールを設けてもよい。

　第１の実施形態では、第１のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含むことが好ましい。本実施形態において、デスミア処理とは、バイアホールを形成する際に生じ、バイアホール内に付着した樹脂等のスミアを除去する処理を言う。

　デスミア処理の方法及びデスミア処理に使用される薬液の種類は、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造におけるデスミア処理の方法及び薬液を適宜用いることができる。デスミア処理の方法としては、特に限定されず、例えば、膨潤液による処理、デスミア液による処理及び中和液による処理が挙げられる。また、デスミア処理に使用される薬液は、市販品であってもよい。

　デスミア処理の条件は、特に限定されず、絶縁性樹脂の種類、薬液の種類及び濃度等によって適宜選択される。デスミア処理の方法としては、特に限定されないが、例えば、本実施形態に係るバイアホール及び必要に応じてスルーホールを、奥野製薬工業（株）製のデスミア用膨潤液（ＰＴＨ－Ｂ１０３（商品名））に６５℃で５分間浸漬して膨潤させたのち、奥野製薬工業（株）製デスミア処理液（ＰＴＨ１２００（商品名）及びＰＴＨ１２００ＮＡ（商品名））に８０℃で８分間浸漬し、最後に奥野製薬工業（株）製のデスミア用中和液（ＰＴＨ－Ｂ３０３（商品名））に４５℃で５分間浸漬する方法が挙げられる。

　第１の実施形態において、第１のバイアホールを設けた後、又は第１のバイアホール内をデスミア処理した後に、第３の金属箔１４と、第２の金属箔１２及び／又は第１の金属箔１１との電気的接続を行うために、金属めっき処理することが好ましい。

　金属めっき処理の方法としては、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における金属めっき処理の方法を適宜用いることができる。金属めっき処理の方法及びめっきに使用される薬液の種類は、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における金属めっき処理の方法及び薬液を適宜用いることができる。金属めっき処理に使用される薬液は、市販品であってもよい。

　金属めっき処理方法としては、特に限定されず、例えば、脱脂液による処理、ソフトエッチング液による処理、酸洗浄、プレディップ液による処理、キャタリスト液による処理、アクセレーター液による処理、化学銅液による処理、酸洗浄及び硫酸銅液に浸漬し電流を流す処理が挙げられる。

　金属めっき処理方法の具体例としては、第１のバイアホール内壁に通常の無電解めっき処理によって無電解めっき膜を形成した後、めっき液を噴流にして基板にぶつけるスパージャめっき方法等の電解めっき方法によって、第１のバイアホール内をめっき充填する方法が挙げられる。無電解めっき又は電解めっきとしては、例えば、銅、すず、銀、各種はんだ、銅及びすず、銅及び銀等の金属めっきが好ましく、無電解銅めっき又は電解銅めっきがより好ましい。

　後述の第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５を作製するために第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３を用いる場合には、回路パターンを形成するための露光用又はレーザー加工の位置合わせの目的で、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３に位置合わせ用の穴を設けることが好ましい。その場合、位置合わせ用穴の周囲に穴を更に設けることが好ましい。位置合わせ用穴及び位置合わせ用穴の周囲の穴を形成する方法は、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における公知の穴あけ方法が使用でき、例えば、ドリルで穴あけ加工する方法、及びＸ線又はレーザーで穴あけする方法を使用することができる。

　〔第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体及び製造方法〕
　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５は、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層１０と、第１の絶縁性樹脂層１０の片面に積層され、パターニングされた第１の金属箔１１と、第１の金属箔１１が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に積層され、第１の金属箔１１を被覆した第３の絶縁性樹脂層１５と、第３の絶縁性樹脂層１５に積層された第４の金属箔１６と、第１の金属箔１１が積層された面と反対の第１の絶縁性樹脂層１０の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔１２と、第２の金属箔１２が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に積層され、第２の金属箔１２を被覆した第２の絶縁性樹脂層１３と、第２の絶縁性樹脂層１３に積層された第３の金属箔１４とを含む。

　また、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５の製造方法は、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３における第３の金属箔１４の全面をマスキングする工程と、第１の金属箔１１をパターニングする工程と、第１の金属箔１１が第３の絶縁性樹脂層１５により被覆されるように、第１の金属箔１１が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に第３の絶縁性樹脂層１５を積層する工程と、第３の絶縁性樹脂層１５に、第４の金属箔１６を積層する工程とを含む。

　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５の製造方法では、薄い第１の絶縁性樹脂層１０の片面に第２の金属箔１２、第２の絶縁性樹脂層１０及び第３の金属箔１４が積層されているので、積層体２３全体の剛性を保つことができる。そのため、薄い第１の絶縁性樹脂層１０が破壊されずに、第１の金属箔１１を好適にパターニングできる。

　また、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５の製造方法によれば、剛性が高く、厚い支持基板（キャリア基板）を用いず、薄い第１の絶縁性樹脂層１０を用いて積層体２５を製造できる。そのため、材料廃棄量を大幅に削減することが可能であり、支持基板を含む積層体を製造する工程及び支持基板を剥離及び除去する工程を削減できるため、製造プロセスへの汎用性が高い。

　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５では、薄い第１の絶縁性樹脂層１０を有するため、薄型化を目的としたプリント配線板及び半導体素子搭載用基板に好適に用いることができる。
　積層体２５の厚さは、特に限定されないが、通常３０～３００μｍであり、好ましくは４０～３００μｍであり、より好ましくは４５～３００μｍである。

　第２の実施形態において、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２、積層体２１、第２の絶縁性樹脂層１３、第３の金属箔１４及び積層体２３については、前述のとおりである。

　第２の実施形態では、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３における第３の金属箔１４の全面をマスキングして、第１の金属箔１１をパターニングすることで第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２がパターニングされた金属箔付き積層体２５を得る。マスキング及びパターニングは、プリント配線板の製造において行われる公知のマスキング及びパターニングを用いることができ、特に限定されないが、例えば、サブトラクティブ法によって、第３の金属箔１４の全面をマスキングして、第１の金属箔１１をパターニングする（回路パターンを形成する）ことが好ましい。

　第１の金属箔及び第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２４では、積層体全体の剛性が保たれているため薄い第１の絶縁性樹脂層１０が破壊されずに、絶縁性樹脂層１０に第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６を好適に積層することができる。

　サブトラクティブ法によるマスキング及びパターニングは、例えば、次のようにして行うことができる。第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３における第１の金属箔１１及び第３の金属箔１４の全面に、温度１１０±１０℃、圧力０．５０±０．０２ＭＰａでドライフィルムレジスト（例えば、日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））を積層貼着（ラミネート）する。次いで、第３の金属箔１４の全面及び第１の金属箔１１の回路パターンに沿って露光し、マスキングを行う。その後、１％炭酸ナトリウム水溶液にて両面のドライフィルムレジストを現像処理し、第１の金属箔１１において、エッチングレジストに覆われていない部分の第１の金属箔１１を塩化第二銅水溶液で除去し、最終的にアミン系のレジスト剥離液にてドライフィルムレジストを剥離する。これにより、第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２がパターニングされた金属箔付き積層体２４を形成することができる。

　第２の実施形態では、パターニングされた第１の金属箔１１が第３の絶縁性樹脂層１５により被覆されるように、第１の絶縁性樹脂層１０に第３の絶縁性樹脂層１５を積層し、第３の絶縁性樹脂層１５に、第４の金属箔１６を積層する。

　第３の絶縁性樹脂層１５としては、特に限定されず、第１の絶縁性樹脂層１０及び第２の絶縁性樹脂層１３と同じ材料又はプリプレグを用いることができるが、熱膨張性及び耐熱性の点から、プリプレグを用いることが好ましい。プリプレグについては、前述のとおりであり、第２の絶縁性樹脂層１３を形成するために用いるプリプレグと同じであっても異なってもよい。

　第４の金属箔１６としては、特に限定されず、例えば、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２又は第３の金属箔１４を用いることができる。第４の金属箔１６は、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２又は第３の金属箔１４と同じであっても異なってもよい。第４の金属箔１６としては、キャリア金属箔付き金属箔を用いてもよい。キャリア金属箔付き金属箔については、前述のとおりであり、第３の金属箔１４のキャリア金属箔付き金属箔と同じであっても異なってもよい。

　また、第４の金属箔１６の金属の種類は、第１の金属箔１１の金属、第２の金属箔１２の金属又は第３の金属箔１４の金属を用いることができ、第１の金属箔１１の金属、第２の金属箔１２の金属又は第３の金属箔１４の金属と同じであっても異なってもよい。

　第２の実施形態において、第１の絶縁性樹脂層１０に第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６を積層する方法は、特に限定されないが、パターニングされた第１の金属箔１１が積層された第１の絶縁性樹脂層１０に、第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６をこの順で積層し、その後、加熱しながら積層方向に加圧して積層することが好ましい。また、第３の絶縁性樹脂層１５を積層する前に、第１の金属箔１１と第３の絶縁層樹脂層１５との接着強度を上げるため、例えば、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商標名）又はメック（株）製ＣＺ－８１００（商品名）を用いて、第１の金属箔１１の金属箔表面を１～２μｍエッチング（粗化処理）することが好ましい。

　加熱及び加圧の方法は、特に限定されず、例えば、真空（減圧）ホットプレス及び真空（減圧）ラミネートを挙げることができる。第３の絶縁性樹脂層１５としてプリプレグを用いた場合、真空（減圧）ホットプレスが、接着強度をより高くすることができるので好ましい。

　加熱温度は、特に限定されないが、１８０～２３０℃であることが好ましく、１９０～２２０℃であることがより好ましい。加熱温度が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１、第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６との接着をより十分に行うことができる。

　加圧圧力は、特に限定されないが、１～４ＭＰａであることが好ましく、２．５～３．５ＭＰａであることがより好ましい。加圧圧力が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１、第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６との接着をより十分に行うことができる。

　加熱及び加圧の時間は、特に限定されないが、３０～３００分間が好ましく、４０～１２０分間がより好ましい。加熱及び加圧の時間が上記範囲であれば、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１、第３の絶縁性樹脂層１５及び第４の金属箔１６との接着をより十分に行うことができる。

　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５には、回路パターンを形成するための露光用又はレーザー加工の位置合わせの目的で位置合わせ用の穴を設けることが好ましい。その場合、位置合わせ用穴の周囲に穴を更に設けることが好ましい。位置合わせ用穴及び位置合わせ用穴の周囲の穴を形成する方法は、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における公知の穴あけ方法が使用でき、例えば、ドリルで穴あけ加工する方法、及びＸ線又はレーザーで穴あけする方法を使用することができる。

　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５では、第３の金属箔１４と、第２の金属箔１２、第１の金属箔１１及び第４の金属箔１６のいずれか１つ以上の金属箔との電気的接続を行うために、第３の金属箔１４の表面から、反対面の第２の金属箔１２、第１の金属箔１１又は第４の金属箔１６のいずれかまで至る第２のバイアホールを含むことが好ましい。第２のバイアホールは、第３の金属箔１４と、第２の金属箔１２、第１の金属箔１１及び第４の金属箔１６のいずれか１つ以上の金属箔とを電気的に接続できるような非貫通の穴であり、第３の金属箔１４、第２の金属箔１２、第１の金属箔１１及び第４の金属箔１６の全てが、電気的に接続できるように非貫通の穴が形成されていてもよい。第２のバイアホールは、第２の金属箔１２及び／又は第１の金属箔１１を貫通していてもよいが、第４の金属箔１６を貫通していない。第２のバイアホールは、目的とする用途により適宜形成することができる。

　第２のバイアホールは、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５を用いて、次の（１）～（６）のいずれか１つ以上の工程を含むことで得られる。

　（１）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４及び第２の絶縁性樹脂層１３を貫通して、反対面の第２の金属箔１２まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　（２）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第１の金属箔１１まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　（３）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３、第２の金属箔１２及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第１の金属箔１１まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　（４）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３、第２の金属箔１２、第１の絶縁性樹脂層１０及び第３の絶縁性樹脂層１５を貫通して、反対面の第４の金属箔１６まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　（５）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１及び第３の絶縁性樹脂層１５を貫通して、反対面の第４の金属箔１６まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　（６）第３の金属箔１４の表面の所定位置にレーザーを照射して、第３の金属箔１４の表面から、第３の金属箔１４、第２の絶縁性樹脂層１３、第２の金属箔１２、第１の絶縁性樹脂層１０、第１の金属箔１１及び第３の絶縁性樹脂層１５を貫通して、反対面の第４の金属箔１６まで至る第２のバイアホールを設ける工程。

　第２のバイアホールは、第４の金属箔１６を貫通しないように穴あけ加工を行うことで得られる。また、所定の位置とは、回路パターンに沿った適当な位置をいう。

　第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５では、第４の金属箔１６と、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２及び第３の金属箔１４のいずれか１つ以上の金属箔との電気的接続を行うために、第４の金属箔１６の表面から、反対面の第１の金属箔１１、第２の金属箔１２又は第３の金属箔１４のいずれかまで至る第３のバイアホールを含むことが好ましい。第３のバイアホールは、第４の金属箔１６と、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２及び第３の金属箔１４のいずれか１つ以上の金属箔とを電気的に接続できるような非貫通の穴であり、第４の金属箔１６、第１の金属箔１１、第２の金属箔１２及び第３の金属箔１４の全てが、電気的に接続できるように非貫通の穴が形成されていてもよい。第３のバイアホールは、第１の金属箔１１及び／又は第２の金属箔１２を貫通していてもよいが、第３の金属箔１４を貫通していない。第３のバイアホールは、目的とする用途により適宜形成することができる。

　第３のバイアホールは、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５又は第２のバイアホールを有する第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５を用いて、次の（１）～（６）のいずれか１つ以上の工程を含むことで得られる。

　（１）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６及び第３の絶縁性樹脂層１５を貫通して、反対面の第１の金属箔１１まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　（２）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６、第３の絶縁性樹脂層１５及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　（３）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６、第３の絶縁性樹脂層１５、第１の金属箔１１及び第１の絶縁性樹脂層１０を貫通して、反対面の第２の金属箔１２まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　（４）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６、第３の絶縁性樹脂層１５、第１の金属箔１１、第１の絶縁性樹脂層１０及び第２の絶縁性樹脂層１３を貫通して、反対面の第３の金属箔１４まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　（５）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６、第３の絶縁性樹脂層１５、第１の絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２及び第２の絶縁性樹脂層１３を貫通して、反対面の第３の金属箔１４まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　（６）第４の金属箔１６の表面の所定位置にレーザーを照射して、第４の金属箔１６の表面から、第４の金属箔１６、第３の絶縁性樹脂層１５、第１の金属箔１１、第１の絶縁性樹脂層１０、第２の金属箔１２及び第２の絶縁性樹脂層１３を貫通して、反対面の第３の金属箔１４まで至る第３のバイアホールを設ける工程。

　第３のバイアホールは、第３の金属箔１４を貫通しないように穴あけ加工を行うことで得られる。また、所定の位置とは、回路パターンに沿った適当な位置をいう。

　第２のバイアホール又は第３のバイアホールを形成する方法は、特に限定されず、炭酸ガスレーザーによる加工方法、ＵＶレーザーによる加工方法及びメカニカルドリルを用いた加工方法等、通常の多層プリント配線板の製造において行われている加工方法を適宜用いることができる。第２のバイアホール及び第３のバイアホールの形成は、同時に行っても逐次的に行ってもよい。

　第２のバイアホール又は第３のバイアホールの形状は、特に限定されず、例えば、第３の金属箔１４又は第４の金属箔１６のそれぞれの表面から見て、円形、略円形、楕円形及び略楕円形等、通常の多層プリント配線板の製造において形成される形状であればよい。第２のバイアホール又は第３のバイアホールの積層方向に平行な断面の形状も、特に限定されず、例えば、正方形、略正方形、長方形、略長方形、台形及び略台形等、通常の多層プリント配線板の製造において形成される形状であればよい。

　第２のバイアホール又は第３のバイアホールの大きさは、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造において形成される大きさであればよい。通常、第３の金属箔１４又は第４の金属箔１６のそれぞれの表面から見た穴の断面積（すなわち、第３の金属箔１４又は第４の金属箔１６の積層方向に直交する任意の断面の面積）は、それぞれ０．０００３～３ｍｍ²である。第２のバイアホール又は第３のバイアホールの深さも、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造において形成される深さであればよい。通常、第２のバイアホール又は第３のバイアホールの深さは、それぞれ５～２００μｍである。

　第２の実施形態では、適宜、第３の金属箔１４から第４の金属箔１６まで貫通したスルーホールを設けてもよい。

　第２の実施形態では、第２のバイアホール内及び／又は第３のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含むことが好ましい。

　デスミア処理の方法、デスミア処理に使用される薬液の種類及びデスミア処理の条件は、特に限定されず、例えば、前述の第１のバイアホール内をデスミア処理する方法、デスミア処理に使用される薬液及びデスミア処理の条件を目的とする用途に応じて適宜選択できる。

　第２の実施形態において、第２のバイアホール及び／又は第３のバイアホールを設けた後、又は第２のバイアホール内及び／又は第３のバイアホール内をデスミア処理した後に、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５における各金属箔間の電気的接続を行うために、金属めっき処理することが好ましい。

　金属めっき処理の方法としては、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における金属めっき処理の方法を適宜用いることができる。また、具体的な金属めっき処理の方法及びめっきに使用される薬液の種類については、前述の第１の実施形態における金属めっき処理の方法及び薬液の種類を適宜選択できる。

　〔ビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体〕
　本実施形態では、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体又は第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体の片面又は両面に、更に金属箔及び絶縁性樹脂層を積層して、その後、加熱しながら積層方向に加圧することでビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体を得ることができる。金属箔及び絶縁性樹脂層の積層数については、特に限定されず、目的とする用途に応じて適宜積層数を設定することができる。また、金属箔及び絶縁性樹脂層の順番も特に限定されない。

　金属箔の金属についても、特に限定されず、例えば、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２の金属を用いることができ、第１の金属箔１１又は第２の金属箔１２の金属と同じであっても異なってもよい。絶縁性樹脂層も、特に限定されず、第１の絶縁性樹脂層１０と同じ材料又はプリプレグを用いることができるが、熱膨張性及び耐熱性の点から、プリプレグを用いることが好ましい。プリプレグについては、前述のとおりであり、第２の絶縁性樹脂層１３を形成するために用いるプリプレグと同じであっても異なってもよい。

　金属箔及び絶縁性樹脂層を積層する際の加熱の方法、加圧の方法及びそれらの時間も、特に限定されず、目的とする用途に応じて適宜選択することができる。具体的な加熱の方法、加圧の方法及びそれらの時間については、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態における加熱の方法、加圧の方法及びそれらの時間を適宜選択できる。

　ビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体には、目的とする用途に応じて適宜バイアホール及び／又はスルーホールを有してもよい。バイアホール及びスルーホールを形成する方法は、特に限定されず、炭酸ガスレーザーによる加工方法、ＵＶレーザーによる加工方法及びメカニカルドリルを用いた加工方法等、通常の多層プリント配線板の製造において行われている加工方法を適宜用いることができる。

　バイアホール及びスルーホールのそれぞれの形状、大きさ及び深さについては、特に限定されず、目的とする用途に応じて適宜設定できる。バイアホール及びスルーホールのそれぞれの形状、大きさ及び深さについては、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態における形状、大きさ及び深さを適宜選択できる。

　また、バイアホール内及び／又はスルーホール内は、デスミア処理されていることが好ましい。デスミア処理の方法については、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造におけるデスミア処理の方法を適宜用いることができる。また、具体的なデスミア処理方法、デスミア処理に使用される薬液の種類及びデスミア処理の条件については、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態におけるデスミア処理方法、デスミア処理に使用される薬液の種類及びデスミア処理の条件を適宜選択できる。

　本実施形態では、ビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体に、バイアホール及び必要に応じてスリーホールを設けた後、又はバイアホール内及び必要に応じてスリーホール内をデスミア処理した後に、各金属箔間の電気的接続を行うために金属めっき処理を施してもよい。

　金属めっき処理の方法としては、特に限定されず、通常の多層プリント配線板の製造における金属めっき処理の方法を適宜用いることができる。また、具体的な金属めっき処理の方法及びめっきに使用される薬液の種類については、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態における金属めっき処理の方法及びめっきに使用される薬液の種類を適宜選択できる。

　〔半導体素子搭載用基板〕
　半導体素子搭載用基板は、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体又はビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体における両面又は片面をマスキング及びパターニングすることで作製される。マスキング及びパターニングは、プリント配線板の製造において行われる公知のマスキング及びパターニングを用いることができ、特に限定されないが、サブトラクティブ法によって、回路パターンを形成することが好ましい。サブトラクティブ法については、前述の第１の実施形態又は第２の実施形態におけるサブトラクティブ法を適宜参照して、用いることができる。回路パターンは、積層体の片面にだけ形成されてもよく、両面に形成されてもよい。

　第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体又はビルドアップ構造を有するパターニングされた金属箔付き積層体は、外観不良が少なく、均一である。本実施形態の積層体を用いることにより、薄型のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板の生産性が従来よりも良好なものとなる。

　本実施形態の実施例について、図１を用いて説明するが、本実施形態はこれらの実施例によりなんら限定されるものではない。

　〔実施例１〕
　銅箔（第１の金属箔１１）と、第１の絶縁性樹脂層１０と、銅箔（第２の金属箔１２）とがこの順で積層された積層体２１（３Ｍ社製Ｃ２００６（商品名）、第１の絶縁性樹脂層１０の組成：エポキシ樹脂及びチタン酸バリウムを含む、第１の絶縁性樹脂層１０の厚さ：６μｍ、第１の金属箔１１及び第２の金属箔１２における銅箔の厚さ：３．５μｍ、積層体２１の厚さ：１３μｍ）の両面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））をラミネートした。その後、ラミネートしたドライフィルムレジストの片面（第２の金属箔１２）を所定の回路パターンに沿って露光し、もう片面（第１の金属箔１１）を全面露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、更にエッチング処理及びレジスト剥離を行い、第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２を形成した。

　第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２における第２の金属箔１２（第１の回路パターン層）及び第２の絶縁性樹脂層１３との接着強度を上げるため、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商品名）を用いて第２の金属箔１２の表面の銅を粗化処理した。次いで、第２の絶縁性樹脂層１３として厚さ０．０４０ｍｍのプリプレグ（三菱ガス化学（株）製Ａ－ＩＮ７４（商品名））と、第３の金属箔１４としてキャリア銅箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製ＭＴ１８Ｅｘ（商品名）、キャリア銅箔の厚さ：１８μｍ、極薄銅箔厚さ：２μｍ）とをキャリア銅箔面が最外層となるように、第２の金属箔１２を積層した第１の絶縁性樹脂層１０の面に配置して、真空下、温度２００℃、プレス圧力３ＭＰａにて６０分間プレス処理した。これにより、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３（積層体２３の厚さ：６０μｍ）を形成した。

　次いで、Ｘ線穴あけ装置を用いて、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３に位置合わせ用の穴を形成した。その後、積層体の両面（第１の金属箔１１及び第３の金属箔１４のそれぞれの表面）に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））をラミネートした。その後、ラミネートしたドライフィルムレジストの片面（第１の金属箔１１）を所定の回路パターンに沿って露光し、もう片面（第３の金属箔１４）を全面露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、更にエッチング処理及びレジスト剥離を行い、第１の金属箔及び第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２４を形成した。

　積層体２４における第１の金属箔１１（第２の回路パターン層）及び第３の絶縁性樹脂層１５との接着強度を上げるため、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商品名）を用いて第１の金属箔１１の表面の銅を粗化処理した。次いで、第３の絶縁性樹脂層１５として厚さ０．０４０ｍｍのプリプレグ（三菱ガス化学（株）製Ａ－ＩＮ７４（商品名））と、第４の金属箔１６としてキャリア銅箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製ＭＴ１８Ｅｘ（商品名）、キャリア厚さ：１８μｍ、極薄銅箔厚さ：２μｍ）とをキャリア銅箔面が最外層となるように、第１の金属箔１１を積層した第１の絶縁性樹脂層１０の面に配置して、真空下、温度２２０℃、プレス圧力３ＭＰａにて１２０分間プレス処理した。これにより、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５（積層体２５の厚さ：１００μｍ）を形成した。

　次いで、Ｘ線穴あけ装置を用いて、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５に位置合わせ用の穴を形成した。その後、積層体の最外層におけるキャリア銅箔を物理的に剥離した。

　次いで、炭酸ガスレーザー加工機（三菱電機（株）製ＭＬ６０５ＧＴＷ３（－Ｈ）５２００Ｕ（商品名））により、第３の金属箔１４の表面から第２の金属箔１２（第１の回路パターン層）に至る穴径１００μｍのバイアホールと、第４の金属箔１６の表面から第１の金属箔１１（第２の回路パターン層）に至る穴径１００μｍのバイアホールを形成した。続いて、バイアホール内のデスミア処理を行った。デスミア処理は、奥野製薬工業（株）製のデスミア用膨潤液（ＰＴＨ－Ｂ１０３（商品名））に６５℃で５分間浸して膨潤させたのち、奥野製薬工業（株）製デスミア処理液（ＰＴＨ１２００（商品名）及びＰＴＨ１２００ＮＡ（商品名））に８０℃で８分間浸し、最後に奥野製薬工業（株）製のデスミア用中和液（ＰＴＨ－Ｂ３０３（商品名））に４５℃で５分間浸して行った。

　次に、無電解めっきにて厚さ０．４～０．８μｍのめっき層を形成した後、硫酸銅（濃度：６０～８０ｇ／Ｌ）及び硫酸（濃度：１５０～２００ｇ／Ｌ）を用いた硫酸銅めっきにより１５～３０μｍのめっき層を形成した。これにより、第３の金属箔１４と第２の金属箔１２（第１の回路パターン層）、及び第４の金属箔１６と第１の金属箔１１（第２の回路パターン層）とが、それぞれバイアホールのめっき部分を通じて電気的に接続された。

　その後、パターニングされた金属箔付き積層体の両面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））をラミネートした。その後、上述の位置合わせ用の穴に合わせて、所定の回路パターンを露光し、現像処理し、更にエッチング処理及びレジスト剥離を行うサブトラクティブ法により、パターニングされた金属箔付き積層体表面に第３及び第４の回路パターンを形成し、半導体素子搭載用パッケージ基板（半導体素子搭載用基板）を得た。

　〔実施例２〕
　銅箔と、第１の絶縁性樹脂層１０とがこの順で積層された銅箔付き樹脂シート（三菱ガス化学（株）製ＣＲＳ－３８１ＮＳＩ（商品名）、第１の絶縁性樹脂層１０の組成：ビスマレイミド及びシリカを含む、第１の絶縁性樹脂層１０の厚さ：１０μｍ、銅箔の厚さ：１２μｍ、積層体２１の厚さ：３４μｍ）の第１の絶縁性樹脂層１０の表面に銅箔（三井金属鉱業（株）製３ＥＣ－ＶＬＰ（商品名）、銅箔の厚さ：１２μｍ）を張り合わせて積層体２１を形成した。積層体２１の銅箔両面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））をラミネートした。その後、ラミネートしたドライフィルムレジストの片面（第２の金属箔１２）を所定の回路パターンに沿って露光し、もう片面（第１の金属箔１１）を全面露光し、マスキングを行った。その後、現像処理し、更にエッチング処理及びレジスト剥離を行い、第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２を形成した。

　第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体２２における第２の金属箔１２（第１の回路パターン層）及び第２の絶縁性樹脂層１３との接着強度を上げるため、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商品名）を用いて第２の金属箔１２の表面の銅を粗化処理した。次いで、第２の絶縁性樹脂層１３として厚さ０．０４０ｍｍのプリプレグ（三菱ガス化学（株）製Ａ－ＩＮ７４（商品名））と、第３の金属箔１４としてキャリア銅箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製ＭＴ１８Ｅｘ（商品名）、キャリア厚さ：１８μｍ、極薄銅箔厚さ：２μｍ）とをキャリア銅箔面が最外層となるように、第２の金属箔１２を積層した第１の絶縁性樹脂層１０の面に配置して、真空下、温度２００℃、プレス圧力３ＭＰａにて６０分間プレス処理した。これにより、第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２３（積層体２３の厚さ：８０μｍ）を形成した。

　積層体２４における第１の金属箔１１（第２の回路パターン層）及び第３の絶縁性樹脂層１５との接着強度を上げるため、三菱ガス化学（株）製クリーンエッチ（登録商標）ＥＭＲ－５１００（商品名）を用いて第１の金属箔１１の表面の銅を粗化処理した。次いで、第３の絶縁性樹脂層１５として厚さ０．０４０ｍｍのプリプレグ（三菱ガス化学（株）製Ａ－ＩＮ７４（商品名））と、第４の金属箔１６としてキャリア銅箔付き極薄銅箔（三井金属鉱業（株）製ＭＴ１８Ｅｘ（商品名）、キャリア厚さ：１８μｍ、極薄銅箔厚さ：２μｍ）とをキャリア銅箔面が最外層となるように、第１の金属箔１１を積層した第１の絶縁性樹脂層１０の面に配置して、真空下、温度２２０℃、プレス圧力３ＭＰａにて１２０分間プレス処理した。これにより、第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体２５（積層体２５の厚さ：１３０μｍ）を形成した。

　〔比較例１〕
　銅箔と、絶縁性樹脂層と、銅箔とがこの順で積層された積層体（３Ｍ社製Ｃ２００６（商品名）、絶縁性樹脂層１０の組成：エポキシ樹脂及びチタン酸バリウムを含む、絶縁性樹脂層の厚さ：６μｍ、銅箔のそれぞれの厚さ：３.５μｍ）の両面に感光性ドライフィルムレジスト（日立化成（株）製ＲＤ－１２２５（商品名））をラミネートした。その後、ラミネートしたドライフィルムレジストの両面を所定の回路パターンに沿って露光し、現像処理し、更にエッチング処理を行ったところ、図２に示すように、積層体が破損してしまった。

　本出願は、２０１７年１１月１６日出願の日本特許出願（特願２０１７－２２０７７８）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

　本発明によれば、支持基板を用いて積層体を製造しないため、材料廃棄量を削減することが可能である。また、支持基板を含む積層体を製造する工程及び支持基板を剥離及び除去する工程を削減できるため、既存の製造プロセスに適用でき、汎用性が高い。更に、本発明によれば、薄型化のプリント配線板及び半導体素子搭載用基板を好適に得ることができる。

　１０：第１の絶縁性樹脂層
　１１：第１の金属箔
　１２：第２の金属箔
　１３：第２の絶縁性樹脂層
　１４：第３の金属箔
　１５：第３の絶縁性樹脂層
　１６：第４の金属箔
　２１：積層体
　２２：第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体
　２３：第１の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体
　２４：第１の金属箔及び第２の金属箔がパターニングされた金属箔付き積層体
　２５：第２の実施形態のパターニングされた金属箔付き積層体
　３０：破損個所（絶縁性樹脂層が破損した箇所を示す）
　３１：絶縁性樹脂層（絶縁性樹脂層が破損していない箇所を示す）

Claims

　第１の金属箔と、厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、第２の金属箔と、がこの順で積層された積層体における前記第１の金属箔の全面をマスキングする工程と、
　前記第２の金属箔をパターニングする工程と、
を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、請求項１に記載の製造方法。
　前記マスキング工程が、前記第１の金属箔の全面にレジストを積層貼着させて、マスキングする工程である、請求項１又は２に記載の製造方法。
　請求項１～３のいずれか一項に記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第２の金属箔が第２の絶縁性樹脂層により被覆されるように、前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に前記第２の絶縁性樹脂層を積層する工程と、
　前記第２の絶縁性樹脂層に、第３の金属箔を積層する工程と、
を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。
　請求項４に記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第３の金属箔の全面をマスキングする工程と、
　前記第１の金属箔をパターニングする工程と、
を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。
　前記マスキング工程が、前記第３の金属箔の全面にレジストを積層貼着させて、マスキングする工程である、請求項５に記載の製造方法。
　請求項５又は６に記載のパターニングされた金属箔付き積層体における前記第１の金属箔が第３の絶縁性樹脂層により被覆されるように、前記第１の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に前記第３の絶縁性樹脂層を積層する工程と、
　前記第３の絶縁性樹脂層に、第４の金属箔を積層する工程と、を含む、パターニングされた金属箔付き積層体の製造方法。
　前記第３の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔又は前記第１の金属箔まで至る第１のバイアホールを設ける工程を更に含む、請求項４に記載の製造方法。
　前記第１のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、請求項８に記載の製造方法。
　前記第３の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔、前記第１の金属箔又は前記第４の金属箔のいずれかまで至る第２のバイアホールを設ける工程を更に含む、請求項７に記載の製造方法。
　前記第４の金属箔の表面の所定位置にレーザーを照射して、前記第４の金属箔の表面から、反対面の前記第１の金属箔、前記第２の金属箔又は前記第３の金属箔のいずれかまで至る第３のバイアホールを設ける工程を更に含む、請求項７又は１０に記載の製造方法。
　前記第２のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、請求項１０に記載の製造方法。
　前記第３のバイアホール内をデスミア処理する工程を更に含む、請求項１１に記載の製造方法。
　厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、
　前記第１の絶縁性樹脂層の片面に積層された第１の金属箔と、
　前記第１の金属箔が積層された面と反対の前記第１の絶縁性樹脂層の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔と、
　前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第２の金属箔を被覆した第２の絶縁性樹脂層と、
　前記第２の絶縁性樹脂層に積層された第３の金属箔と、
を含む、パターニングされた金属箔付き積層体。
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、請求項１４に記載の積層体。
　前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔又は前記第１の金属箔まで至る第１のバイアホールを含む、請求項１４又は１５に記載の積層体。
　厚さが１～２００μｍである第１の絶縁性樹脂層と、
　前記第１の絶縁性樹脂層の片面に積層され、パターニングされた第１の金属箔と、
　前記第１の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第１の金属箔を被覆した第３の絶縁性樹脂層と、
　前記第３の絶縁性樹脂層に積層された第４の金属箔と、
　前記第１の金属箔が積層された面と反対の前記第１の絶縁性樹脂層の面に積層され、パターニングされた第２の金属箔と、
　前記第２の金属箔が積層された前記第１の絶縁性樹脂層に積層され、前記第２の金属箔を被覆した第２の絶縁性樹脂層と、
　前記第２の絶縁性樹脂層に積層された第３の金属箔と、
を含む、パターニングされた金属箔付き積層体。
　前記第１の金属箔の厚さが、１～１００μｍである、請求項１７に記載の積層体。
　前記第３の金属箔の表面から、反対面の前記第２の金属箔、前記第１の金属箔又は前記第４の金属箔のいずれかまで至る第２のバイアホールを含む、請求項１７又は１８に記載の積層体。
　前記第４の金属箔の表面から、反対面の前記第１の金属箔、前記第２の金属箔又は前記第３の金属箔のいずれかまで至る第３のバイアホールを含む、請求項１７～１９のいずれか一項に記載の積層体。