BE417021A - - Google Patents
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-
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Résistance électrique à coefficient de température négatif et procédé de fabrication de cette résistance. Il n'est pas facile de munir des résistances électriques, établies en matières agglomérées par cuisson, de contacts ayant une bonne adhérence et ne donnant pas lieu à une résistance de passage indésirable. Dans ce but, on a déjà proposé différents procédés, notamment pour les résistances électriques à coefficient de température négatif qui sont fabriquées en oxydes inférieurs de chrome ou d'uranium. Il a été alors démontré que l'agglomération du métal et du carbone par cuisson conduit à un résultat indésirable en raison de la formation du carbure. <Desc/Clms Page number 2> La présente invention a pour objet une résistance à coefficient de température négatif, qui est obtenue par cuisson agglomérante d'un mélange contenant du silicium ou un de ses alliages, de préférence en proportion supérieure à 50%. La Demanderesse a constaté qu'il est possible de munir de contacts, d'une manière satisfaisante, une telle résistance électrique, au moyen d'une certaine quantité de carbone, par exemple de graphite, en agglomérant ce carbone par cuisson à haute température avec la matière qui constitue la résistance. L'exemple suivant, qui ne présente aucun caractère limitatif, permettra de bien comprendre comment l'invention peut être mise en pratique. On pulvérise 50 g de ferro-silicium à forte teneur en silicium, par exemple 98%, on le tamise et on le mélange à 10 g d'argile et à 50 mg de gomme adragante également pulvérisées, avec addition de 7 cm3 d'eau jusqu'à l'obtention d'une pâte homogène qu'on comprime en bâtonnets 1, en y encastrant' de petits blocs de graphite 2. On sèche ensuite à l'air pendant quelques heures les bâtonnets 1 ainsi pourvus de contacts en graphite 2, puis on les chauffe à une température de 13000 pendant environ 60 minutes dans une atmosphère gazeuse réductrice, ce qui provoque la concrétion agglomérante de la matière. Les contacts de graphite sont alors solidement assemblés à la matière riche en silicium qui constitue la résistance et ils ne présentent aucune résistance de passage gênante. Ils peuvent être munis, pour l'amenée du courant., de petites tiges 3, par exemple en nickel. I1 y a lieu de préciser que la présence d'un excès de silicium dans la matière dont est formée la résistance permet d'obtenir que la valeur chimique de la résistance soit plus grande à la température ambiante qu'à la température de fonc- <Desc/Clms Page number 3> tionnement, de sorte que la résistance possède un coefficient de température négatif et de valeur élevée. Il va de soi que, sans sortir du cadre de l'invention on pourra apporter des modifications de détail au mode de réalisation qui vient d'être décrit.
Claims (1)
- RESUME L'invention concerne: 1 ) Un procédé de fabrication de résistancesélectri- ques à coefficient de température négatif, à partir de mélanges semi-conducteurs agglomérés par cuisson et contenant du silicium, de préférence en excès, selon lequel on agglomère avec la matière qui constitue la résistance, par concrétion à haute température, une certaine quantité de carbone, par exemple de graphite, destinée à former les contacts.20) Une résistance fabriquée par ce procédé.
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