CH521163A - Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern - Google Patents

Verfahren zum epitaktischen Abscheiden von kristallinem Material aus der Gasphase auf Substratkörpern

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CH521163A
CH521163A CH839069A CH839069A CH521163A CH 521163 A CH521163 A CH 521163A CH 839069 A CH839069 A CH 839069A CH 839069 A CH839069 A CH 839069A CH 521163 A CH521163 A CH 521163A
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CH839069A
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Erhard Dipl Ing Sussmann
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Siemens Ag
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating

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